JPH0471223B2 - - Google Patents
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- JPH0471223B2 JPH0471223B2 JP59501428A JP50142884A JPH0471223B2 JP H0471223 B2 JPH0471223 B2 JP H0471223B2 JP 59501428 A JP59501428 A JP 59501428A JP 50142884 A JP50142884 A JP 50142884A JP H0471223 B2 JPH0471223 B2 JP H0471223B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- mode
- line
- address
- data
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/88—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with partially good memories
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1048—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
- G06F11/1056—Updating check bits on partial write, i.e. read/modify/write
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1048—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
- G06F11/106—Correcting systematically all correctable errors, i.e. scrubbing
Landscapes
- Dram (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
請求の範囲
1 各々が複数の行および列を有する複数のバン
クを備えるダイナミツクメモリへアクセスするた
めの制御装置であつて、前記制御装置はリード/
ライトモード、リフレツシユモードおよびエラー
検出・訂正を伴うリフレツシユモードの動作モー
ドを有し、 (a) 前記メモリのリード/ライトモードのための
アドレス指定をする第1のアドレスデータをラ
ツチするためのラツチ手段、前記第1のアドレ
スデータは第1の行アドレス部分、第1の列ア
ドレス部分および第1のバンクアドレス部分を
有し、 (b) 前記メモリのリフレツシユモードおよびエラ
ー検出・訂正を伴うリフレツシユモードのため
のアドレスを指定する第2のアドレスデータを
発生するためのアドレスカウンタを備え、前記
第2のアドレスデータは第2の行アドレス部
分、第2の列アドレス部分および第2のバンク
アドレス部分を有し、 (c) 行アドレスストローブ入力、列アドレススト
ローブ入力、前記動作モードのいずれかのモー
ドを特定するモード制御入力およびマルチプレ
クサ選択入力を伝達する手段、 (d) 前記モード制御入力と前記マルチプレクサ選
択入力とに応答して、前記リード/ライトモー
ドに対しては前記第1の行アドレス部分および
前記第1の列アドレス部分を前記メモリへ出力
し、かつ前記リフレツシユモードまたは前記エ
ラー検出・訂正を伴うリフレツシユモードに対
しては前記第2の行アドレス部分および前記第
2の列アドレス部分を前記メモリへ出力するた
めのマルチプレクサ手段、 (e) 前記第1のバンクアドレス部分、前記モード
制御入力および前記行アドレスストローブ入力
に応答して、前記リード/ライトモードに対し
ては対応のバンクを活性状態とするため複数の
行アドレスストローブ信号の内のいずれかを発
生して前記メモリへ与え、かつ前記リフレツシ
ユモードまたはエラー検出・訂正を伴うリフレ
ツシユモードに対しては前記複数の行アドレス
ストローブ信号を発生して同時に前記複数のバ
ンクの各々へ与える行アドレスストローブデコ
ーダ手段、 (f) 前記第1のバンクアドレス部分、前記第2の
バンクアドレス部分、前記モード制御入力およ
び前記列アドレスストローブ入力に応答して、
前記リード/ライトモードおよびエラー検出・
訂正を伴うリフレツシユモードに対しては複数
の列アドレスストローブ信号の内のいずれかを
生成して前記メモリへ出力して対応のメモリバ
ンクを活性化し、かつ前記リフレツシユモード
に対しては前記複数の列アドレスストローブ信
号をすべて不活性化するための列アドレススト
ローブデコーダ手段、および (g) 前記ダイナミツクメモリの活性状態をモニタ
し、前記メモリの活性状態に応答して前記モー
ド制御入力を発生し、これにより前記動作モー
ドの内のいずれかのモードをダイナミツクに選
択するためのプロセツサ手段を備える、メモリ
へのアクセスを制御するための装置。 2 前記アドレスカウンタは前記行アドレススト
ローブ入力に応答してクロツクされてそのカウン
ト値を変更する、請求の範囲第1項記載のメモリ
へのアクセスを制御するための装置。 3 前記アドレスカウンタは前記モード制御入力
に応答してクリアされる、請求の範囲第2項記載
のメモリへのアクセスを制御するための装置。 4 前記アドレスカウンタは、 (a) 前記第2の行アドレス部分を生成するための
行カウンタ、 (b) 前記第2の列アドレス部分を生成するための
列カウンタ、および (c) 前記第2のバンクアドレス部分を生成するた
めのバンクカウンタを備える、請求の範囲第3
項記載のメモリへのアクセスを制御するための
装置。 5 前記行アドレスストローブ入力、前記列アド
レスストローブ入力および前記マルチプレクサ選
択入力を発生するためのタイミング制御手段をさ
らに備える、請求の範囲第1項記載のメモリへの
アクセスを制御するための装置。 技術分野 この発明は、一般的にメモリへのアクセスを制
御するための装置、さらに特定的には、リフレツ
シユを受けかつデータビツトエラーを受けるデー
タを記憶するダイナミツク・メモリへのアクセス
を制御するための制御装置に関する。 背景技術 メモリはコンピユータシステムにおいて、たと
えば、多数のビツトを有するコンピユータデータ
ワードの形でデータを記憶するために用いられ
る。ダイナミツク・メモリは、ビツトあたりの低
コストのようなその多くの利点ゆえに広く用いら
れているメモリの1つの形式または種類である。
ダイナミツク・ランダム・アクセス・メモリ・サ
ブシステムは、典型的にはデータを記憶するため
に複数個の行および列を有し、かつ各々が複数個
の行および列を備える複数個のバンクを備えてい
る。 よく知られた理由により、ダイナミツクメモリ
の1つの欠点は、記憶されたデータは、正しくて
も正しくなくても、周期的にリフレツシユされな
ければならないということである。またよく知ら
れた理由により、もう1つの欠点は、記憶された
データがビツトエラーを受け、正しく記憶された
データが正しくなくなるということである。また
よく知られているように、ビツトエラーは“ソフ
ト”または“ハード”エラーである。たとえば、
データワードのある与えられたビツトは、正しく
ビツト記憶位置に書込まれた後、メモリに対しラ
ンダムにかつ非破壊的に、アルフア粒子のイオン
化に対する感受性のような因子の変化により、状
態を変化させ、それによつてソフトビツトエラー
が発生する。これらのダイナミツクメモリの問題
点の双方はともに以下の方法で解決される。 ダイナミツク・メモリ・サブシステムに加え
て、コンピユータ・システムは一般に、中央処理
装置(CPU)と、メモリへのアクセスを制御す
るダイナミツク・メモリ・コントローラ(DMC)
と、メモリからのデータを受け、システムデータ
バスを介してCPUへデータを転送するエラー検
出および訂正(EDC)装置と、DMCおよびEDC
に対するタイミングコントローラとを有する。ま
た一般に、コンピユータシステムは少なくとも2
つの動作モードを有する。この2つの動作モード
は、1つはCPUがメモリへのアクセスを要求す
る通常の読出/書込モードであり、もう1つはデ
ータをリフレツシユするリフレツシユモードであ
る。後者は、CPUが要求していないか、または
メモリへのこのようなアクセスが許されていない
バツクグラウンド期間において生ずる。 リフレツシユモードに対して、ダイナミツク・
メモリ・コントローラはメモリに記憶されたデー
タの行に対するシーケンシヤルなリフレツシユア
ドレスを内部に発生する。典型的には、或る与え
られたリフレツシユアドレスに対して各々のバン
クにおけるデータの1つの全行がリフレツシユサ
イクル中にリフレツシユされる。アドレスされた
行に記憶されたデータはリフレツシユされるだけ
で読出されないので、リフレツシユを目的とする
メモリアクセス動作はアドレス関数として知られ
ている。 読出/書込モードに対しては、ダイナミツク・
メモリ・コントローラは、その記憶位置にある記
憶されたデータワードをたとえば、読出すために
メモリをアドレスすることにより、CPUから受
けた行、列およびバンクアドレスに応答する。読
出されたデータワードは、次に、エラー検出およ
び訂正装置に与えられる。この装置はそのデータ
が正しい場合にはCPUへシステムバスを介して
このデータを通過させ、または、まず、可能なら
ば、不正確なデータワードが検出され、かつ訂正
され、次に可能ならば、メモリへ書込まれ次に
CPUへ転送される読出−変更−書込(RMW)サ
イクルを用いてデータを訂正する。メモリがアド
レスされてデータワードが作用を受けるので、こ
のメモリアクセスの形式はアドレスおよびデータ
関数として知られている。したがつて、データの
リフレツシユとデータのエラー検出および訂正と
が互いに独立に実行され、いくつかの欠点がもた
らされる。 この独立動作の1つの欠点は、メモリに記憶さ
れかつCPUによつて周期的に要求されないデー
タワードは多ビツトエラーを蓄積することができ
るということである。たとえば、知られているよ
うに、エラー検出および訂正装置は多ビツトエラ
ーを検出することができるが、ただ或る与えられ
たデータワードにおける1ビツトエラーを訂正す
ることができるだけである。もう1つの欠点は、
読出−変更−書込サイクルを含めて、エラー検出
および訂正機能を実行するのに必要とされる時間
によりメモリの読出−書込サイクルは相対的に長
くなり、それによつてシステムの性能を有意に低
下させるということである。 発明の概要 この発明は、データをリフレツシユするためだ
けにメモリをアドレスする手段と、データのリフ
レツシユとデータビツトエラーの検出および訂正
とを同時に行なうためにメモリをアドレスする手
段とを備え、リフレツシユおよびデータビツトエ
ラーを受けるデータを記憶するメモリへのアクセ
スを制御する装置である。 この発明に一致して、CPUによる読出/書込
を目的としたメモリへのアクセスが要求されてい
ないか、または許されていないバツクグラウンド
期間において、2つのリフレツシユ制御モードの
うちのどちらかが実行されることができる。1つ
はメモリがデータをリフレツシユするためだけに
アドレスされるリフレツシユモードである。もう
1つはデータのリフレツシユとデータビツトエラ
ーの検出および訂正とを同時に行なうためにメモ
リがアクセスされるモードである。さらに特定的
に述べられるように、後者のモードは、1ビツト
エラーを持つそれぞれのデータワードを浄化し、
それによつて多ビツトエラーが蓄積するのを防止
し、かつ、このバツクグラウンド機能を実行する
のに必要とされるオーバヘツドタイムを有意に増
加させることなくメモリの読出/書込モードの速
度を増加させるという利点を有する。
クを備えるダイナミツクメモリへアクセスするた
めの制御装置であつて、前記制御装置はリード/
ライトモード、リフレツシユモードおよびエラー
検出・訂正を伴うリフレツシユモードの動作モー
ドを有し、 (a) 前記メモリのリード/ライトモードのための
アドレス指定をする第1のアドレスデータをラ
ツチするためのラツチ手段、前記第1のアドレ
スデータは第1の行アドレス部分、第1の列ア
ドレス部分および第1のバンクアドレス部分を
有し、 (b) 前記メモリのリフレツシユモードおよびエラ
ー検出・訂正を伴うリフレツシユモードのため
のアドレスを指定する第2のアドレスデータを
発生するためのアドレスカウンタを備え、前記
第2のアドレスデータは第2の行アドレス部
分、第2の列アドレス部分および第2のバンク
アドレス部分を有し、 (c) 行アドレスストローブ入力、列アドレススト
ローブ入力、前記動作モードのいずれかのモー
ドを特定するモード制御入力およびマルチプレ
クサ選択入力を伝達する手段、 (d) 前記モード制御入力と前記マルチプレクサ選
択入力とに応答して、前記リード/ライトモー
ドに対しては前記第1の行アドレス部分および
前記第1の列アドレス部分を前記メモリへ出力
し、かつ前記リフレツシユモードまたは前記エ
ラー検出・訂正を伴うリフレツシユモードに対
しては前記第2の行アドレス部分および前記第
2の列アドレス部分を前記メモリへ出力するた
めのマルチプレクサ手段、 (e) 前記第1のバンクアドレス部分、前記モード
制御入力および前記行アドレスストローブ入力
に応答して、前記リード/ライトモードに対し
ては対応のバンクを活性状態とするため複数の
行アドレスストローブ信号の内のいずれかを発
生して前記メモリへ与え、かつ前記リフレツシ
ユモードまたはエラー検出・訂正を伴うリフレ
ツシユモードに対しては前記複数の行アドレス
ストローブ信号を発生して同時に前記複数のバ
ンクの各々へ与える行アドレスストローブデコ
ーダ手段、 (f) 前記第1のバンクアドレス部分、前記第2の
バンクアドレス部分、前記モード制御入力およ
び前記列アドレスストローブ入力に応答して、
前記リード/ライトモードおよびエラー検出・
訂正を伴うリフレツシユモードに対しては複数
の列アドレスストローブ信号の内のいずれかを
生成して前記メモリへ出力して対応のメモリバ
ンクを活性化し、かつ前記リフレツシユモード
に対しては前記複数の列アドレスストローブ信
号をすべて不活性化するための列アドレススト
ローブデコーダ手段、および (g) 前記ダイナミツクメモリの活性状態をモニタ
し、前記メモリの活性状態に応答して前記モー
ド制御入力を発生し、これにより前記動作モー
ドの内のいずれかのモードをダイナミツクに選
択するためのプロセツサ手段を備える、メモリ
へのアクセスを制御するための装置。 2 前記アドレスカウンタは前記行アドレススト
ローブ入力に応答してクロツクされてそのカウン
ト値を変更する、請求の範囲第1項記載のメモリ
へのアクセスを制御するための装置。 3 前記アドレスカウンタは前記モード制御入力
に応答してクリアされる、請求の範囲第2項記載
のメモリへのアクセスを制御するための装置。 4 前記アドレスカウンタは、 (a) 前記第2の行アドレス部分を生成するための
行カウンタ、 (b) 前記第2の列アドレス部分を生成するための
列カウンタ、および (c) 前記第2のバンクアドレス部分を生成するた
めのバンクカウンタを備える、請求の範囲第3
項記載のメモリへのアクセスを制御するための
装置。 5 前記行アドレスストローブ入力、前記列アド
レスストローブ入力および前記マルチプレクサ選
択入力を発生するためのタイミング制御手段をさ
らに備える、請求の範囲第1項記載のメモリへの
アクセスを制御するための装置。 技術分野 この発明は、一般的にメモリへのアクセスを制
御するための装置、さらに特定的には、リフレツ
シユを受けかつデータビツトエラーを受けるデー
タを記憶するダイナミツク・メモリへのアクセス
を制御するための制御装置に関する。 背景技術 メモリはコンピユータシステムにおいて、たと
えば、多数のビツトを有するコンピユータデータ
ワードの形でデータを記憶するために用いられ
る。ダイナミツク・メモリは、ビツトあたりの低
コストのようなその多くの利点ゆえに広く用いら
れているメモリの1つの形式または種類である。
ダイナミツク・ランダム・アクセス・メモリ・サ
ブシステムは、典型的にはデータを記憶するため
に複数個の行および列を有し、かつ各々が複数個
の行および列を備える複数個のバンクを備えてい
る。 よく知られた理由により、ダイナミツクメモリ
の1つの欠点は、記憶されたデータは、正しくて
も正しくなくても、周期的にリフレツシユされな
ければならないということである。またよく知ら
れた理由により、もう1つの欠点は、記憶された
データがビツトエラーを受け、正しく記憶された
データが正しくなくなるということである。また
よく知られているように、ビツトエラーは“ソフ
ト”または“ハード”エラーである。たとえば、
データワードのある与えられたビツトは、正しく
ビツト記憶位置に書込まれた後、メモリに対しラ
ンダムにかつ非破壊的に、アルフア粒子のイオン
化に対する感受性のような因子の変化により、状
態を変化させ、それによつてソフトビツトエラー
が発生する。これらのダイナミツクメモリの問題
点の双方はともに以下の方法で解決される。 ダイナミツク・メモリ・サブシステムに加え
て、コンピユータ・システムは一般に、中央処理
装置(CPU)と、メモリへのアクセスを制御す
るダイナミツク・メモリ・コントローラ(DMC)
と、メモリからのデータを受け、システムデータ
バスを介してCPUへデータを転送するエラー検
出および訂正(EDC)装置と、DMCおよびEDC
に対するタイミングコントローラとを有する。ま
た一般に、コンピユータシステムは少なくとも2
つの動作モードを有する。この2つの動作モード
は、1つはCPUがメモリへのアクセスを要求す
る通常の読出/書込モードであり、もう1つはデ
ータをリフレツシユするリフレツシユモードであ
る。後者は、CPUが要求していないか、または
メモリへのこのようなアクセスが許されていない
バツクグラウンド期間において生ずる。 リフレツシユモードに対して、ダイナミツク・
メモリ・コントローラはメモリに記憶されたデー
タの行に対するシーケンシヤルなリフレツシユア
ドレスを内部に発生する。典型的には、或る与え
られたリフレツシユアドレスに対して各々のバン
クにおけるデータの1つの全行がリフレツシユサ
イクル中にリフレツシユされる。アドレスされた
行に記憶されたデータはリフレツシユされるだけ
で読出されないので、リフレツシユを目的とする
メモリアクセス動作はアドレス関数として知られ
ている。 読出/書込モードに対しては、ダイナミツク・
メモリ・コントローラは、その記憶位置にある記
憶されたデータワードをたとえば、読出すために
メモリをアドレスすることにより、CPUから受
けた行、列およびバンクアドレスに応答する。読
出されたデータワードは、次に、エラー検出およ
び訂正装置に与えられる。この装置はそのデータ
が正しい場合にはCPUへシステムバスを介して
このデータを通過させ、または、まず、可能なら
ば、不正確なデータワードが検出され、かつ訂正
され、次に可能ならば、メモリへ書込まれ次に
CPUへ転送される読出−変更−書込(RMW)サ
イクルを用いてデータを訂正する。メモリがアド
レスされてデータワードが作用を受けるので、こ
のメモリアクセスの形式はアドレスおよびデータ
関数として知られている。したがつて、データの
リフレツシユとデータのエラー検出および訂正と
が互いに独立に実行され、いくつかの欠点がもた
らされる。 この独立動作の1つの欠点は、メモリに記憶さ
れかつCPUによつて周期的に要求されないデー
タワードは多ビツトエラーを蓄積することができ
るということである。たとえば、知られているよ
うに、エラー検出および訂正装置は多ビツトエラ
ーを検出することができるが、ただ或る与えられ
たデータワードにおける1ビツトエラーを訂正す
ることができるだけである。もう1つの欠点は、
読出−変更−書込サイクルを含めて、エラー検出
および訂正機能を実行するのに必要とされる時間
によりメモリの読出−書込サイクルは相対的に長
くなり、それによつてシステムの性能を有意に低
下させるということである。 発明の概要 この発明は、データをリフレツシユするためだ
けにメモリをアドレスする手段と、データのリフ
レツシユとデータビツトエラーの検出および訂正
とを同時に行なうためにメモリをアドレスする手
段とを備え、リフレツシユおよびデータビツトエ
ラーを受けるデータを記憶するメモリへのアクセ
スを制御する装置である。 この発明に一致して、CPUによる読出/書込
を目的としたメモリへのアクセスが要求されてい
ないか、または許されていないバツクグラウンド
期間において、2つのリフレツシユ制御モードの
うちのどちらかが実行されることができる。1つ
はメモリがデータをリフレツシユするためだけに
アドレスされるリフレツシユモードである。もう
1つはデータのリフレツシユとデータビツトエラ
ーの検出および訂正とを同時に行なうためにメモ
リがアクセスされるモードである。さらに特定的
に述べられるように、後者のモードは、1ビツト
エラーを持つそれぞれのデータワードを浄化し、
それによつて多ビツトエラーが蓄積するのを防止
し、かつ、このバツクグラウンド機能を実行する
のに必要とされるオーバヘツドタイムを有意に増
加させることなくメモリの読出/書込モードの速
度を増加させるという利点を有する。
第1図はコンピユータシステムのブロツク図で
ある。第2図はメモリアクセスに用いられるアド
レスを例示する図である。第3図はこの発明のダ
イナミツク・メモリ・コントローラのブロツク図
である。 発明を実行するために最も良い方法 第1図は中央処理装置(CPU)12と、デー
タワードを記憶するダイナミツクメモリ14と、
エラー検出および訂正ネツトワーク16とシステ
ムデータバス18とを備えるコンピユーシステム
の全体10を示す。エラー検出および訂正ネツト
ワーク16は内部データバス20および内部デー
タバス22を介して、ダイナミツクメモリ14と
システムデータバス18との間でデータワードを
転送する。一方、別の内部データバス24はシス
テムデータバス18とCPU12との間でデータ
ワードを転送する。したがつて、データワード
は、内部データバス20、エラー検出および訂正
ネツトワーク16、内部データバス22、システ
ムデータバス18および内部データバス24を介
してダイナミツクメモリ14からCPU12へ転
送され、また、CPU12からメモリ14へのデ
ータワードの転送に対して逆の経路も生じる。従
来の方法においてメモリ14は複数個のバンク、
たとえばバンクB0−B3の各々が複数個の行およ
び複数個の列を有する4個のバンクB0−B3を備
えることができる。 ダイナミツク・メモリ・コントローラ(DMC)
26は、以下にさらに十分に述べられる4つのモ
ード、すなわち、(0)エラー検出および訂正を
伴わないリフレツシユ、(1)エラー検出および訂正
を伴うリフレツシユ、(2)読出/書込および(3)クリ
アを含む4つのモードの下でメモリ14へのアク
セスを制御する。ダイナミツク・メモリ・コント
ローラ26はCPU12からアドレスバス28を
介してアドレスデータを受け、アドレスバス3
0、行アドレスストローブ()線32およ
び列アドレスストローブ()線34へメモ
リ・アクセス・アドレスデータを与える。さらに
詳しく述べられるように、動作モードに依存し
て、ダイナミツク・メモリ・コントローラ26は
アドレスバス28で受けたアドレスデータに応答
するかまたはバス30、線32および線34を介
してメモリをアクセスするためのそれ自体のアド
レスデータを内部に発生する。 タイミングコントローラ36は制御線38と、
線42および線44を介してダイナミツク・メモ
リ・コントローラ26およびコントローラ36の
間に結合されるタイミングコントロールまたは遅
延40とを介してダイナミツク・メモリ・コント
ローラ26を制御する。コントローラはCPU1
2から制御線46を介してメモリ制御データを受
け、書込許可(WE)信号をデータワードの読出
または書込を制御するたにメモリ14へ線48を
介して発生し、かつまた制御線50を介してエラ
ー検出および訂正ネツトワーク16を制御する。 第2図は、以下にさらに特定的に議論されるよ
うに、メモリ14のアクセスを説明するために用
いられる予め定められたビツト長のアドレスワー
ド52を例示する。アドレスワード52は、示さ
れるように、CPU12によつて発生されるか、
またはダイナミツク・メモリ・コントローラ26
によつて内部に発生されることができる。アドレ
スワード52は行アドレス部分52R、列アドレ
ス部分52Cおよびバンクアドレス部分52Bを
有する。アドレスワード52のうち、行アドレス
部分52Rは最下位ビツト(SLB)を、列アド
レス部分52Cは次の上位ビツトを、バンクアド
レス部分52Bは最上位ビツト(MSB)を備え
る。アドレス部分52R,52C,52Bのそれ
ぞれにおけるビツトの数はメモリ14の形状およ
び配置に依存する。たとえば、メモリ14がバン
クB0−B3の1個あたり128行と512列とを有する
4つのバンクB0−B3を有するとすると、行アド
レス部分52Rは7ビツトを有し、列アドレス部
分52Cは9ビツトを有しかつバンクアドレス部
分は2ビツトを有する。容易に理解されるよう
に、それぞれの部分52R,52C,52Bのビ
ツト長はまた、メモリ14の形状および配置に依
存して、別のものにすることができる。 第3図は、前述の4つの動作モードの下でメモ
リ14へのアクセスを制御するダイナミツク・メ
モリ・コントローラ26を示す。ダイナミツク・
メモリ・コントローラ26は2つの線54を介し
てビツトMC0およびMC1を有する2ビツトのモ
ード制御(MC)ワードを受ける。表はMC0お
よびMC1によつて識別される4つの異なるモー
ドを以下のとおりに与える。
ある。第2図はメモリアクセスに用いられるアド
レスを例示する図である。第3図はこの発明のダ
イナミツク・メモリ・コントローラのブロツク図
である。 発明を実行するために最も良い方法 第1図は中央処理装置(CPU)12と、デー
タワードを記憶するダイナミツクメモリ14と、
エラー検出および訂正ネツトワーク16とシステ
ムデータバス18とを備えるコンピユーシステム
の全体10を示す。エラー検出および訂正ネツト
ワーク16は内部データバス20および内部デー
タバス22を介して、ダイナミツクメモリ14と
システムデータバス18との間でデータワードを
転送する。一方、別の内部データバス24はシス
テムデータバス18とCPU12との間でデータ
ワードを転送する。したがつて、データワード
は、内部データバス20、エラー検出および訂正
ネツトワーク16、内部データバス22、システ
ムデータバス18および内部データバス24を介
してダイナミツクメモリ14からCPU12へ転
送され、また、CPU12からメモリ14へのデ
ータワードの転送に対して逆の経路も生じる。従
来の方法においてメモリ14は複数個のバンク、
たとえばバンクB0−B3の各々が複数個の行およ
び複数個の列を有する4個のバンクB0−B3を備
えることができる。 ダイナミツク・メモリ・コントローラ(DMC)
26は、以下にさらに十分に述べられる4つのモ
ード、すなわち、(0)エラー検出および訂正を
伴わないリフレツシユ、(1)エラー検出および訂正
を伴うリフレツシユ、(2)読出/書込および(3)クリ
アを含む4つのモードの下でメモリ14へのアク
セスを制御する。ダイナミツク・メモリ・コント
ローラ26はCPU12からアドレスバス28を
介してアドレスデータを受け、アドレスバス3
0、行アドレスストローブ()線32およ
び列アドレスストローブ()線34へメモ
リ・アクセス・アドレスデータを与える。さらに
詳しく述べられるように、動作モードに依存し
て、ダイナミツク・メモリ・コントローラ26は
アドレスバス28で受けたアドレスデータに応答
するかまたはバス30、線32および線34を介
してメモリをアクセスするためのそれ自体のアド
レスデータを内部に発生する。 タイミングコントローラ36は制御線38と、
線42および線44を介してダイナミツク・メモ
リ・コントローラ26およびコントローラ36の
間に結合されるタイミングコントロールまたは遅
延40とを介してダイナミツク・メモリ・コント
ローラ26を制御する。コントローラはCPU1
2から制御線46を介してメモリ制御データを受
け、書込許可(WE)信号をデータワードの読出
または書込を制御するたにメモリ14へ線48を
介して発生し、かつまた制御線50を介してエラ
ー検出および訂正ネツトワーク16を制御する。 第2図は、以下にさらに特定的に議論されるよ
うに、メモリ14のアクセスを説明するために用
いられる予め定められたビツト長のアドレスワー
ド52を例示する。アドレスワード52は、示さ
れるように、CPU12によつて発生されるか、
またはダイナミツク・メモリ・コントローラ26
によつて内部に発生されることができる。アドレ
スワード52は行アドレス部分52R、列アドレ
ス部分52Cおよびバンクアドレス部分52Bを
有する。アドレスワード52のうち、行アドレス
部分52Rは最下位ビツト(SLB)を、列アド
レス部分52Cは次の上位ビツトを、バンクアド
レス部分52Bは最上位ビツト(MSB)を備え
る。アドレス部分52R,52C,52Bのそれ
ぞれにおけるビツトの数はメモリ14の形状およ
び配置に依存する。たとえば、メモリ14がバン
クB0−B3の1個あたり128行と512列とを有する
4つのバンクB0−B3を有するとすると、行アド
レス部分52Rは7ビツトを有し、列アドレス部
分52Cは9ビツトを有しかつバンクアドレス部
分は2ビツトを有する。容易に理解されるよう
に、それぞれの部分52R,52C,52Bのビ
ツト長はまた、メモリ14の形状および配置に依
存して、別のものにすることができる。 第3図は、前述の4つの動作モードの下でメモ
リ14へのアクセスを制御するダイナミツク・メ
モリ・コントローラ26を示す。ダイナミツク・
メモリ・コントローラ26は2つの線54を介し
てビツトMC0およびMC1を有する2ビツトのモ
ード制御(MC)ワードを受ける。表はMC0お
よびMC1によつて識別される4つの異なるモー
ドを以下のとおりに与える。
【表】
特に、モード0はメモリ14へのアクセスがデ
ータワードをリフレツシユする場合にのみ生じる
エラー検出および訂正を伴わないリフレツシユモ
ードである。モード1はメモリ14へのアクセス
が、データワードのリフレツシユと任意のビツト
エラーの検出および訂正を同時に行なう場合か、
またはパワーアツプされたメモリを初期化する場
合に対して生ずるエラー検出および訂正を伴うリ
フレツシユモードである。モード2はメモリ14
へのアクセスがデータの読出または書込に対して
制御される通常の読出/書込モードである。モー
ド3は、さらに詳しく述べられるように、クリア
モードであつて、ダイナミツク・メモリ・コント
ローラ26をクリアするために用いられる。 一般に56で示されるラツチは、モード2に対
してCPU12からアドレスバス28を介して受
けたアドレスワード52を記憶するために用いら
れる。ラツチ56は行アドレスラツチ56R、列
アドレスラツチ56Cおよびバンクアドレスラツ
チ56Bを含む。ラツチ56Rは行アドレス部分
52R、すなわち、ビツト0−8を記憶する。ラ
ツチ56Cは列アドレス部分52C、すなわち、
ビツト9−17を記憶し、ラツチ56Bはバンク
アドレス部分52B、すなわち、メモリ14の4
つのバンクB0−B3のうち選択されるべき1つの
識別する2つの選択ビツトSEL0およびSEL1を
記憶する。ラツチイネーブル(LE)信号は線5
7を介してラツチ56によつて受けられる。LE
はラツチ56を透明にし、それによつてそれぞれ
のラツチ56R,56C,56Bがバス28上の
新しい入力アドレスデータを受入れられるように
するアクテイブ・ハイ入力である。LEがローレ
ベルのとき、入力アドレスデータはラツチ56
R,56C,56Bによつてラツチされる。 一般に58で示されるアドレスカウンタはモー
ド0およびモード1に対して内部にアドレスデー
タを発生するために用いられる。アドレスカウン
タ58は、行アドレス部分52Rを与える行アド
レスカウンタ58Rと、列アドレス部分52Cを
与える列アドレスカウンタ58Cとバンクアドレ
ス部分52Bを与えるバンクアドレスカウンタ5
8Bとを備える。アドレスカウンタ58はAND
ゲート60の出力によつて線61を介してクリア
される。このとき、ゲート60への入力は、線5
4を介して伝送されるビツトMC1およびMC2で
ある。MC1およびMC2が論理11(表参照)
であるとき、ゲート60は線61を介してアドレ
スカウンタ58をクリアすることが許可される。 アドレスカウンタ58はANDゲート62の線
63上への出力によつてクロツクされる。線64
上のゲート62への一方入力は行アドレスストロ
ーブ入力であり、線65上の他方入力は
ORゲート66の出力からのイネーブル信号であ
る。MC0はゲート66へ一方入力として直接与
えられ、一方MC1はインバータ67および線6
8を介してゲート66の他方入力として与えられ
る。したがつて、モード0、モード1およびモー
ド3に対して、ゲート66はその入力の一方また
は両方に論理1を有し、線65へ論理1のイネー
ブル信号を与え、ゲート62をイネーブル状態に
する。次に、がハイになつたとき、ゲート
62は線63へ論理1を出力して、アドレスカウ
ンタ58をクロツクする。 4個のポートを有するマルチプレクサ70は、
線72を介してのラツチ56Rに記憶される行ア
ドレス部分52Rを、線74を介してのラツチ5
6Cに記憶された列アドレス部分52Cを、線7
6を介しての行アドレスカウンタ58Rによつて
発生された行アドレス部分52Rを、線78を介
しての列アドレスカウンタ58Cによつて発生さ
れた列アドレス部分52Cをそれぞれ受ける。マ
ルチプレクサ70は、マルチプレクサコントロー
ル82によつて線84上へ発生される4ビツトワ
ードS0−S3に応答して、これらの4個の入力の任
意の1個を線80上への出力に切換える。 マルチプレクサコントロール82は、線86か
ら受けるマルチプレクサ選択(MSEL)信号同
様、線54上を伝送されるMC0,MC1に応答す
る。MSELがハイまたは論理1のとき、線72ま
たは線76上の下位側のビツト、すなわち、行ア
ドレス部分52Rは、MC0,MC1によつて定義
されるモードに依存して出力線80へ切換えられ
る。また、MSELがローのとき、線74または線
78上の上位側のビツト、すなわち、列アドレス
部分52Cは、またMC0,MC1によつて定義さ
れるモードに依存して線80へ切換えられる。 行アドレスストローブ()デコーダ88
は線90を介してラツチ56Bの出力に結合され
る入力を有する。デコーダ88はまた、線
92を介してその入力がであるインバータ
94の出力に結合される入力を有する。デ
コーダ88はまた、線54を介して受けたMC0,
MC1をデコードしその出力を線96へ与える。 線96上のデコードされた出力は、それぞれバ
ンクB0−B3を活性化する4個の行アドレススト
ローブ0−3信号のうちの任意の1個ま
たはすべてである筈である。示されていないが、
マルチプレクサ70によつて線80上へ切換えら
れた行アドレス部分52Rは0−3に応
答してメモリ14内にラツチされる。モード0
(エラー検出および訂正を伴なわないリフレツシ
ユ)およびモード1(エラー検出および訂正を伴
なうリフレツシユ)に対して、デコーダ8
8はに応答して4つのアクテイブ0−
RAS3のすべてを出力することによつて応答す
る。モード2(読出/書込)に対して、0−
RAS3のうちの1個が、線90上のSEL0,SEL
1によつて識別されるように、に応答して
アクテイブ・ロー状態になる。 列アドレスストローブ()デコーダ98
は線100を介したバンクカウンタ58Bの出力
同様、線90を介してバンクラツチ56Bの出力
を受ける。デコーダ98はまたインバータ
101および入力線101aを介して、線54上
のMC0,MC1同様、線102上の伝送された列
アドレスストローブ入力に応答する。 デコーダ98のデコードされた出力は、
線104上へ与えられ、かつバンクB0−B3をそ
れぞれ活性化する4個の列アドレスストローブ
(0−3)信号のうちの任意の1個である。
示されていないが、マルチプレクサ70によつて
線80上へ切換えられる列アドレス部分52C
は、0−3に応答してメモリ14内にラツ
チされる。モード0(エラー検出および訂正を伴
なわないリフレツシユ)に対して、4個の0
−3のすべては非活性状態のままである。モ
ード1(エラー検出および訂正を伴なうリフレツ
シユ)に対しては、線100上のバンクアドレス
部分52Bによつて識別されるように、4個の
CAS0−3のうちの1個がに応答して線
104上へ与えられる。モード2(読出/書込)
に対して、線90上のバンクアドレス部分52B
によつて識別されるように、4個の0−3
のうちの1個がに応答して線104上に与
えられる。 線106上のチツプ選択()信号はマルチ
プレクサコントローラ82、デコーダ88
およびデコーダ98をイネーブル状態にす
るために用いられる。がローのとき、ダイナ
ミツク・メモリ・コントローラ26は4個のすべ
ての動作モードのうちで、以下に述べられる通常
の方法で動作する。がハイになつたとき、ダ
イナミツク・メモリ・コントローラ26はまだモ
ード0およびモード1を実行するが、モード2を
実行しない。 出力イネーブル()信号によつてマルチプ
レクサ70、デコーダ88およびデコ
ーダ98の出力の駆動またはデイスエーブル状態
にすることが可能となる出力駆動回路は、また一
般に108で示される。これらの出力の各々はア
ドレスバス30、線32および線34
上に与えられる。 再び第1図を参照して、タイミングコントロー
ラ36はリフレツシユモードおよびエラー検出お
よび訂正が生じ得る書込/読出モードを独立に実
行することができるコンピユータシステムにおい
て用いられていた従来のコントローラに類似して
いる。しかしながら、さらに加えて、コントロー
ラ36は、この発明の目的のために、CPU12
から線46を介して受けた制御信号に応答するこ
とができる。コントローラ36は、適当なとき
に、線42へを出力し、それは、遅延40
によつて与えられる遅延の後、ダイナミツク・メ
モリ・コントローラ26の線64で受けられるた
めにを線44上へ出力する。遅延40は、
RASIに連続しかつ応答するその出力がMSELお
よびであるタイミングタツプ(図示せず)
を有する。コントローラ36はまたCPU12か
らの制御信号をデコードしてMC0,MC1を線3
8上へ出力し、そして、それらはダイナミツク・
メモリ・コントローラ26の線54によつて伝送
される。 ダイナミツクメモリコントローラ26の4つの
動作モードは次に述べられ、それに続いて、コン
ピユータシステム10の全体動作の詳細な説明が
行なわれる。 モード0−エラー検出および訂正の伴なわないリ
フレツシユ MC0,MC1が論理00であるこのモードに対
して、マルチプレクサコントローラ82はMC0,
MC1に応答してマルチプレクサ70を制御し、
線76を線80へ結合する。それゆえ、行カウン
タ58Rは線65上のイネーブル信号および線6
4上のに応答して線63上のゲート62の
出力によつてクロツクされるので、行カウンタ5
8Rからの行アドレス部分52Rの各々は線76
から線80へ切換えられ、アドレスバス30を介
してメモリ14へ出力される。デコーダ8
8は、インバータ94を介して線64上の
に応答し、かつ4個の0−3をすべて出
力することによつてMC0,MC1に応答し、それ
によつて、すべてのバンクB0−B3の複数個の行
を活性化する。デコーダ98は線96上に
非活性の0−3を出力することによつて、
MC0,MC1に応答し、それによつて、すべての
バンクB0−B3の複数個の列を非活性状態とする。 その結果、メモリ14のバンクB0−B3のそれ
ぞれにおける或る与えられた行が、行カウンタ5
8Rの特定の行アドレス部分52Rによつて特定
されたアドレスにおいて活性化される。このよう
にして、バンクB0−B3のそれぞれにおける1つ
の行すなわち、メモリ14におけるデータの4つ
の行がリフレツシユサイクルの間に同時にリフレ
ツシユされることができる。 その後、線64上へのの発生ごとに、行
カウンタ58Rはクロツクされて、新しい行アド
レス部分52Rをマルチプレクサ70によつて線
80に結合される線76上へ与える。それゆえ、
メモリ14のバンクB0−B3のそれぞれにおける
1個ずつからなる4個の行の別のグループがリフ
レツシユされる。行カウンタ58Rを増加させる
この過程はの発生ごとに継続し、それによ
つてメモリ14のすべての行がリフレツシユされ
る。 モード1−エラー検出および訂正を伴なうリフレ
ツシユ(または初期化) このモードに対しては、MC0,MC1は論理0
1である。マルチプレクサコントローラ82は
MC0,MC1およびMSELに応答して、線76上
の行カウンタ58Rの行アドレス部分52Rまた
は線78上の列カウンタ58Cの列アドレス部分
52Cを線80へマルチプレクサ70が結合させ
るようにする。既に述べられたように、MSELが
ハイのとき、線76は線80へ結合され、MSEL
がローのとき、線78は線80へ結合される。 また、このモードの間、デコーダ88は
インバータ94と線92とを介して、線64上の
RASIに応答し、かつMC0,MC1に応答して、4
つのバンクB0−B3における複数個の行を活性化
するためにアクテイブ信号0−3の4個
のすべてを与える。さらに、デコーダ98
はインバータ101を介しての線102上の
CASIと、MC0,MC1と、バンクカウンタ58B
からのバンクアドレス部分52Bとに応答して、
バンクB0−B3のうちの1個における複数個の列
のうちの1個をそれぞれ活性化するために、4個
の信号0−3のうちの1個を線104へ出
力する。 動作において、アドレスカウンタ58はクリア
されており、かつ第1のリフレツシユサイクルに
対して線64上の第1のは発生されてお
り、アドレスカウンタ58をクロツクすると仮定
する。結果として、MSELがハイのとき、バンク
B0−B3のそれぞれに1個ずつある4個の行は、
行カウンタ58Rからの行アドレス部分52Rに
よつてアドレスされ、かつ同時にリフレツシユさ
れる。そのとき、この第1のの発生期間中
に、MSELがローになつた場合、列カウンタ58
Cからの列アドレス部分52Cはメモリ14へ結
合され、そこで、バンクアドレス部分52Bおよ
びに応答して、0−3の1個によつ
て活性化された、バンクB0−B3の1個における
アドレスされた列内のデータワードが読出され
る。 読出されたデータワードは、次に、従来のエラ
ー検出および訂正のアルゴリズムがビツトエラー
の検出および訂正を行なうために用いられる従来
の読出−変更−書込(RMW)サイクルを実行す
るエラー検出および訂正ネツトワーク16へ結合
される。アルゴリズムが完了したとき、もし或る
エラーが検出されたならば、データワードは、こ
の第1のリフレツシユサイクルに対してメモリ1
4のそのときにアドレスされている記憶位置に書
込まれる。 次に、適当なリフレツシユ時期の遅れの後、第
2のが第2のリフレツシユサイクルのため
に第64上へ与えられる。アドレスカウンタ58は
再び、このによつてクロツクされる。行ア
ドレス部分52Rは最も低い桁のアドレス部分で
あり、かつ列アドレス部分52Cおよびバンクア
ドレス部分52Bは、それぞれ、高位および最高
位のアドレス部分であるので、同一のバンクB0
−B3のうちの同一の列がアドレスされて活性化
されるが、4個のバンクB0−B3のそれぞれにお
ける1個の行からなる4個の行の新しいグループ
がアドレスされて活性化される。この結果、この
第2のリフレツシユサイクルに対して、MSELが
ハイのとき、4個の行の新しいグループがリフレ
ツシユされる。その後、MSELがローになると、
新しいデータワードが読出されてエラー検出およ
び訂正ネツトワーク16へ与えられ、そこで既に
述べたように、別の読出−変更−書込サイクルが
実行される。 それぞれのリフレツシユサイクルに備えて、
RASIを用いてアドレスカウンタ58をクロツク
し、次に、それぞれのリフレツシユサイクルの間
エラー検出および訂正を伴なうリフレツシユを実
行するというこの過程は、上述のように続けられ
る。行カウンタ58Rが限度までクロツクされた
後は、次のリフレツシユサイクルに際して、列カ
ウンタ58Cは増加して1個のバンクB0−B3の
新しい列をアドレスし、かつ行カウンタ58Rは
その第1番目の行アドレス部分52Rから再出発
する。その後、列カウンタ58Cが限度までクロ
ツクされた場合、次のRASIに際してバンクカウ
ンタ58Bは増加し、そこで別のバンクB0−B3
が活性化される。行および列のアドレス過程は上
述のように継続し、メモリ14の全体をエラー検
出および訂正を伴なつてリフレツシユする。 さらに、この特定的なモード1は、パワーが最
初にコンピユータシステム10に与えられたと
き、初期化の目的のために用いられる。メモリ1
4の全体がアクセスされるこのモードを用いて、
或る知られたデータパターンがメモリ14を初期
化するために書込まれることができる。 モード2−読出/書込 MC0,MC1が論理10であるこのモードに対
して、CPU12から受けた入力アドレス52は
ラツチ56においてラツチされる。マルチプレク
サ・コントローラ82はMC0およびMC1に応答
し、かつ第1にマルチプレクサ70を線72上の
行アドレス部分52Rを選択させるようにし、次
に線74上の列アドレス部分52Cを選択させる
ようにすることによつてMSELに応答する。
RASデコーダ88およびデコーダ98の両
方は、それぞれおよびに応答して、
線90上のバンクアドレス部分52Bをデコード
し、線96上へ0−3の1個および0
−3の1個をそれぞれ出力し、そこで、バン
クB0−B3の1個が活性化される。 この結果、エラー検出および訂正ネツトワーク
16を介してメモリ14のアドレスされた記憶位
置にデータが読出または書込みされる。 CPU12は、このモードの間、メモリ14へ
他のアクセスを要求するので、他のアドレスがラ
ツチ56に記憶される。上述と同様の動作はダイ
ナミツク・メモリ・コントローラ26によつて実
行され、ラツチ56において記憶された特定のア
ドレス56によつて識別されたメモリ記憶位置に
おいてメモリ14をアクセスする。 モード3−クリア このモードはアドレスカウンタ58をクリアす
るためと、上述のリフレツシユ系列、すなわち、
リフレツシユのみ(モード0)またはエラー検出
および訂正を伴なうリフレツシユ(モード1)の
開始地点にアドレスカウンタ58を置くために用
いられる。このモードにおいて、MC0,MC1は
論理11であり、そのことによりANDゲート6
0はイネーブル状態となり、アドレスカウンタ5
8をクリアする。加えて、デコーダ88は
4個の0−3のすべてを出力することに
よつてMC0,MC1に応答するが、しかし一方、
CASデコーダ88は非活性な0−3を出
力する。 システム全体の動作 コンピユータシステム10の動作の一例とし
て、CPU12がオンラインにあり、かつメモリ
14へのアクセスを要求していると仮定する。ま
た、ダイナミツク・メモリ・コントローラ26は
モード0またはモード1というバツクグラウンド
機能を実行していないとする。それゆえ、CPU
12からの制御信号に応答して、コントローラ3
6は前述の制御信号をモード2に対して出力す
る。ダイナミツク・メモリ・コントローラ26は
そのとき読出/書込のメモリアクセス機能を実行
する。 周期的に、かつCPU12からの制御信号に応
答してコントローラ36は制御信号を発生して、
ダイナミツク・メモリ・コントローラ26をモー
ド0またはモード1状態にする。それゆえ、リフ
レツシユまたはエラー検出および訂正を伴なうリ
フレツシユのどちらかが実行されることができ
る。上述の代わりに、かつ先行のコンピユータシ
ステム10と同様に、CPU12が予め定められ
た時間内に線46上の制御信号を介してこれらの
モードを要求していないならば、コントローラ3
6は制御信号を初期化してダイナミツク・メモ
リ・コントローラ26をモード0またはモード1
にすることができる。 まとめとして、エラー検出および訂正を伴なう
リフレツシユ、すなわち、モード1を与えること
によつて、メモリ14に記憶されたデータワード
は1ビツトのエラーを周期的になくすことがで
き、それによつて、或る与えられたデータワード
内に蓄積された多ビツトエラーの可能性を最小化
することができる。したがつて、たとえば、1ビ
ツトのエラーがデータワードに現われたならば、
それは、エラー検出および訂正ネツトワーク16
およびその次のメモリ14へ再書込みされる訂正
されたデータワードとによつて検出され訂正され
ることができる。データの或る行がリフレツシユ
されるサイクル中のエラー検出および訂正機能、
すなわち、モード1に対して述べられたようなリ
フレツシユサイクルごとに対するエラー検出およ
び訂正を伴なうリフレツシユの合併または同時動
作を実行するために必要とする付加的な時間はシ
ステムの性能を有意に低下させない。たとえば、
特性的に、メモリ14のようなダイナミツクメモ
リは、近似的に、リフレツシユのみ(モード0)
を実行するためにそれらのバンド幅の2%を費
し、このことは、読出/書込動作(モード2)に
対してメモリ14が約98%のバンド幅をもつて
CPU12に対して稼動することができることを
意味する。エラー検出および訂正とリフレツシユ
とを合併(モード1)させることと、モード1の
エラー検出および訂正部分に対して、たとえば、
450ナノ秒の読出−変更−書込サイクルを用いる
こととによつて、エラー検出および訂正を伴なう
リフレツシユを実行するためのバンド幅はわずか
約2.9%に増加し、そのことによつて、CPU12
によるメモリの稼動率はわずか97%に減少するだ
けである。 メモリの稼動率が97%に減少する一方、メモリ
の読出/書込モード2の速度は有意に増加する。
これは、メモリ14に記憶されるデータワードが
ほとんどビツトエラーを有せず、そのことにより
エラー検出および訂正ネツトワーク16が直接に
かつ素早くデータワードをバス18へ通過させる
ことができるからである。 この発明の他の概念と主題と利点は図面および
添付された請求の範囲の研究から得られる。
ータワードをリフレツシユする場合にのみ生じる
エラー検出および訂正を伴わないリフレツシユモ
ードである。モード1はメモリ14へのアクセス
が、データワードのリフレツシユと任意のビツト
エラーの検出および訂正を同時に行なう場合か、
またはパワーアツプされたメモリを初期化する場
合に対して生ずるエラー検出および訂正を伴うリ
フレツシユモードである。モード2はメモリ14
へのアクセスがデータの読出または書込に対して
制御される通常の読出/書込モードである。モー
ド3は、さらに詳しく述べられるように、クリア
モードであつて、ダイナミツク・メモリ・コント
ローラ26をクリアするために用いられる。 一般に56で示されるラツチは、モード2に対
してCPU12からアドレスバス28を介して受
けたアドレスワード52を記憶するために用いら
れる。ラツチ56は行アドレスラツチ56R、列
アドレスラツチ56Cおよびバンクアドレスラツ
チ56Bを含む。ラツチ56Rは行アドレス部分
52R、すなわち、ビツト0−8を記憶する。ラ
ツチ56Cは列アドレス部分52C、すなわち、
ビツト9−17を記憶し、ラツチ56Bはバンク
アドレス部分52B、すなわち、メモリ14の4
つのバンクB0−B3のうち選択されるべき1つの
識別する2つの選択ビツトSEL0およびSEL1を
記憶する。ラツチイネーブル(LE)信号は線5
7を介してラツチ56によつて受けられる。LE
はラツチ56を透明にし、それによつてそれぞれ
のラツチ56R,56C,56Bがバス28上の
新しい入力アドレスデータを受入れられるように
するアクテイブ・ハイ入力である。LEがローレ
ベルのとき、入力アドレスデータはラツチ56
R,56C,56Bによつてラツチされる。 一般に58で示されるアドレスカウンタはモー
ド0およびモード1に対して内部にアドレスデー
タを発生するために用いられる。アドレスカウン
タ58は、行アドレス部分52Rを与える行アド
レスカウンタ58Rと、列アドレス部分52Cを
与える列アドレスカウンタ58Cとバンクアドレ
ス部分52Bを与えるバンクアドレスカウンタ5
8Bとを備える。アドレスカウンタ58はAND
ゲート60の出力によつて線61を介してクリア
される。このとき、ゲート60への入力は、線5
4を介して伝送されるビツトMC1およびMC2で
ある。MC1およびMC2が論理11(表参照)
であるとき、ゲート60は線61を介してアドレ
スカウンタ58をクリアすることが許可される。 アドレスカウンタ58はANDゲート62の線
63上への出力によつてクロツクされる。線64
上のゲート62への一方入力は行アドレスストロ
ーブ入力であり、線65上の他方入力は
ORゲート66の出力からのイネーブル信号であ
る。MC0はゲート66へ一方入力として直接与
えられ、一方MC1はインバータ67および線6
8を介してゲート66の他方入力として与えられ
る。したがつて、モード0、モード1およびモー
ド3に対して、ゲート66はその入力の一方また
は両方に論理1を有し、線65へ論理1のイネー
ブル信号を与え、ゲート62をイネーブル状態に
する。次に、がハイになつたとき、ゲート
62は線63へ論理1を出力して、アドレスカウ
ンタ58をクロツクする。 4個のポートを有するマルチプレクサ70は、
線72を介してのラツチ56Rに記憶される行ア
ドレス部分52Rを、線74を介してのラツチ5
6Cに記憶された列アドレス部分52Cを、線7
6を介しての行アドレスカウンタ58Rによつて
発生された行アドレス部分52Rを、線78を介
しての列アドレスカウンタ58Cによつて発生さ
れた列アドレス部分52Cをそれぞれ受ける。マ
ルチプレクサ70は、マルチプレクサコントロー
ル82によつて線84上へ発生される4ビツトワ
ードS0−S3に応答して、これらの4個の入力の任
意の1個を線80上への出力に切換える。 マルチプレクサコントロール82は、線86か
ら受けるマルチプレクサ選択(MSEL)信号同
様、線54上を伝送されるMC0,MC1に応答す
る。MSELがハイまたは論理1のとき、線72ま
たは線76上の下位側のビツト、すなわち、行ア
ドレス部分52Rは、MC0,MC1によつて定義
されるモードに依存して出力線80へ切換えられ
る。また、MSELがローのとき、線74または線
78上の上位側のビツト、すなわち、列アドレス
部分52Cは、またMC0,MC1によつて定義さ
れるモードに依存して線80へ切換えられる。 行アドレスストローブ()デコーダ88
は線90を介してラツチ56Bの出力に結合され
る入力を有する。デコーダ88はまた、線
92を介してその入力がであるインバータ
94の出力に結合される入力を有する。デ
コーダ88はまた、線54を介して受けたMC0,
MC1をデコードしその出力を線96へ与える。 線96上のデコードされた出力は、それぞれバ
ンクB0−B3を活性化する4個の行アドレススト
ローブ0−3信号のうちの任意の1個ま
たはすべてである筈である。示されていないが、
マルチプレクサ70によつて線80上へ切換えら
れた行アドレス部分52Rは0−3に応
答してメモリ14内にラツチされる。モード0
(エラー検出および訂正を伴なわないリフレツシ
ユ)およびモード1(エラー検出および訂正を伴
なうリフレツシユ)に対して、デコーダ8
8はに応答して4つのアクテイブ0−
RAS3のすべてを出力することによつて応答す
る。モード2(読出/書込)に対して、0−
RAS3のうちの1個が、線90上のSEL0,SEL
1によつて識別されるように、に応答して
アクテイブ・ロー状態になる。 列アドレスストローブ()デコーダ98
は線100を介したバンクカウンタ58Bの出力
同様、線90を介してバンクラツチ56Bの出力
を受ける。デコーダ98はまたインバータ
101および入力線101aを介して、線54上
のMC0,MC1同様、線102上の伝送された列
アドレスストローブ入力に応答する。 デコーダ98のデコードされた出力は、
線104上へ与えられ、かつバンクB0−B3をそ
れぞれ活性化する4個の列アドレスストローブ
(0−3)信号のうちの任意の1個である。
示されていないが、マルチプレクサ70によつて
線80上へ切換えられる列アドレス部分52C
は、0−3に応答してメモリ14内にラツ
チされる。モード0(エラー検出および訂正を伴
なわないリフレツシユ)に対して、4個の0
−3のすべては非活性状態のままである。モ
ード1(エラー検出および訂正を伴なうリフレツ
シユ)に対しては、線100上のバンクアドレス
部分52Bによつて識別されるように、4個の
CAS0−3のうちの1個がに応答して線
104上へ与えられる。モード2(読出/書込)
に対して、線90上のバンクアドレス部分52B
によつて識別されるように、4個の0−3
のうちの1個がに応答して線104上に与
えられる。 線106上のチツプ選択()信号はマルチ
プレクサコントローラ82、デコーダ88
およびデコーダ98をイネーブル状態にす
るために用いられる。がローのとき、ダイナ
ミツク・メモリ・コントローラ26は4個のすべ
ての動作モードのうちで、以下に述べられる通常
の方法で動作する。がハイになつたとき、ダ
イナミツク・メモリ・コントローラ26はまだモ
ード0およびモード1を実行するが、モード2を
実行しない。 出力イネーブル()信号によつてマルチプ
レクサ70、デコーダ88およびデコ
ーダ98の出力の駆動またはデイスエーブル状態
にすることが可能となる出力駆動回路は、また一
般に108で示される。これらの出力の各々はア
ドレスバス30、線32および線34
上に与えられる。 再び第1図を参照して、タイミングコントロー
ラ36はリフレツシユモードおよびエラー検出お
よび訂正が生じ得る書込/読出モードを独立に実
行することができるコンピユータシステムにおい
て用いられていた従来のコントローラに類似して
いる。しかしながら、さらに加えて、コントロー
ラ36は、この発明の目的のために、CPU12
から線46を介して受けた制御信号に応答するこ
とができる。コントローラ36は、適当なとき
に、線42へを出力し、それは、遅延40
によつて与えられる遅延の後、ダイナミツク・メ
モリ・コントローラ26の線64で受けられるた
めにを線44上へ出力する。遅延40は、
RASIに連続しかつ応答するその出力がMSELお
よびであるタイミングタツプ(図示せず)
を有する。コントローラ36はまたCPU12か
らの制御信号をデコードしてMC0,MC1を線3
8上へ出力し、そして、それらはダイナミツク・
メモリ・コントローラ26の線54によつて伝送
される。 ダイナミツクメモリコントローラ26の4つの
動作モードは次に述べられ、それに続いて、コン
ピユータシステム10の全体動作の詳細な説明が
行なわれる。 モード0−エラー検出および訂正の伴なわないリ
フレツシユ MC0,MC1が論理00であるこのモードに対
して、マルチプレクサコントローラ82はMC0,
MC1に応答してマルチプレクサ70を制御し、
線76を線80へ結合する。それゆえ、行カウン
タ58Rは線65上のイネーブル信号および線6
4上のに応答して線63上のゲート62の
出力によつてクロツクされるので、行カウンタ5
8Rからの行アドレス部分52Rの各々は線76
から線80へ切換えられ、アドレスバス30を介
してメモリ14へ出力される。デコーダ8
8は、インバータ94を介して線64上の
に応答し、かつ4個の0−3をすべて出
力することによつてMC0,MC1に応答し、それ
によつて、すべてのバンクB0−B3の複数個の行
を活性化する。デコーダ98は線96上に
非活性の0−3を出力することによつて、
MC0,MC1に応答し、それによつて、すべての
バンクB0−B3の複数個の列を非活性状態とする。 その結果、メモリ14のバンクB0−B3のそれ
ぞれにおける或る与えられた行が、行カウンタ5
8Rの特定の行アドレス部分52Rによつて特定
されたアドレスにおいて活性化される。このよう
にして、バンクB0−B3のそれぞれにおける1つ
の行すなわち、メモリ14におけるデータの4つ
の行がリフレツシユサイクルの間に同時にリフレ
ツシユされることができる。 その後、線64上へのの発生ごとに、行
カウンタ58Rはクロツクされて、新しい行アド
レス部分52Rをマルチプレクサ70によつて線
80に結合される線76上へ与える。それゆえ、
メモリ14のバンクB0−B3のそれぞれにおける
1個ずつからなる4個の行の別のグループがリフ
レツシユされる。行カウンタ58Rを増加させる
この過程はの発生ごとに継続し、それによ
つてメモリ14のすべての行がリフレツシユされ
る。 モード1−エラー検出および訂正を伴なうリフレ
ツシユ(または初期化) このモードに対しては、MC0,MC1は論理0
1である。マルチプレクサコントローラ82は
MC0,MC1およびMSELに応答して、線76上
の行カウンタ58Rの行アドレス部分52Rまた
は線78上の列カウンタ58Cの列アドレス部分
52Cを線80へマルチプレクサ70が結合させ
るようにする。既に述べられたように、MSELが
ハイのとき、線76は線80へ結合され、MSEL
がローのとき、線78は線80へ結合される。 また、このモードの間、デコーダ88は
インバータ94と線92とを介して、線64上の
RASIに応答し、かつMC0,MC1に応答して、4
つのバンクB0−B3における複数個の行を活性化
するためにアクテイブ信号0−3の4個
のすべてを与える。さらに、デコーダ98
はインバータ101を介しての線102上の
CASIと、MC0,MC1と、バンクカウンタ58B
からのバンクアドレス部分52Bとに応答して、
バンクB0−B3のうちの1個における複数個の列
のうちの1個をそれぞれ活性化するために、4個
の信号0−3のうちの1個を線104へ出
力する。 動作において、アドレスカウンタ58はクリア
されており、かつ第1のリフレツシユサイクルに
対して線64上の第1のは発生されてお
り、アドレスカウンタ58をクロツクすると仮定
する。結果として、MSELがハイのとき、バンク
B0−B3のそれぞれに1個ずつある4個の行は、
行カウンタ58Rからの行アドレス部分52Rに
よつてアドレスされ、かつ同時にリフレツシユさ
れる。そのとき、この第1のの発生期間中
に、MSELがローになつた場合、列カウンタ58
Cからの列アドレス部分52Cはメモリ14へ結
合され、そこで、バンクアドレス部分52Bおよ
びに応答して、0−3の1個によつ
て活性化された、バンクB0−B3の1個における
アドレスされた列内のデータワードが読出され
る。 読出されたデータワードは、次に、従来のエラ
ー検出および訂正のアルゴリズムがビツトエラー
の検出および訂正を行なうために用いられる従来
の読出−変更−書込(RMW)サイクルを実行す
るエラー検出および訂正ネツトワーク16へ結合
される。アルゴリズムが完了したとき、もし或る
エラーが検出されたならば、データワードは、こ
の第1のリフレツシユサイクルに対してメモリ1
4のそのときにアドレスされている記憶位置に書
込まれる。 次に、適当なリフレツシユ時期の遅れの後、第
2のが第2のリフレツシユサイクルのため
に第64上へ与えられる。アドレスカウンタ58は
再び、このによつてクロツクされる。行ア
ドレス部分52Rは最も低い桁のアドレス部分で
あり、かつ列アドレス部分52Cおよびバンクア
ドレス部分52Bは、それぞれ、高位および最高
位のアドレス部分であるので、同一のバンクB0
−B3のうちの同一の列がアドレスされて活性化
されるが、4個のバンクB0−B3のそれぞれにお
ける1個の行からなる4個の行の新しいグループ
がアドレスされて活性化される。この結果、この
第2のリフレツシユサイクルに対して、MSELが
ハイのとき、4個の行の新しいグループがリフレ
ツシユされる。その後、MSELがローになると、
新しいデータワードが読出されてエラー検出およ
び訂正ネツトワーク16へ与えられ、そこで既に
述べたように、別の読出−変更−書込サイクルが
実行される。 それぞれのリフレツシユサイクルに備えて、
RASIを用いてアドレスカウンタ58をクロツク
し、次に、それぞれのリフレツシユサイクルの間
エラー検出および訂正を伴なうリフレツシユを実
行するというこの過程は、上述のように続けられ
る。行カウンタ58Rが限度までクロツクされた
後は、次のリフレツシユサイクルに際して、列カ
ウンタ58Cは増加して1個のバンクB0−B3の
新しい列をアドレスし、かつ行カウンタ58Rは
その第1番目の行アドレス部分52Rから再出発
する。その後、列カウンタ58Cが限度までクロ
ツクされた場合、次のRASIに際してバンクカウ
ンタ58Bは増加し、そこで別のバンクB0−B3
が活性化される。行および列のアドレス過程は上
述のように継続し、メモリ14の全体をエラー検
出および訂正を伴なつてリフレツシユする。 さらに、この特定的なモード1は、パワーが最
初にコンピユータシステム10に与えられたと
き、初期化の目的のために用いられる。メモリ1
4の全体がアクセスされるこのモードを用いて、
或る知られたデータパターンがメモリ14を初期
化するために書込まれることができる。 モード2−読出/書込 MC0,MC1が論理10であるこのモードに対
して、CPU12から受けた入力アドレス52は
ラツチ56においてラツチされる。マルチプレク
サ・コントローラ82はMC0およびMC1に応答
し、かつ第1にマルチプレクサ70を線72上の
行アドレス部分52Rを選択させるようにし、次
に線74上の列アドレス部分52Cを選択させる
ようにすることによつてMSELに応答する。
RASデコーダ88およびデコーダ98の両
方は、それぞれおよびに応答して、
線90上のバンクアドレス部分52Bをデコード
し、線96上へ0−3の1個および0
−3の1個をそれぞれ出力し、そこで、バン
クB0−B3の1個が活性化される。 この結果、エラー検出および訂正ネツトワーク
16を介してメモリ14のアドレスされた記憶位
置にデータが読出または書込みされる。 CPU12は、このモードの間、メモリ14へ
他のアクセスを要求するので、他のアドレスがラ
ツチ56に記憶される。上述と同様の動作はダイ
ナミツク・メモリ・コントローラ26によつて実
行され、ラツチ56において記憶された特定のア
ドレス56によつて識別されたメモリ記憶位置に
おいてメモリ14をアクセスする。 モード3−クリア このモードはアドレスカウンタ58をクリアす
るためと、上述のリフレツシユ系列、すなわち、
リフレツシユのみ(モード0)またはエラー検出
および訂正を伴なうリフレツシユ(モード1)の
開始地点にアドレスカウンタ58を置くために用
いられる。このモードにおいて、MC0,MC1は
論理11であり、そのことによりANDゲート6
0はイネーブル状態となり、アドレスカウンタ5
8をクリアする。加えて、デコーダ88は
4個の0−3のすべてを出力することに
よつてMC0,MC1に応答するが、しかし一方、
CASデコーダ88は非活性な0−3を出
力する。 システム全体の動作 コンピユータシステム10の動作の一例とし
て、CPU12がオンラインにあり、かつメモリ
14へのアクセスを要求していると仮定する。ま
た、ダイナミツク・メモリ・コントローラ26は
モード0またはモード1というバツクグラウンド
機能を実行していないとする。それゆえ、CPU
12からの制御信号に応答して、コントローラ3
6は前述の制御信号をモード2に対して出力す
る。ダイナミツク・メモリ・コントローラ26は
そのとき読出/書込のメモリアクセス機能を実行
する。 周期的に、かつCPU12からの制御信号に応
答してコントローラ36は制御信号を発生して、
ダイナミツク・メモリ・コントローラ26をモー
ド0またはモード1状態にする。それゆえ、リフ
レツシユまたはエラー検出および訂正を伴なうリ
フレツシユのどちらかが実行されることができ
る。上述の代わりに、かつ先行のコンピユータシ
ステム10と同様に、CPU12が予め定められ
た時間内に線46上の制御信号を介してこれらの
モードを要求していないならば、コントローラ3
6は制御信号を初期化してダイナミツク・メモ
リ・コントローラ26をモード0またはモード1
にすることができる。 まとめとして、エラー検出および訂正を伴なう
リフレツシユ、すなわち、モード1を与えること
によつて、メモリ14に記憶されたデータワード
は1ビツトのエラーを周期的になくすことがで
き、それによつて、或る与えられたデータワード
内に蓄積された多ビツトエラーの可能性を最小化
することができる。したがつて、たとえば、1ビ
ツトのエラーがデータワードに現われたならば、
それは、エラー検出および訂正ネツトワーク16
およびその次のメモリ14へ再書込みされる訂正
されたデータワードとによつて検出され訂正され
ることができる。データの或る行がリフレツシユ
されるサイクル中のエラー検出および訂正機能、
すなわち、モード1に対して述べられたようなリ
フレツシユサイクルごとに対するエラー検出およ
び訂正を伴なうリフレツシユの合併または同時動
作を実行するために必要とする付加的な時間はシ
ステムの性能を有意に低下させない。たとえば、
特性的に、メモリ14のようなダイナミツクメモ
リは、近似的に、リフレツシユのみ(モード0)
を実行するためにそれらのバンド幅の2%を費
し、このことは、読出/書込動作(モード2)に
対してメモリ14が約98%のバンド幅をもつて
CPU12に対して稼動することができることを
意味する。エラー検出および訂正とリフレツシユ
とを合併(モード1)させることと、モード1の
エラー検出および訂正部分に対して、たとえば、
450ナノ秒の読出−変更−書込サイクルを用いる
こととによつて、エラー検出および訂正を伴なう
リフレツシユを実行するためのバンド幅はわずか
約2.9%に増加し、そのことによつて、CPU12
によるメモリの稼動率はわずか97%に減少するだ
けである。 メモリの稼動率が97%に減少する一方、メモリ
の読出/書込モード2の速度は有意に増加する。
これは、メモリ14に記憶されるデータワードが
ほとんどビツトエラーを有せず、そのことにより
エラー検出および訂正ネツトワーク16が直接に
かつ素早くデータワードをバス18へ通過させる
ことができるからである。 この発明の他の概念と主題と利点は図面および
添付された請求の範囲の研究から得られる。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/480,996 US4542454A (en) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | Apparatus for controlling access to a memory |
| US480996 | 1990-02-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60500979A JPS60500979A (ja) | 1985-06-27 |
| JPH0471223B2 true JPH0471223B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=23910168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59501428A Granted JPS60500979A (ja) | 1983-03-30 | 1984-03-14 | メモリへのアクセスを制御するための装置 |
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|---|---|
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| WO (1) | WO1984003968A1 (ja) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2138230B (en) * | 1983-04-12 | 1986-12-03 | Sony Corp | Dynamic random access memory arrangements |
| DE3332601A1 (de) * | 1983-09-09 | 1985-03-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zum registrieren von adressen von einen fehlerhaften speicherinhalt aufweisenden speicherzellen |
| JPS6134793A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | ダイナミツクメモリ装置における診断及びエラ−訂正装置 |
| US4692923A (en) * | 1984-09-28 | 1987-09-08 | Ncr Corporation | Fault tolerant memory |
| JPS61214298A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Toshiba Corp | 誤り訂正機能を備えた半導体記憶装置 |
| CA1240066A (en) * | 1985-08-15 | 1988-08-02 | John R. Ramsay | Dynamic memory refresh and parity checking circuit |
| JPH087995B2 (ja) * | 1985-08-16 | 1996-01-29 | 富士通株式会社 | ダイナミツク半導体記憶装置のリフレツシユ方法および装置 |
| US4710934A (en) * | 1985-11-08 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Random access memory with error correction capability |
| JPH0612613B2 (ja) * | 1986-03-18 | 1994-02-16 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
| US4797850A (en) * | 1986-05-12 | 1989-01-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dynamic random access memory controller with multiple independent control channels |
| US4791642A (en) * | 1986-10-17 | 1988-12-13 | Amdahl Corporation | Buffer error retry |
| JPS63140490A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Sharp Corp | ダイナミツクram |
| US4918650A (en) * | 1986-12-22 | 1990-04-17 | ON! Systems | Memory control interface apparatus |
| US4894770A (en) * | 1987-06-01 | 1990-01-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Set associative memory |
| US4884234A (en) * | 1987-06-29 | 1989-11-28 | Ncr Corporation | Dynamic RAM refresh circuit with DMA access |
| US4955024A (en) * | 1987-09-14 | 1990-09-04 | Visual Information Technologies, Inc. | High speed image processing computer with error correction and logging |
| JP2606862B2 (ja) * | 1987-12-28 | 1997-05-07 | 株式会社東芝 | 単−エラー検出・訂正方式 |
| US5301278A (en) * | 1988-04-29 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Flexible dynamic memory controller |
| US5278974A (en) * | 1989-12-04 | 1994-01-11 | Digital Equipment Corporation | Method and apparatus for the dynamic adjustment of data transfer timing to equalize the bandwidths of two buses in a computer system having different bandwidths |
| US5530934A (en) * | 1991-02-02 | 1996-06-25 | Vlsi Technology, Inc. | Dynamic memory address line decoding |
| US5448710A (en) * | 1991-02-26 | 1995-09-05 | Hewlett-Packard Company | Dynamically configurable interface cards with variable memory size |
| JPH07122865B2 (ja) * | 1992-01-02 | 1995-12-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | バス動作の動作速度を制御するようにしたバス・インターフェースを有するコンピュータ・システム |
| US5495491A (en) * | 1993-03-05 | 1996-02-27 | Motorola, Inc. | System using a memory controller controlling an error correction means to detect and correct memory errors when and over a time interval indicated by registers in the memory controller |
| IT1264443B1 (it) * | 1993-05-14 | 1996-09-23 | Alcatel Italia | Controllore per ram dinamiche e circuito per il controllo di una pluralita' di banchi di memoria ram dinamica |
| EP0643351A1 (de) * | 1993-08-11 | 1995-03-15 | Siemens Nixdorf Informationssysteme Aktiengesellschaft | Verfahren zur Erhöhung der Fehlerfreiheit von in Mikroprogrammspeichern einer Datenverarbeitungsanlage gespeicherten Mikrobefehlen und entsprechend arbeitende Mikroprogrammsteuerung |
| TW382705B (en) * | 1996-10-21 | 2000-02-21 | Texas Instruments Inc | Error correcting memory |
| US6067255A (en) * | 1997-07-03 | 2000-05-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Merged memory and logic (MML) integrated circuits including independent memory bank signals and methods |
| US5959929A (en) * | 1997-12-29 | 1999-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method for writing to multiple banks of a memory device |
| KR100363108B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2003-02-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리장치와 그 장치의 리프레쉬주기 조절방법 |
| US6119248A (en) * | 1998-01-26 | 2000-09-12 | Dell Usa L.P. | Operating system notification of correctable error in computer information |
| US6661421B1 (en) | 1998-05-21 | 2003-12-09 | Mitsubishi Electric & Electronics Usa, Inc. | Methods for operation of semiconductor memory |
| US6559851B1 (en) | 1998-05-21 | 2003-05-06 | Mitsubishi Electric & Electronics Usa, Inc. | Methods for semiconductor systems for graphics processing |
| US6535218B1 (en) | 1998-05-21 | 2003-03-18 | Mitsubishi Electric & Electronics Usa, Inc. | Frame buffer memory for graphic processing |
| US6504550B1 (en) | 1998-05-21 | 2003-01-07 | Mitsubishi Electric & Electronics Usa, Inc. | System for graphics processing employing semiconductor device |
| US6292869B1 (en) | 1998-08-31 | 2001-09-18 | International Business Machines Corporation | System and method for memory scrub during self timed refresh |
| JP2002056671A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Hitachi Ltd | ダイナミック型ramのデータ保持方法と半導体集積回路装置 |
| AU1142001A (en) * | 2000-10-19 | 2002-04-29 | Dsm N.V. | Protein hydrolysates |
| US6799291B1 (en) | 2000-11-20 | 2004-09-28 | International Business Machines Corporation | Method and system for detecting a hard failure in a memory array |
| US7278062B2 (en) * | 2003-01-09 | 2007-10-02 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for responding to access errors in a data processing system |
| DE60309157T2 (de) * | 2003-08-06 | 2007-08-30 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Speichersystem mit Fehlererkennungsvorrichtung |
| JP2005141845A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US20080080284A1 (en) * | 2006-09-15 | 2008-04-03 | Peter Mayer | Method and apparatus for refreshing memory cells of a memory |
| WO2013076523A1 (en) * | 2011-11-24 | 2013-05-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Memory access controller, data processing system, and method for managing data flow between a memory unit and a processing unit |
| JP7803703B2 (ja) * | 2021-12-06 | 2026-01-21 | 株式会社デンソー | 半導体メモリ装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4183096A (en) * | 1978-05-25 | 1980-01-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Self checking dynamic memory system |
| JPS55163680A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-19 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble driving circuit |
| US4319356A (en) * | 1979-12-19 | 1982-03-09 | Ncr Corporation | Self-correcting memory system |
| US4380812A (en) * | 1980-04-25 | 1983-04-19 | Data General Corporation | Refresh and error detection and correction technique for a data processing system |
| JPS56165989A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-19 | Fujitsu Ltd | Memory patrol system |
| US4412314A (en) * | 1980-06-02 | 1983-10-25 | Mostek Corporation | Semiconductor memory for use in conjunction with error detection and correction circuit |
| US4369510A (en) * | 1980-07-25 | 1983-01-18 | Honeywell Information Systems Inc. | Soft error rewrite control system |
-
1983
- 1983-03-30 US US06/480,996 patent/US4542454A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
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