JPH0471172B2 - - Google Patents
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- JPH0471172B2 JPH0471172B2 JP58100610A JP10061083A JPH0471172B2 JP H0471172 B2 JPH0471172 B2 JP H0471172B2 JP 58100610 A JP58100610 A JP 58100610A JP 10061083 A JP10061083 A JP 10061083A JP H0471172 B2 JPH0471172 B2 JP H0471172B2
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- circuit
- count
- resistor
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/24—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit
- G01K7/245—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit in an oscillator circuit
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子温度計の製造方法に関するもので
あり、更に詳細に言えば、カウント値−温度変換
テーブルを標準化できる電子温度計の製造方法に
関するものである。
あり、更に詳細に言えば、カウント値−温度変換
テーブルを標準化できる電子温度計の製造方法に
関するものである。
[従来の技術]
従来、第1図に示す如く感温素子を用いた発振
回路の出力パルス列を計数し、この計数値から温
度値を得る変換を不揮発性のメモリにプログラム
することによつて行うようにしたデジタル温度計
が特開昭50−131576号により提案されている。し
かしながら、特開昭50−131576号が開示する発明
は発振特性の異なる装置毎に不揮発性メモリを個
別にプログラムすることを要し、大量生産性に欠
ける不利益を有していた。
回路の出力パルス列を計数し、この計数値から温
度値を得る変換を不揮発性のメモリにプログラム
することによつて行うようにしたデジタル温度計
が特開昭50−131576号により提案されている。し
かしながら、特開昭50−131576号が開示する発明
は発振特性の異なる装置毎に不揮発性メモリを個
別にプログラムすることを要し、大量生産性に欠
ける不利益を有していた。
また、特開昭58−15134号には、温度の測定精
度を向上させるために、基準抵抗とサーミスタを
発振器に接続し、両者の発信周波数の比に基づい
て記憶回路から温度情報を読み出す構成が開示さ
れているが、温度変換テーブルの標準化は意図さ
れていない。
度を向上させるために、基準抵抗とサーミスタを
発振器に接続し、両者の発信周波数の比に基づい
て記憶回路から温度情報を読み出す構成が開示さ
れているが、温度変換テーブルの標準化は意図さ
れていない。
従つて、感温素子として使用されるサーミスタ
等の素子に特性のバラツキが多いことを考慮すれ
ば、均一な精度を有する製品を大量には提供でき
ない。
等の素子に特性のバラツキが多いことを考慮すれ
ば、均一な精度を有する製品を大量には提供でき
ない。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、従来技術の有する不利益を解決する
ために提案されたものであり、その主要な目的は
精度上のバラツキの無い電子温度計を大量生産す
るための電子温度計の製造方法を提案する所にあ
る。
ために提案されたものであり、その主要な目的は
精度上のバラツキの無い電子温度計を大量生産す
るための電子温度計の製造方法を提案する所にあ
る。
[課題を解決するための手段]
このような本発明の目的は、温度により抵抗値
が変化しない抵抗体と、温度により抵抗値が変化
する感温素子と、前記抵抗体又は感温素子を接続
して夫々の抵抗値に応じた周波数のパルス信号列
を発生する発振回路と、前記発振回路に前記抵抗
体を接続して所定数のパルス信号列を計数するま
でに要した時間を計数する第1のカウンタ回路
と、該第1のカウンタ回路の計数した時間だけ前
記発振回路に前記感温素子を接続して発生したパ
ルス信号列を計数する第2のカウンタ回路と、該
第2のカウンタ回路の計数値と出力温度との関係
を規定した温度変換テーブルとを有する電子温度
計の製造方法において、 (a) 前記電子体温計を基準温度に保ち、 (b) そのときの前記第2のカウンタ回路の計数値
が前記基準温度に対応する所定値と等しいか否
かを判定し、 (c) 前記所定値と等しくない場合は前記抵抗体の
抵抗値を前記計測値と所定値との差に対応して
変更し、前記行程(a)に戻り、 (d) 前記所定値と等しい場合は次の処理行程に移
る、 ところの前記抵抗体の調整行程(a)〜(d)を備える
ことを特徴とする電子温度計の製造方法により達
成される。
が変化しない抵抗体と、温度により抵抗値が変化
する感温素子と、前記抵抗体又は感温素子を接続
して夫々の抵抗値に応じた周波数のパルス信号列
を発生する発振回路と、前記発振回路に前記抵抗
体を接続して所定数のパルス信号列を計数するま
でに要した時間を計数する第1のカウンタ回路
と、該第1のカウンタ回路の計数した時間だけ前
記発振回路に前記感温素子を接続して発生したパ
ルス信号列を計数する第2のカウンタ回路と、該
第2のカウンタ回路の計数値と出力温度との関係
を規定した温度変換テーブルとを有する電子温度
計の製造方法において、 (a) 前記電子体温計を基準温度に保ち、 (b) そのときの前記第2のカウンタ回路の計数値
が前記基準温度に対応する所定値と等しいか否
かを判定し、 (c) 前記所定値と等しくない場合は前記抵抗体の
抵抗値を前記計測値と所定値との差に対応して
変更し、前記行程(a)に戻り、 (d) 前記所定値と等しい場合は次の処理行程に移
る、 ところの前記抵抗体の調整行程(a)〜(d)を備える
ことを特徴とする電子温度計の製造方法により達
成される。
[実施例]
本発明の実施例によつて製造される電子温度計
及び、その体温計が備える温度変換テーブルを第
2図から第6図を参照して説明する。
及び、その体温計が備える温度変換テーブルを第
2図から第6図を参照して説明する。
第2図は本実施例によつて製造される電子体温
計の構成を示すブロツク図である。図において、
1はサーミスタRthを感温素子(以下、測温抵抗
体という)とする発振器で、内部には温度によつ
て抵抗値の変化しない抵抗体(以下、基準抵抗体
という)Rsを含み、これら両抵抗体Rs、Rthは
端子Sに加えられる選択信号によつて内部の発振
回路に切替接続された夫々fs、fshなる周波数の
パルス列を出力する。2はこれらのパルス列を係
数するカウンタ回路で、前記発振器1を含む回路
素子の時系列にそつた特性変動を除去するために
前記パルス列を可変に制御されたゲート時間幅
TGの間だけ計数し、常に検出温度に対する正し
いカウント値N2を出力する。3はカウント値N2
から所定値ND0を減算する減算回路で、後説する
メモリの容量を節約するために所定値ND0を差引
いた値のアドレス出力NADを出力する。4は標準
のROMテーブルを記憶させたリードオンメモリ
(ROMまたはPROMで良い)でアドレス出力NAD
によつてアドレスされそこに相関記憶されている
温度データTtを読出す。5は表示回路で、読出
された温度データTtをデジタル表示する。
計の構成を示すブロツク図である。図において、
1はサーミスタRthを感温素子(以下、測温抵抗
体という)とする発振器で、内部には温度によつ
て抵抗値の変化しない抵抗体(以下、基準抵抗体
という)Rsを含み、これら両抵抗体Rs、Rthは
端子Sに加えられる選択信号によつて内部の発振
回路に切替接続された夫々fs、fshなる周波数の
パルス列を出力する。2はこれらのパルス列を係
数するカウンタ回路で、前記発振器1を含む回路
素子の時系列にそつた特性変動を除去するために
前記パルス列を可変に制御されたゲート時間幅
TGの間だけ計数し、常に検出温度に対する正し
いカウント値N2を出力する。3はカウント値N2
から所定値ND0を減算する減算回路で、後説する
メモリの容量を節約するために所定値ND0を差引
いた値のアドレス出力NADを出力する。4は標準
のROMテーブルを記憶させたリードオンメモリ
(ROMまたはPROMで良い)でアドレス出力NAD
によつてアドレスされそこに相関記憶されている
温度データTtを読出す。5は表示回路で、読出
された温度データTtをデジタル表示する。
ここで発振器1は例えば第3図に示す如く2つ
のC−MOSインバータ1、2と、コンデン
サCと基準抵抗体Rsと、測温抵抗体たるサーミ
スタRthと、端子Sにlowレベルが入力されてい
るときに前記基準抵抗体Rsを発振回路に接続し、
またhighレベルが入力されているときに前記サー
ミスタRthを発振回路に切替接続するスイツチ
SWと、前記C−MOSインバータ1の固定の保
護抵抗Rとから成る。
のC−MOSインバータ1、2と、コンデン
サCと基準抵抗体Rsと、測温抵抗体たるサーミ
スタRthと、端子Sにlowレベルが入力されてい
るときに前記基準抵抗体Rsを発振回路に接続し、
またhighレベルが入力されているときに前記サー
ミスタRthを発振回路に切替接続するスイツチ
SWと、前記C−MOSインバータ1の固定の保
護抵抗Rとから成る。
また、カウンタ回路2は第4図に示す如く常に
一定の周波数f0のパルス列を出力する基準発振器
21と、周波数fSのパルス列を所定数N1まで計数
するカウンタ22と、このときの計数に要した時
間TGの間だけ周波数f0のパルス列をUPカウント
し引続き同じパルス列を計数値が0になるまで
DOWNカウントするカウンタ23と、この
DOWNカウントに要した時間(前記TGに等し
い)だけ周波数fthのパルス列を計数するカウン
タ24と、以上のような計数動作を繰返し行わせ
るためのフリツプフロツプ(以下FFと呼ぶ)2
5、および遅延パルス発生回路(以下DP回路と
呼ぶ)26と、ANDゲート27,28から成る。
一定の周波数f0のパルス列を出力する基準発振器
21と、周波数fSのパルス列を所定数N1まで計数
するカウンタ22と、このときの計数に要した時
間TGの間だけ周波数f0のパルス列をUPカウント
し引続き同じパルス列を計数値が0になるまで
DOWNカウントするカウンタ23と、この
DOWNカウントに要した時間(前記TGに等し
い)だけ周波数fthのパルス列を計数するカウン
タ24と、以上のような計数動作を繰返し行わせ
るためのフリツプフロツプ(以下FFと呼ぶ)2
5、および遅延パルス発生回路(以下DP回路と
呼ぶ)26と、ANDゲート27,28から成る。
以上の構成において、温度測定がなされる原理
を以下に説明する。先づ発振器1のスイツチSW
を基準抵抗体Rs側に倒すとこのときの発振周波
数fSはkを比例定数として、 fS=1/k・C・Rs ……(1) で与えられる。この発振周波数fsは温度変化に対
してほとんど変動しない。次にスイツチSWをサ
ーミスタRth側に倒したときの発振周波数fthは同
様にして、 fth=1/k・C・Rth ……(2) である。またこのときのサーミスタRthの温度−
抵抗特性は一般に次式によつて与えられる。
を以下に説明する。先づ発振器1のスイツチSW
を基準抵抗体Rs側に倒すとこのときの発振周波
数fSはkを比例定数として、 fS=1/k・C・Rs ……(1) で与えられる。この発振周波数fsは温度変化に対
してほとんど変動しない。次にスイツチSWをサ
ーミスタRth側に倒したときの発振周波数fthは同
様にして、 fth=1/k・C・Rth ……(2) である。またこのときのサーミスタRthの温度−
抵抗特性は一般に次式によつて与えられる。
Rth=R0・exp{B[1/Tt−1/To]} ……(3)
ここで、
R0 :基準温度Toにおけるサーミスタの抵抗値
Rth:ある温度Ttにおけるサーミスタの抵抗値
B :サーミスタの温度抵抗係数(以下、B定
数と呼ぶ) である。
数と呼ぶ) である。
以上から発振器1にサーミスタRthを接続した
場合は、温度変化によつてサーミスタRthの感温
抵抗値が変化しているとこれに対応して発振周波
数fthが変化し、この発振器1から生ずるパルス
列を仮に一定値に制御されたゲート時間幅Tcの
間だけ計数すればそのカウント値Nthは次式によ
つて変化する。
場合は、温度変化によつてサーミスタRthの感温
抵抗値が変化しているとこれに対応して発振周波
数fthが変化し、この発振器1から生ずるパルス
列を仮に一定値に制御されたゲート時間幅Tcの
間だけ計数すればそのカウント値Nthは次式によ
つて変化する。
Nth=Tc/k・C・Rth ……(4)
ここで、基準温度Toにおけるカウント値N0を
N0=Tc/k・C・R0 ……(5)
とすれば、ある温度Ttにおけるカウント値Nth
の一般式は、 Nth=N0・exp{−B[1/Tt−1/To]} ……(6) で与えられる。
の一般式は、 Nth=N0・exp{−B[1/Tt−1/To]} ……(6) で与えられる。
従つて、高い精度で制御されている温度環境に
おいて基準温度T0におけるカウント値N0を知れ
ば、それだけである温度(変数)値Ttにおいて
カウンタが計数すべきカウント(関数)値Nthは
(6)式によつて一義的に定まる。
おいて基準温度T0におけるカウント値N0を知れ
ば、それだけである温度(変数)値Ttにおいて
カウンタが計数すべきカウント(関数)値Nthは
(6)式によつて一義的に定まる。
よつて逆にある温度の測定時に、単にカウント
値Nthを得るだけで直ちに被測定温度Ttを得る
ことの可能な温度測定装置を構成できるのである
が、このまま、つまり前記ゲート時間幅Tcを常
に一定値に制御したのでは周囲温度の変化によつ
てC−MOSインバータ1、2のスレツシユ
ホルド電圧およびコンデンサCの容量も変化する
からこれによる発振周波数fthの変動がカウント
値Nthの変動となつて現れる。そしてもはや変動
したこの値Nth′はサーミスタRthだけの温度特性
に依存するものではなくなる。
値Nthを得るだけで直ちに被測定温度Ttを得る
ことの可能な温度測定装置を構成できるのである
が、このまま、つまり前記ゲート時間幅Tcを常
に一定値に制御したのでは周囲温度の変化によつ
てC−MOSインバータ1、2のスレツシユ
ホルド電圧およびコンデンサCの容量も変化する
からこれによる発振周波数fthの変動がカウント
値Nthの変動となつて現れる。そしてもはや変動
したこの値Nth′はサーミスタRthだけの温度特性
に依存するものではなくなる。
このために以下に述べる方法によつて可変に制
御されるゲート時間幅TGを得ている。先ず発振
器1に基準抵抗体Rsを接続して生ずるパルス列
が常に一定のカウント値N1まで計数されるに要
する特性変動により可変のゲート時間幅TGを求
め、次にこれと同一ゲート時間幅TGだけ前記発
振器1にサーミスタRthを接続して生ずるパルス
列を計数してそのカウント値N2を得る。よつて
2つのカウント値N1、N2とゲート時間幅TGとの
間には、 TG=1/fsN1=1/fthN2 ……(7) が成り立ち、かつ2つのカウント値N1、N2の間
には、 N2=fth/fs・N1 ……(8) が成り立つ。ここでカウント値N2は発振器1に
サーミスタRthを接続してゲート時間幅TGのあい
だ計数したものであるから、 N2=TG/k・C・Rth ……(9) および基準温度Toにおけるカウント値N20は N20=TG/k・C・Ro ……(10) によつて与えられる。
御されるゲート時間幅TGを得ている。先ず発振
器1に基準抵抗体Rsを接続して生ずるパルス列
が常に一定のカウント値N1まで計数されるに要
する特性変動により可変のゲート時間幅TGを求
め、次にこれと同一ゲート時間幅TGだけ前記発
振器1にサーミスタRthを接続して生ずるパルス
列を計数してそのカウント値N2を得る。よつて
2つのカウント値N1、N2とゲート時間幅TGとの
間には、 TG=1/fsN1=1/fthN2 ……(7) が成り立ち、かつ2つのカウント値N1、N2の間
には、 N2=fth/fs・N1 ……(8) が成り立つ。ここでカウント値N2は発振器1に
サーミスタRthを接続してゲート時間幅TGのあい
だ計数したものであるから、 N2=TG/k・C・Rth ……(9) および基準温度Toにおけるカウント値N20は N20=TG/k・C・Ro ……(10) によつて与えられる。
よつてある温度Ttにおいて計数されたカウン
ト値N2はN1を所定数としてかつ前記2度の計数
動作において生ずる2つの発振周波数の比fth/fS
に比例した値を持つものとなる。
ト値N2はN1を所定数としてかつ前記2度の計数
動作において生ずる2つの発振周波数の比fth/fS
に比例した値を持つものとなる。
今、仮に温度変化に対して2つの発振周波数
fS、fthが夫々fS′、fth′に変化したとしても、両者
は特性の変化した共通なC−MOSインバータ
1′、2′とコンデンサC′を用いて短い期間にかつ
可変に制御されたゲート時間幅TGの間だけ発振
したものであるから、そのカウント値N2′は N2′=fth′/fS′・N1=fth/fS・N1=N2……(1
1) となつて、常に正しい再現性の良いカウント値
N2となる。
fS、fthが夫々fS′、fth′に変化したとしても、両者
は特性の変化した共通なC−MOSインバータ
1′、2′とコンデンサC′を用いて短い期間にかつ
可変に制御されたゲート時間幅TGの間だけ発振
したものであるから、そのカウント値N2′は N2′=fth′/fS′・N1=fth/fS・N1=N2……(1
1) となつて、常に正しい再現性の良いカウント値
N2となる。
この方法によつて基準抵抗体Rsとサーミスタ
Rthとを除く全ての構成においてはその回路素子
特性にゆるやかな経時変動があつても相殺される
という効果を発揮するものである。
Rthとを除く全ての構成においてはその回路素子
特性にゆるやかな経時変動があつても相殺される
という効果を発揮するものである。
次に、第3図と第4図とを再び参照して、前記
可変に制御されるゲート時間幅Gとこの区間にカ
ウント値N2を得る動作を詳細に説明する。
可変に制御されるゲート時間幅Gとこの区間にカ
ウント値N2を得る動作を詳細に説明する。
第4図において、直前の計数動作の終りには
DP回路26のパルス出力がカウンタ22,24
の計数値をリセツトする。カウンタ22の計数値
は0になり出力端子Qnのレベルはlowになる。
そしてこのlowレベルは、自己のカウントイネー
ブル端子(以下端子Eと呼ぶ)Eを付勢してその
計数端子Cに入力があればこれを計数可能とす
る。またカウンタ24の端子Eを消勢して計数不
能とし、さらにカウンタ23をUPカウントモー
ドに設定する。一方、第3図の発振器1では端子
Sにlowレベルが入力されるから基準抵抗体Rsが
発振回路に接続されて周波数fSのパルス列を出力
する。第4図において、DP回路26はFF25を
リセツトするから出力端子Qがhighになつて
ANDゲート27,28の入力を付勢する。以上
の状態では、先ず周波数fSの入力パルス列をカウ
ンタ22を計数し同時に周波数foのパルス列をカ
ウンタ23がUPカウントする。次にカウンタ2
2の計数値が所定値N1に達すると、その出力端
子Qnがhighレベルになつて自己の計数動作を停
止させ、カンウンタ24の端子Eを付勢し、同時
にカウンタ23をDOWNカウントモードに設定
する。そしてこのときまでの計数に要した時間は
TGである。一方発振器1では、端子Sにhighレ
ベルが入力されるからサーミスタRthが発振回路
に切替接続されて周波数fthのパルス列を出力す
る。この状態では、周波数fthの入力パルス列を
カウンタ24が計数し同時に周波数f0のパルス列
をカウンタ23がDWONカウントする。やがて、
カウンタ23の計数値が0になるまでDOWNカ
ウントすると、その出力端子Qnの立ち上がりが
FF25をセツトしその出力端子がlowレベル
になつてカウンタ23,24の計数入力を消勢す
る。この時のカウンタ24が計数した値N2は、
いわゆる可変に制御されたゲート時間巾TGにお
いて周波数fthの入力パルス列を計数したもので
ある。次にDP回路26はFF25の出力端子Qが
highであることによつて所定の時間を経過後に正
のパルスを出力して新たな計数動作を繰返す。
DP回路26のパルス出力がカウンタ22,24
の計数値をリセツトする。カウンタ22の計数値
は0になり出力端子Qnのレベルはlowになる。
そしてこのlowレベルは、自己のカウントイネー
ブル端子(以下端子Eと呼ぶ)Eを付勢してその
計数端子Cに入力があればこれを計数可能とす
る。またカウンタ24の端子Eを消勢して計数不
能とし、さらにカウンタ23をUPカウントモー
ドに設定する。一方、第3図の発振器1では端子
Sにlowレベルが入力されるから基準抵抗体Rsが
発振回路に接続されて周波数fSのパルス列を出力
する。第4図において、DP回路26はFF25を
リセツトするから出力端子Qがhighになつて
ANDゲート27,28の入力を付勢する。以上
の状態では、先ず周波数fSの入力パルス列をカウ
ンタ22を計数し同時に周波数foのパルス列をカ
ウンタ23がUPカウントする。次にカウンタ2
2の計数値が所定値N1に達すると、その出力端
子Qnがhighレベルになつて自己の計数動作を停
止させ、カンウンタ24の端子Eを付勢し、同時
にカウンタ23をDOWNカウントモードに設定
する。そしてこのときまでの計数に要した時間は
TGである。一方発振器1では、端子Sにhighレ
ベルが入力されるからサーミスタRthが発振回路
に切替接続されて周波数fthのパルス列を出力す
る。この状態では、周波数fthの入力パルス列を
カウンタ24が計数し同時に周波数f0のパルス列
をカウンタ23がDWONカウントする。やがて、
カウンタ23の計数値が0になるまでDOWNカ
ウントすると、その出力端子Qnの立ち上がりが
FF25をセツトしその出力端子がlowレベル
になつてカウンタ23,24の計数入力を消勢す
る。この時のカウンタ24が計数した値N2は、
いわゆる可変に制御されたゲート時間巾TGにお
いて周波数fthの入力パルス列を計数したもので
ある。次にDP回路26はFF25の出力端子Qが
highであることによつて所定の時間を経過後に正
のパルスを出力して新たな計数動作を繰返す。
カウンタ23へのUP方向及びDOWN方向に計
数するパルス列は同一周波数f0のクロツクである
ので、上述動作によればカウンタ22が周波数fS
のパルス列を計数値N1までカウントする時間に、
カウンタ24が周波数fthのパルス列を計数した
カウント値N2を得ることになる。このカウント
値N2から後述する理由によつてリードオンリメ
モリ4のメモリ容量を節約するために減算回路3
において所定値ND0を差し引いてその出力値ADを
リードオンメモリ4のアドレスラインに送つてそ
の番地NADから対応する温度データTtを読み出し
これを表示回路5にて表示するものである。
数するパルス列は同一周波数f0のクロツクである
ので、上述動作によればカウンタ22が周波数fS
のパルス列を計数値N1までカウントする時間に、
カウンタ24が周波数fthのパルス列を計数した
カウント値N2を得ることになる。このカウント
値N2から後述する理由によつてリードオンリメ
モリ4のメモリ容量を節約するために減算回路3
において所定値ND0を差し引いてその出力値ADを
リードオンメモリ4のアドレスラインに送つてそ
の番地NADから対応する温度データTtを読み出し
これを表示回路5にて表示するものである。
上述の電子体温計の少なくとも1の標準的なサ
ンプルの製造時には、かかるカウント値N2から
所定値ND0を差し引いた値NADによつてアドレス
されるPROM上に対応する正しい温度データを
書込んだいわゆるROMテーブルを作成する必要
がある。そしてこの時のサンプル電子体温計内に
内蔵されるサーミスタを便宜上基準サーミスタと
言う。
ンプルの製造時には、かかるカウント値N2から
所定値ND0を差し引いた値NADによつてアドレス
されるPROM上に対応する正しい温度データを
書込んだいわゆるROMテーブルを作成する必要
がある。そしてこの時のサンプル電子体温計内に
内蔵されるサーミスタを便宜上基準サーミスタと
言う。
ここでは先ずカウント値N2に着目し、所定値
NDOを差し引いた値NADについては後述する。再
び前記(3)、(9)、(10)式を用いてカウント値N2と被
測定温度データTtとの一般式を示せば次の如く
である。
NDOを差し引いた値NADについては後述する。再
び前記(3)、(9)、(10)式を用いてカウント値N2と被
測定温度データTtとの一般式を示せば次の如く
である。
N2=N20・exp{−B[1/Tt−1/To]}……(12)
但し、基準温度Toにおけるカウント値N20は
前記(8)式より N20=fth0/fs・N1 ……(13) ここで、fth0は基準温度Toにおいて発振器1に
基準サーミスタRthを接続したときの発振周波数
である。
前記(8)式より N20=fth0/fs・N1 ……(13) ここで、fth0は基準温度Toにおいて発振器1に
基準サーミスタRthを接続したときの発振周波数
である。
今、前記(13)式において基準温度T0におけるカ
ウント値N20に着目する。この値は基準サーミス
タRthの基準温度T0における抵抗値Rthoと基準
抵抗体の抵抗体Rsとの比Rs/Rthoに比例してい
る。またこのカウント値N20は被測定温度レンジ
をTo≦Tt≦TTとするときにカウント値がN20≦
N2≦N2Tのレンジで対応しROMテーブルを作成
するときには基準温度Toに対応する基準アドレ
スN20となるものである。
ウント値N20に着目する。この値は基準サーミス
タRthの基準温度T0における抵抗値Rthoと基準
抵抗体の抵抗体Rsとの比Rs/Rthoに比例してい
る。またこのカウント値N20は被測定温度レンジ
をTo≦Tt≦TTとするときにカウント値がN20≦
N2≦N2Tのレンジで対応しROMテーブルを作成
するときには基準温度Toに対応する基準アドレ
スN20となるものである。
以下、本発明の実施例に従つたROMテーブル
の作成方法を第5図で、本発明の実施例に従つた
ROMテーブルの作成手順を第6図のフローチヤ
ートにしたがつて説明する。
の作成方法を第5図で、本発明の実施例に従つた
ROMテーブルの作成手順を第6図のフローチヤ
ートにしたがつて説明する。
第5図はROMテーブルの作成方法を示すブロ
ツク図である。図において、先ず恒温槽9の温度
をTo、TTの2定温度点に順次設定してそれぞれ
の温度におけるカウント値N2=N20、N2=NTを
適当な方法で外部に接続したデータ処理装置8に
入力する。外部のデータ処理装置8は同時に他の
高精度な温度測定装置7から前記2定温度データ
To、Tを受け取るから基準サーミスタRthのB
定数は次式によつて求められる。
ツク図である。図において、先ず恒温槽9の温度
をTo、TTの2定温度点に順次設定してそれぞれ
の温度におけるカウント値N2=N20、N2=NTを
適当な方法で外部に接続したデータ処理装置8に
入力する。外部のデータ処理装置8は同時に他の
高精度な温度測定装置7から前記2定温度データ
To、Tを受け取るから基準サーミスタRthのB
定数は次式によつて求められる。
B=lnN20/N2T/1/TT−1/To ……(14)
この工程を第6図のROMテーブル作成手順を
示すフローチヤートに従つて詳しく説明する。先
ず恒温槽9の設定温度を基準温度Toとした状態
において、データ処理装置8は工程102で、温度
センサ6がセンスした温度測定装置7からの測定
温度Tを入力する。
示すフローチヤートに従つて詳しく説明する。先
ず恒温槽9の設定温度を基準温度Toとした状態
において、データ処理装置8は工程102で、温度
センサ6がセンスした温度測定装置7からの測定
温度Tを入力する。
工程103では該入力温度Tが基準温度Toか否か
の判別を行う。判別がNOであれば工程102に戻
り新たな温度入力Tを得る。また判別がYESで
あるば工程104においてカウンタ回路2の出力カ
ウント値N20を入力する。次に恒温槽9の設定温
度を所定温度TTとした状態において、同様にし
て、工程105と106を実行する。やがて恒温槽9内
の温度が所定温度TTに達し、工程106における判
別がYESであれば、工程107においてこのときカ
ウンタ回路2の出力カウント値N2Tを入力する。
工程108では、以上の2定温情報To、TTと、各
対応する出力カウント値N20、N2Tとから、前記
(14)式に従つて基準サーミスタRthのB定数を演算
する。この時点で外部のデータ処理装置は今求め
たB定数と、前にカウンタ回路2から入力された
カウント値N20、N2Tおよび前に他の高精度な温
度測定装置7から入力された温度データTo、TT
を有する。次に工程109では必要な測定温度レ
ンジ(例えばTo〜TT)の区間をToから測温の精
度ΔT(例えば0.1℃)ずつ増加させた温度(変数)
値Ttに対して対応するカウント(関数)値N2の
値を前記(12)式に従つて算出する。
の判別を行う。判別がNOであれば工程102に戻
り新たな温度入力Tを得る。また判別がYESで
あるば工程104においてカウンタ回路2の出力カ
ウント値N20を入力する。次に恒温槽9の設定温
度を所定温度TTとした状態において、同様にし
て、工程105と106を実行する。やがて恒温槽9内
の温度が所定温度TTに達し、工程106における判
別がYESであれば、工程107においてこのときカ
ウンタ回路2の出力カウント値N2Tを入力する。
工程108では、以上の2定温情報To、TTと、各
対応する出力カウント値N20、N2Tとから、前記
(14)式に従つて基準サーミスタRthのB定数を演算
する。この時点で外部のデータ処理装置は今求め
たB定数と、前にカウンタ回路2から入力された
カウント値N20、N2Tおよび前に他の高精度な温
度測定装置7から入力された温度データTo、TT
を有する。次に工程109では必要な測定温度レ
ンジ(例えばTo〜TT)の区間をToから測温の精
度ΔT(例えば0.1℃)ずつ増加させた温度(変数)
値Ttに対して対応するカウント(関数)値N2の
値を前記(12)式に従つて算出する。
第5図は製造される電子体温計のリードオンリ
メモリに複製される相関テーブルを作成する構成
を示すものであつて、恒温槽9内に配置されてい
るターミスタRth、基準抵抗、発振器は複製され
るべきオリジナルデータを作成するという意味
で、標準測温抵抗体、標準抵抗体、標準発振器と
呼ぶことができる。
メモリに複製される相関テーブルを作成する構成
を示すものであつて、恒温槽9内に配置されてい
るターミスタRth、基準抵抗、発振器は複製され
るべきオリジナルデータを作成するという意味
で、標準測温抵抗体、標準抵抗体、標準発振器と
呼ぶことができる。
一般には被測定温度レンジをT2〜T3としてか
つT0<T2<T3<Tなる関係において上記データ
対をT2〜T3までとして算出しても良い。いずれ
にしても温度データTtを例えばTD1、TD2……TDN
まで温度ピツチΔTずつ増加してゆき算出した結
果をND1、ND2……NDNとすれば、ROMテーブル
のアドレスND1には温度データTD1が、アドレス
Nには温度データTD2が……の如く格納されれば
良い。このときROMテーブルの基準アドレス
ND1が実施例の体温計の構成上大きな値であるの
でリードオンリメモリ4のメモリ容量を節約する
ために前記基準アドレスND1から所定ND0≦ND1を
差し引いてその値を小さくしこれを実質的な基準
アドレスNADとしている。工程110では、上述の
如くして算出してアドレスデータND1、ND2……
NDNから所定値ND0を差し引いた値NAD1、AD2……
NADNを求め、これを不揮発性メモリ4へのアド
レス入力とし、各対応する温度データTD1、TD2
……TDNをデータ入力として相関記憶させてい
る。
つT0<T2<T3<Tなる関係において上記データ
対をT2〜T3までとして算出しても良い。いずれ
にしても温度データTtを例えばTD1、TD2……TDN
まで温度ピツチΔTずつ増加してゆき算出した結
果をND1、ND2……NDNとすれば、ROMテーブル
のアドレスND1には温度データTD1が、アドレス
Nには温度データTD2が……の如く格納されれば
良い。このときROMテーブルの基準アドレス
ND1が実施例の体温計の構成上大きな値であるの
でリードオンリメモリ4のメモリ容量を節約する
ために前記基準アドレスND1から所定ND0≦ND1を
差し引いてその値を小さくしこれを実質的な基準
アドレスNADとしている。工程110では、上述の
如くして算出してアドレスデータND1、ND2……
NDNから所定値ND0を差し引いた値NAD1、AD2……
NADNを求め、これを不揮発性メモリ4へのアド
レス入力とし、各対応する温度データTD1、TD2
……TDNをデータ入力として相関記憶させてい
る。
第2図に示す回路構成においては、前記工程
110で作成された温度テーブルを正しく読み出し
するためカウンタ回路2の出力カウント値N2か
ら前記所定値NDOが差し引かれる減算回路3を有
する。このことを念願において以下説明の便宜上
再びROMテーブルの基準アドレスはN20として
述べる。
110で作成された温度テーブルを正しく読み出し
するためカウンタ回路2の出力カウント値N2か
ら前記所定値NDOが差し引かれる減算回路3を有
する。このことを念願において以下説明の便宜上
再びROMテーブルの基準アドレスはN20として
述べる。
原理的には他の複数の電子体温計について前記
第6図に示す手順に従いPROM上に温度テーブ
ルを作成すれば高精度なる電子体温計の単品が製
造されることになる。しかしながらFROMのメ
モリ容量の節約、使用効率、更には電子体温計の
製造容易性を考えれば作成された温度テーブルが
常に所定番地から始まりかつ所定の番地で終る
(同一規格内容である)ことが望ましい。この利
益を得るために実施例の他の電子体温計を製造す
る場合に、以下に示す製造工程を有する。
第6図に示す手順に従いPROM上に温度テーブ
ルを作成すれば高精度なる電子体温計の単品が製
造されることになる。しかしながらFROMのメ
モリ容量の節約、使用効率、更には電子体温計の
製造容易性を考えれば作成された温度テーブルが
常に所定番地から始まりかつ所定の番地で終る
(同一規格内容である)ことが望ましい。この利
益を得るために実施例の他の電子体温計を製造す
る場合に、以下に示す製造工程を有する。
前記第6図の工程109において作成される
ROMテーブルは基準サーミスタ使用の下に作成
されるいわゆる標準ROMテーブルであつて、そ
れ以後は、製造工程にある他の電子体温計に対し
て点線で示す如く単に工程110のみが実行される。
つまり、標準ROMテーブルの内容は電子体温計
に一体に設けられた、あるいは別個に設けられた
ところの不揮発性メモリに複製される。
ROMテーブルは基準サーミスタ使用の下に作成
されるいわゆる標準ROMテーブルであつて、そ
れ以後は、製造工程にある他の電子体温計に対し
て点線で示す如く単に工程110のみが実行される。
つまり、標準ROMテーブルの内容は電子体温計
に一体に設けられた、あるいは別個に設けられた
ところの不揮発性メモリに複製される。
しかるに、電子体温計を構成するために現実に
入手可能なサーミスタRthはおろか基準抵抗体Rs
でさえもその抵抗値にばらつきを有する。前記(12)
(13)式によればこれが基準温度Toにおけるカウン
ト出力値N20を変化させる原因となり、またさら
にサーミスタにあつてはそのB定数にもばらつき
があるためにこの温度勾配の特性のばらつきによ
り被測定温度レンジの最大値TTにおけるカウン
ト値N2Tも変化してこれが温度テーブルの正しい
アクセスを誤らせる原因ともなる。前述した如く
ROMテーブルの基準アドレスN20は基準温度To
におけるサーミスタ抵抗値Rthoと基準抵抗体の
抵抗値Rsとの比に依存するから、この比を一定
に保てば基準温度Toを読み出すことができる。
この場合、特にRs=Rthoである必要は無いが、
比Rs/Rthoを一定に保つためには抵抗値Rsを調
整して合わせ込むことができる。
入手可能なサーミスタRthはおろか基準抵抗体Rs
でさえもその抵抗値にばらつきを有する。前記(12)
(13)式によればこれが基準温度Toにおけるカウン
ト出力値N20を変化させる原因となり、またさら
にサーミスタにあつてはそのB定数にもばらつき
があるためにこの温度勾配の特性のばらつきによ
り被測定温度レンジの最大値TTにおけるカウン
ト値N2Tも変化してこれが温度テーブルの正しい
アクセスを誤らせる原因ともなる。前述した如く
ROMテーブルの基準アドレスN20は基準温度To
におけるサーミスタ抵抗値Rthoと基準抵抗体の
抵抗値Rsとの比に依存するから、この比を一定
に保てば基準温度Toを読み出すことができる。
この場合、特にRs=Rthoである必要は無いが、
比Rs/Rthoを一定に保つためには抵抗値Rsを調
整して合わせ込むことができる。
本発明はこのために提案されたものであり、以
下、基準値を補正する実施例を詳細に説明する。
下、基準値を補正する実施例を詳細に説明する。
この実施例は第8図に示す構成が利用される。
図において、恒温槽9は予め基準温度Toに設定
されている。データ処理装置8は温度測定装置7
からの測定温度出力Toを監視する。また同時に
基準温度Toの状態に置かれた電子温度計のカウ
ンタ回路2からのカウント値N2を監視する。そ
してこれら監視したデータを基に抵抗値調整装置
10を制御し、発振器1に内蔵された基準抵抗体
Rsの抵抗値を自動的に調整する構成となつてい
る。この調整方法の具体的な手順を第7図のフロ
ーチヤートに従つて説明すると、工程202におい
てデータ処理装置8は測定温度出力Tを入力す
る。工程203では該入力温度Tが基準温度Toか否
かの判別を行ない、判別がNOであれば工程201
に戻る。また判別がYESのときは工程204に進
み、カウンタ回路2からのカウント値N2を入力
する。工程205では該入力カウント値N2が基準値
N20か否かの判別を行う。判別がNOであれば工
程206に進み、基準抵抗Rsを調整し、入力カウン
ト値N2が基準値N20に接近する方向に制御する。
工程207は発振器1の動作が新たな抵抗値で十分
に安定するように、所定時間遅延する工程であ
る。所定時間が経過すると工程202に戻つて上述
動作を繰り返す。また工程205において判別が
YESになると基準抵抗体Rsの調整方法を終了す
る。
図において、恒温槽9は予め基準温度Toに設定
されている。データ処理装置8は温度測定装置7
からの測定温度出力Toを監視する。また同時に
基準温度Toの状態に置かれた電子温度計のカウ
ンタ回路2からのカウント値N2を監視する。そ
してこれら監視したデータを基に抵抗値調整装置
10を制御し、発振器1に内蔵された基準抵抗体
Rsの抵抗値を自動的に調整する構成となつてい
る。この調整方法の具体的な手順を第7図のフロ
ーチヤートに従つて説明すると、工程202におい
てデータ処理装置8は測定温度出力Tを入力す
る。工程203では該入力温度Tが基準温度Toか否
かの判別を行ない、判別がNOであれば工程201
に戻る。また判別がYESのときは工程204に進
み、カウンタ回路2からのカウント値N2を入力
する。工程205では該入力カウント値N2が基準値
N20か否かの判別を行う。判別がNOであれば工
程206に進み、基準抵抗Rsを調整し、入力カウン
ト値N2が基準値N20に接近する方向に制御する。
工程207は発振器1の動作が新たな抵抗値で十分
に安定するように、所定時間遅延する工程であ
る。所定時間が経過すると工程202に戻つて上述
動作を繰り返す。また工程205において判別が
YESになると基準抵抗体Rsの調整方法を終了す
る。
このような抵抗比を一定とする他に、減算回路
3の固定入力NDOを制御、固定する方法がある。
この場合は、第7図の工程203において判別が
YESであれば工程208に移行する。工程208では
カウンタ回路2からの出力カウント値N2を入力
する。工程209では減算値DDOをNADO−N2によつ
て算出する。ここでNADOはリードオンメモリ4
に格納された温度テーブルの基準アドレスであつ
て、そこには基準温度Toが書き込まれている。
通常はNADO<N2であるから、|NADO−N2|の値
をそのまま減算回路3の固定入力とすれば良い。
またNADO>N2のような状態が起これば減算回路
3を加算に切換える。このような切換えは予め
加/減算回路の構成を用意しておけば簡単に行え
る。また上述NADOの値を設定、固定する方法に
例えばレーザビームスポツトを制御して、減算回
路3の入力レジスタ11を所定のパターンに焼き
切る方法等がある。工程209は一度だけで繰り返
す必要はない。
3の固定入力NDOを制御、固定する方法がある。
この場合は、第7図の工程203において判別が
YESであれば工程208に移行する。工程208では
カウンタ回路2からの出力カウント値N2を入力
する。工程209では減算値DDOをNADO−N2によつ
て算出する。ここでNADOはリードオンメモリ4
に格納された温度テーブルの基準アドレスであつ
て、そこには基準温度Toが書き込まれている。
通常はNADO<N2であるから、|NADO−N2|の値
をそのまま減算回路3の固定入力とすれば良い。
またNADO>N2のような状態が起これば減算回路
3を加算に切換える。このような切換えは予め
加/減算回路の構成を用意しておけば簡単に行え
る。また上述NADOの値を設定、固定する方法に
例えばレーザビームスポツトを制御して、減算回
路3の入力レジスタ11を所定のパターンに焼き
切る方法等がある。工程209は一度だけで繰り返
す必要はない。
減算回路3の固定入力NDOを抵抗比が一定とな
るように調整する技法は、サーミスタRthの温度
−抵抗計数(B定数)は一定の精度を有するが、
基準温度における抵抗値のばらつきによる抵抗比
の誤差をも補正できることは明らかである。
るように調整する技法は、サーミスタRthの温度
−抵抗計数(B定数)は一定の精度を有するが、
基準温度における抵抗値のばらつきによる抵抗比
の誤差をも補正できることは明らかである。
またサーミスタのB定数については所望の測温
精度を損わない範囲内でこれを厳選することとす
る。従つて以上の点の鑑みれば、電子体温計の
個々に特有なROMテーブルを作成するより例え
ば基準抵抗体の抵抗値Rsを調整し、サーミスタ
のB定数を厳選することによつて、測温精度を損
なわずに、単一規格、内容の標準ROMテーブル
を常に正しくアクセスするような電子体温計がむ
しろ容易に製造可能である。
精度を損わない範囲内でこれを厳選することとす
る。従つて以上の点の鑑みれば、電子体温計の
個々に特有なROMテーブルを作成するより例え
ば基準抵抗体の抵抗値Rsを調整し、サーミスタ
のB定数を厳選することによつて、測温精度を損
なわずに、単一規格、内容の標準ROMテーブル
を常に正しくアクセスするような電子体温計がむ
しろ容易に製造可能である。
このようにして第2図に示された電子体温計
は、所望の測温精度を得る範囲内にB定数が厳選
されたサーミスタRthと、このサーミスタの基準
温度Toにおける抵抗値Rthoとの比が一定でかつ
温度によつて抵抗値がほとんど変化しない基準抵
抗体Rsと電体温計の特定のサンプルにつき前記
所定の手順に従つて作成した標準ROMテーブル
と同一規格、内容で複製されたROM又はPROM
を有する。
は、所望の測温精度を得る範囲内にB定数が厳選
されたサーミスタRthと、このサーミスタの基準
温度Toにおける抵抗値Rthoとの比が一定でかつ
温度によつて抵抗値がほとんど変化しない基準抵
抗体Rsと電体温計の特定のサンプルにつき前記
所定の手順に従つて作成した標準ROMテーブル
と同一規格、内容で複製されたROM又はPROM
を有する。
[発明の効果]
以上述べた如く、本発明によれば、測温時に発
振数から求まる値をアドレスとして温度データを
読み出す温度変換テーブルを有する電子温度計を
作成する場合に、温度により抵抗値が変化しない
抵抗体(いわゆる基準抵抗体)の抵抗血を基準温
度における発振数と既値の発振数との差に応じて
変更する工程を繰り返す閉ループを構成して抵抗
値を調整することで、同じ温度変換テーブルを使
用して大量に均一精度を有する電子体温計を複製
できるため、高精度で安価な電子体温計が提供さ
れる。
振数から求まる値をアドレスとして温度データを
読み出す温度変換テーブルを有する電子温度計を
作成する場合に、温度により抵抗値が変化しない
抵抗体(いわゆる基準抵抗体)の抵抗血を基準温
度における発振数と既値の発振数との差に応じて
変更する工程を繰り返す閉ループを構成して抵抗
値を調整することで、同じ温度変換テーブルを使
用して大量に均一精度を有する電子体温計を複製
できるため、高精度で安価な電子体温計が提供さ
れる。
第1図は従来のデジタル温度計の構成を示すブ
ロツク図、第2図は実施例の適用において製造で
きる電子体温計の構成を示すブロツク図、第3図
と第4図は本発明の前提技術を説明するための図
であり、第3図はサーミスタを用いた発振回路の
回路図、第4図は第2図のカウンタ回路を詳細に
示すブロツク図、第5図は本発明の実施例に従つ
たROMテーブルの作成方法を示すブロツク図、
第6図は本発明の実施例に従つたROMテーブル
の作成手順を示すフローチヤート、第7図は本発
明の一実施例に従う基準抵抗値を合せ込む手順を
示すフローチヤート、第8図は基準抵抗値を合せ
込む方法を示すブロツク図である。 図中、1……発振器、2……カウンタ回路、3
……減算回路、4……リードオンリメモリ、5…
…表示回路、6……温度センサ、7……温度測定
装置、8……データ処理装置、9……恒温槽、1
0……抵抗値調整装置、11……入力レジスタで
ある。
ロツク図、第2図は実施例の適用において製造で
きる電子体温計の構成を示すブロツク図、第3図
と第4図は本発明の前提技術を説明するための図
であり、第3図はサーミスタを用いた発振回路の
回路図、第4図は第2図のカウンタ回路を詳細に
示すブロツク図、第5図は本発明の実施例に従つ
たROMテーブルの作成方法を示すブロツク図、
第6図は本発明の実施例に従つたROMテーブル
の作成手順を示すフローチヤート、第7図は本発
明の一実施例に従う基準抵抗値を合せ込む手順を
示すフローチヤート、第8図は基準抵抗値を合せ
込む方法を示すブロツク図である。 図中、1……発振器、2……カウンタ回路、3
……減算回路、4……リードオンリメモリ、5…
…表示回路、6……温度センサ、7……温度測定
装置、8……データ処理装置、9……恒温槽、1
0……抵抗値調整装置、11……入力レジスタで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 温度により抵抗値が変化しない抵抗体と、温
度により抵抗値が変化する感温素子と、前記抵抗
体又は感温素子を接続して夫々の抵抗値に応じた
周波数のパルス信号列を発生する発振回路と、前
記発振回路に前記抵抗体を接続して所定数のパル
ス信号列を計数するまでに要した時間を計数する
第1のカウンタ回路と、該第1のカウンタ回路の
計数した時間だけ前記発振回路に前記感温素子を
接続して発生したパルス信号列を計数する第2の
カウンタ回路と、該第2のカウンタ回路の計数値
と出力温度との関係を規定した温度変換テーブル
とを有する電子温度計の製造方法において、 (a) 前記電子体温計を基準温度に保ち、 (b) そのときの前記第2のカウンタ回路の計数値
が前記基準温度に対応する所定値と等しいか否
かを判定し、 (c) 前記所定値と等しくない場合は前記抵抗体の
抵抗値を前記計測値と所定値との差に対応して
変更し、前記行程(a)に戻り、 (d) 前記所定値と等しい場合は次の処理行程に移
る、 ところの前記抵抗体の調整行程(a)〜(d)を備える
ことを特徴とする電子温度計の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58100610A JPS59225323A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 電子温度計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58100610A JPS59225323A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 電子温度計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59225323A JPS59225323A (ja) | 1984-12-18 |
| JPH0471172B2 true JPH0471172B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14278609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58100610A Granted JPS59225323A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 電子温度計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59225323A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60127433A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-08 | Toshiba Corp | 温度検出装置の校正方法 |
| JPS61118632A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-05 | Toshiba Corp | 温度測定装置 |
| JP3735835B2 (ja) | 1999-11-12 | 2006-01-18 | 株式会社山武 | 集積回路装置および校正方法 |
| JP3665958B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2005-06-29 | 株式会社山武 | データ収集装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815134A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-28 | Omron Tateisi Electronics Co | 電子温度計 |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP58100610A patent/JPS59225323A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59225323A (ja) | 1984-12-18 |
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