JPH047017B2 - - Google Patents
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- JPH047017B2 JPH047017B2 JP57076088A JP7608882A JPH047017B2 JP H047017 B2 JPH047017 B2 JP H047017B2 JP 57076088 A JP57076088 A JP 57076088A JP 7608882 A JP7608882 A JP 7608882A JP H047017 B2 JPH047017 B2 JP H047017B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ装置に関し、特に屈折率
導波機構で光を閉じ込めた半導体レーザ装置の雑
音特性を改善する技術に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor laser device, and more particularly to a technique for improving the noise characteristics of a semiconductor laser device in which light is confined using a refractive index waveguide mechanism.
半導体レーザ装置は光通信システムの他、近年
特にビデオデイスク装置やオーデイオデイスク装
置に於けるピツクアツプ系の光源として利用され
るようになつた。しかしながら、半導体レーザ装
置をピツクアツプ系の光源として用いた場合、デ
イスク面で反射されたレーザ光の反射光が帰還光
となつて半導体レーザ装置に入射された際に半導
体レーザ装置に雑音が発生し、このため、ビデオ
デイスクからの再生画像の画質低下あるいはオー
デイオデイスクからの再生音に異常音の発生を招
く結果となり実用上の大きな問題となつていた。 In addition to optical communication systems, semiconductor laser devices have recently come to be used as light sources for pickup systems, particularly in video disk devices and audio disk devices. However, when a semiconductor laser device is used as a pick-up light source, noise is generated in the semiconductor laser device when the reflected light from the laser beam reflected from the disk surface becomes return light and enters the semiconductor laser device. This has resulted in a reduction in the quality of the reproduced images from the video disk or the generation of abnormal sounds in the reproduced sound from the audio disk, posing a serious problem in practical use.
反射帰還光の入射による雑音の発生は、縦モー
ドが単一なものに比べてマルチモードの素子の方
が少なく安定であることが知られている。縦モー
ドが単一なレーザ素子は光を屈折率導波機構で閉
じ込めた方が得られ易く、縦マルチモードを有す
るレーザ素子は光を利得導波機構で閉じ込めた方
が得られ易い。 It is known that multi-mode elements generate less noise due to the incidence of reflected feedback light and are more stable than elements with a single longitudinal mode. It is easier to obtain a laser element with a single longitudinal mode by confining light with a refractive index waveguide mechanism, and a laser element with multiple longitudinal modes is easier to obtain by confining light with a gain waveguide mechanism.
しかしながら、利得導波機構で光を閉じ込めた
レーザ素子は横モードが不安定であり、注入電流
の変化等により横方向の発振モードが変動し易
く、ピツクアツプ等の光学系に使用した場合には
光軸が変化することとなつて実用に供することが
できない。 However, the transverse mode of a laser element that confines light using a gain waveguide mechanism is unstable, and the transverse oscillation mode tends to fluctuate due to changes in the injection current, etc., and when used in optical systems such as pickups, the optical The axis changes, making it impossible to put it to practical use.
従つて、ピツクアツプ系の光源として用いる半
導体レーザ装置は屈折率導波機構で光を閉じ込め
る方式のものが用いられ、この上で更に雑音の発
生を抑制する観点より縦モードがマルチになるよ
うにレーザ素子を構成することが必要となる。屈
折率導波機構は周知の如く活性層をヘテロ接合界
面で限定し、活性層に光の屈折率差を付与してス
トライプ状の微小領域へ光が集束されるようにす
れば得られる。しかしながら、この構造では光の
集束度が高く、縦モードは安定な単一モードとな
るのが一般的である。 Therefore, the semiconductor laser device used as a pick-up light source is one that confines light using a refractive index waveguide mechanism.In addition, from the viewpoint of suppressing noise generation, the laser device is designed to have multiple longitudinal modes. It is necessary to configure the element. As is well known, the refractive index waveguide mechanism can be obtained by defining the active layer at a heterojunction interface and imparting a difference in the refractive index of light to the active layer so that the light is focused onto a striped micro region. However, in this structure, the degree of light convergence is high, and the longitudinal mode generally becomes a stable single mode.
本発明は、屈折率導波機構を有する単一縦モー
ド半導体レーザ素子を備え、前記半導体レーザ素
子の共振器一端面よりピツクアツプ系の光源とし
てレーザ光が出力される半導体レーザ装置におい
て、
前記半導体レーザ素子の共振器他端面より出力
されるレーザ光を帰還入射させる光学帰還系を前
記半導体レーザ素子に付設することにより、縦モ
ードをマルチ化し、反射帰還光に対する雑音の発
生を抑制した新規有用な半導体レーザ装置を提供
することを目的とするものである。 The present invention provides a semiconductor laser device comprising a single longitudinal mode semiconductor laser element having a refractive index waveguide mechanism, and in which a laser beam is output from one end face of a resonator of the semiconductor laser element as a pick-up light source. A new and useful semiconductor that multiplies longitudinal modes and suppresses the generation of noise in the reflected feedback light by attaching to the semiconductor laser element an optical feedback system that returns and injects the laser light output from the other end face of the resonator of the element. The object of the present invention is to provide a laser device.
以下、本発明を実施例に従つて図面を参照しな
がら詳説する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail according to embodiments with reference to the drawings.
屈折率導波機構で光を閉じ込めたレーザ素子の
発振スペクトルを第1図に示す。このスペクトル
は縦モードが単一であることを示している。 Figure 1 shows the oscillation spectrum of a laser device that confines light using a refractive index waveguide mechanism. This spectrum shows a single longitudinal mode.
第2図は本発明の1実施例を示す半導体レーザ
装置の模式構成図である。 FIG. 2 is a schematic diagram of a semiconductor laser device showing one embodiment of the present invention.
第1図に示すスペクトル特性を有するレーザ素
子1の一方の共振器端面より出力されるレーザ光
を出力光とし、他方の共振器端面より出力された
レーザ光は固定集光レンズ2を介して反射率70%
の反射面を有する反射ミラー3で反射され、再度
集光レンズ2を介してレーザ素子1に入射され
る。この時の発振スペクトルを第3図に示す。第
3図は縦モードがマルチであることを示してい
る。固定反射ミラーを用いてレーザ光をレーザ素
子に帰還入射させることにより縦モード単一の素
子をマルチモードとすることができる。 The laser beam output from one cavity end face of the laser element 1 having the spectral characteristics shown in FIG. rate 70%
The light is reflected by a reflecting mirror 3 having a reflecting surface, and then enters the laser element 1 via the condenser lens 2 again. The oscillation spectrum at this time is shown in FIG. FIG. 3 shows that the vertical mode is multiple. By returning laser light to the laser element using a fixed reflection mirror, a single longitudinal mode element can be made into a multi-mode element.
第4図は本発明の他の実施例を示す半導体レー
ザ装置の模式構成図である。 FIG. 4 is a schematic diagram of a semiconductor laser device showing another embodiment of the present invention.
レーザ素子1の一方の共振器端面より出力され
たレーザ光はセルフオツクレンズ4に入射され
る。セルフオツクレンズ4には反射膜5が形成さ
れておりセルフオツクレンズ4に入射されたレー
ザ光はこの反射膜5で反射されてレーザ素子1に
帰還される。 Laser light output from one resonator end face of the laser element 1 is incident on a self-occurring lens 4. A reflective film 5 is formed on the self-occurring lens 4, and the laser light incident on the self-occurring lens 4 is reflected by the reflective film 5 and returned to the laser element 1.
第5図は本発明の更に他の実施例を示す半導体
レーザ装置の模式構成図である。 FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing still another embodiment of the present invention.
レーザ素子1の一方の共振器端面より出力され
たレーザ光は凹面鏡6で反射され、レーザ素子1
に帰還される。 The laser beam output from one cavity end face of the laser element 1 is reflected by the concave mirror 6, and the laser beam is reflected by the concave mirror 6.
will be returned to.
レーザ素子の一方の共振器端面より出力された
レーザ光を光学的に反射帰還光としてレーザ素子
へ入射することにより単一の縦モードがマルチ化
される。縦モードがマルチモードとなれば前述し
た如く出力光のデイスク板等からの信号光が入射
された場合でも雑音の発生が少なくなり、安定な
情報検出が可能となる。 A single longitudinal mode is multiplied by inputting the laser light outputted from one resonator end face of the laser element into the laser element as optically reflected feedback light. If the longitudinal mode becomes a multi-mode, as described above, even when signal light from a disk plate or the like of the output light is incident, noise generation will be reduced and stable information detection will be possible.
縦モードをマルチ化するために用いるレーザ光
は、レーザ素子の一対の共振端面に於いてピツク
アツプ系等の光源として用いる共振端面でない方
の共振端面より出力されるものを用いることが実
用的である。 It is practical to use the laser light used to multiply the longitudinal modes that is output from the resonant end facet of the pair of resonant end faces of the laser element, which is not the resonant end face used as a light source for a pickup system, etc. .
なお、半導体レーザ出力光の縦モードがマルチ
化する際、一方の共振器端面より出力されるレー
ザ光の一部を抽出して帰還させ、残りを光源とし
ての出力光とすることも考えられるが、この方法
ではレーザ光の一部を安定に帰還させ、残りを光
源としての出力光とするための特殊な光学系が必
要となつて装置の構造が複雑となり、また、一方
の共振器端面より出力されるレーザ光を光源とし
て有効利用する点からも好ましくない。 Note that when the longitudinal modes of the semiconductor laser output light are multiplied, it may be possible to extract a part of the laser light output from one cavity end face and return it, and use the rest as the output light as a light source. This method requires a special optical system to stably return part of the laser beam and output the rest as the light source, which complicates the structure of the device. This is also unfavorable from the point of view of effectively utilizing the output laser light as a light source.
しかしながら、本願発明のように、レーザ素子
の一対の共振端面においてピツクアツプ系等の光
源として用いる共振端面でない方の共振端面より
出力されるレーザ光を帰還させるようにした場合
には、上記のような問題が生じることはなく、こ
の点からも本願発明は非常に実用的であるといえ
る。 However, as in the present invention, when the laser beam output from a pair of resonant end faces of a laser element is fed back from the resonant end face that is not the resonant end face used as a light source for a pickup system, etc., the above-mentioned problem occurs. No problems arise, and from this point of view as well, the present invention can be said to be very practical.
以上詳説した如く、本発明は横モードを安定化
するために屈折率導波機構を利用して光を閉じ込
めた共振器一端面よりピツクアツプ等の光源とし
てレーザ光が利用される半導体レーザ装置におい
て、前記半導体レーザ素子の共振器他端面より出
力されるレーザ光を帰還入射させる光学帰還系を
前記半導体レーザに付設することにより、縦モー
ドをマルチ化したものであり、これによつてデイ
スク板等からの帰還光がレーザ素子に入射された
場合に生ずる雑音が抑制され、安定な動作を得る
ことができる。 As explained in detail above, the present invention provides a semiconductor laser device in which a laser beam is used as a light source such as a pickup from one end face of a resonator in which light is confined using a refractive index waveguide mechanism to stabilize transverse modes. By attaching to the semiconductor laser an optical feedback system that returns the laser light output from the other end surface of the resonator of the semiconductor laser element, the longitudinal mode is multiplied. Noise generated when the feedback light is incident on the laser element is suppressed, and stable operation can be achieved.
第1図は屈折率導波機構で光を閉じ込めたレー
ザ素子の発振スペクトルを示す説明図である。第
2図は本発明の1実施例を示す半導体レーザ装置
の模式構成図である。第3図は第2図に示す半導
体レーザ装置の発振スペクトルを示す説明図であ
る。第4図及び第5図はそれぞれ本発明の他の実
施例を示す半導体レーザ装置の模式構成図であ
る。
1……レーザ素子、2……集光レンズ、3……
反射ミラー、4……セルフオツクレンズ、5……
反射膜、6……凹面鏡。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the oscillation spectrum of a laser element in which light is confined by a refractive index waveguide mechanism. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device showing one embodiment of the present invention. FIG. 3 is an explanatory diagram showing the oscillation spectrum of the semiconductor laser device shown in FIG. 2. FIGS. 4 and 5 are schematic configuration diagrams of semiconductor laser devices showing other embodiments of the present invention, respectively. 1... Laser element, 2... Condensing lens, 3...
Reflection mirror, 4... Self-cleaning lens, 5...
Reflective film, 6... concave mirror.
Claims (1)
レーザ素子を備え、前記半導体レーザ素子の共振
器一端面よりピツクアツプ系の光源としてレーザ
光が出力される半導体レーザ装置において、 前記半導体レーザ素子の共振器他端面より出力
されるレーザ光を帰還入射させる光学帰還系を前
記半導体レーザ素子に付設し、 前記半導体レーザ素子出力光の縦モードをマル
チ化したことを特徴とする半導体レーザ装置。[Scope of Claims] 1. A semiconductor laser device comprising a single longitudinal mode semiconductor laser element having a refractive index waveguide mechanism, in which laser light is output from one end face of a resonator of the semiconductor laser element as a pick-up light source, A semiconductor characterized in that an optical feedback system is attached to the semiconductor laser element to make the laser light outputted from the other end surface of the resonator of the semiconductor laser element return and enter the semiconductor laser element, and the longitudinal modes of the output light of the semiconductor laser element are multiplied. laser equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57076088A JPS58194150A (en) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57076088A JPS58194150A (en) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | Semiconductor laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194150A JPS58194150A (en) | 1983-11-12 |
| JPH047017B2 true JPH047017B2 (en) | 1992-02-07 |
Family
ID=13595073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57076088A Granted JPS58194150A (en) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194150A (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175146A (en) * | 1982-04-05 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | semiconductor laser |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP57076088A patent/JPS58194150A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58194150A (en) | 1983-11-12 |
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