JPH0470768B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はチツプ型電子部品の外部接続用電極
を形成する方法およびその方法を実施するための
装置に関するものである。

（従来の技術） チツプ型電子部品として、代表的なものにコン
デンサ、抵抗、インダクタンスなどがある。

第１１図はチツプ型コンデンサ、特にチツプ型
積層セラミツクコンデンサの典型的な構造を示す
側面図である。

この図において、複数の誘電体セラミツク層２
の間に内部電極３が介挿された状態で積層体１が
構成され、この積層体１の内部電極３に接続され
る外部接続用電極４が積層体の端面に形成されて
いる。

第１２図はチツプ型抵抗の典型的な構造を示す
側面図である。

この図において、アルミナなどの基板５の上に
電極６，６が形成され、この電極６，６間にたと
えばRuO₂からなる抵抗ペーストを焼き付けて抵
抗体７を形成し、電極６，６にそれぞれ電気接続
する外部接続用電極８が形成されている。

第１３図はチツプ型インダクタの典型的な構造
を示す概略側面図である。

この図において、詳細に図示していないが、導
体パターンを形成したフエライト生シートを複数
枚積み重ね、フエライト生シートに形成したスル
ーホールを介して導体パターンがたとえば上から
下へ連結され、結果的にはコイル９を内部に包含
した状態で形成され、加圧一体化されて焼成さ
れ、得られたチツプ１０側面にコイル９の端部と
電気接続するように外部接続用電極１１が形成さ
れている。

上記した各種のチツプ型電子部品の外部接続用
電極は、通常ガラスフリツト、ワニスを含む銀ペ
ーストを塗布、印刷などの手段で付与し、これを
空気中で焼き付けることによつて形成されてい
る。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、外部接続用電極は上記したように、
銀ペーストの焼き付けにより形成したものである
ため厚膜状に形成されている。特に、第１１図〜
第１３図に示した各種のチツプ型電子部品におい
て、両平面の端部に盛り上がり部分Ａが形成され
ることになる。たとえば、第１１図に示したチツ
プ型コンデンサについて説明すれば、チツプ本体
の厚みが500μmに対して、外部接続用電極の盛り
上がり部分Ａの厚みは50μm程度に形成され、上
下の電極の盛り上がり部分Ａを合算すると100μm
となり、チツプ本体の厚みの20％にも達する。

このような外部接続用電極の形成構造に起因し
て次のような点が問題とされている。

まず、チツプ型電子部品をプリント基板上に装
着するとき、真空チヤツクでチツプ型電子部品を
吸い上げるが、外部接続用電極が盛り上がり部分
を持つて形成されているため、上面が平坦状態で
はなく、チツプ型電子部品との間に隙間ができる
ことになり、真空チヤツクで吸い上げられないこ
とになる。

また、上記したように外部接続用電極の盛り上
がり部分があると、チツプ型電子部品の薄膜化に
逆行し、厚みが制約されている電子機器への組み
込みができなくなるという問題を含んでいる。

さらに、チツプ型コンデンサの場合、外部接続
用電極の盛り上がり部分だけ、誘電体層の積層数
を減らして、チツプ型電子部品の薄膜化を阻害し
ないようにすることも考えられる。しかし逆に容
量が小さくなるという問題を含むことになる。

そこで、接続用外部電極の厚みを薄くし、盛り
上がり部分をなくするため、真空蒸着法、スパツ
タリング法、イオンプレーテイング法などの薄膜
形成技術によりこの外部接続用電極を形成するこ
とが提案されている。

特開昭58−64017号はこの発明の最も好適な従
来技術を開示したものである。

第１４図はチツプ型積層セラミツクコンデンサ
の端面にスパツタリング法にて外部接続用電極を
形成する状態を示した側断面図である。

この図において、マスキング装置１２のポケツ
ト１３に積層ユニツト１４を装着し、この状態で
スパツタリング装置に設置し、ターゲツト１５を
スパツタリングして、積層ユニツト１４の端面に
スパツタ粒子を付着して外部接続用電極１６を形
成している。なお、１７，１８はそれぞれ内部電
極である。

しかしながら、このような方法で形成された外
部接続用電極１６は次のような問題を有してい
る。

つまり、積層ユニツト１４の端面にしか外部接
続用電極１６が形成されていないため、積層ユニ
ツト１４に対する十分な接合強度が得られないと
いうことである。このため、外部接続用電極１６
を形成する前に、スパツタエツチング処理を施
し、端面表面を荒らすことが明示されているが、
このような処理をもつてしても十分な接合強度を
得るには至つていない。

したがつて、外部接続用電極を構造的な点から
改善する必要がある。つまり、第１１図〜第１３
図に示したように、外部接続用電極を端面にだけ
形成するのではなく、端面および端面から上下面
の端部にまで延びた形状、つまり断面コ字状をな
す外部接続用電極とする必要がある。

しかし、第１４図に図示したマスキング装置で
は、チツプ型電子部品の本体の上下面にまで達つ
する外部接続用電極を形成することは不可能であ
る。しかも、従来の方法では、ポケツト１３と積
層ユニツト１４との間に隙間が存することは不適
当であり、ポケツト１３ならびに積層ユニツト１
４の寸法精度を上げなければならない。また装填
作業や取り出し作業の点から見てもかなり面倒な
ものであることは明らかである。

（発明の目的） したがつて、この発明は、チツプ型積層セラミ
ツクコンデンサ、積層チツプ型抵抗、チツプ型イ
ンダクタなどのようなチツプ型電子部品の外部接
続用電極を真空蒸着法、スパツタリング法、イオ
ンプレーテイング法などの薄膜形成技術により形
成するに際して、チツプ型電子部品の端部に断面
コ字状をなす形状の外部接続用電極を形成する方
法を提供をすることを目的とする。

また、この発明は、チツプ型電子部品の端部に
外部接続用電極を形成するに際して、作業性のよ
い方法を提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） この発明は、真空蒸着法、スパツタリング法、
イオンプレーテイング法などの薄膜形成技術によ
りチツプ型電子部品の端部に外部接続用電極を形
成するに際して、まず第２図に示すような六面体
状のチツプ型電子部品２０を対象とする。このチ
ツプ型電子部品２０は図示した位置からみて、左
右側面Ａ１，Ａ２、前後側面Ｂ１，Ｂ２、および
上下主面Ｃ１，Ｃ２を有する。

まず、このチツプ型電子部品には、第３図に示
すように、下主面Ｃ２の左端部Ｃ２Ｌに導電部２
１ａを形成する一方、右端部Ｃ２Ｒに導電部２２
ａを形成するとともにこの導電部２２ａに連続し
て右側面Ａ２に導電部２２ｂを形成する。

次いで、チツプ型電子部品を裏返し、つまり、
左右側面Ａ１，Ａ２が互いに逆の位置に位置し、
上下平面Ｃ１，Ｃ２が互いに逆の位置に位置する
ように裏返す。そして、第４図に示すように、上
平面Ｃ１の右端部Ｃ１Ｒに導電部２２Ｃを形成す
る一方、左端部Ｃ１Ｌに導電部２１Ｃを形成する
とともにこの導電部２１Ｃに連続して導電部２１
ｂを形成する。なお、第４図に示した状態の位置
関係は第２図の状態で定義した位置関係にもとづ
いて説明した。したがつて、第４図においては上
下あるいは左右の位置関係が逆転していることに
注意されたい。

上記した工程を経ることにより、チツプ型電子
部品の端部に断面コ字状の外部接続用電極が形成
されたことになる。

（効 果） この発明によれば、次のような種々の効果が得
られる。

薄膜状の外部接続用電極が形成でき、従来の
ように銀の焼き付け電極のように盛り上がり部
分は形成されない。

電極の盛り上がり部分がないため、真空チヤ
ツク装置でチツプ型電子部品を吸着することが
でき、プリント基板への自動装填が可能になる
とともに位置決め精度が上がる。

電極の盛り上がり部分の厚みだけ、チツプ型
電子部品本体の厚みを増やすことができ、たと
えば積層型セラミツクコンデンサであれば誘電
体セラミツク層を増加できるため、容量の増大
を図ることができる。さらには、抗折強度も増
大させることができる。

銀の焼き付け電極には、ガラスフリツト成分
であるアルカリ金属成分が含有されているた
め、耐湿性が悪いという欠点が見られるが、こ
の発明によれば上記したアルカリ金属成分を含
有しない電極材料で電極を形成するため、すぐ
れた耐湿性を有するチツプ型電子部品を提供す
ることができる。

電極材料としてニツケル、クロム、銅、アル
ミニウムなどの卑金属を用いることができるの
で、コストダウンを図ることができる。

チツプ型電子部品の端面のみに電極を形成し
た場合にくらべて接合強度が大きく、高信頼性
のチツプ型電子部品の作成が可能となる。

装填作業がやりやすく作業性や量産性に富
む。

（実施例） 以下この発明を図示した実施例に従つて詳細に
説明する。

第１図は電極の被着体であるチツプ型電子部品
を収容した容器を示す部分的斜視図である。

この図において、３１は容器であり、側壁３１
ａ，３１ｂ、および底面３１ｃを有する。この場
合側壁３１ｂは必ずしも必要ではないが、チツプ
型電子部品の落下を防止するとともに、チツプ型
電子部品の位置決めという観点から設けておくほ
うが好ましい。容器の底面には開孔部３２，３３
が形成されている。

この容器３１は、側壁３１ａ、底面３１ｃ、お
よび底面３１ｃに形成された開孔部３２，３３か
ら構成されることを要し、側壁３１ａで区画され
た領域がチツプ型電子部品を収容する一単位とな
る。したがつて、チツプ型電子部品を収容する領
域を複数、すなわち複数単位としてもよい。

２０はチツプ型電子部品を示し、第２図に示し
たものに相当し、同一番号を付した。したがつ
て、チツプ型電子部品の左側面をＡ１、右側面を
Ａ２、前側面をＢ１、後側面をＢ２、上平面をＣ
１、下平面をＣ２とそれぞれ定義する。

容器３１にチツプ型電子部品２０を収容したと
き、その収容状態は次のようにされる。

つまり、チツプ型電子部品２０の左側面Ａ１が
容器３１の側壁３１ａに当接し、チツプ型電子部
品２０の下平面Ｃ２が容器３１の底面３１ｃに面
接触する状態で収容される。

したがつて、容器３１をその裏側から見たと
き、容器３１の開孔部３２からはチツプ型電子部
品２０の下平面Ｃ２の左端部Ｃ２Ｌ側が露出して
おり、また容器３１の開孔部３３からはチツプ型
電子部品２０の下平面Ｃ２の右側部Ｃ２Ｒ側およ
び右側面Ａ２が露出するような状態となつてい
る。

開孔部３３について云えば、開孔部３３の幅は
チツプ型電子部品２０の右側面Ａ２よりもさらに
右側にも開口領域を有する空間距離Ｄを持つて形
成されている。この開孔部３３の空間距離Ｄは後
述する電極形成材料飛散源から飛散する電極形成
材料が開孔部３３を通つてチツプ型電子部品２０
の右側面Ａ２にまわり込んで付着するに有効な程
度に形成されていればよい。この開孔部３３の空
間距離Ｄは実験結果から0.1mm以上あればよい。

容器３１の裏面側には、外部接続用電極を形成
するための材料、つまり電極形成材料飛散源５１
が容器３１に対して並行に設置されている。たと
えば、電極形成材料飛散源５１は真空蒸着法、イ
オンプレーテイング法では通常蒸発源と称され、
ヒータ、ボート、るつぼなどを加熱して、その上
に蒸発材料が設置される。またスパツタリング法
ではターゲツトと称される。

チツプ型電子部品２０を収容する容器３１、な
らびに電極形成材料飛散源５１は真空容器内に設
置され、真空雰囲気中で外部接続用電極の形成処
理が行われる。

次に、外部接続用電極をチツプ型電子部品２０
に形成する工程を説明する。

まず、第１段階として、第５図に示した状態で
乾式メツキを行う。

電極形成材料飛散源５１からチツプ型電子部品
２０を見た場合、容器３１の開孔部３２から下主
面Ｃ２の左端部Ｃ２Ｌが露出している。また開孔
部３３から下主面Ｃ２の右端部Ｃ２Ｒが露出して
いるとともに右側面Ａ２が露出している。この状
態で電極形成材料飛散源５１から粒子を飛散させ
ると、粒子は露出している左端部Ｃ２Ｌ、右端部
Ｃ２Ｒならびに右側面Ａ２に付着する。このとき
チツプ型電子部品２０の右側面Ａ２は電極形成材
料飛散源と対向していないが、飛散粒子の斜め方
向からの飛来により右側面Ａ２に飛散粒子が付着
する。チツプ型電子部品２０のその他の個所につ
いては、容器３１がマスクになつたり、チツプ型
電子部品が互いに密着していること、つまり前後
側面Ｂ１，Ｂ２同志が密着しているために飛散粒
子は被着しない。

この状態を示したのが第６図である。

次いで第２段階として、チツプ型電子部品を第
６図に示すように、矢印ａあるいは矢印ｂ方向に
180゜反転させ、次いで第７図に示すように、チツ
プ型電子部品２０の右側面Ａ２を容器３１の側壁
３１ａに当接し、上平面Ｃ１を容器３１の底面３
１ｃに面接触する状態で収容する。

この段階で、容器３１をその裏側から見たと
き、容器３１の開孔部３２から上平面Ｃ１の右端
部Ｃ１Ｒが露出している。また開孔部３３から上
平面Ｃ１の左端部Ｃ１Ｌが露出しているとともに
左端面Ａ１が露出している。この状態で電極形成
材料飛散源５１から粒子を飛散させると、粒子は
露出している右端部Ｃ１Ｒ、左端部Ｃ１Ｌ、なら
びに左側面Ａ１に付着する。このときチツプ型電
子部品２０の左側面Ａ１は電極形成材料飛散源５
１と対向していないが、飛散粒子の斜め方向から
の飛来により左側面Ａ１に飛散粒子が付着する。
チツプ型電子部品２０のその他の個所について
は、容器３１がマスクになつたり、チツプ型電子
部品２０が互いに密着していること、つまり前後
側面Ｂ１，Ｂ２同志が密着しているために飛散粒
子は被着しない。

この工程を経たのちの状態を示したのが第８図
である。

以上、第１工程および第２工程を経たチツプ型
電子部品は第４図に示したように、チツプ型電子
部品の端面およびこの端面に連続した平面端部
に、つまり断面コ字状の外部接続用電極が形成さ
れた状態となつている。

上記した実施例では、容器３１に対して電極形
成材料飛散源５１を並行に配置したが、チツプ型
電子部品２０の右側面Ａ２または左側面Ａ１と斜
め対向するように、容器３１を電極形成材料飛散
源５１に対して斜め、第５図に図示した状態では
右下がりに配置するか、電極形成材料飛散源５１
を容器３１に対して斜め、第５図に図示した状態
では右上がりに配置してもよい。これによればチ
ツプ型電子部品２０の右側面Ａ２または左側面Ａ
１に電極形成材料飛散源５１からの飛散粒子が確
実にかつ効率よく付着し、外部接続用電極の形成
を一層容易にすることができる。

次にこの発明の他の実施例について説明する。

第９図はこの実施例における側断面図を示した
ものであり、先に示した実施例との大きな相違点
は容器３１の上面に蓋４１を被せたことである。
なお、図示しないが、蓋の代わりに容器状のもの
でもよい。蓋４１には開孔部４２，４３がそれぞ
れ設けられており、第５図に示した容器３１の
孔、３２，３３にそれぞれ対応する大きさを有す
る。つまり、開孔部４２は開孔部３２に対応する
大きさからなり、開孔部４３は開孔部３３に対応
する大きさからなる。

蓋４１は上記した先の実施例における第１段階
ではその機能を発揮しないが、第２段階でチツプ
型電子部品に外部接続用電極の一部を形成する場
合に有用なものであり、この蓋４１は容器の一部
を構成している。

なお、先の実施例と重複する個所については同
一番号を付して詳細な説明を省略する。

まず、第９図の状態で電極形成材料飛散源（図
示せず）から電極形成材料を飛散させ、チツプ型
電子部品２０の左端部Ｃ２Ｌ、右端部Ｃ２Ｒなら
びに右側面Ａ２に外部接続用電極の一部を構成す
る導電部を形成する。ここまでの工程は先の実施
例の第１段階と同じである。

次に第２段階に移るが、第９図に示した状態か
ら矢印Ｃあるいは矢印ｄで示したように蓋４１を
したまま容器３１を裏返す。次いで、チツプ型電
子部品２０の右側面Ａ２を側壁３１ａに当接す
る。この状態で蓋４１の裏面側から、つまり電極
形成材料飛散源から見たとき、開孔部４２からチ
ツプ型電子部品２０の上平面Ｃ１の右端部Ｃ１Ｒ
が露出している。また開孔部４３から上平面Ｃ１
の左端部Ｃ１Ｌが露出しているとともに左側面Ａ
１が露出している。この状態で電極形成材料飛散
源（図示せず）から電極形成材料を飛散させ、チ
ツプ型電子部品２０の右端部Ｃ１Ｒ、左端部Ｃ１
Ｌならびに左側面Ａ１に外部接続用電極の一部を
構成する導電部が形成されることになる。

この第２段階を終えると、チツプ型電子部品の
端部に断面コ字状の外部接続用電極が形成された
ことになる。

したがつて、この実施例では先の実施例のよう
に個々のチツプ型電子部品を裏返す作業は必要な
くなり、蓋４１をしたまま容器３１を裏返し、チ
ツプ型電子部品２０の右側面Ａ２を側壁３１ａに
当接するように配列することによつて、上記した
第２段階の工程を実施することができる。

なお、第５図、第９図では側壁３１ａで区画さ
れた領域に一個のチツプ型電子部品２０が収容さ
れている状態を示しているが、第１図に示したよ
うに複数個のチツプ型電子部品２０を並置した状
態で実施され得ることはもちろんである。

また、後の実施例において、先の実施例と同様
に、容器３１を電極形成材料飛散源に対して斜め
に配置するか、あるいは電極形成材料飛散源を容
器３１に対して斜めに配置することにより、チツ
プ型電子部品の側面に導電部を形成する場合に、
この側面に飛散粒子が確実にかつ効率よく付着す
るようにしてもよい。

また、後の実施例で、第９図に示した状態でチ
ツプ型電子部品２０の下主面Ｃ２の左端部Ｃ２
Ｌ、右端部Ｃ２Ｒならびに右側面Ａ２に外部接続
用電極の一部を構成する導電部を形成したのち、
第９図に一点鎖線で示したように、チツプ型電子
部品２０を右方向に移動させ、右側面Ａ２を容器
３１の側壁３１ａに当接させ、この状態で容器３
１の上方に配置した電極形成材料飛散源（図示せ
ず）から飛散粒子を付着することにより、蓋４１
の開孔部４２，４３を介してチツプ型電子部品２
０の上主面Ｃ１の右端部Ｃ１Ｒ、左端部Ｃ１Ｌな
らびに左側面Ａ１に導電部を形成することができ
る。その結果、チツプ型電子部品の端部に断面コ
字状の外部接続用電極が形成されることになる。

なおこの場合、チツプ型電子部品２０と蓋４１
との間に隙間が形成されないような工夫を施して
おくことはもちろんである。外部接続用電極とし
ては、ニツケル、クロム、銅、アルミニウムなど
の卑金属があるが、このほか、酸化ニツケル、酸
化錫、酸化マンガン、酸化鉄、酸化コバルト、窒
化ニツケル、酸化ニツケル（第１層）−窒化ニツ
ケル（第２層）で構成してもよい。後者の電極材
料で構成すれば、たとえばチツプ型積層セラミツ
クコンデンサでは高温での絶縁抵抗の劣化を生じ
させないという効果をもたらす。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明を実施するに当つて、チツプ
型電子部品を容器に収容した状態を示す部分的斜
視図である。第２図はチツプ型電子部品の主面お
よび側面の位置を特定する記号を示すための斜視
図である。第３図〜第４図はチツプ型電子部品に
外部接続用電極を形成する過程を示す側面図であ
る。第５図〜第６図はチツプ型電子部品に外部接
続用電極の一部を形成する態様を説明するための
側断面図である。第７図〜第８図はチツプ型電子
部品に外部接続用電極の他の部分を形成する態様
を説明するための側断面図である。第９図〜第１
０図はチツプ型電子部品に外部接続用電極を形成
する他の態様を説明する側断面図である。第１１
図〜第１３図は各種チツプ型電子部品の代表的な
ものを示した側面図であり、第１１図はチツプ型
積層セラミツクコンデンサの例、第１２図はチツ
プ型抵抗の例、第１３図はチツプ型インダクタの
例である。第１４図はこの発明の従来技術に相当
し、チツプ型積層セラミツクコンデンサの端面に
スパツタリング法にて外部接続用電極を形成する
状態を示した側断面図である。 ２０はチツプ型電子部品、３１は容器、３１ａ
は側壁、３１ｃは底面、３２，３３は開孔部、５
１は電極形成材料飛散源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ チツプ型電子部品の端部に真空蒸着法、イオ
   ンプレーテイング法、スパツタリング法による薄
   膜形成技術により断面コ字状の外部接続用電極を
   形成するに際し、 チツプ型電子部品の一方主面を電極形成材料飛
   散源に対向させ、 第１段階の工程として、マスクを介して電極形
   成材料飛散源より電極形成材料を飛散させること
   により、チツプ型電子部品の一方主面の一方端部
   およびこの一方端部に連続する一方の側面に導電
   部を形成するとともに、チツプ型電子部品の一方
   主面の他方端部に導電部を形成し、 次いで、チツプ型電子部品の他方主面を電極形
   成材料飛散源に対向させ、 第２段階の工程として、マスクを介して電極形
   成材料飛散源より電極形成材料を飛散させること
   により、チツプ型電子部品の他方主面の一方端部
   およびこの一方端部に連続する一方側面に導電部
   を形成するとともに、チツプ型電子部品の他方主
   面の他方端部に導電部を形成し、 結果的に、チツプ型電子部品の端部に断面コ字
   状の外部接続用電極を形成することを特徴とす
   る、チツプ型電子部品の外部接続用電極を形成す
   る方法。 ２ 前記マスクは、第１の開孔部と第２の開孔部
   を形成した底面を有するとともに、側壁を有する
   ものからなり、 前記第１段階の工程および前記第２段階の工程
   は容器の底面と側壁とをマスクとし、 前記第１段階の工程は、チツプ型電子部品の一
   方主面の他方側面を容器の側壁に当接させる一
   方、電極形成材料飛散源からみて容器の底面に形
   成した第１の開孔部および第２の開孔部を介して
   チツプ型電子部品の一方主面の一方端部およびこ
   の一方端部に連続する一方側面と露出させるとと
   もに、チツプ型電子部品の一方主面の他方端部を
   露出させた状態で実施し、 前記第２段階の工程は、チツプ型電子部品の他
   方主面の一方側面を容器の側壁に当接させる一
   方、電極形成材料飛散源からみて容器の底面に形
   成した第１の開孔部および第２の開孔部を介して
   チツプ型電子部品の他方主面の他方端部およびこ
   の他方端部に連続する他方側面を露出させるとと
   もに、チツプ型電子部品の他方の主面の一方端部
   を露出した状態で実施する、 ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のチ
   ツプ型電子部品の外部接続用電極を形成する方
   法。