JPH0471899A - 情報記録カード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、磁気カード、ＩＣカード、光カードなどの情
報記録カードにかかるものであり、特に、所望の情報内
容が表示される表示部が設けられている情報記録カード
の改良に関するものである。

［従来の技術］ 情報記録カードとしては、磁気カード、光カード、ＩＣ
カードなど種々のものがある。これらのカードでは、情
報記録部として磁気テープ、光記録膜、ＩＣなどが備え
られている。記録された情報は、例えば磁気ヘッドなど
によって読み取られ、コンピュータ入力、プリンタによ
る印字、ＣＲＴなどへの表示が必要に応じて行なわれる
ようになっている。

ところで、このような情報記録カードに記録情報の表示
部がないと、その記録内容確認のために他の手段を必要
とし、必ずしも使い勝手がよくない。そこで、例えばＩ
Ｃカードでは、ＴＮ型の液晶セルを表示部として備えた
ものがある。ところが、この手段では、カード自体が厚
くなるとともに、液晶セルが曲げなどに弱いなどの不都
合がある。

これに対し、例えば、テレホンカードのようなプリペイ
ドカードなどでは、使用度数がパンチ穴によって表示さ
れるようになっている。簡便な手法であり、液晶セルの
ような不都合はないが、複雑な情報の表示を行なうこと
はできない。

かかる複雑な表示も可能な表示部に関する従来技術とし
ては、例えば特開乎２−１６０８２号公報に開示された
ものがある。この例では、情報の表示媒体として高分子
液晶（高分子鎖の側鎖に液晶性を有するメソゲン基をも
つもの）が用いられている。そして、かかる高分子液晶
に対し、加熱−急冷によって情報の記録が行なわれ、加
熱−徐冷によって記録情報の消去が行なわれるようにな
っている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、このような従来技術では、高分子液晶の
クリアリングポイント（約１２０℃）が高いために、記
録、消去時に相当高温の加熱を行なう必要がある。また
、消去の場合には、５°Ｃ／ＳｅＣの徐冷が必要である
。このため、短時間で情報の消去−書き込み動作を行な
うことができないという不都合がある。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、表示部に
おける情報の記録、消去を速やかに行なうことができる
情報記録カードを提供することを、その目的とするもの
である。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、情報の記録部と記録情報の表示部とを備えた
情報記録カードにおいて、高分子材料中に分散保持され
た液晶分子の配向状態が電界及び熱の作用によって変更
可能な高分子一液晶メモリ膜によって、前記表示部を形
成したことを特徴とするものである。

「作用コ 本発明によれば、表示部を形成する高分子一液晶メモリ
膜は、電界又は熱の印加によって分散保持された液晶分
子の配向状態が速やかに変更され、透明と白濁の差異に
よって表示が行なわれる。

［実施例コ 以下、本発明にかかる情報記録カードの一実施例につい
て、添付図面を参照しながら説明する。

第１図には、本実施例にかかる情報記録カードが示され
ている。また、第２図には、各部が分解して示されてい
る。

これらの図において、適宜のカードベース１０上には、
まず透明電極１２が形成されている。そして、その上に
は、高分子一液晶メモリ膜１４が塗布形成されている。

また、それらの表面には、保ｆｆ膜１６が全体に形成さ
れている。カードベース１０上には、適宜位置に磁気ス
トライプ１８が形成されており、透明電極１２の端子部
２０は、保護膜１６から露出している。

以上の各部のうち、カードベース１０としては、適宜の
ものが用いられるが、不透明なものを使用する場合には
、高分子一液晶メモリ膜１４における表示コントラスト
の点から、黒色であるものが好ましい。なお、以下の例
では、カードベース１０が透明なものとして説明する。

次に、透明電極１２は、後述するように、外部からの印
加電界が効果的に高分子一液晶メモリ膜１４に作用する
ようにするためのもので、ＩＴＯなどによって形成され
ている。

次に、高分子一液晶メモリ膜１４は、後述するように、
高分子マトリクス中に多数の液晶滴が分散保持されたも
ので、電界の印加に応じて液晶の配向状態が変化しその
状態が保持されるようなものが用いられる。液晶として
は、ネマチック液晶。

スメクチック液晶、コレスチリツク液晶、またはこれら
の混合液晶あいずれを用いてもよｌ／Ｎが、メモリ効果
の大きいスメクチック液晶が望ましｌ、）。

また、高分子材料としては、液晶と相客性があり、溶剤
の蒸発や重合の過程で液晶材料と相分離を生じるもので
あればどのようなものでもよい。しかし、好ましくは、
透明性に優れるとともに、液晶の配向が乱れた状態で十
分白濁して観察されるような液晶との屈折率差の大きい
ものが用いられる。

具体的には、液晶として、ＢＤＨ社のスメクチック液晶
Ｓ５，３６などが用いられる。また、液晶を分散させる
ための高分子材料としては、ＰＭＭＡ　（ポリメチルメ
タクリレート）、ポリカーボネート、アクリル系光硬化
型樹脂、ポリエーテルイミド、ボリアリレートなどが用
いられる。

更に、保護膜１６は、高分子一液晶メモソ膜１４を外部
衝撃から保護するためのもので、本実施例では全体に形
成されている。しかし、高分子一液晶メモリ膜１４の表
面部分にあれば十分で、例えば磁気ストライプ１８の部
分を除１．）で形成するようにしてもよい。具体的には
、紫外線硬化型樹脂、透明であるＳｉＮ、５ｉ０２　、
ＴｉＯ２。

Ｖ　２０５などの無機窒化物や無機酸化物などが利用さ
れる。カード全体を保護膜でラミネートするようにして
もよい。

次に、以上のような情報記録カードの表示部の具体例を
示すと、以下の通りである。高分子一液晶メモリ膜１４
として、ＢＩ）Ｈ社製のスメクチック液晶Ｓ６と、前記
ＰＭＭＡとを、１：１の重量比で混合し、クロロホルム
を溶媒として溶液を作製する。そしてこれを、バーコー
タによって膜厚が約１０μｍとなるように透明電極１２
付のカードベース１０上に塗布する。これを十分乾燥し
たあと、その上に、出光石油化学社製のポリホスファゼ
ン溶液を、紫外線硬化後の膜厚が約１μｍとなるように
バーコータにより塗布し、紫外線を照射して保護膜１６
を形成する。

このポリホスファゼンは液晶と相互作用しなＴｖＡので
、高分子一液晶メモリ膜１４を破壊することなく保護膜
１６を形成することができる。保護膜１６の膜厚として
は、０．１〜１０μｍ程度が可能であるが、後述する加
熱記録時の熱拡散による解像度の低下を良好に押さえる
ためには、１μｍ以下であることが望ましい。

次に、以上のように構成された実施例における情報の記
録、消去の動作につい亡第３図及び第４図を参照しなが
ら説明する。なお、これらの図には、各動作における表
示部の断面の状態が示されている。

ａ　　　−−゛ 最初に、第３図を参照しながら、電界を印加して情報の
記録を行ない熱を印加して情報の消去を行なう場合につ
いて説明する。まず、同図（Ａ）に示すように、塗布後
の状態では、表示部は白濁した散乱状態にある。すなわ
ち、高分子一液晶メモリ膜１４の液晶分子は、配向がラ
ンダムな状態にある。

このような表示部に対する情報の記録は、コロナ放電や
ライン電極などにより電界を印加して行なわれる。この
とき、透明電極１２の端子部２０はアースされる。記録
したい情報により強度変調された電界が印加されると、
例えば同図（Ｂ）に示すように、電界印加部分の液晶滴
１４Ａの液晶分子が例えば電界方向に電界強度に対応し
て配列する。他方、光の透過率は、かかる配列の程度に
応じて上昇するので、結果的に記録したい情報に対応す
る光変調が行なわれた状態となる。

この状態の表示部では、外光のうち、情報の記録が行な
われた液晶滴１４Ａの部分に入射した光は、そのまま矢
印Ｆ１で示すように透過するが、他の部分に入射した光
は矢印Ｆ２で示すように散乱され、白濁して観察される
ようになる。すなわち、白濁した面に透明で情報が表示
されることになる（同図（Ｃ）参照）。

このようにして記録された情報の消去は、同図（Ｄ）　
　に示すように、液晶のスメクテイツクーネマテインク
転移点、またはスメクテイツクーアイントロビック転移
点以上の温度にヒータ２２で加熱を行なうことによって
可能である。これによって、液晶分子の配向状態が再び
ランダムな状態となるので、記録された情報は消去され
ることとなる。消去後の表示部は、入射光の散乱状態に
あるので、矢印ＦＡで示すように再記録が可能となる。

旦−ＩＥ−録二１０シ１去 次に、第４図を参照しながら、熱を印加して情報の記録
を行ない電界を印加して情報の消去を行なう場合につい
て説明する。まず、同図（Ａ）に示すように、記録前で
は、あらかじめ電界の印加が行なわれ、表示部は透明状
態におかれる。すなわち、高分子一液晶メモリ膜１４の
液晶分子は、配向が一定方向に揃った状態にある。

このような表示部に対する情報の記録は、例えば熱転写
ヘッドや感熱ヘラドなどの熱記録ヘーラド２４により熱
を印加して行なわれる。記録したい情報により強度変調
された熱が印加されると、例えば同図（Ｂ）に示すよう
に、熱印加部分の液晶滴１４Ｂの液晶分子の配列が熱強
度に対応してランダムになる。他方、光の透過率は、か
かる配列の程度に応じて低下するので、結果的に記録し
たい情報に対応する光変調が行なわれた状態となる。

この場合には、表示部の情報の書き込まれた部分で光が
散乱されているので、透明部分に白濁した状態で情報が
表示されることになる（同図（Ｃ）参照）。

このようにして記録が行なわれた表示部には、同図（Ｄ
）に示すように、電界消去ヘッド２６によって強電界が
印加される。このとき、透明電極１２の端子部２０はア
ースされる。これによって、液晶分子が再び配向した状
態となるので、記録された情報は消去されることとなる
。消去後の表示部は、入射光の透過状態にあるので、矢
印ＦＢで示すように再記録が可能となる。

このように、本実施例によれば、情報の表示は、高分子
一液晶メモリ膜１４の透明状態と散乱状態（白濁状態）
を用いて行なわれる。そして、かかる情報の記録、消去
は、電界及び熱を利用して速やかに行なわれる。本発明
に関連して行なった実験によれば、電界記録−熱消去、
熱記録−電界消去のいずれの場合も、記録、消去時間は
１ｍ５ｅｃ〜１００ｍ５ｅｃで、非常に速く実行できた
。

なお、本発明は、何ら上記実施例に限定されるものでは
なく、例えば、前記実施例は、表示部が透過型の例であ
るが、カードベース１０側が不透明な材料で形成されて
いる反射型の場合も同様の効果を得ることができる。

また、熱記録ないし電界記録ヘッドとしては、１ライン
分の熱ないし電界印加を同時に行なうことができるもの
でもよいし、主、副の各方向にヘッド走査を行なって熱
ないし電界印加を行なうものなどどのようなものでもよ
い。

更に、各部の材料、形成条件なども同様の作用を奏する
ように必要に応じて適宜変更してよく、これらのものも
本発明に含まれる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明にかかる情報記録カードに
よれば、電界及び熱を利用して液晶分子の配向状態を変
更することができる高分子一液晶メモリ膜を表示部に用
いることとしたので、表示情報の記録、消去を速やかに
行なうことができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる情報記録カードの一実施例を示
す斜視図、第２図は前記実施例の各部を分解して示す斜
視図、第３図は前記実施例における情報の電界記録−熱
消去の場合の動作を示す説明図、第４図は前記実施例に
おける情報の熱記録−電界消去の動作を示す説明図であ
る。 １ｏ・・・カードベース、１２・・・透明電極、１４・
・・高分子一液晶メモリ膜、１６・・・保護膜、１８・
・・磁気ストライプ（記録部）、２０・・・端子部、２
２・・・ヒータ、２４．・・・熱記録ヘッド、１６・・
・電界消去ヘッド。 特許出願人　　日本ビクター株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　情報の記録部と記録情報の表示部とを備えた情報記録
   カードにおいて、 高分子材料中に分散保持された液晶分子の配向状態が電
   界及び熱の作用によつて変更可能な高分子−液晶メモリ
   膜によつて、前記表示部を形成したことを特徴とする情
   報記録カード。