JPH07323420A - ウェーハ製造方法及びその装置 - Google Patents
ウェーハ製造方法及びその装置Info
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- JPH07323420A JPH07323420A JP6121436A JP12143694A JPH07323420A JP H07323420 A JPH07323420 A JP H07323420A JP 6121436 A JP6121436 A JP 6121436A JP 12143694 A JP12143694 A JP 12143694A JP H07323420 A JPH07323420 A JP H07323420A
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- cutting
- wafer
- grindstone
- cut
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
- H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H10P90/128—Preparing bulk and homogeneous wafers by edge treatment, e.g. chamfering
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D5/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting only by their periphery; Bushings or mountings therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェーハ製造の作業能率を向上させることがで
きると共に、ウェーハの面取り部の鏡面化要求に対応さ
せるのに最適なウェーハ製造方法及びその装置を提供す
る。 【構成】回転するブレード１２に回転するインゴット１
０を押し当てて切断する切断中に、その切断溝６０の外
周に算盤玉形状の砥石５０を当てる。これにより、イン
ゴット１０を切断する過程において、切断されるウェー
ハ６２の面取りも同時に行う。また、インゴット１０を
ブレード１２で切断す切断開始前に、切断位置外周に砥
石５０を当てて該切断位置外周に沿って略Ｖ字形状の溝
を形成することにより面取りを行ってもよい。
きると共に、ウェーハの面取り部の鏡面化要求に対応さ
せるのに最適なウェーハ製造方法及びその装置を提供す
る。 【構成】回転するブレード１２に回転するインゴット１
０を押し当てて切断する切断中に、その切断溝６０の外
周に算盤玉形状の砥石５０を当てる。これにより、イン
ゴット１０を切断する過程において、切断されるウェー
ハ６２の面取りも同時に行う。また、インゴット１０を
ブレード１２で切断す切断開始前に、切断位置外周に砥
石５０を当てて該切断位置外周に沿って略Ｖ字形状の溝
を形成することにより面取りを行ってもよい。
Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明はウェーハ製造方法及びその
装置に係り、特に、ウェーハ製造作業の能率向上を図る
ことのできるウェーハ製造方法及びその装置に関する。
装置に係り、特に、ウェーハ製造作業の能率向上を図る
ことのできるウェーハ製造方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】インゴットをウェーハに切断する装置と
しては通常スライシング装置が用いられ、インゴットを
切断送り方向に送る切断送りテーブルに固定し、回転し
ているブレードに対して切断送りテーブルの割出し機構
によりインゴットをブレード（通常は内周刃ブレードを
使用する）の切断位置まで降下させた後、切断送りテー
ブルを切断方向に送ることにより、インゴットをブレー
ドに押し当てて薄板状のウェーハに切断する。一方、イ
ンゴット自体を回転させながら回転するブレードに押し
当てる回転切断方式のスライシング装置もあり、この装
置は切断時間を短縮させることができるという特徴があ
る。
しては通常スライシング装置が用いられ、インゴットを
切断送り方向に送る切断送りテーブルに固定し、回転し
ているブレードに対して切断送りテーブルの割出し機構
によりインゴットをブレード（通常は内周刃ブレードを
使用する）の切断位置まで降下させた後、切断送りテー
ブルを切断方向に送ることにより、インゴットをブレー
ドに押し当てて薄板状のウェーハに切断する。一方、イ
ンゴット自体を回転させながら回転するブレードに押し
当てる回転切断方式のスライシング装置もあり、この装
置は切断時間を短縮させることができるという特徴があ
る。
【０００３】また、切断されたウェーハは、ウェーハ外
周がエッジ状（ウェーハの外周と端面が略直角な状態）
になっている。この為、ウェーハの外周部分にチッピン
グ（微小な欠け）が発生し易く、また、ウェーハ外周部
分への僅かな衝撃によりウェーハが割れ易くなるので、
ウェーハの製造歩留りを低下させる。このことから、ス
ライシング装置で切断されたウェーハ端面をラッピング
装置でラッピングを行う前に、ウェーハ外周の面取りを
行い、チッピングやウェーハの割れを防止している。そ
して、従来、ウェーハの面取りは、スライシング装置と
ラッピング装置との間にエッジグラインディング装置を
設け、切断されたウェーハ外周部分の面取を行ってい
た。
周がエッジ状（ウェーハの外周と端面が略直角な状態）
になっている。この為、ウェーハの外周部分にチッピン
グ（微小な欠け）が発生し易く、また、ウェーハ外周部
分への僅かな衝撃によりウェーハが割れ易くなるので、
ウェーハの製造歩留りを低下させる。このことから、ス
ライシング装置で切断されたウェーハ端面をラッピング
装置でラッピングを行う前に、ウェーハ外周の面取りを
行い、チッピングやウェーハの割れを防止している。そ
して、従来、ウェーハの面取りは、スライシング装置と
ラッピング装置との間にエッジグラインディング装置を
設け、切断されたウェーハ外周部分の面取を行ってい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように面取加工後にラッピング加工を行うと、面取加工
時に、例えば、♯８００の砥石での荒研削と♯１５００
の砥石での仕上研削により面取りを行い、面取り部（ウ
ェーハ外周部分）を滑面化した後にラッピングを行う
為、せっかく滑面化した面取部が再び♯８００程度の研
削面になってしまう。従って、♯１５００で仕上げた良
好な面取り部が最後まで維持できない。この為、ウェー
ハの面取り部の鏡面化要求に答えるためには、ラッピン
グ加工前に粗い面取り工程を設け、更に、ラッピング後
に仕上げ面取り工程を設けざるを得ないため工程が一つ
多くなり、ウェーハ製造における作業能率の低下を招く
という欠点がある。
ように面取加工後にラッピング加工を行うと、面取加工
時に、例えば、♯８００の砥石での荒研削と♯１５００
の砥石での仕上研削により面取りを行い、面取り部（ウ
ェーハ外周部分）を滑面化した後にラッピングを行う
為、せっかく滑面化した面取部が再び♯８００程度の研
削面になってしまう。従って、♯１５００で仕上げた良
好な面取り部が最後まで維持できない。この為、ウェー
ハの面取り部の鏡面化要求に答えるためには、ラッピン
グ加工前に粗い面取り工程を設け、更に、ラッピング後
に仕上げ面取り工程を設けざるを得ないため工程が一つ
多くなり、ウェーハ製造における作業能率の低下を招く
という欠点がある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、ウェーハ製造の作業能率を向上させることが
できると共に、ウェーハの面取り部の鏡面化要求に対応
させるのに最適なウェーハ製造方法及びその装置を提供
することを目的とする。
たもので、ウェーハ製造の作業能率を向上させることが
できると共に、ウェーハの面取り部の鏡面化要求に対応
させるのに最適なウェーハ製造方法及びその装置を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、回転するブレードに対してインゴットを回転
させながら押し当てて該インゴットを薄板状のウェーハ
に切断するウェーハ製造方法に於いて、前記インゴット
の切断中に、その切断溝の外周に所定形状の砥石を当て
ることにより切断されるウェーハの面取りを行うことを
特徴とする。
する為に、回転するブレードに対してインゴットを回転
させながら押し当てて該インゴットを薄板状のウェーハ
に切断するウェーハ製造方法に於いて、前記インゴット
の切断中に、その切断溝の外周に所定形状の砥石を当て
ることにより切断されるウェーハの面取りを行うことを
特徴とする。
【０００７】また、本発明は、前記目的を達成する為
に、回転するブレードに対してインゴットを回転させな
がら押し当てて該インゴットを薄板状のウェーハに切断
するウェーハ製造方法に於いて、前記インゴットの切断
開始前に、該切断位置外周に所定形状の砥石を当てて該
切断位置外周に沿って略Ｖ字形状の溝を形成することに
より切断されるウェーハの面取りを行うことを特徴とす
る。
に、回転するブレードに対してインゴットを回転させな
がら押し当てて該インゴットを薄板状のウェーハに切断
するウェーハ製造方法に於いて、前記インゴットの切断
開始前に、該切断位置外周に所定形状の砥石を当てて該
切断位置外周に沿って略Ｖ字形状の溝を形成することに
より切断されるウェーハの面取りを行うことを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】本発明によれば、回転するブレードに対して回
転するインゴットを押し当ててインゴットを切断する切
断中に、その切断溝の外周に所定形状の砥石を当てる。
或いは、インゴットの切断開始前に、該切断位置外周に
所定形状の砥石を当てて該切断位置外周に沿って略Ｖ字
形状の溝を形成する。これにより、インゴットをブレー
ドで切断する過程において、インゴットから切断される
ウェーハの面取りも同時に行うことができる。
転するインゴットを押し当ててインゴットを切断する切
断中に、その切断溝の外周に所定形状の砥石を当てる。
或いは、インゴットの切断開始前に、該切断位置外周に
所定形状の砥石を当てて該切断位置外周に沿って略Ｖ字
形状の溝を形成する。これにより、インゴットをブレー
ドで切断する過程において、インゴットから切断される
ウェーハの面取りも同時に行うことができる。
【０００９】また、砥石をインゴットの周面形状になら
わせて面取りするならい手段を設けたので、オリエンテ
ーションフラットを有するインゴットの面取りも精度良
く行うことができる。
わせて面取りするならい手段を設けたので、オリエンテ
ーションフラットを有するインゴットの面取りも精度良
く行うことができる。
【００１０】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係るウェーハ
製造方法及びその装置の好ましい実施例について詳説す
る。図１は、本発明が適用されたウェーハ製造装置の全
体構成図を示す斜視図である。このウェーハ製造装置
は、主として、インゴット１０（柱状体材料）を切断す
るための刃部１２Ａが内周縁に形成された内周刃式ブレ
ード１２を有する本体１８と、インゴット１０の基端部
を固定し、且つインゴット１０を上下方向に移動させる
割出スライダ２０、インゴット１０を回転させるインゴ
ット用モータ１６を備えた支柱２２、切断されるインゴ
ット１０の切断周面の面取りを行う面取り装置３０を備
えた切断送りテーブル２８とから構成される。即ち、本
発明のウェーハ製造装置は、インゴット１０の切断機能
とインゴット１０から切断されるウェーハの面取り機能
とが一体的に組み込まれている。
製造方法及びその装置の好ましい実施例について詳説す
る。図１は、本発明が適用されたウェーハ製造装置の全
体構成図を示す斜視図である。このウェーハ製造装置
は、主として、インゴット１０（柱状体材料）を切断す
るための刃部１２Ａが内周縁に形成された内周刃式ブレ
ード１２を有する本体１８と、インゴット１０の基端部
を固定し、且つインゴット１０を上下方向に移動させる
割出スライダ２０、インゴット１０を回転させるインゴ
ット用モータ１６を備えた支柱２２、切断されるインゴ
ット１０の切断周面の面取りを行う面取り装置３０を備
えた切断送りテーブル２８とから構成される。即ち、本
発明のウェーハ製造装置は、インゴット１０の切断機能
とインゴット１０から切断されるウェーハの面取り機能
とが一体的に組み込まれている。
【００１１】内周刃式ブレード１２は、回転体１９（図
７参照）の上端に固定され、高速で回転できるようにな
っており、切断送りテーブル２８の割出スライダ２０に
よりインゴット１０が矢印Ｄ方向に下降した後、インゴ
ット用モータ１６がインゴット１０を回転させた状態で
切断送りテーブル２８が切断方向（矢印Ａ方向）に移動
し、インゴット１０を薄板状のウェーハに切断する。
７参照）の上端に固定され、高速で回転できるようにな
っており、切断送りテーブル２８の割出スライダ２０に
よりインゴット１０が矢印Ｄ方向に下降した後、インゴ
ット用モータ１６がインゴット１０を回転させた状態で
切断送りテーブル２８が切断方向（矢印Ａ方向）に移動
し、インゴット１０を薄板状のウェーハに切断する。
【００１２】次に、図２に従って、面取り装置３０につ
いて説明する。この面取り装置３０は、主として基台３
２と基台３２上を慴動するスライド部材３４とスライド
部材３４に固定された支柱３６と、支柱３６に沿って移
動するアーム４０とアーム４０の先端に回動自在に取付
けられた砥石５０と、砥石５０を回転させる砥石モータ
５１とから構成されている。
いて説明する。この面取り装置３０は、主として基台３
２と基台３２上を慴動するスライド部材３４とスライド
部材３４に固定された支柱３６と、支柱３６に沿って移
動するアーム４０とアーム４０の先端に回動自在に取付
けられた砥石５０と、砥石５０を回転させる砥石モータ
５１とから構成されている。
【００１３】基台３２は、ボルト３２Ａ等によって切断
送りテーブル２８に固定されている。また、基台３２上
にはガイドレール３２Ｂ及びナット部材３２Ｃが固定配
設されている。スライド部材３４は前記ガイドレール３
２Ｂ上を走行するリニアベアリング３４Ａ及びステッピ
ングモータ３５を有し、このステッピングモータ３５は
前記ナット部材３２Ｃと螺合するリードスリュウー３５
Ａを回転させることができる。従って、ステッピングモ
ータ３５によってリードスクリュー３５Ａを回転させる
と、スライド部材３４は基台３２上を図２上で左右方向
に移動することができる。
送りテーブル２８に固定されている。また、基台３２上
にはガイドレール３２Ｂ及びナット部材３２Ｃが固定配
設されている。スライド部材３４は前記ガイドレール３
２Ｂ上を走行するリニアベアリング３４Ａ及びステッピ
ングモータ３５を有し、このステッピングモータ３５は
前記ナット部材３２Ｃと螺合するリードスリュウー３５
Ａを回転させることができる。従って、ステッピングモ
ータ３５によってリードスクリュー３５Ａを回転させる
と、スライド部材３４は基台３２上を図２上で左右方向
に移動することができる。
【００１４】また、支柱３６には、上下方向にガイドレ
ール３６Ａが配設されると共に、上部に正逆回転モータ
３７が配設されている。また、ガイドレール３６Ａに沿
ってネジ棒３７Ａが設けられ、その一方端は正逆回転モ
ータ３７に支持されると共に、他方端はアーム４０を支
持する支持部材３７Ｂに固定されたナット部材３７Ｃに
螺合される。また、支持部材３７Ｂはリニアベアリング
４０Ａを介してガイドレール３６Ａ上を走行自在に支持
される。これにより、正逆回転モータ３７が作動する
と、支持部材３７Ｂに支持されたアーム４０は、ネジ棒
３７Ａとナット部材３７Ｃとの送りネジ機構によりガイ
ドレール３６Ａに沿って上下方向に移動することができ
る。
ール３６Ａが配設されると共に、上部に正逆回転モータ
３７が配設されている。また、ガイドレール３６Ａに沿
ってネジ棒３７Ａが設けられ、その一方端は正逆回転モ
ータ３７に支持されると共に、他方端はアーム４０を支
持する支持部材３７Ｂに固定されたナット部材３７Ｃに
螺合される。また、支持部材３７Ｂはリニアベアリング
４０Ａを介してガイドレール３６Ａ上を走行自在に支持
される。これにより、正逆回転モータ３７が作動する
と、支持部材３７Ｂに支持されたアーム４０は、ネジ棒
３７Ａとナット部材３７Ｃとの送りネジ機構によりガイ
ドレール３６Ａに沿って上下方向に移動することができ
る。
【００１５】次に、図３、図４によりアーム４０及び砥
石５０について説明すると、アーム４０の基端部にはロ
ータリアクチュエータ４１が固定配設され、このロータ
リアクチュエータ４１の駆動軸４１Ａの下端にはギア４
２Ａが配設されている。ギア４２Ａは軸受部材４５を介
して回転自在に軸支された軸４６に固定されたギア４６
Ａと噛合している。
石５０について説明すると、アーム４０の基端部にはロ
ータリアクチュエータ４１が固定配設され、このロータ
リアクチュエータ４１の駆動軸４１Ａの下端にはギア４
２Ａが配設されている。ギア４２Ａは軸受部材４５を介
して回転自在に軸支された軸４６に固定されたギア４６
Ａと噛合している。
【００１６】また、アーム４０のコーナ部には、ガイド
用プーリ４７Ａ、４７Ｂが配設され、アーム４０の先端
部には、砥石用アーム５５を旋回させるためのプーリ４
７Ｃが配設されている。そして、プーリ４７Ｃは回転軸
５３に固定されている。また、これらのプーリ４６Ｂ、
４７Ａ、４７Ｂ、４７Ｃにはタイミングベルト４８が巻
き掛けられている。また、回転軸５３の下端部には、回
転軸５３と垂直（水平方向）な砥石用アーム５５の一端
側が固定されると共に、その他端側が砥石モータ５１に
固定されている。また、モータ５１の回転軸５１Ａの先
端部には算盤玉形状の砥石５０が取付けられている。ま
た、砥石モータ５１の側面上下から突出した上板５７Ａ
と下板５７Ｂ（図２及び図７参照）の間には、表面にゴ
ム等の弾性部材を有するローラ５７が回動自在に支持さ
れる。
用プーリ４７Ａ、４７Ｂが配設され、アーム４０の先端
部には、砥石用アーム５５を旋回させるためのプーリ４
７Ｃが配設されている。そして、プーリ４７Ｃは回転軸
５３に固定されている。また、これらのプーリ４６Ｂ、
４７Ａ、４７Ｂ、４７Ｃにはタイミングベルト４８が巻
き掛けられている。また、回転軸５３の下端部には、回
転軸５３と垂直（水平方向）な砥石用アーム５５の一端
側が固定されると共に、その他端側が砥石モータ５１に
固定されている。また、モータ５１の回転軸５１Ａの先
端部には算盤玉形状の砥石５０が取付けられている。ま
た、砥石モータ５１の側面上下から突出した上板５７Ａ
と下板５７Ｂ（図２及び図７参照）の間には、表面にゴ
ム等の弾性部材を有するローラ５７が回動自在に支持さ
れる。
【００１７】従って、ロータリアクチュエータ４１の駆
動軸４１Ａが回転すると、４２Ａを介してプーリ４６Ｂ
が回転し、これにより、タイミングベルト４８、プーリ
４７Ｃを介して砥石用アーム５５が１８０°旋回可能と
なっている。また、砥石５０は、図５、図６の縦断面図
に示すように、ほぼ算盤玉形状のものでも、或いは算盤
玉形状の砥粒部５０Ａが多少内側に湾曲したものをので
もよく、要は、ウェーハ外周部の面取りを行える形状で
あればよい。
動軸４１Ａが回転すると、４２Ａを介してプーリ４６Ｂ
が回転し、これにより、タイミングベルト４８、プーリ
４７Ｃを介して砥石用アーム５５が１８０°旋回可能と
なっている。また、砥石５０は、図５、図６の縦断面図
に示すように、ほぼ算盤玉形状のものでも、或いは算盤
玉形状の砥粒部５０Ａが多少内側に湾曲したものをので
もよく、要は、ウェーハ外周部の面取りを行える形状で
あればよい。
【００１８】次に、上記の如く構成された本発明のスラ
イシング装置の作用について図７を使用して説明する。
尚、図７では、本発明を理解し易くするために、インゴ
ット１０から切断されるウェーハ６２の厚みを極端に厚
くしたが、実際の厚みは通常１ｍｍ以下である。先ず、
インゴット１０の基端部を固定する割出スライダ２０が
下方（図１のＤ方向）に移動してインゴット１０の切断
位置を内周刃式ブレード１２位置に合わせる。次に、切
断送りテーブル２８が切断送り方向（図１のＡ方向）に
移動してインゴット１０の切断が開始される。尚、面取
り装置３０の基台３２は切断送りテーブル２８に固定さ
れている為、前記インゴット１０の送りに同期して砥石
５０も移動する。
イシング装置の作用について図７を使用して説明する。
尚、図７では、本発明を理解し易くするために、インゴ
ット１０から切断されるウェーハ６２の厚みを極端に厚
くしたが、実際の厚みは通常１ｍｍ以下である。先ず、
インゴット１０の基端部を固定する割出スライダ２０が
下方（図１のＤ方向）に移動してインゴット１０の切断
位置を内周刃式ブレード１２位置に合わせる。次に、切
断送りテーブル２８が切断送り方向（図１のＡ方向）に
移動してインゴット１０の切断が開始される。尚、面取
り装置３０の基台３２は切断送りテーブル２８に固定さ
れている為、前記インゴット１０の送りに同期して砥石
５０も移動する。
【００１９】次に、切断送りテーブル２８が切断送り方
向に更に所定距離移動して、インゴット１０を途中位置
まで切断すると、ロータリアクチュエータ４１を作動さ
せ、砥石５０を旋回させて砥石５０の砥粒部５０Ａを内
周式ブレード１２の孔内上部に位置させる。続いて、面
取り装置３０の正逆回転モータ３７を作動させてアーム
４０を下降させ、回転する砥石５０を内周式ブレード１
２の孔内に移動する。更に、回転する砥石５０をインゴ
ット１０の切断溝６０外周部分に当接させるためにスラ
イド部材３４をステッピングモータ３５により駆動し、
所定の面取り量になるようにスライド部材３４の送り込
みを行う。この面取り操作中、図示しない研削液供給ノ
ズルから研削液が砥石５０に供給される。これにより、
インゴット１０の切断溝６０外周部分は砥粒部５０Ａの
形状により略Ｖ字状に削り込まれるので、インゴット１
０から切断されたウェーハ６２（図７は切断される途中
のウェーハを示す）は面取りが行われた状態で切断され
る。また、砥石５０が切断溝６０の外周部分を削り込む
際に、ローラ５７がインゴット１０外周に当接してイン
ゴットの回転により従動回転しながら、インゴット１０
周面の形状にならうので、例えば、図８、図９に示すよ
うにＯＦ面（オリエンテーションフラット）を有するイ
ンゴット１０の場合の面取りも精度良く行うことができ
る。また、ローラ５７を設けずに、砥石５０の旋回量を
調整することにより削り込み深さを調整するようにして
もよい。
向に更に所定距離移動して、インゴット１０を途中位置
まで切断すると、ロータリアクチュエータ４１を作動さ
せ、砥石５０を旋回させて砥石５０の砥粒部５０Ａを内
周式ブレード１２の孔内上部に位置させる。続いて、面
取り装置３０の正逆回転モータ３７を作動させてアーム
４０を下降させ、回転する砥石５０を内周式ブレード１
２の孔内に移動する。更に、回転する砥石５０をインゴ
ット１０の切断溝６０外周部分に当接させるためにスラ
イド部材３４をステッピングモータ３５により駆動し、
所定の面取り量になるようにスライド部材３４の送り込
みを行う。この面取り操作中、図示しない研削液供給ノ
ズルから研削液が砥石５０に供給される。これにより、
インゴット１０の切断溝６０外周部分は砥粒部５０Ａの
形状により略Ｖ字状に削り込まれるので、インゴット１
０から切断されたウェーハ６２（図７は切断される途中
のウェーハを示す）は面取りが行われた状態で切断され
る。また、砥石５０が切断溝６０の外周部分を削り込む
際に、ローラ５７がインゴット１０外周に当接してイン
ゴットの回転により従動回転しながら、インゴット１０
周面の形状にならうので、例えば、図８、図９に示すよ
うにＯＦ面（オリエンテーションフラット）を有するイ
ンゴット１０の場合の面取りも精度良く行うことができ
る。また、ローラ５７を設けずに、砥石５０の旋回量を
調整することにより削り込み深さを調整するようにして
もよい。
【００２０】また、砥石５０が切断溝６０に当接する当
接力は、プーリ４７Ｃに固定された回転軸５３に両端が
固定されたゼンマイバネ（図示せず）等を巻回させて、
砥石５０が旋回して切断溝６０に当接すると、一定の当
接力が発生するようにしてもよく、また別の方法でもよ
い。切断されるウェーハ６２の面取りが行われている間
も内周刃式ブレード１２はインゴット１０の切断を続行
し、ウェーハ６２を切断する。又は、ウェーハ６２に数
ｍｍ切り込んだ時にインゴット１０の切断を一時中断
し、面取りを行った後に再度切断を続行するようにして
もよい。
接力は、プーリ４７Ｃに固定された回転軸５３に両端が
固定されたゼンマイバネ（図示せず）等を巻回させて、
砥石５０が旋回して切断溝６０に当接すると、一定の当
接力が発生するようにしてもよく、また別の方法でもよ
い。切断されるウェーハ６２の面取りが行われている間
も内周刃式ブレード１２はインゴット１０の切断を続行
し、ウェーハ６２を切断する。又は、ウェーハ６２に数
ｍｍ切り込んだ時にインゴット１０の切断を一時中断
し、面取りを行った後に再度切断を続行するようにして
もよい。
【００２１】このように、本発明のウェーハ製造装置
は、インゴット１０をウェーハ６２に切断する切断機能
と、切断されるウェーハ６２の面取りを行う面取り機能
とが一体的に組み込まれているので、インゴット１０を
切断する過程において、切断されるウェーハ６２の面取
りも同時に行うことができる。従って、ウェーハ製造に
おける作業能率を向上させることができる。また、本発
明のウェーハ製造装置でインゴット１０の切断と、切断
されるウェーハ６２の荒面取りを行い、その後にラッピ
ング加工を行い、最後に仕上げ面取り加工を行えば、容
易にウェーハ６２面取り部の鏡面化要求に答えるための
最適な作業プロセスを構築することができる。また、イ
ンゴット１０の回転切断を行う為、インゴット１０への
スライスベースの接着や剥離を行う必要がないので、能
率を更に向上できる。
は、インゴット１０をウェーハ６２に切断する切断機能
と、切断されるウェーハ６２の面取りを行う面取り機能
とが一体的に組み込まれているので、インゴット１０を
切断する過程において、切断されるウェーハ６２の面取
りも同時に行うことができる。従って、ウェーハ製造に
おける作業能率を向上させることができる。また、本発
明のウェーハ製造装置でインゴット１０の切断と、切断
されるウェーハ６２の荒面取りを行い、その後にラッピ
ング加工を行い、最後に仕上げ面取り加工を行えば、容
易にウェーハ６２面取り部の鏡面化要求に答えるための
最適な作業プロセスを構築することができる。また、イ
ンゴット１０の回転切断を行う為、インゴット１０への
スライスベースの接着や剥離を行う必要がないので、能
率を更に向上できる。
【００２２】尚、本実施例ではインゴットの切断途中
で、面取りを行うようにしたが、これに限定されるもの
ではなく、インゴット１０の切断開始前に、切断位置外
周に砥石を当てて該切断位置外周に沿って略Ｖ字形状の
溝を形成することにより行ってもよく、更には、インゴ
ットの切断開始と同時に面取りを行ってもよい。また、
図２に示した如く、アーム４０先端部に、切断されたウ
ェーハ６２を回収する吸着パッド１００Ａを有するウェ
ーハ回収皿１００を設けることもできる。そして、砥石
用アーム５５の旋回と同期させて回収皿用アーム１００
Ｂを旋回させて、ウェーハ回収皿１００をインゴット１
０の下方に位置するように移動させてウェーハ６２を回
収する。
で、面取りを行うようにしたが、これに限定されるもの
ではなく、インゴット１０の切断開始前に、切断位置外
周に砥石を当てて該切断位置外周に沿って略Ｖ字形状の
溝を形成することにより行ってもよく、更には、インゴ
ットの切断開始と同時に面取りを行ってもよい。また、
図２に示した如く、アーム４０先端部に、切断されたウ
ェーハ６２を回収する吸着パッド１００Ａを有するウェ
ーハ回収皿１００を設けることもできる。そして、砥石
用アーム５５の旋回と同期させて回収皿用アーム１００
Ｂを旋回させて、ウェーハ回収皿１００をインゴット１
０の下方に位置するように移動させてウェーハ６２を回
収する。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のウェーハ
製造方法及びその装置によれば、回転するブレードに対
して回転するインゴットを押し当ててインゴットを切断
する切断中に、その切断溝の外周に所定形状の砥石を当
てる。或いは、インゴットの切断開始前に、該切断位置
外周に所定形状の砥石を当てて該切断位置外周に沿って
略Ｖ字形状の溝を形成する。これにより、インゴットを
切断する過程において、切断されるウェーハの面取りも
同時に行うことができる。従って、ウェーハ製造におけ
る作業能率を向上させることができる。
製造方法及びその装置によれば、回転するブレードに対
して回転するインゴットを押し当ててインゴットを切断
する切断中に、その切断溝の外周に所定形状の砥石を当
てる。或いは、インゴットの切断開始前に、該切断位置
外周に所定形状の砥石を当てて該切断位置外周に沿って
略Ｖ字形状の溝を形成する。これにより、インゴットを
切断する過程において、切断されるウェーハの面取りも
同時に行うことができる。従って、ウェーハ製造におけ
る作業能率を向上させることができる。
【００２４】また、本発明のウェーハ製造装置でインゴ
ットの切断と切断されるウェーハの荒面取りを行い、そ
の後にラッピング加工を行い、最後に仕上げ面取り加工
を行えば、ウェーハの面取り部の鏡面化要求に答えるた
めの最適な作業プロセスを構築することができる。
ットの切断と切断されるウェーハの荒面取りを行い、そ
の後にラッピング加工を行い、最後に仕上げ面取り加工
を行えば、ウェーハの面取り部の鏡面化要求に答えるた
めの最適な作業プロセスを構築することができる。
【図１】本発明に係るウェーハ製造装置の全体構成を示
す斜視図
す斜視図
【図２】面取り装置の全体構成を説明する説明図
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿った断面図
【図４】図２のＢ−Ｂ線に沿った断面図
【図５】砥石の形状の一例を示した断面図
【図６】砥石の形状の別の例を示した断面図
【図７】本発明のウェーハ製造装置の作用を説明する説
明図
明図
【図８】オリエンテーションフラットを有するインゴッ
トの斜視図
トの斜視図
【図９】図８を上から見た平面図
１０…インゴット １２…内周刃式ブレード １２Ａ…刃 １６…インゴット用モータ １９…回転体 ２０…割出スライダ ２８…切断送りテーブル ３０…面取り装置 ３２…基台 ３４…スライド部材 ３６…支柱 ３７…エアシリンダ ４０…アーム ４１…ロータリアクチュエータ ５０…砥石 ５１…砥石モータ ５５…砥石用アーム ５３…回転軸 ５７…ローラ ６０…切断溝 ６２…ウェーハ（切断途中の図）
Claims (4)
- 【請求項１】回転するブレードに対してインゴットを回
転させながら押し当てて該インゴットを薄板状のウェー
ハに切断するウェーハ製造方法に於いて、 前記インゴットの切断中に、その切断溝の外周に所定形
状の砥石を当てることにより切断されるウェーハの面取
りを行うことを特徴とするウェーハ製造方法。 - 【請求項２】回転するブレードに対してインゴットを回
転させながら押し当てて該インゴットを薄板状のウェー
ハに切断するウェーハ製造方法に於いて、 前記インゴットの切断開始前に、該切断位置外周に所定
形状の砥石を当てて該切断位置外周に沿って略Ｖ字形状
の溝を形成することにより切断されるウェーハの面取り
を行うことを特徴とするウェーハ製造方法。 - 【請求項３】回転するブレードに対してインゴットを回
転させながら押し当てて該インゴットを薄板状のウェー
ハに切断するウェーハ製造装置に於いて、 所定形状をした砥石と、該砥石を回転させる回転手段
と、回転する前記砥石を支持すると共に前記インゴット
の切断位置外周に当接・退避させる移動手段と、を前記
ウェーハ製造装置本体に一体的に組み込んだことを特徴
とするウェーハ製造装置。 - 【請求項４】前記前記ウェーハ製造装置本体には、前記
砥石を前記インゴットの周面形状にならわせて面取りす
るならい手段が設けられていることを特徴とする請求項
３のウェーハ製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6121436A JPH07323420A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | ウェーハ製造方法及びその装置 |
| US08/415,509 US5582536A (en) | 1994-06-02 | 1995-04-03 | Apparatus and method for manufacturing wafer |
| GB9507755A GB2289982B (en) | 1994-06-02 | 1995-04-13 | Apparatus and method for manufacturing wafer |
| DE19514350A DE19514350A1 (de) | 1994-06-02 | 1995-04-18 | Vorrichtung und Verfahren zur Waferherstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6121436A JPH07323420A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | ウェーハ製造方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07323420A true JPH07323420A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14811098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6121436A Pending JPH07323420A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | ウェーハ製造方法及びその装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5582536A (ja) |
| JP (1) | JPH07323420A (ja) |
| DE (1) | DE19514350A1 (ja) |
| GB (1) | GB2289982B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5899743A (en) * | 1995-03-13 | 1999-05-04 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor wafers |
| JP3828176B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2006-10-04 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体ウェハの製造方法 |
| JP3339545B2 (ja) * | 1996-05-22 | 2002-10-28 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法 |
| US6783428B1 (en) * | 1999-01-18 | 2004-08-31 | Nsk Ltd. | Method for forming grooves on workpiece and for dressing a grindstone used in the groove formation |
| US6361405B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Utility wafer for chemical mechanical polishing |
| ATE467482T1 (de) * | 2006-03-15 | 2010-05-15 | Schneeberger Holding Ag J | Verfahren zum schleifen von zerspanungswerkzeugen |
| DE102006060195A1 (de) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Jacobs University Bremen Ggmbh | Kantenverrundung von Wafern |
| US11504869B2 (en) * | 2019-03-06 | 2022-11-22 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Workpiece processing device and method |
| US11964361B2 (en) | 2019-03-06 | 2024-04-23 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Workpiece processing device and method |
| CN118456183B (zh) * | 2024-05-11 | 2024-10-29 | 江苏福旭科技有限公司 | 一种半导体集成电路晶圆加工生产线 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4344260A (en) * | 1979-07-13 | 1982-08-17 | Nagano Electronics Industrial Co., Ltd. | Method for precision shaping of wafer materials |
| DE3613132A1 (de) * | 1986-04-18 | 1987-10-22 | Mueller Georg Nuernberg | Verfahren zum zerteilen von harten, nichtmetallischen werkstoffen |
| DE3884903T2 (de) * | 1987-10-29 | 1994-02-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Vorrichtung und Verfahren zum Abschneiden einer Halbleiterscheibe. |
| DE68919373T2 (de) * | 1988-02-15 | 1995-03-30 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Verfahren und Vorrichtung für die Nachbearbeitung auf Innenlochfeinbearbeitungsmaschinen. |
| JPH0767692B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1995-07-26 | 株式会社東京精密 | スライシングマシンの切断方法 |
| JP2859389B2 (ja) * | 1990-07-09 | 1999-02-17 | 坂東機工 株式会社 | ガラス板の周辺エッジを研削加工する方法及びこの方法を実施するガラス板の数値制御研削機械 |
| US5128281A (en) * | 1991-06-05 | 1992-07-07 | Texas Instruments Incorporated | Method for polishing semiconductor wafer edges |
| US5274959A (en) * | 1991-06-05 | 1994-01-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for polishing semiconductor wafer edges |
| DE4134110A1 (de) * | 1991-10-15 | 1993-04-22 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum rotationssaegen sproedharter werkstoffe, insbesondere solcher mit durchmessern ueber 200 mm in duenne scheiben vermittels innenlochsaege und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| KR0185234B1 (ko) * | 1991-11-28 | 1999-04-15 | 가부시키 가이샤 토쿄 세이미쯔 | 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법 |
| US5538463A (en) * | 1992-11-26 | 1996-07-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for bevelling wafer-edge |
| US5427644A (en) * | 1993-01-11 | 1995-06-27 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafer and system therefor |
-
1994
- 1994-06-02 JP JP6121436A patent/JPH07323420A/ja active Pending
-
1995
- 1995-04-03 US US08/415,509 patent/US5582536A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-13 GB GB9507755A patent/GB2289982B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-18 DE DE19514350A patent/DE19514350A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19514350A1 (de) | 1995-12-07 |
| GB2289982B (en) | 1998-06-24 |
| GB9507755D0 (en) | 1995-05-31 |
| GB2289982A (en) | 1995-12-06 |
| US5582536A (en) | 1996-12-10 |
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