JPH0471109A - 誘電体磁器組成物および誘電体磁器の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は誘電体磁器組成物および誘電体磁器の製造方
法に関し、特にチタン酸バリウムを主体とし、たとえば
セラミックコンデンサなどに用いられる誘電体磁器組成
物および誘電体磁器の製造方法に関する。

（従来技術） 従来より、磁器コンデンサに用いられる誘電体磁器組成
物として、チタン酸バリウムを主体とするものが数多く
知られている。チタン酸バリウムは、１２０℃付近にキ
ュリー点を持ち、１００００近い誘電率を示すが、それ
だけでは常温で高誘電率とはなり得ない。そこで、シフ
ター材とよばれるものを加え、キュリー点を常温に移動
させて常温で高誘電率を持たせている。このシフター材
としては、錫酸化物、ジルコニア酸化物、稀土類元素な
どが知られている。

このようなシフター材を利用したチタン酸バリウムを主
体とする磁器コンデンサとしては、単板型リード線付タ
イプのものが製造されてきた。ところが、近年積層化技
術が進歩し、また３０〜８０μｍ程度の誘電体グリーン
シートが容易に得られるようになった。そして、内部電
極で誘電体薄膜を挟持する形で複数層積層したいわゆる
積層セラミックコンデンサがエレクトロニクス業界に進
出し、従来の誘電体磁器組成物もこのような積層セラミ
ックコンデンサの材料として利用されるようになった。

一方、最近の磁器コンデンサは小型化の傾向があり、特
に積層コンデンサにおいては、磁器誘電体層の厚みが１
０〜２０μｍというように薄層化する傾向にある。この
場合、１００〜１００００μｍの厚みを持つ単板型コン
デンサに比べて、１０倍以上の電界強度を受ける。した
がって、単板型コンデンサに比べて電圧依存性の小さい
組成物が要求されている。

また、誘電体層が薄くなるに従って、セラミックの構造
的な欠陥が特性に反映されやすくなるので、結晶粒子の
大きさ（グレインサイズ）が均一でかつ微細であること
と、空孔が少なくかつ小さいことが望まれる。

グレインサイズの小さいチタン酸バリウムを主体とした
誘電体磁器が、たとえば特願昭５６−１８０５９号、特
願昭５７−１６８０９号、特願昭５７−１０５９１９号
、特願昭５７−１９６４６９号などに開示されている。

これらのチタン酸バリウムを主体とする誘電体磁器は、
チタン酸バリウムに、酸化セリウムを加え、あるいは酸
化セリウムとジルコン酸バリウムを加え、あるいは酸化
ネオジウムを添加し、空気が流通する雰囲気下で焼成す
ることによって、グレインサイズを小さくしたものであ
る。

（発明が解決しようとする課Ｂ） グレインサイズの小さいこれらの誘電体磁器では、誘電
率が常温で最大１００００前後と小さく、グレインサイ
ズの大きいものに比べると誘電率が小さいため、積層コ
ンデンサを小型にした場合、大きい静電容量を得ること
が困難であった。さらに、誘電率の温度変化曲線が急峻
であることも問題であった。

それゆえに、この発明の主たる目的は、グレインサイズ
が小さく、大きい誘電率を有し、温度変化に対する誘電
率の変化が少なく、かつ電圧依存性の小さい誘電体磁器
を得ることができる誘電体磁器組成物を提供することで
ある。

この発明の他の目的は、グレインサイズが小さいにもか
かわらず、さらに大きい誘電率を有する誘電体磁器を得
ることができる誘電体磁器の製造方法を提供することで
ある。

本発明者は、誘電体磁器のグレインサイズが１〜３μｍ
と小さいときに誘電率が１００００に満たない原因を種
々検討した結果、主原料であるチタン酸バリウムの不純
物の種類とその含有量とが多い場合、その誘電率が大き
くならないことを見出した。

さらに、アルカリ金属酸化物の含有量が少ないチタン酸
バリウムにおいて、これに酸化ランタン、酸化セリウム
、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウムおよび酸化サマ
リウムの中から選ばれる少なくとも１種類を加えること
によって、グレインサイズが小さくなりしかも大きい誘
電率を示すことを見出した。

また、酸化錫を加えかつ必要に応じて酸化ジルコニウム
および酸化チタンのうち少なくとも一方を加えることに
よって、誘電率の温度変化が小さく電圧依存性の小さい
誘電体磁器が得られることを見出した。

（課題を解決するための手段） この発明にかかる誘電体磁器組成物は、不純物としての
アルカリ金属酸化物の含有量が０．０３重量％以下のチ
タン酸バリウム１００モル％に対して、酸化ランタン、
酸化セリウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム、
酸化サマリウムの中から選ばれる少なくとも１種を２．
５〜５．０モル％、および酸化ジルコニウム、酸化錫、
酸化チタンを（Ｚ　ｒｌ−ｍ−ｂ　Ｓｎａ　Ｔ　ｉｂ　
）　Ｏｘ　　（ただし、ａ＞Ｑ、ｂ≧０、０＜ａ＋ｂ≦
１．０）に換算して０．５〜８．５モル％含有した、誘
電体磁器組成物である。

この発明にかかる誘電体磁器の製造方法は、チタン酸バ
リウム１００モル％に対して、酸化ランタン、酸化セリ
ウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化サマ
リウムの中から選ばれる少なくとも１種以上の酸化物を
２．５〜５．０モル％、および酸化ジルコニウム、酸化
錫、酸化チタンを（Ｚ　ｒ　＋−ｍ−ｂ　Ｓ　ｎ、　Ｔ
　ｉ　ｂ　）　Ｏｘ　　（ただし、ａ＞Ｑ、ｂ≧０、０
＜ａ＋ｂ≦１．０）に換算して０゜５〜８．５モル％含
有してなる誘電体磁器の製造方法であって、チタン酸バ
リウム原料に対して、ランタン化合物、セリウム化合物
、ネオジウム化合物、プラセオジウム化合物、サマリウ
ム化合物の中から選ばれる少なくとも１種類、およびジ
ルコニウム化合物、錫化合物、チタン化合物を添加した
組成物からなる成形体を、酸素濃度６０％以上の雰囲気
で焼成する、誘電体磁器の製造方法である。

次に、この発明にかかる誘電体磁器組成物の組成範囲を
限定した理由について説明する。

従来、工業的に大量に用いられるチタン酸バリウムは９
８．５〜９９．５％程度の純度であり、不純物としてＳ
ｒＯ，Ｃａｂ、ＭｇＯなどのアルカリ土類金属、Ｎ　ａ
　ｚ　Ｏ，Ｋｇ　Ｏなどのアルカリ金属酸化物およびＡ
ｊ！、Ｏ，、５ｉＯ１などの粉砕混合操作に伴う混入物
を含有するのが一般的である。

この発明は、これらチタン酸バリウム中の不純物のうち
、特にＮａ、Ｏ，に、Ｏなどのアルカリ金属酸化物の含
有量が一定限度を超えると、特性が劣化することを見出
したことによって考え出されたものである。

すなわち、この発明にかかる誘電体磁器組成物では、チ
タン酸バリウム中の不純物のうちアルカリ金属酸化物の
含有量が０．０３重量％以下にされる。なぜなら、その
含有量が０．０３重量％を超えると、誘電率がｔｏｏｏ
ｏ以下と小さくなるためである。

また、この発明にかかる誘電体磁器組成物では、アルカ
リ金属酸化物の不純物としての含有量を００３重量％以
下にしたチタン酸バリウム１００モル％に対して、酸化
ランタン、＃化セリウム。

酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム、＃化すマリウム
の中から選ばれる少なくとも１種類が２゜５〜５．０モ
ル％含有される。これらの含有量が２．５モル％未満で
は、得られた磁器のグレインサイズが十分に小さくなら
ない、一方、これらの含有量が５．０モル％を超えると
、キュリー点が常温より低温に移動し、常温での誘電率
が小さくなるか、あるいは焼結性が悪くなる。

このように、不純物としてのアルカリ金属酸化物の含有
量が０．０３重量％以下のチタン酸バリウム１００モル
％に対して、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化ネオジ
ウム、酸化プラセオジウム酸化サマリウムの中から選ば
れる少なくとも１種類を２．５〜５．０モル％含有すれ
ば、グレインサイズが小さく、しかも誘電率が１１００
０以上と大きい誘電体磁器を得ることができる。

しかしながら、このような組成物では、温度変化に対す
る誘電率の変化が大きくなり、ＪＩＳ規格のＦ特性など
が満足されない。さらに、電圧依存性も太き（なり、積
層セラミックコンデンサにおいて、磁器誘電体層の薄層
化にとって好ましくない。

このような問題を解決するために、酸化ジルコニウム、
酸化錫、酸化チタンが（Ｚ　ｒ　Ｉ−＠−ｂ　Ｓ　ｎ＊
　Ｔ　ｉｂ　）　Ｏｘ　　（ただし、ａ＞Ｑ、ｂ≧０．
Ｏくａ＋ｂ≦１．０）に換算して０．５〜８．５−Ｅル
％の範囲で加えられる。酸化ジルコニウム、酸化錫、酸
化チタンの含有量が０．５モル％未満では、誘電率の温
度特性が向上せず、電圧依存性も大きい。一方、酸化ジ
ルコニウム、酸化錫、酸化チタンの含有量が８．５モル
％を超えると、誘電率の温度特性は向上するが、誘電率
が低下する。

なお、この発明にかかる誘電体磁器組成物から誘電体磁
器を得るにあたって、還元防止剤として微量のＭｎＣＯ
５、Ｆｅｚ　０３などを添加しても、得られる磁器の特
性を損なうことがない。

（発明の効果） この発明によれば、グレインサイズが小さく、大きい誘
電率を有し、温度変化に対する誘電率の変化が少なく、
かつ電圧依存性の小さい誘電体磁器を得ることができる
。

さらに、この発明によれば、グレインサイズが小さいに
もかかわらず、さらに大きい誘電率を有する誘電体磁器
を得ることができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。

（実施例） 実１１１１ 原料として種々の純度のＢａＣ０，とＴｉＯ□とを用い
て、これらをＢ　ａ　ＣＯ３とＴｉｅ、とのモル比が１
．０００となるように秤量し、ジルコニア玉石を用いた
ボールミルによって１６時時間式混合を行って、混合物
を得た。

得られた混合物中の水分を蒸発した後、１１５０℃で２
時間保持して仮焼し、再びボールミルで平均粒径が２μ
ｍ以下になるまで粉砕した。このようにして、表１のＡ
、Ｂ、ＣおよびＤに示す純度の異なる４種類のチタン酸
バリウムを得た。

そして、このチタン酸バリウム１００モル％に対して、
表２に示すように、酸化ランタン（Ｌａｇｏｓ）、酸化
セリウム（Ｃｅ　Ｏ□）、酸化ネオジウム（Ｎｄ２０３
　）、酸化プラセオジウム（Ｐｒ、Ｏ，、）、酸化サマ
リウム（Ｓｍ２０３）、酸化ジルコニウム（Ｚ　ｒ　Ｏ
ｘ　）　、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ□
）などを秤量し、酢酸ビニルバインダを加えて１６時時
間式混合して混合物を得た。この混合物を乾燥、造粒後
２０００ｋｇ／Ｊの圧力で直径１０鶴、厚さ０．５−＋
ｎの円板に成形した。この円板を、表３に示す温度で２
時間焼成し、円板状の磁器を得た。

この磁器表面を電子顕微鏡を用いて２０００倍で観察し
、グレインサイズを測定した。

得られた磁器の両生面に銀電極を焼き付けて測定試料（
コンデンサ）とし、その室温での誘電率ε、誘電損失ｔ
ａｎδ（％）および温度変化に対する静電容量の変化率
を測定した。また、１００Ｖ／ｗｅ、１ｋＨｚの交流電
圧を印加し、誘電損失ｔａｎδ（％）を測定した。

なお、誘電率εおよび誘電損失ｔａｎδは、温度２５℃
２周波数１ｋ）ｌｚで測定した。また、温度変化に対す
る静電容量の変化率については、２０℃での静電容量を
基準とした一２５℃および８５℃での静電容量の変化率
（Δｃ、、’ｃｚ。）を示した。

これらの測定結果を表３に示した。

次に、表１２表２および表３に示す結果に基づいて、こ
の発明にかかる誘電体磁器組成物の組成範囲を限定した
理由について説明する。

試料番号ｌおよび２のように、酸化ランタン酸化セリウ
ム、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化サマリ
ウムなどの含有量が２．５モル％より少ない場合、誘電
率が小さくなるかまたはグレインサイズが３μｍより大
きくなってしまう。

一方、試料番号１３および１４のように、これらの含有
量が５モル％より多い場合、誘電率が小さくなったり、
焼成温度が高くなる。

試料番号１５のように、酸化ジルコニウム、酸化錫およ
び酸化チタンの含有量が０．５モル％より少ない場合、
静電容量の変化率が一８０％を超えてしまい好ましくな
い。一方、試料番号１６のように、酸化ジルコニウム、
酸化錫および酸化チタンの含有量が８．５モル％より多
い場合、静電容量の変化率は小さいが、誘電率が大幅に
減少してしまう。また、試料番号１７のように、酸化ジ
ルコニウム、酸化錫および酸化チタンの含有量が０．５
〜８．５モル％の範囲にあっても、酸化錫および酸化チ
タンが全く含まれない場合、すなわちａ＋ｂ＝ｏの場合
では、１００Ｖ／ｆｌの交流電圧を印加したときの誘電
損失が大きくなって好ましくない。

試料番号１８および１９のように、アルカリ金属酸化物
の含有量が多いチタン酸バリウム原料ＣＤを用いた場合
、誘電率が小さくなる。

それに対して、この発明の範囲内の誘電体磁器組成物を
用いた試料（試料番号３〜１２参照）では、いずれも、
磁器の焼結体のグレインサイズが１〜３μｍと小さく、
誘電率が１１０００以上と大きく、また１００Ｖ／ｍの
交流電圧を印加したときの誘電損失が３．０％以内と小
さい。しかも、２０℃を基準にした一２５℃および８５
℃での静電容量の変化率が一８０％以内であり、ＪＩＳ
規格のＦ特性を満足する。

実見１ 表２の試料番号８の組成となるように秤量した原料に、
有機バインダ、分散剤、消泡剤の混合水溶液を１５重量
％添加し、５０重量％の水とともにボールミルで粉砕、
混合して原料スラリを得た。

この原料スラリを用いて、ドクターブレード法によって
２２μｍのセラミックグリーンシートを作製した。この
セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷法によ
って内部電極用のパラジウムペーストを印刷した。印刷
したパラジウムペーストが互いに対向するように、複数
のセラミックグリーンシートを積層し、熱圧着して積層
体を得た。

得られた積層体を１３２０℃で２時間焼成して焼結体を
得た。得られた焼結体の両端面に銀ペーストを塗布し、
空気中において８００℃で焼き付け、内部電極と電気的
に接続された外部電極を形成した。このようにして、積
層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコ
ンデンサの寸法は、次に示す通りである。

外形寸法　幅：１．６ｍｍ 長さ：３．２■ 厚さ：１．２ｍ セラミック厚さ：１３μｍ 有効誘電体層数：１９ １層あたりの対向電極面積：２．０■２得られた積層セ
ラミックコンデンサの試料について、温度２５℃におけ
る１　ｋＨｚ、　　Ｉ　Ｖｒ＋ｍｓでの静電容量Ｃ（ｎ
Ｆ）および誘電損失ｔａｎδ（％）を測定した。また、
２５Ｖの直流電圧を２分間印加して、絶縁抵抗ＩＲ（Ω
）を測定した。また、２０℃での静電容量を基準とした
一２５℃および８５℃での静電容量変化率へＣ／Ｃｚ。

（％）を測定した。さらに、直流破壊電圧値ＢＤＶ　（
Ｖ）と抗折強度とを測定した。

なお、抗折強度は、第１図に示す抗折強度測定装置１０
を用いて測定した。第１図において、１２は試料である
被試験積層セラミックコンデンサであり、１４は試料保
持台である。試料保持台１４上に置かれたコンデンサ１
２は、加圧ピン１６によって加圧される。そして、加圧
された圧力が、置き針材テンションゲージ１８によって
表示される。この試験に際して、試料保持台１４の治具
のスパンは２ｍとした。

比較例として、ＢａＴｉＯｓ　　ｉｏｏモル％に対して
、ＢａＺｒＯｓ　１８．５モル％、ＣａＺｒＯ３８，９
モル％を添加し、上述と同様の方法によって積層セラミ
ックコンデンサを作製した。そして、この比較例につい
て、上述の各特性を測定した。

また、それぞれの積層セラミックコンデンサの表面を電
子顕微鏡で２０００倍で観察し、グレインサイズを測定
した。以上の結果を表４に示した。

表４かられかるように、この発明の組成を有する材料で
作製した積層セラミックコンデンサは、比較例に比べて
グレインサイズが小さく、誘電損失が小さい。また、こ
の発明の材料で作製した積層セラミックコンデンサは、
比較例に比べて、２倍程度の絶縁破壊電圧および抗折強
度を有する。

１施■１ まず、炭酸バリウムと酸化チタンとをそのモル比が１＝
１となるように秤量し、ジルコニア玉石を用いたボール
ミルにて１６時時間式混合を行い混合物を得た。そして
、この得られた混合物中の水分を蒸発した後、１１５０
℃で２時間保持して仮焼し、再びボールミルにて平均粒
径が２μｍ以下になるまで粉砕してチタン酸バリウムの
微小粉末を得た。

次に、得られたチタン酸バリウムの微小粉末に対して、
表５に示すような割合で酸化ランタン。

酸化セリウム、酸化プラセオジウム、酸化ネオジウム、
酸化サマリウム、酸化ジルコニウム、酸化錫、酸化チタ
ンを選択的に秤量して添加し、酢酸ビニルバインダを加
え１６時時間式混合した。

次に、これを乾燥後造粒した後、２０００ｋｇ／−の圧
力でプレス成形し、直径１０ｍ、［さ０゜５ｍの円板状
の成形体を得た。そして、得られた成形体を表５に示す
焼成条件で焼成し、誘電体磁器を得た。なお、焼成条件
の焼成パターンＡ、　ＢおよびＣは、次の通りである。

焼成パターンＡは、第２図（Ａ）に示すように、大気中
で表５に示した焼成温度まで２００℃／１時間の割合で
昇温し、その焼成温度で２時間保持した後、室温まで２
００℃７１時間の割合で冷却するものである。

焼成パターンＢは、第２図（Ｂ）に示すように、表５に
示した酸素濃度の酸素雰囲気下で、表５に示した焼成温
度まで２００℃／工時間の割合で昇温し、その焼成温度
で２時間保持した後、室温まで２００℃／１時間の割合
で冷却するものである。

焼成パターンＣは、第２図（Ｃ）に示すように、大気中
で８００℃まで２００℃／１時間の割合で昇温し、さら
に焼成雰囲気を大気中から表５に示した酸素濃度の酸素
雰囲気下に変えて、８００℃から表５に示した焼成温度
まで同じ割合で昇温する。そして、酸素雰囲気下のまま
その焼成温度で２時間保持した後、８００℃まで２００
℃／１時間の割合で冷却し、再び焼成雰囲気を大気中に
戻して室温まで同じ割合で冷却するものである。

このようにして得られた磁器表面を電子顕微鏡を用いて
２０００倍で観察し、グレインサイズを測定した。

次に、磁器の両生面に銀電極を焼き付けて測定試料（コ
ンデンサ）とし、その室温での誘電率ε、誘電損失ｔａ
ｎδ（％）および温度変化に対する静電容量の変化率を
測定した。また、１００ＶＺ■、１ｋＨｚの交流電圧を
印加し、誘電損失ｔａｎδ（％）を測定した。

なお、誘電率６および誘電損失ｔａｎδは、温度２５℃
１周波数１ｋＨｚで測定した。また、温度変化に対する
静電容量の変化率については、２０℃での静電容量を基
準とした一２５℃および８５℃での変化率ΔＧ／（、ｚ
。（％）を示した。

以上の測定結果を表６に示した。

表５および表６から明らかなように、この発明の誘電体
磁器の製造方法によって作製された試料（試料番号２４
〜３３参照）では、焼結体のグレインサイズが１〜３μ
ｍと小さく、しかも１３０００以上の高誘電率を示した
。また、８５℃での静電容量の温度変化率は一８０％以
内であり、ＪＩｓ規格の温度特性であるＦ特性（２０℃
における静電容量を基準として、−２５℃〜＋８５℃に
おける静電容量の変化率が一８０％〜＋３０％の範囲内
である。）を満足した。

しかも、１００Ｖ／ｍの交流電圧を印加したときの誘電
損失ｔａｎδが３．０％以内と小さい。

また、この発明の範囲外である試料（試料番号２１〜２
３および３４〜３８参照）については、次のようなこと
が理解できる。

試料番号２１および２２では、添加した酸化ランタン、
酸化セリウム、酸化ネオジウム、酸化サマリウムの添加
量が少なく、室温での誘電率が小さくなる。

試料番号２３では、酸化ジルコニウム、酸化錫、酸化チ
タンの添加量が少なく、静電容量の温度変化率が一８０
％を超えてしまいＪＩＳ規格の温度特性であるＦ特性を
満足させることができな（なる。

試料番号３４では、酸化セリウム、酸化ネオジウム、酸
化サマリウムの添加量が多いために、キュリー点が低温
に移動し室温での誘電率が小さくなる。

試料番号３５では、酸化ジルコニウム、酸化錫、酸化チ
タンの添加量が多いために、キュリー点が低温に移動し
室温での誘電率が小さくなる。

試料番号３６では、酸化錫、酸化チタンが添加されてい
ない（ａ＋ｂ＝ｏである）ために、１０Ｑ　Ｖ　／　ｍ
の交流電圧を印加したときの誘電損失ｔａｎδが大きく
なる。

試料番号３７および３８では、焼成中の酸素濃度が低く
、誘電率が小さくなる。

それに対して、この発明にかかる誘電体磁器の製造方法
によれば、グレインサイズが小さいにもかがわかず、大
きい誘電率を有する誘電体磁器を得ることができる。

また、このような誘電体磁器を用いれば、従来の積層磁
器コンデンサよりも小型で大容量の積層磁器コンデンサ
を得ることができる。

なお、上述の実施例において、チタン酸バリウムに添加
する化合物として酸化物を用いたが、酸化物に限定する
ものではなく、次に示すような化合物を用いてもよい。

ランタン化合物−ＬａｚＣＯ＊、　Ｌａ　（ＮＯｓ）　
ｔ、　Ｌａ　（ＣｚＯｎ）　ｓセリウム化合物−・Ｃｅ
ＣＯ５＋Ｃｅ（ＮＯｓ）ｓ、Ｃｅ（ＯＨ）＊ネオジウム
化合物・・・Ｎｄ（ＯＨ）ｉ、Ｎｄ（ＮＯｘ）ｓ。

Ｎｄｔ　（ＣＯｓ）　ｓ、　Ｎｄｚ　（ＣｚＯｔ）　ｓ
プラセオジウム化合物＝Ｐｒ２（ＣＯ３）ｓ＋Ｐ１”（
ＮＯｘ）ｓセマリウム化合物・・・５ａｔ（ＣｚＯｌ）
ｚ、Ｓ＋＋（Ｎｏ３）ｓジルコニウム化合物・”ＢａＺ
ｒＯｓ＋ＣａＺｒ０．、、ＺｒＣ１，。

Ｚｒ０（Ｎ（ｈ）　ｚ、Ｚｒ０（ＣＦ１３ＣＯＯ）　を
錫化合物・・・Ｂａ５ｎＯａ＋Ｃａ５ｎＯｓ、　５ｎ（
ＯＣＦ１３）　ａチタン化合物”４ａＴｉ０３．ＣａＴ
ｉ０ｚ、ＴｉＣ１ｎ。

Ｔｉ　（ＯＣＨ３）　ａ

【図面の簡単な説明】

第１図は試料の抗折強度を測定するための抗折強度測定
装置を示す図解図である。 第２図（Ａ）、　　（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、
焼成パターン（焼成雰囲気および温度と時間との関係）
を示すグラフである。 図において、１０は抗折強度測定装置、１２は被試験積
層セラミックコンデンサ、工４は試料保持台、１６は加
圧ピン、１８は置き釘付テンションゲージである。 特許出願人　株式会社　村田製作所 代理人　弁理士　岡　１）　全　啓 ７一 第 図 １゜ 第 図 綺 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 聞

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　不純物としてのアルカリ金属酸化物の含有量が０．
   ０３重量％以下のチタン酸バリウム１００モル％に対し
   て、 酸化ランタン、酸化セリウム、酸化ネオジウム、酸化プ
   ラセオジウム、酸化サマリウムの中から選ばれる少なく
   とも１種を２．５〜５．０モル％、および 酸化ジルコニウム、酸化錫、酸化チタンを（Ｚｒ＿１＿
   −＿ａ＿−＿ｂＳｎ＿ａＴｉ＿ｂ）Ｏ＿２（ただし、ａ
   ＞０、ｂ≧０、０＜ａ＋ｂ≦１．０）に換算して０．５
   〜８．５モル％含有した、誘電体磁器組成物。 ２　チタン酸バリウム１００モル％に対して、酸化ラン
   タン、酸化セリウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオジ
   ウム、酸化サマリウムの中から選ばれる少なくとも１種
   以上の酸化物を２．５〜５．０モル％、および酸化ジル
   コニウム、酸化錫、酸化チタンを（Ｚｒ＿１＿−＿ａ＿
   −＿ｂＳｎ＿ａＴｉ＿ｂ）Ｏ＿２（ただし、ａ＞０、ｂ
   ≧０、０＜ａ＋ｂ≦１．０）に換算して０．５〜８．５
   モル％含有した誘電体磁器の製造方法であって、 チタン酸バリウム原料に対して、ランタン化合物、セリ
   ウム化合物、ネオジウム化合物、プラセオジウム化合物
   、サマリウム化合物の中から選ばれる少なくとも１種類
   、およびジルコニウム化合物、錫化合物、チタン化合物
   を添加した組成物からなる成形体を、酸素濃度６０％以
   上の雰囲気で焼成する、誘電体磁器の製造方法。