JPH0470871A - 画像露光方法 - Google Patents
画像露光方法Info
- Publication number
- JPH0470871A JPH0470871A JP18602090A JP18602090A JPH0470871A JP H0470871 A JPH0470871 A JP H0470871A JP 18602090 A JP18602090 A JP 18602090A JP 18602090 A JP18602090 A JP 18602090A JP H0470871 A JPH0470871 A JP H0470871A
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- Japan
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- potential
- image
- discharge gap
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- Pending
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- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁体上に静電画像を記録する画像露光方法に
関するものである。
関するものである。
第６図は従来の静電画像記録方法を説明するための図で
ある。
ある。
支持体１１上に透明電極１２、光導電層１３を形成した
感光体１０と、支持体２１上に電極２２絶縁層２３を形
成した電荷保持媒体２０とを対向配置し、電極１２．２
２間に電源３０により所定極性の電圧を印加して画像露
光を行うと、露光された光導電層部分が導電性を示し、
その部分において感光体１０と電荷保持媒体２０との間
で放電が生じ、絶縁層２３上に露光量に応じて、例えば
（〒）電荷が蓄積される。このとき光導電層１３では露
光部分でキャリアが発生し、（−）電荷は透明電極Ｉ２
側へ移動し、（＋）電荷が光導電層表面まで移動し、こ
の電荷に対応して光導電層表面には空中の電離した（−
）電荷が蓄積される。
感光体１０と、支持体２１上に電極２２絶縁層２３を形
成した電荷保持媒体２０とを対向配置し、電極１２．２
２間に電源３０により所定極性の電圧を印加して画像露
光を行うと、露光された光導電層部分が導電性を示し、
その部分において感光体１０と電荷保持媒体２０との間
で放電が生じ、絶縁層２３上に露光量に応じて、例えば
（〒）電荷が蓄積される。このとき光導電層１３では露
光部分でキャリアが発生し、（−）電荷は透明電極Ｉ２
側へ移動し、（＋）電荷が光導電層表面まで移動し、こ
の電荷に対応して光導電層表面には空中の電離した（−
）電荷が蓄積される。
ところで、絶縁体上に形成される静電荷量は放電ギャッ
プが変化すると変化してしまうので、放電ギャップは一
定に維持する必要がある。しかし、数μｍ〜数十μｍの
間隙を常に一定な放電ギャップとすることは困難である
。また、露光部分だけでなく、実際には未露光部分も暗
電流により所定の電位が形成され、この部分の電位も放
電ギヤッブが変わると変化し、バックグラウンドの状態
が変化して画質に影響することになる。
プが変化すると変化してしまうので、放電ギャップは一
定に維持する必要がある。しかし、数μｍ〜数十μｍの
間隙を常に一定な放電ギャップとすることは困難である
。また、露光部分だけでなく、実際には未露光部分も暗
電流により所定の電位が形成され、この部分の電位も放
電ギヤッブが変わると変化し、バックグラウンドの状態
が変化して画質に影響することになる。
本発明は上記課題を解決するた約のもので、放電間隙の
ゆらぎに対し、電荷保持媒体上での電位のゆらぎを可能
な限り小さくてきる放電間隙を用いて画像露光し、放電
間隙のゆらぎによる画質の低下を防止することを目的と
する。
ゆらぎに対し、電荷保持媒体上での電位のゆらぎを可能
な限り小さくてきる放電間隙を用いて画像露光し、放電
間隙のゆらぎによる画質の低下を防止することを目的と
する。
口課題を解決するだめの手段二
本発明は、感光体と絶縁体を電界中に配置し、画像露光
に伴う放電により絶縁体上に静電潜像を形成するように
した画像露光方法において、放電間隙に対する未露光部
及び／または露光部の像電位変化特性の極大値に対して
、未露光部及び／または露光部の像電位が所定電位差内
に収まる放電間隙を用いて画像露光することを特徴とす
る。
に伴う放電により絶縁体上に静電潜像を形成するように
した画像露光方法において、放電間隙に対する未露光部
及び／または露光部の像電位変化特性の極大値に対して
、未露光部及び／または露光部の像電位が所定電位差内
に収まる放電間隙を用いて画像露光することを特徴とす
る。
〔作用コ
本発明は電荷保持媒体上での露光部および未露光部の放
電間隙に対する像電位の変化特性が、それぞれすクツ−
くとも１つの極大値を有していることに着目し、未露光
部の極大電位に対して許容できる電位差内の放電間隙、
また露光部の極大電位に対して許容できる電位差内の放
電間隙において、画像露光するようにしたものである。
電間隙に対する像電位の変化特性が、それぞれすクツ−
くとも１つの極大値を有していることに着目し、未露光
部の極大電位に対して許容できる電位差内の放電間隙、
また露光部の極大電位に対して許容できる電位差内の放
電間隙において、画像露光するようにしたものである。
このような放電間隙を用いることにより、多少放電間隙
が変化しても、像電位は許容範囲内に収まり、放電間隙
の変化による画質の低下を防止することができる。
が変化しても、像電位は許容範囲内に収まり、放電間隙
の変化による画質の低下を防止することができる。
口実施例〕
以下、実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の画像露光方法を説明するための図、第
２図は画像露光装置の構成を説明するための図、第３図
、第４図、第５図は感光体を変えた時の未露光部の放電
間隙に対する電位変化を示す図である。なお、第６図と
同一番号は同一内容を示している。
２図は画像露光装置の構成を説明するための図、第３図
、第４図、第５図は感光体を変えた時の未露光部の放電
間隙に対する電位変化を示す図である。なお、第６図と
同一番号は同一内容を示している。
まず、第２図に示すように、感光体１０の光導電層１３
の膜厚をＸｐ、放電間隙をＸｇ、電荷保持層２３の膜厚
をＸｄとし、感光体と電荷保持媒体への印加電圧をＶｇ
とし、露光部の表面電位をＶｌ、未露光部の表面電位を
Ｖｄとすると、Ｃρ＋Ｃｄ ｃｐ−
ＣｄＸｐ Ｘｇ Ｘｄで
表わされる。ここに、Ｃρは光導電層容量、口ｇは空隙
容量、Ｃｔｌは電荷保持層容量、ε、は光導電層誘電率
、εは空隙誘電率、ε６は電荷保持層比誘電率、ｖｂは
空隙がＸｇのときの放電開始電圧である。
の膜厚をＸｐ、放電間隙をＸｇ、電荷保持層２３の膜厚
をＸｄとし、感光体と電荷保持媒体への印加電圧をＶｇ
とし、露光部の表面電位をＶｌ、未露光部の表面電位を
Ｖｄとすると、Ｃρ＋Ｃｄ ｃｐ−
ＣｄＸｐ Ｘｇ Ｘｄで
表わされる。ここに、Ｃρは光導電層容量、口ｇは空隙
容量、Ｃｔｌは電荷保持層容量、ε、は光導電層誘電率
、εは空隙誘電率、ε６は電荷保持層比誘電率、ｖｂは
空隙がＸｇのときの放電開始電圧である。
いま、感光層膜厚、電荷保持層膜厚をそれぞれ１０μｍ
１印加電圧を７５０Ｖとした時、有機感光体の場合、感
光層比誘電率および電荷保持層比誘電率が３で、第３図
のような放電間隙に対する像電位の変化が得られる。
１印加電圧を７５０Ｖとした時、有機感光体の場合、感
光層比誘電率および電荷保持層比誘電率が３で、第３図
のような放電間隙に対する像電位の変化が得られる。
また、同様の条件でセレン感光体の場合、感光体層比誘
電率が７、電荷保持層比誘電率が３として、第４図のよ
うな放電間隙に対する像電位の変化が得られる。
電率が７、電荷保持層比誘電率が３として、第４図のよ
うな放電間隙に対する像電位の変化が得られる。
また、同じ条件でシリコン感光体の場合には、感光層比
誘電率が１２、電荷保持煤層比誘電率が３で、第５図に
示すような像電位の変化が得られる。
誘電率が１２、電荷保持煤層比誘電率が３で、第５図に
示すような像電位の変化が得られる。
第３図〜第５図から分かるように、未露光部、露光部と
もそれぞれ１つの極大電位（ただし、この例では最大電
位）を有し、その部分では比較的電位変化が緩やかであ
ることが分かる。したがって、極大電位付近では多少放
電間隙が変化しても像電位はそれほど変化しないことが
分かる。なお、この極大電位は印加電圧を変えれば変化
する。未露光部の電位が変化するとバックグラウンドが
変化することになるので、未露光部の電位は放電間隙に
対してｔ＝るべく一定であることが望ましく、また露光
部の極大電位のゆらぎは、階調表現する場合には１階調
に相当する電位差内である必要がある。
もそれぞれ１つの極大電位（ただし、この例では最大電
位）を有し、その部分では比較的電位変化が緩やかであ
ることが分かる。したがって、極大電位付近では多少放
電間隙が変化しても像電位はそれほど変化しないことが
分かる。なお、この極大電位は印加電圧を変えれば変化
する。未露光部の電位が変化するとバックグラウンドが
変化することになるので、未露光部の電位は放電間隙に
対してｔ＝るべく一定であることが望ましく、また露光
部の極大電位のゆらぎは、階調表現する場合には１階調
に相当する電位差内である必要がある。
そこで、第１図に示すように、例えば未露光部の特性已
に対して極大、即ち最大電位に対する許容できる電位の
ゆらぎを６１とし、この電位ゆらぎに対する放電ギャッ
プの変化範囲Ｇ１内の放電間隙で露光することができれ
ば未露光部の電位変化を許容範囲δ１内に収することが
できる。同様に露光部の特性への極大、即ち最大電位に
対して１階調の電位差に対する電位ゆらぎδ２内に収ま
る放電ギャップＧ２内の放電間隙で露光することができ
れば、許容範囲δ２内の電位ゆらぎに収めることが可能
である。
に対して極大、即ち最大電位に対する許容できる電位の
ゆらぎを６１とし、この電位ゆらぎに対する放電ギャッ
プの変化範囲Ｇ１内の放電間隙で露光することができれ
ば未露光部の電位変化を許容範囲δ１内に収することが
できる。同様に露光部の特性への極大、即ち最大電位に
対して１階調の電位差に対する電位ゆらぎδ２内に収ま
る放電ギャップＧ２内の放電間隙で露光することができ
れば、許容範囲δ２内の電位ゆらぎに収めることが可能
である。
このように、本発明は放電間隙を０１内、あるいはＧ２
内にするようにしたものである。最も望ましくはＧ１と
Ｇ２の両方を満足する放電間隙において画像露光すれば
未露光部、露光部とも許容範囲の電位ゆらぎに収約るこ
とができる。
内にするようにしたものである。最も望ましくはＧ１と
Ｇ２の両方を満足する放電間隙において画像露光すれば
未露光部、露光部とも許容範囲の電位ゆらぎに収約るこ
とができる。
なお、画像露光は第２図の構成を対象に説明したが、光
導電層１３上に絶縁層２３を積層し、電極２２と絶縁層
との間で放電を起ニさせるようにして画像形成するよう
な場合にも全く同様に未露光部、露光部の電位が決定さ
れるので、本発明を適用することが可能である。
導電層１３上に絶縁層２３を積層し、電極２２と絶縁層
との間で放電を起ニさせるようにして画像形成するよう
な場合にも全く同様に未露光部、露光部の電位が決定さ
れるので、本発明を適用することが可能である。
以上のように本発明によれば、放電間隙のゆらぎに対し
、未露光部及び／または露光部の電位変化を許容範囲内
に収めることができるので、高画質を得る画像露光を行
うことか可能となる。
、未露光部及び／または露光部の電位変化を許容範囲内
に収めることができるので、高画質を得る画像露光を行
うことか可能となる。
第１図は本発明の画像露光方法を説明するための図、第
２図は画像露光を行うための構成を説明するための図、
第３図、第４図、第５図は感光体を変えた時の未露光部
の放！間隙に対する電位変化を示す図、第６図は従来の
静を画像記録方法を説明するための図である。 ＩＯ・・・感光体、１３・・・光導電層、２ｏ・・・電
荷保持媒体、２３・・・絶縁層。 出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
蛭 川 昌 信（外７名）第３図 第４図
２図は画像露光を行うための構成を説明するための図、
第３図、第４図、第５図は感光体を変えた時の未露光部
の放！間隙に対する電位変化を示す図、第６図は従来の
静を画像記録方法を説明するための図である。 ＩＯ・・・感光体、１３・・・光導電層、２ｏ・・・電
荷保持媒体、２３・・・絶縁層。 出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
蛭 川 昌 信（外７名）第３図 第４図
Claims (1)
- （１）感光体と絶縁体を電界中に配置し、画像露光に伴
う放電により絶縁体上に静電潜像を形成するようにした
画像露光方法において、放電間隙に対する未露光部及び
／または露光部の像電位変化特性の極大値に対して、未
露光部及び／または露光部の像電位が所定電位差内に収
まる放電間隙を用いて画像露光することを特徴とする画
像露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18602090A JPH0470871A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 画像露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18602090A JPH0470871A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 画像露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0470871A true JPH0470871A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16180990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18602090A Pending JPH0470871A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 画像露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0470871A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP18602090A patent/JPH0470871A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
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