JPH0471687B2 - - Google Patents

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JPH0471687B2
JPH0471687B2 JP27453687A JP27453687A JPH0471687B2 JP H0471687 B2 JPH0471687 B2 JP H0471687B2 JP 27453687 A JP27453687 A JP 27453687A JP 27453687 A JP27453687 A JP 27453687A JP H0471687 B2 JPH0471687 B2 JP H0471687B2
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JP
Japan
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ingot
wafer
columnar material
cut
cutting
Prior art date
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Expired
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JP27453687A
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English (en)
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JPH01115603A (ja
Inventor
Katsuo Honda
Susumu Sawafuji
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Priority to DE88101301T priority patent/DE3884903T2/de
Priority to EP19920119722 priority patent/EP0534499A3/en
Priority to US07/150,376 priority patent/US4852304A/en
Priority to EP88101301A priority patent/EP0313714B1/en
Priority to KR1019880001384A priority patent/KR930001284B1/ko
Priority to US07/344,956 priority patent/US4894956A/en
Publication of JPH01115603A publication Critical patent/JPH01115603A/ja
Publication of JPH0471687B2 publication Critical patent/JPH0471687B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/06Grinders for cutting-off
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/003Multipurpose machines; Equipment therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/028Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体等の製造工程において、柱状体
材料を薄いウエハに切断するウエハの切断方法に
関する。
〔従来技術〕
従来、半導体等の柱状体材料(シリコン、合成
石英ガラス等)を薄片状に切断し、ウエハを製造
する装置として、スライシングマシンが使用され
ている。
ところで、このスライシングマシンは、インゴ
ツトを切断する切断刃の摩耗、目詰まり等によ
り、切断刃が受ける切断抵抗を一定に維持できな
い場合がある。このような場合、第4図に示すよ
うに、切断刃100は、切断方向に対して不規則
に移動し、ウエハ102の切断面に、反り、ソー
マーク(凹凸)104等が形成される。
一方、半導体材料は大径化の傾向があり、大径
化が進む程インゴツトを切断してウエハを製造す
る際、ウエハに大きな反り等が発生し、この反り
は、後工程のラツピング等では修正できない。
そこで、特開昭61−106207号公報において、ウ
エハの反り等を除去する方法が開示されている。
この方法は、内周刃に近接してカツプ型砥石を配
置して、インゴツト切断面を平面研削し、その
後、内周刃でインゴツトを薄片状に切断し、その
後カツプ型砥石で研磨し、この操作を繰返してウ
エハを切断するものである。切断されたウエハ
は、片面が平面研磨されていることにより、後工
程の研磨砥石によるラツピングで反り等のないウ
エハに加工することが可能である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、前記公報の切断方法では、研磨
工程、切断工程、ウエハ厚み方向の割出し送り工
程が独立して行われ、この結果、ウエハの切断作
業効率が悪いという問題がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもの
で、ウエハの切断作業効率を良くするウエハの切
断方法を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、前記目的を達成するために、柱状体
材料を回転しながら薄片状に切断し、次に柱状体
材料を所定量薄片の厚さ方向に割出し送りし、再
び柱状体材料を薄片状に切断し、この操作を繰返
して柱状体材料を薄片状に切断するウエハの切断
方法に於いて、 前記柱状体材料の割出し送り時に、前記柱状体
材料の軸心をカツプ型砥石の環状研削部に一致さ
せ、柱状体材料を回転させながら柱状体材料の切
断端面を前記砥石により研磨することを特徴とす
る。
〔作 用〕
本発明のウエハの切断方法によれば、インゴツ
トを回転させながら薄片状に切断する。次にイン
ゴツトの割出し送り時に、インゴツトを回転させ
ながら砥石でインゴツト切断面を研磨する。再び
インゴツトを回転させながら薄片状に切断し、こ
の操作を繰返してウエハを製造する。これによ
り、ウエハの切断作業の効率を高めることができ
る。
〔実施例〕
以下添付図面に従つて本発明に係るウエハ切断
方法の好ましい実施例を詳説する。
第1図は、本発明の実施に使用されるウエハ切
断装置の全体斜視図で、このウエハ切断装置10
の本体12の上面には、内周刃14が配置され、
この内周刃14内には第2図に示すカツプ型の砥
石16が同軸上に回転自在に取り付けられてい
る。
また、本体12には本体12の側面から内周刃
14の略中央部まで伸びているウエハ回収装置2
2が取り付けられている。さらに、ウエハ回収装
置22の先端の吸着パツド22Aに臨んでウエハ
の搬送装置24、および搬送されたウエハを収納
する収納ケース26が配置されている。
また、本体12の上面には、切断送りテーブル
28が第1図に示す矢印A,B方向に摺動自在に
支持され、図示しない駆動源により往復動され
る。また、切断送りテーブル28の左端部に支柱
30が立設されている。支柱30の正面にはモー
タケース32が取付けられ、モータケース32
は、その内部にインゴツト34を軸心を中心に回
転させる図示しないモータを有している。また、
モータケース32は図示しない割出しスライダを
介して、支柱30の長手方向、即ち上下方向に移
動自在に支持されている。この割出しスライダ
は、支柱30の長手方向に取付けられている図示
しない送りねじと螺合し、この送りねじを回転す
ることにより上下方向に移動することができる。
これにより、インゴツト34は、その軸芯を中心
に回転することが出来ると共に、矢印A、B方向
(切断方向)および上下方向(ウエハ厚み調整方
向)に移動することができる。
ここで内周刃14と砥石16との構造について
第2図a,bに従つて説明する。内周刃14は、
チヤツクボデイ42に一定の張力を持たせて固着
したブレード44に形成されている。また、砥石
16はカツプ型に形成され、周縁に環状研削部4
0が形成され、この研削部40は同一平面状にな
るように形成されている。
第2図のa,bは本発明のウエハ切断方法を示
す図である。第2図のaは、インゴツト34の切
断面38の研磨状態を示す。先ず、インゴツト3
4は、内周刃14で切断された後、インゴツト3
4がB方向に移動してその軸心Pを砥石16の研
削部40の上方に位置させる。次に、第2図のa
に示すように、インゴツト34を回転させると共
に下方向(砥石16の方向)に移動させることに
より割出し送りを行い、割出し送り終了後、イン
ゴツト34の下方向への移動を停止させる。次い
で、砥石16を、回転させながら上方向(インゴ
ツト34の方向)に移動させて、第3図に示すよ
うに、インゴツト34の切断面38を研磨する。
これにより、インゴツト34は、割出し送り時に
その切断面38を砥石16の研削部40により研
磨される。
研磨終了後、第2図のbに示すように、砥石1
6は下方向(インゴツト34と反対方向)へ逃げ
る。同時にインゴツト34は、回転しながら矢印
A方向へ移動し、内周刃14により切断される。
この時、内周刃14はインゴツト34が回転して
いるので、インゴツト34の全周からわずかづつ
切込みを行うことになる。このようにして、内周
刃14は、インゴツト34を薄片状に切断する。
切断後、インゴツト34を再びB方向に移動して
砥石16の研削部40の上方に位置させ、インゴ
ツト34の割出し送り時に研磨を行う。以下、こ
の操作を繰返してインゴツト34が順次薄片状に
切断される。
このように、インゴツト34の割出し送り時に
切断面の研磨を行うことにより、ウエハの切断作
業を効率良く短時間で行うことができる。
さらに、本発明のウエハの切断方法によれば、
インゴツトを回転方式の為に生じるインゴツト3
4の切断面中央の残り突起を砥石16で研磨する
ので、従来生じていた残り突起が無くなる。
前記実施例では、割出し送り終了後インゴツト
34の下降を停止し、砥石16を上昇させること
によりインゴツト34の切断面38を研磨した。
しかし、これに限らず、砥石16を研磨位置にセ
ツト後、インゴツト34を下降させることにより
切断面38を研磨してもよく、また、インゴツト
34の下降中に、砥石16を上昇させ、切断面3
8を研磨してもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明に係るウエハの切断
方法によれば、インゴツトのウエハ厚み方向の割
出し送り時にインゴツト切断面の研磨を行うの
で、ウエハの切断作業を効率良く行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るウエハ切断装置の全体斜
視図、第2図のa,bは本発明に係るウエハ切断
方法の実施例を示す断面図、第3図は第2図aの
A−A断面図、第4図は従来のスライシングマシ
ンによるインゴツトの切断状態を示す正面図であ
る。 14…内周刃、34…インゴツト、38…切断
面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 柱状体材料を回転しながら薄片状に切断し、
    次に柱状体材料を所定量薄片の厚さ方向に割出し
    送りし、再び柱状体材料を薄片状に切断し、この
    操作を繰返して柱状体材料を薄片状に切断するウ
    エハの切断方法に於いて、 前記柱状体材料の割出し送り時に、前記柱状体
    材料の軸心をカツプ型砥石の環状研削部に一致さ
    せ、柱状体材料を回転させながら柱状体材料の切
    断端面を前記砥石により研磨することを特徴とす
    るウエハの切断方法。
JP62274536A 1987-10-29 1987-10-29 ウエハの切断方法 Granted JPH01115603A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62274536A JPH01115603A (ja) 1987-10-29 1987-10-29 ウエハの切断方法
DE88101301T DE3884903T2 (de) 1987-10-29 1988-01-29 Vorrichtung und Verfahren zum Abschneiden einer Halbleiterscheibe.
EP19920119722 EP0534499A3 (en) 1987-10-29 1988-01-29 Method for slicing a wafer
US07/150,376 US4852304A (en) 1987-10-29 1988-01-29 Apparatus and method for slicing a wafer
EP88101301A EP0313714B1 (en) 1987-10-29 1988-01-29 Apparatus and method for slicing a wafer
KR1019880001384A KR930001284B1 (ko) 1987-10-29 1988-02-13 웨이퍼 절단장치 및 그 방법
US07/344,956 US4894956A (en) 1987-10-29 1989-04-28 Apparatus and method for slicing a wafer

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JPH01115603A JPH01115603A (ja) 1989-05-08
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JPH01115603A (ja) 1989-05-08

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