JPH047105B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH047105B2 JPH047105B2 JP26621186A JP26621186A JPH047105B2 JP H047105 B2 JPH047105 B2 JP H047105B2 JP 26621186 A JP26621186 A JP 26621186A JP 26621186 A JP26621186 A JP 26621186A JP H047105 B2 JPH047105 B2 JP H047105B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flame
- hydrogen
- dry air
- semiconductor device
- marking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/08—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by flame treatment ; using hot gases
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体組立におけるマーキング工
程の装置に関するものである。
程の装置に関するものである。
第２図および第３図は半導体組立におけるマー
キング工程の前処理で半導体装置を清浄にするた
めの火炎発生系統および火炎処理部を示す。図に
おいて、１は水素元、２は水素元栓、３はブース
タ、４は圧力計、５は流量計、６は手元コツク、
７はトーチ、８は火炎、９は半導体装置、１０は
異物、１１は搬送装置、１２はトーチ位置決め装
置、１８は逆火防止フイルタである。
キング工程の前処理で半導体装置を清浄にするた
めの火炎発生系統および火炎処理部を示す。図に
おいて、１は水素元、２は水素元栓、３はブース
タ、４は圧力計、５は流量計、６は手元コツク、
７はトーチ、８は火炎、９は半導体装置、１０は
異物、１１は搬送装置、１２はトーチ位置決め装
置、１８は逆火防止フイルタである。
第２図を参照し、水素元１より送り込まれた水
素はブースタ３にいより着色され、圧力計４およ
び流量計５によつて圧力並びに流量を調整され、
トーチ７より噴出される。噴出した水素ガスに着
火し、その火炎８をマーキング前処理に使用す
る。
素はブースタ３にいより着色され、圧力計４およ
び流量計５によつて圧力並びに流量を調整され、
トーチ７より噴出される。噴出した水素ガスに着
火し、その火炎８をマーキング前処理に使用す
る。
次に作用について説明する。第３図を参照し
て、火炎処理部に搬送された半導体装置９はトー
チ７により放射される火炎８により高温で熱せら
れる。これによリ半導体装置９の表面に付着した
異物１０は燃焼し気化する。
て、火炎処理部に搬送された半導体装置９はトー
チ７により放射される火炎８により高温で熱せら
れる。これによリ半導体装置９の表面に付着した
異物１０は燃焼し気化する。
次に動作について説明する。半導体装置９が搬
送装置１１により火炎処理部に搬送されるとトー
チ位置決め装置１２が矢印の方向へ下降し、半導
体装置９に火炎８を放射し、異物１０を燃焼させ
かつ気化させる。処理後、トーチ位置決め装置１
２が矢印の方向へ上昇すると同時に、半導体装置
９は搬送装置１１により次工程へと矢印の方向へ
搬送される。
送装置１１により火炎処理部に搬送されるとトー
チ位置決め装置１２が矢印の方向へ下降し、半導
体装置９に火炎８を放射し、異物１０を燃焼させ
かつ気化させる。処理後、トーチ位置決め装置１
２が矢印の方向へ上昇すると同時に、半導体装置
９は搬送装置１１により次工程へと矢印の方向へ
搬送される。
従来の半導体製造装置は、水素を口径の小さい
トーチ７より単独で噴出し燃焼させていたため、
高い燃焼温度が得られず、火炎が大気の乱れで揺
れる問題があつた。従つて、異物１０を充分燃焼
させることが出来ず、マーキング時の捺印性やイ
ンキの密着強度を充分向上させることが出来なか
つた。
トーチ７より単独で噴出し燃焼させていたため、
高い燃焼温度が得られず、火炎が大気の乱れで揺
れる問題があつた。従つて、異物１０を充分燃焼
させることが出来ず、マーキング時の捺印性やイ
ンキの密着強度を充分向上させることが出来なか
つた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、半導体装置９の異物１０を完
全に燃焼させ気化させてマーキング時の捺印性お
よびインキの密着強度を向上させることの出来る
半導体製造装置を得ることを目的とする。
になされたもので、半導体装置９の異物１０を完
全に燃焼させ気化させてマーキング時の捺印性お
よびインキの密着強度を向上させることの出来る
半導体製造装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体製造装置は、火炎のガス
を水素単独の燃焼から、水素と乾空の混合ガスと
し、火炎の燃焼温度を高めたものである。
を水素単独の燃焼から、水素と乾空の混合ガスと
し、火炎の燃焼温度を高めたものである。
この発明における半導体装置は、水素ガスに乾
空を注入することにより水素の燃焼温度を上昇さ
せ、半導体装置上の異物の燃焼および気化を完全
に行うことで、マーキング時の捺印性やインキの
密着強度が向上する。
空を注入することにより水素の燃焼温度を上昇さ
せ、半導体装置上の異物の燃焼および気化を完全
に行うことで、マーキング時の捺印性やインキの
密着強度が向上する。
以下、この発明の一実施例を第１図に示す。図
において、１〜８および１８は従来の装置と同等
のものを示す。１３は乾空元、１４は乾空元栓、
１５は圧力計、１６は流量計、１７は手元コツク
である。流量計１６を経て流れてきた乾空を水素
側の流量計５を経てきた水素と混合するように図
示の如く配管してある。混合されたガスはトーチ
７より噴出し、これに着火することにより高温の
火炎を得る。
において、１〜８および１８は従来の装置と同等
のものを示す。１３は乾空元、１４は乾空元栓、
１５は圧力計、１６は流量計、１７は手元コツク
である。流量計１６を経て流れてきた乾空を水素
側の流量計５を経てきた水素と混合するように図
示の如く配管してある。混合されたガスはトーチ
７より噴出し、これに着火することにより高温の
火炎を得る。
次に作用について説明する。水素に乾空を注入
することにより乾空中の酸素で水素の燃焼を助力
し燃焼温度を高める。これにより半導体装置上の
異物の燃焼および気化を促進させることでマーキ
ング時の捺印性およびインキ密着強度を向上す
る。
することにより乾空中の酸素で水素の燃焼を助力
し燃焼温度を高める。これにより半導体装置上の
異物の燃焼および気化を促進させることでマーキ
ング時の捺印性およびインキ密着強度を向上す
る。
次に動作について説明する。これは従来技術の
動作と同じである。すなわち、半導体装置９が搬
送装置１１により火炎処理部に搬送されると、ト
ーチ位置決め装置１２が矢印の方向へ下降し、半
導体装置９に火炎８を放射して異物１０を燃焼・
気化する。処理後、トーチ位置決め装置１２が矢
印の方向へ上昇すると同時に、半導体装置９は搬
送装置１１により次工程へと矢印の方向へ搬送さ
れる。
動作と同じである。すなわち、半導体装置９が搬
送装置１１により火炎処理部に搬送されると、ト
ーチ位置決め装置１２が矢印の方向へ下降し、半
導体装置９に火炎８を放射して異物１０を燃焼・
気化する。処理後、トーチ位置決め装置１２が矢
印の方向へ上昇すると同時に、半導体装置９は搬
送装置１１により次工程へと矢印の方向へ搬送さ
れる。
以上、定性的に水素と乾空とを混合する旨を述
べて来たが、以下にその比を定量的に説明する。
水素と乾空の混合比は流量比で１：1.1乃至１：
1.3の範囲であり、１：1.2が好ましい。乾空の量
が１：1.1の比率よりも少ないと、火炎８の温度
は所望の高温に達せず、また火炎もゆらぎ本発明
の目的とするものが得られない。逆に乾空の量を
１：1.3の比率よりも大きくしても火炎の温度は
更に高温になるわけでなく、火炎は小規模の爆発
をくり返えし含むようになり好ましくなくなる。
混合比が前記範囲内にあるとき、火炎はシヤープ
にしかも安定しかつ高温になるのである。そして
１：1.2の混合比で火炎は最も好ましいものとな
る。
べて来たが、以下にその比を定量的に説明する。
水素と乾空の混合比は流量比で１：1.1乃至１：
1.3の範囲であり、１：1.2が好ましい。乾空の量
が１：1.1の比率よりも少ないと、火炎８の温度
は所望の高温に達せず、また火炎もゆらぎ本発明
の目的とするものが得られない。逆に乾空の量を
１：1.3の比率よりも大きくしても火炎の温度は
更に高温になるわけでなく、火炎は小規模の爆発
をくり返えし含むようになり好ましくなくなる。
混合比が前記範囲内にあるとき、火炎はシヤープ
にしかも安定しかつ高温になるのである。そして
１：1.2の混合比で火炎は最も好ましいものとな
る。
かかる範囲の混合比の火炎で処理すると、従来
の単独の水素ガス炎で処理するよりも高温である
ので、短時間で異物１０を燃焼・気化させること
が出来、半導体装置９の内部に影響を与えないの
である。かつ火炎が安定して揺らがないので、半
導体装置のリード部における半田付け箇所に当る
ということはなく、これらを溶すという悪影響が
なくなる。
の単独の水素ガス炎で処理するよりも高温である
ので、短時間で異物１０を燃焼・気化させること
が出来、半導体装置９の内部に影響を与えないの
である。かつ火炎が安定して揺らがないので、半
導体装置のリード部における半田付け箇所に当る
ということはなく、これらを溶すという悪影響が
なくなる。
以上のように、この発明によれば燃焼ガスに水
素と乾空の混合ガスを用いたので燃焼温度を高め
ることが出来、半導体装置のマーキングにおける
捺印性、インキ密着強度を向上させ、かつ半導体
装置に悪影響を及ぼす危険性がなくなるという効
果がある。
素と乾空の混合ガスを用いたので燃焼温度を高め
ることが出来、半導体装置のマーキングにおける
捺印性、インキ密着強度を向上させ、かつ半導体
装置に悪影響を及ぼす危険性がなくなるという効
果がある。
第１図は半導体製造におけるマーキング工程で
使用する火炎発生のための本発明の一実施例によ
るガス配管を示す配管図、第２図は従来のガス配
管を示す配管図、第３図はマーキング工程におけ
る火炎処理部を示す見取り図である。 図において、１は水素元、８は火炎、１３は乾
空元を示す。 なお、各図中同一符号は同一、または相当部分
を示す。
使用する火炎発生のための本発明の一実施例によ
るガス配管を示す配管図、第２図は従来のガス配
管を示す配管図、第３図はマーキング工程におけ
る火炎処理部を示す見取り図である。 図において、１は水素元、８は火炎、１３は乾
空元を示す。 なお、各図中同一符号は同一、または相当部分
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体製造装置のマーキング工程の前処理に
おいて使用される火炎を水素と乾空との混合ガス
で生ぜしめ、水素と乾空の混合比を１：1.1乃至
１：1.3の範囲内とすることを特徴とする半導体
製造装置。 ２ 水素と乾空の混合比が１：1.2である特許請
求の範囲第１項記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26621186A JPS63119553A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26621186A JPS63119553A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119553A JPS63119553A (ja) | 1988-05-24 |
| JPH047105B2 true JPH047105B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=17427804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26621186A Granted JPS63119553A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63119553A (ja) |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP26621186A patent/JPS63119553A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63119553A (ja) | 1988-05-24 |
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