JPH047017B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH047017B2 JPH047017B2 JP57076088A JP7608882A JPH047017B2 JP H047017 B2 JPH047017 B2 JP H047017B2 JP 57076088 A JP57076088 A JP 57076088A JP 7608882 A JP7608882 A JP 7608882A JP H047017 B2 JPH047017 B2 JP H047017B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- laser element
- laser
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ装置に関し、特に屈折率
導波機構で光を閉じ込めた半導体レーザ装置の雑
音特性を改善する技術に関するものである。
導波機構で光を閉じ込めた半導体レーザ装置の雑
音特性を改善する技術に関するものである。
半導体レーザ装置は光通信システムの他、近年
特にビデオデイスク装置やオーデイオデイスク装
置に於けるピツクアツプ系の光源として利用され
るようになつた。しかしながら、半導体レーザ装
置をピツクアツプ系の光源として用いた場合、デ
イスク面で反射されたレーザ光の反射光が帰還光
となつて半導体レーザ装置に入射された際に半導
体レーザ装置に雑音が発生し、このため、ビデオ
デイスクからの再生画像の画質低下あるいはオー
デイオデイスクからの再生音に異常音の発生を招
く結果となり実用上の大きな問題となつていた。
特にビデオデイスク装置やオーデイオデイスク装
置に於けるピツクアツプ系の光源として利用され
るようになつた。しかしながら、半導体レーザ装
置をピツクアツプ系の光源として用いた場合、デ
イスク面で反射されたレーザ光の反射光が帰還光
となつて半導体レーザ装置に入射された際に半導
体レーザ装置に雑音が発生し、このため、ビデオ
デイスクからの再生画像の画質低下あるいはオー
デイオデイスクからの再生音に異常音の発生を招
く結果となり実用上の大きな問題となつていた。
反射帰還光の入射による雑音の発生は、縦モー
ドが単一なものに比べてマルチモードの素子の方
が少なく安定であることが知られている。縦モー
ドが単一なレーザ素子は光を屈折率導波機構で閉
じ込めた方が得られ易く、縦マルチモードを有す
るレーザ素子は光を利得導波機構で閉じ込めた方
が得られ易い。
ドが単一なものに比べてマルチモードの素子の方
が少なく安定であることが知られている。縦モー
ドが単一なレーザ素子は光を屈折率導波機構で閉
じ込めた方が得られ易く、縦マルチモードを有す
るレーザ素子は光を利得導波機構で閉じ込めた方
が得られ易い。
しかしながら、利得導波機構で光を閉じ込めた
レーザ素子は横モードが不安定であり、注入電流
の変化等により横方向の発振モードが変動し易
く、ピツクアツプ等の光学系に使用した場合には
光軸が変化することとなつて実用に供することが
できない。
レーザ素子は横モードが不安定であり、注入電流
の変化等により横方向の発振モードが変動し易
く、ピツクアツプ等の光学系に使用した場合には
光軸が変化することとなつて実用に供することが
できない。
従つて、ピツクアツプ系の光源として用いる半
導体レーザ装置は屈折率導波機構で光を閉じ込め
る方式のものが用いられ、この上で更に雑音の発
生を抑制する観点より縦モードがマルチになるよ
うにレーザ素子を構成することが必要となる。屈
折率導波機構は周知の如く活性層をヘテロ接合界
面で限定し、活性層に光の屈折率差を付与してス
トライプ状の微小領域へ光が集束されるようにす
れば得られる。しかしながら、この構造では光の
集束度が高く、縦モードは安定な単一モードとな
るのが一般的である。
導体レーザ装置は屈折率導波機構で光を閉じ込め
る方式のものが用いられ、この上で更に雑音の発
生を抑制する観点より縦モードがマルチになるよ
うにレーザ素子を構成することが必要となる。屈
折率導波機構は周知の如く活性層をヘテロ接合界
面で限定し、活性層に光の屈折率差を付与してス
トライプ状の微小領域へ光が集束されるようにす
れば得られる。しかしながら、この構造では光の
集束度が高く、縦モードは安定な単一モードとな
るのが一般的である。
本発明は、屈折率導波機構を有する単一縦モー
ド半導体レーザ素子を備え、前記半導体レーザ素
子の共振器一端面よりピツクアツプ系の光源とし
てレーザ光が出力される半導体レーザ装置におい
て、 前記半導体レーザ素子の共振器他端面より出力
されるレーザ光を帰還入射させる光学帰還系を前
記半導体レーザ素子に付設することにより、縦モ
ードをマルチ化し、反射帰還光に対する雑音の発
生を抑制した新規有用な半導体レーザ装置を提供
することを目的とするものである。
ド半導体レーザ素子を備え、前記半導体レーザ素
子の共振器一端面よりピツクアツプ系の光源とし
てレーザ光が出力される半導体レーザ装置におい
て、 前記半導体レーザ素子の共振器他端面より出力
されるレーザ光を帰還入射させる光学帰還系を前
記半導体レーザ素子に付設することにより、縦モ
ードをマルチ化し、反射帰還光に対する雑音の発
生を抑制した新規有用な半導体レーザ装置を提供
することを目的とするものである。
以下、本発明を実施例に従つて図面を参照しな
がら詳説する。
がら詳説する。
屈折率導波機構で光を閉じ込めたレーザ素子の
発振スペクトルを第１図に示す。このスペクトル
は縦モードが単一であることを示している。
発振スペクトルを第１図に示す。このスペクトル
は縦モードが単一であることを示している。
第２図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ
装置の模式構成図である。
装置の模式構成図である。
第１図に示すスペクトル特性を有するレーザ素
子１の一方の共振器端面より出力されるレーザ光
を出力光とし、他方の共振器端面より出力された
レーザ光は固定集光レンズ２を介して反射率70％
の反射面を有する反射ミラー３で反射され、再度
集光レンズ２を介してレーザ素子１に入射され
る。この時の発振スペクトルを第３図に示す。第
３図は縦モードがマルチであることを示してい
る。固定反射ミラーを用いてレーザ光をレーザ素
子に帰還入射させることにより縦モード単一の素
子をマルチモードとすることができる。
子１の一方の共振器端面より出力されるレーザ光
を出力光とし、他方の共振器端面より出力された
レーザ光は固定集光レンズ２を介して反射率70％
の反射面を有する反射ミラー３で反射され、再度
集光レンズ２を介してレーザ素子１に入射され
る。この時の発振スペクトルを第３図に示す。第
３図は縦モードがマルチであることを示してい
る。固定反射ミラーを用いてレーザ光をレーザ素
子に帰還入射させることにより縦モード単一の素
子をマルチモードとすることができる。
第４図は本発明の他の実施例を示す半導体レー
ザ装置の模式構成図である。
ザ装置の模式構成図である。
レーザ素子１の一方の共振器端面より出力され
たレーザ光はセルフオツクレンズ４に入射され
る。セルフオツクレンズ４には反射膜５が形成さ
れておりセルフオツクレンズ４に入射されたレー
ザ光はこの反射膜５で反射されてレーザ素子１に
帰還される。
たレーザ光はセルフオツクレンズ４に入射され
る。セルフオツクレンズ４には反射膜５が形成さ
れておりセルフオツクレンズ４に入射されたレー
ザ光はこの反射膜５で反射されてレーザ素子１に
帰還される。
第５図は本発明の更に他の実施例を示す半導体
レーザ装置の模式構成図である。
レーザ装置の模式構成図である。
レーザ素子１の一方の共振器端面より出力され
たレーザ光は凹面鏡６で反射され、レーザ素子１
に帰還される。
たレーザ光は凹面鏡６で反射され、レーザ素子１
に帰還される。
レーザ素子の一方の共振器端面より出力された
レーザ光を光学的に反射帰還光としてレーザ素子
へ入射することにより単一の縦モードがマルチ化
される。縦モードがマルチモードとなれば前述し
た如く出力光のデイスク板等からの信号光が入射
された場合でも雑音の発生が少なくなり、安定な
情報検出が可能となる。
レーザ光を光学的に反射帰還光としてレーザ素子
へ入射することにより単一の縦モードがマルチ化
される。縦モードがマルチモードとなれば前述し
た如く出力光のデイスク板等からの信号光が入射
された場合でも雑音の発生が少なくなり、安定な
情報検出が可能となる。
縦モードをマルチ化するために用いるレーザ光
は、レーザ素子の一対の共振端面に於いてピツク
アツプ系等の光源として用いる共振端面でない方
の共振端面より出力されるものを用いることが実
用的である。
は、レーザ素子の一対の共振端面に於いてピツク
アツプ系等の光源として用いる共振端面でない方
の共振端面より出力されるものを用いることが実
用的である。
なお、半導体レーザ出力光の縦モードがマルチ
化する際、一方の共振器端面より出力されるレー
ザ光の一部を抽出して帰還させ、残りを光源とし
ての出力光とすることも考えられるが、この方法
ではレーザ光の一部を安定に帰還させ、残りを光
源としての出力光とするための特殊な光学系が必
要となつて装置の構造が複雑となり、また、一方
の共振器端面より出力されるレーザ光を光源とし
て有効利用する点からも好ましくない。
化する際、一方の共振器端面より出力されるレー
ザ光の一部を抽出して帰還させ、残りを光源とし
ての出力光とすることも考えられるが、この方法
ではレーザ光の一部を安定に帰還させ、残りを光
源としての出力光とするための特殊な光学系が必
要となつて装置の構造が複雑となり、また、一方
の共振器端面より出力されるレーザ光を光源とし
て有効利用する点からも好ましくない。
しかしながら、本願発明のように、レーザ素子
の一対の共振端面においてピツクアツプ系等の光
源として用いる共振端面でない方の共振端面より
出力されるレーザ光を帰還させるようにした場合
には、上記のような問題が生じることはなく、こ
の点からも本願発明は非常に実用的であるといえ
る。
の一対の共振端面においてピツクアツプ系等の光
源として用いる共振端面でない方の共振端面より
出力されるレーザ光を帰還させるようにした場合
には、上記のような問題が生じることはなく、こ
の点からも本願発明は非常に実用的であるといえ
る。
以上詳説した如く、本発明は横モードを安定化
するために屈折率導波機構を利用して光を閉じ込
めた共振器一端面よりピツクアツプ等の光源とし
てレーザ光が利用される半導体レーザ装置におい
て、前記半導体レーザ素子の共振器他端面より出
力されるレーザ光を帰還入射させる光学帰還系を
前記半導体レーザに付設することにより、縦モー
ドをマルチ化したものであり、これによつてデイ
スク板等からの帰還光がレーザ素子に入射された
場合に生ずる雑音が抑制され、安定な動作を得る
ことができる。
するために屈折率導波機構を利用して光を閉じ込
めた共振器一端面よりピツクアツプ等の光源とし
てレーザ光が利用される半導体レーザ装置におい
て、前記半導体レーザ素子の共振器他端面より出
力されるレーザ光を帰還入射させる光学帰還系を
前記半導体レーザに付設することにより、縦モー
ドをマルチ化したものであり、これによつてデイ
スク板等からの帰還光がレーザ素子に入射された
場合に生ずる雑音が抑制され、安定な動作を得る
ことができる。
第１図は屈折率導波機構で光を閉じ込めたレー
ザ素子の発振スペクトルを示す説明図である。第
２図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ装置
の模式構成図である。第３図は第２図に示す半導
体レーザ装置の発振スペクトルを示す説明図であ
る。第４図及び第５図はそれぞれ本発明の他の実
施例を示す半導体レーザ装置の模式構成図であ
る。 １……レーザ素子、２……集光レンズ、３……
反射ミラー、４……セルフオツクレンズ、５……
反射膜、６……凹面鏡。
ザ素子の発振スペクトルを示す説明図である。第
２図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ装置
の模式構成図である。第３図は第２図に示す半導
体レーザ装置の発振スペクトルを示す説明図であ
る。第４図及び第５図はそれぞれ本発明の他の実
施例を示す半導体レーザ装置の模式構成図であ
る。 １……レーザ素子、２……集光レンズ、３……
反射ミラー、４……セルフオツクレンズ、５……
反射膜、６……凹面鏡。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 屈折率導波機構を有する単一縦モード半導体
レーザ素子を備え、前記半導体レーザ素子の共振
器一端面よりピツクアツプ系の光源としてレーザ
光が出力される半導体レーザ装置において、 前記半導体レーザ素子の共振器他端面より出力
されるレーザ光を帰還入射させる光学帰還系を前
記半導体レーザ素子に付設し、 前記半導体レーザ素子出力光の縦モードをマル
チ化したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57076088A JPS58194150A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57076088A JPS58194150A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194150A JPS58194150A (ja) | 1983-11-12 |
| JPH047017B2 true JPH047017B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=13595073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57076088A Granted JPS58194150A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194150A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175146A (ja) * | 1982-04-05 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP57076088A patent/JPS58194150A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58194150A (ja) | 1983-11-12 |
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