JPH0471387B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0471387B2 JPH0471387B2 JP57231166A JP23116682A JPH0471387B2 JP H0471387 B2 JPH0471387 B2 JP H0471387B2 JP 57231166 A JP57231166 A JP 57231166A JP 23116682 A JP23116682 A JP 23116682A JP H0471387 B2 JPH0471387 B2 JP H0471387B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- wear
- resistant material
- material layer
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は一次元ラインセンサを用いる原稿読取
り装置に関し、特に一次元ラインセンサ上密着状
態で原稿を移動しながら読取りを行なうコンタク
ト方式原稿読取り装置に関する。
り装置に関し、特に一次元ラインセンサ上密着状
態で原稿を移動しながら読取りを行なうコンタク
ト方式原稿読取り装置に関する。
従来、一次元ラインセンサを用いる原稿読取り
装置としては、長さ数cmの一次元ラインセンサに
縮小光学系を用いて原稿像を結像させて原稿の読
取りを行なうものが知られている。しかしなが
ら、この種の原稿読取り装置は結像のための光路
長が長く光学系の体積が大きいためにコンパクト
な読取装置の実現は不可能であつた。
装置としては、長さ数cmの一次元ラインセンサに
縮小光学系を用いて原稿像を結像させて原稿の読
取りを行なうものが知られている。しかしなが
ら、この種の原稿読取り装置は結像のための光路
長が長く光学系の体積が大きいためにコンパクト
な読取装置の実現は不可能であつた。
一方、原稿巾と同じ長さの長尺一次元ラインセ
ンサを用いる等倍光学系を用いる場合において
は、光学系の体積は著しく減小でき、読取り装置
のコンパクト化が図れる。かかる等倍光学系を実
現する方法としては、集束性フアイバーを用いる
方法やコンタクトレンズアレイを用いる方法等が
知られている。又、こうしたフアイバーやレンズ
アレイを全く用いないで、一次元ラインセンサ上
密着状態で原稿を移動しながら読取りを行なうコ
ンタクト方式の原稿読取り方法（特開昭55−
74262号、特開昭55−75271号、特開昭56−45084
号、特開昭56−122172号）も本出願人の先出願に
係るものとして既に開発されている。
ンサを用いる等倍光学系を用いる場合において
は、光学系の体積は著しく減小でき、読取り装置
のコンパクト化が図れる。かかる等倍光学系を実
現する方法としては、集束性フアイバーを用いる
方法やコンタクトレンズアレイを用いる方法等が
知られている。又、こうしたフアイバーやレンズ
アレイを全く用いないで、一次元ラインセンサ上
密着状態で原稿を移動しながら読取りを行なうコ
ンタクト方式の原稿読取り方法（特開昭55−
74262号、特開昭55−75271号、特開昭56−45084
号、特開昭56−122172号）も本出願人の先出願に
係るものとして既に開発されている。
第１図は、上記コンタクト方式原稿読取り装置
の要部を一部破断して示す側断面図で、該装置を
概略説明するに、透明基板１１上に形成された一
次元ラインセンサを構成する複数個の受光素子１
２に、透明基板１１の照明窓１３を通つして入射
した光（この入射光に対しては受光素子１２は遮
光層１６によつて遮光されている）で原稿１４を
照明し、その反射光を受光素子１２で受けるよう
に構成され、不図示の電極配線を介して読み取り
信号を取り出すものである。したがつて、原稿１
４と受光素子１２間の間隔は、通常0.1mm程度と
して４〜８本／mmの読取り解像力が得られるが、
このような解像力を確保するためには、上記間隔
は厳密に制御されなければならない。該間隔の制
御は、透明耐摩耗材層１５を受光素子１２の上面
に被覆形成することによつて行なわれる。
の要部を一部破断して示す側断面図で、該装置を
概略説明するに、透明基板１１上に形成された一
次元ラインセンサを構成する複数個の受光素子１
２に、透明基板１１の照明窓１３を通つして入射
した光（この入射光に対しては受光素子１２は遮
光層１６によつて遮光されている）で原稿１４を
照明し、その反射光を受光素子１２で受けるよう
に構成され、不図示の電極配線を介して読み取り
信号を取り出すものである。したがつて、原稿１
４と受光素子１２間の間隔は、通常0.1mm程度と
して４〜８本／mmの読取り解像力が得られるが、
このような解像力を確保するためには、上記間隔
は厳密に制御されなければならない。該間隔の制
御は、透明耐摩耗材層１５を受光素子１２の上面
に被覆形成することによつて行なわれる。
ところで、上記コンタクト方式原稿読取り装置
においては、原稿１４が耐摩耗材層１５上をすべ
り移動（副走査）して順次読取りが行なわれるた
め耐摩耗性の高い材料であつても、摩耗が徐々に
進行し、耐摩耗材層１５の表面に微細な凹凸（荒
れ）ができて光の散乱がおこる。このために、受
光素子１２で得られるSN比（Ｓ／Ｎ）が劣化し
解像力も低下するという問題を生ずる。
においては、原稿１４が耐摩耗材層１５上をすべ
り移動（副走査）して順次読取りが行なわれるた
め耐摩耗性の高い材料であつても、摩耗が徐々に
進行し、耐摩耗材層１５の表面に微細な凹凸（荒
れ）ができて光の散乱がおこる。このために、受
光素子１２で得られるSN比（Ｓ／Ｎ）が劣化し
解像力も低下するという問題を生ずる。
本発明の目的は、上記の問題点を解決した高性
能のコンタクト方式原稿読取り装置を提供するこ
とにある。
能のコンタクト方式原稿読取り装置を提供するこ
とにある。
本発明による原稿読取り装置は、原稿に対向し
て配される受光素子列、該受光素子列と原稿との
間に設けられ、その一部に原稿から受光素子列へ
の光の入射を許す受光窓を有する遮光層および前
記受光素子列と原稿との間に設けられた耐摩耗材
層からなり、前記原稿の一部領域からの光を前記
受光素子列で検出するコンタクト方式原稿読取り
装置において、前記遮光層および耐摩耗材層が、
前記受光素子列側から順に、該受光素子列を覆う
第１の耐摩耗材層、遮光層および前記原稿の一部
領域に対向する部位に凹溝を設けた第２の耐摩耗
材層を積層することによつて形成されたことを特
徴とするものである。
て配される受光素子列、該受光素子列と原稿との
間に設けられ、その一部に原稿から受光素子列へ
の光の入射を許す受光窓を有する遮光層および前
記受光素子列と原稿との間に設けられた耐摩耗材
層からなり、前記原稿の一部領域からの光を前記
受光素子列で検出するコンタクト方式原稿読取り
装置において、前記遮光層および耐摩耗材層が、
前記受光素子列側から順に、該受光素子列を覆う
第１の耐摩耗材層、遮光層および前記原稿の一部
領域に対向する部位に凹溝を設けた第２の耐摩耗
材層を積層することによつて形成されたことを特
徴とするものである。
第２図ａ，ｂに示すコンタクト方式原稿読取り
装置の参考例について説明するに、まず透明基板
２１上にCr蒸着膜の遮光層２６を形成し、次い
でホトリソエツチング行なつて照明窓２３を形成
した。続いて導電性Cr蒸着膜の遮光層２６を被
覆するように全面にSiH4とN2混合ガスをREグロ
ー放電分解法によつて3μｍ厚のSiNH絶縁膜２７
を形成し、更にSiH4ガスをREグロー放電分解し
て0.5μｍ厚の非晶質シリコン膜を形成した。そこ
で再びホトリソエツチングによつて75μ□の半導
体部（非晶質シリコン）として残る受光素子２２
の列を形成し、更にAl金属を全面被覆しホトリ
ソエツチングによつて電極配線２２−１，２２−
２を形成した。続いて受光素子２２および電極配
線２２−１，２２−２の保護用に1μｍ厚のSiNH
絶縁膜２８を被覆形成した。最後に紫外線硬化型
ポリマー（アクリルウレタン樹脂：関西ペイント
社製）を70μｍ厚にデイツピング塗布乾燥後受光
素子列上に合わせて100μｍのワイヤーを張つて
紫外線を全幅にわたつて照射し、続いてポリマー
を溶解する溶剤として例えばメチル・エチル・ケ
トン（MEK）を用いて受光素子列上のポリマー
のみを洗い出し、照明窓２３および受光素子２２
列に対する照明光反射区域の耐摩耗材層２５の部
位に凹溝２９を形成した。
装置の参考例について説明するに、まず透明基板
２１上にCr蒸着膜の遮光層２６を形成し、次い
でホトリソエツチング行なつて照明窓２３を形成
した。続いて導電性Cr蒸着膜の遮光層２６を被
覆するように全面にSiH4とN2混合ガスをREグロ
ー放電分解法によつて3μｍ厚のSiNH絶縁膜２７
を形成し、更にSiH4ガスをREグロー放電分解し
て0.5μｍ厚の非晶質シリコン膜を形成した。そこ
で再びホトリソエツチングによつて75μ□の半導
体部（非晶質シリコン）として残る受光素子２２
の列を形成し、更にAl金属を全面被覆しホトリ
ソエツチングによつて電極配線２２−１，２２−
２を形成した。続いて受光素子２２および電極配
線２２−１，２２−２の保護用に1μｍ厚のSiNH
絶縁膜２８を被覆形成した。最後に紫外線硬化型
ポリマー（アクリルウレタン樹脂：関西ペイント
社製）を70μｍ厚にデイツピング塗布乾燥後受光
素子列上に合わせて100μｍのワイヤーを張つて
紫外線を全幅にわたつて照射し、続いてポリマー
を溶解する溶剤として例えばメチル・エチル・ケ
トン（MEK）を用いて受光素子列上のポリマー
のみを洗い出し、照明窓２３および受光素子２２
列に対する照明光反射区域の耐摩耗材層２５の部
位に凹溝２９を形成した。
以上のようにして得られた構成を有する参考例
装置によれば、原稿２４は照明窓２３および受光
素子列の部分が凹溝２９となつているので、受光
素子２２列に対する照明光反射区域では原稿２４
は凹溝２９の両側の耐摩耗材層２５，２５に橋架
状態で矢印方向に移動し、長期にわたる反覆多数
回の読取りに対しても安定したSN比と解像力が
得られた。
装置によれば、原稿２４は照明窓２３および受光
素子列の部分が凹溝２９となつているので、受光
素子２２列に対する照明光反射区域では原稿２４
は凹溝２９の両側の耐摩耗材層２５，２５に橋架
状態で矢印方向に移動し、長期にわたる反覆多数
回の読取りに対しても安定したSN比と解像力が
得られた。
受光素子２２列に対する照明光反射区域の耐摩
耗材層部位に凹溝を形成するには、上記した方法
に限られるものではなく、該当する部位を残して
100μｍ厚程度のフイルムやガラスを張付ける方
法や、機械的に凹溝切削する等種々の方法を採用
することができ、要は該当する部位に凹溝を形成
して、該部位における移動原稿と耐摩耗材層間の
摩擦摺接をなくすることで所期の目的を達成する
ことができる。
耗材層部位に凹溝を形成するには、上記した方法
に限られるものではなく、該当する部位を残して
100μｍ厚程度のフイルムやガラスを張付ける方
法や、機械的に凹溝切削する等種々の方法を採用
することができ、要は該当する部位に凹溝を形成
して、該部位における移動原稿と耐摩耗材層間の
摩擦摺接をなくすることで所期の目的を達成する
ことができる。
第３図は、本発明の実施例を示すもので、図中
３１は透明基板、３２は受光素子、３３は照明
窓、３４は原稿、３５は硬化ポリマーからなる耐
摩耗材層、３７，３８はSiNH絶縁層である。以
上は第２図に示す参考例とほぼ同様な構成である
が第３図に示す実施例においては、耐摩耗材層３
５の上にCr等の金属蒸着による遮光層３６′を設
け、該遮光層３６′の所要部位に照明窓３３′を形
成した。さらに、第２図について説明したと同様
にして凹溝３９を形成した耐摩耗材層３５′を前
記遮光層３６′上に設ける。この実施例において
は受光素子３２の列がそれぞれ照明窓３３および
３３′を有する二つの遮光層３６、３６′間に配置
されているので第２図に示す参考例に比して解像
力を向上せしめるのに効果的である。
３１は透明基板、３２は受光素子、３３は照明
窓、３４は原稿、３５は硬化ポリマーからなる耐
摩耗材層、３７，３８はSiNH絶縁層である。以
上は第２図に示す参考例とほぼ同様な構成である
が第３図に示す実施例においては、耐摩耗材層３
５の上にCr等の金属蒸着による遮光層３６′を設
け、該遮光層３６′の所要部位に照明窓３３′を形
成した。さらに、第２図について説明したと同様
にして凹溝３９を形成した耐摩耗材層３５′を前
記遮光層３６′上に設ける。この実施例において
は受光素子３２の列がそれぞれ照明窓３３および
３３′を有する二つの遮光層３６、３６′間に配置
されているので第２図に示す参考例に比して解像
力を向上せしめるのに効果的である。
以上の説明によつて明らかなように、本発明に
よれば、受光素子列側から順に、受光素子列を覆
う第１の耐摩耗材層、遮光層および原稿の一部領
域に対向する部位に凹溝を設けた第２の耐摩耗材
層を積層したのでSN比および解像力を向上せし
めるとともに長期間の使用によつても性能の低下
を来たすことなく従来のこの種装置に比較して優
れたコンタクト方式原稿読取り装置を提供するも
のである。
よれば、受光素子列側から順に、受光素子列を覆
う第１の耐摩耗材層、遮光層および原稿の一部領
域に対向する部位に凹溝を設けた第２の耐摩耗材
層を積層したのでSN比および解像力を向上せし
めるとともに長期間の使用によつても性能の低下
を来たすことなく従来のこの種装置に比較して優
れたコンタクト方式原稿読取り装置を提供するも
のである。
第１図は従来のコンタクト方式原稿読取り装置
の要部を一部破断して示す側断面図、第２図ａ，
ｂはコンタクト方式原稿読取り装置の参考例を示
し、ａは要部を一部破断して示す側断面図ｂは同
じく平面図である。第３図は本発明の実施例を示
す第２図ａと同様な側断面図である。 １１……透明基板、１２……受光素子、１３…
…照明窓、１４……原稿、１５……透明耐摩耗材
層、１６……遮光層、２１……透明基板、２２…
…受光素子、２２−１，２２−２……電極配線、
２３……照明窓、２４……原稿、２５……透明耐
摩耗材層、２６……遮光層、２７，２８……
SiNH絶縁膜、２９……凹溝、３１……透明基
板、３２……受光素子、３３，３３′……照明窓、
３４……原稿、３５，３５′……透明耐摩耗材層、
３６，３６′……遮光層、３７，３８……SiNH
絶縁層、３９……凹溝。
の要部を一部破断して示す側断面図、第２図ａ，
ｂはコンタクト方式原稿読取り装置の参考例を示
し、ａは要部を一部破断して示す側断面図ｂは同
じく平面図である。第３図は本発明の実施例を示
す第２図ａと同様な側断面図である。 １１……透明基板、１２……受光素子、１３…
…照明窓、１４……原稿、１５……透明耐摩耗材
層、１６……遮光層、２１……透明基板、２２…
…受光素子、２２−１，２２−２……電極配線、
２３……照明窓、２４……原稿、２５……透明耐
摩耗材層、２６……遮光層、２７，２８……
SiNH絶縁膜、２９……凹溝、３１……透明基
板、３２……受光素子、３３，３３′……照明窓、
３４……原稿、３５，３５′……透明耐摩耗材層、
３６，３６′……遮光層、３７，３８……SiNH
絶縁層、３９……凹溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 原稿に対向して配される受光素子列、該受光
素子列と原稿との間に設けられ、その一部に原稿
から受光素子列への光の入射を許す受光窓を有す
る遮光層および前記受光素子列と原稿との間に設
けられた耐摩耗材層からなり、前記原稿の一部領
域からの光を前記受光素子列で検出するコンタク
ト方式原稿読取り装置において、 前記遮光層および耐摩耗材層が、前記受光素子
列側から順に、該受光素子列を覆う第１の耐摩耗
材層、遮光層および前記原稿の一部領域に対向す
る部位に凹溝を設けた第２の耐摩耗材層を積層す
ることによつて形成されたことを特徴とするコン
タクト方式原稿読取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231166A JPS59122274A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | コンタクト方式原稿読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231166A JPS59122274A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | コンタクト方式原稿読取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59122274A JPS59122274A (ja) | 1984-07-14 |
| JPH0471387B2 true JPH0471387B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=16919344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231166A Granted JPS59122274A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | コンタクト方式原稿読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59122274A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262563A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Nec Corp | 密着形イメ−ジセンサ |
| DE3789846T2 (de) * | 1986-10-07 | 1994-09-22 | Canon Kk | Bildablesesystem. |
| US5097304A (en) * | 1986-10-07 | 1992-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device with voltage biases |
| US4805032A (en) * | 1987-04-20 | 1989-02-14 | Ricoh Company, Ltd. | Total contact type photoelectric conversion device and optical reader using the same |
| JPH0747874Y2 (ja) * | 1987-07-22 | 1995-11-01 | 沖電気工業株式会社 | 密着型イメ−ジセンサ |
| US4943839A (en) * | 1987-08-19 | 1990-07-24 | Ricoh Company, Ltd. | Contact type image sensor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5439590A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photo electric converter |
| JPS5846182B2 (ja) * | 1979-09-20 | 1983-10-14 | 日本電信電話株式会社 | 光電変換装置 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57231166A patent/JPS59122274A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59122274A (ja) | 1984-07-14 |
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