JPH0472405B2 - - Google Patents

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JPH0472405B2
JPH0472405B2 JP14821587A JP14821587A JPH0472405B2 JP H0472405 B2 JPH0472405 B2 JP H0472405B2 JP 14821587 A JP14821587 A JP 14821587A JP 14821587 A JP14821587 A JP 14821587A JP H0472405 B2 JPH0472405 B2 JP H0472405B2
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JP
Japan
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thickness
inversion region
piezoelectric
polarization inversion
polarization
Prior art date
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JP14821587A
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English (en)
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JPS63311808A (ja
Inventor
Sumio Yamada
Yoshiaki Fujiwara
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ニオブ酸リチウムの単結晶からなる振動素子の
製造方法であり、 圧電体に分極反転領域を形成することで該圧電
体を厚くしたことにより、 特に共振周波数の高い振動素子の製造を容易と
し、高性能にしたものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)の単
結晶を用い、高性能かつ生産性に優れた振動素子
の製造方法に関する。
水晶やタンタル酸リチユーム(LiTaO3)等の
圧電体に適当な駆動電極を形成し、この電極に交
流電界を印加すると、圧電体は印加電界と等しい
周波数の応力が生じ、かつ、印加電界の周波数が
圧電体の固有周波数に一致すると共振し、強勢な
振動が得られる。
かかる現象を利用した振動子は、高性能である
ため通信装置の発振回路、フイルタ、遅延線等と
して広く利用されている。
電子機器の小型化、薄形化および軽量化が進む
中で、チツプ化の要求が強まつている部品の一つ
に数MHz〜数+MHzの振動子があり、電気−機械
結合係数の大きいLiTaO3やLiNb03の単結晶を用
いることにより、水晶を用いたものでは不可能と
されていた領域の振動子が実現される。
〔従来の技術〕
第3図はLiNbO3の単結晶を用いた従来の圧電
振動素子を示す側面図である。
第3図において、圧電振動素子1はLiNbO3
結晶から駆り出した圧電体2の対向主面(上面と
下面)2a及び2bにそれぞれ動作電極3,4を
形成してなる。LiNbO3単結晶のインゴツトにポ
ーリング(分極処理)を施したのち、ポーリング
により生成された分極の方位に対し適宜の傾斜角
度でスライスしたウエーハから切り出した圧電体
2は、分極Psの方位が該傾斜角度で傾斜する厚
さ方向(図は主面2bから主面2aに向かう方
向)である。
かかる圧電振動素子1において発振周波数は、
圧電体2の厚さTに反比例する関係であり、例え
ば厚さTが約75μm、発振周波数が約26MHzであ
る圧電振動素子1において、厚さTの変更によつ
て発振周波数を13MHzにしようとすると、圧電体
2の厚さTは約150μmになる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明したように、圧電振動素子の発振周波
数は、圧電体の厚さに反比例する。そのため、高
周波発振の圧電体は薄くなつて所要厚さにする加
工が難しくなり、厚さのばらつきが大きくなつて
周波数調整が煩雑化すると共に、工程途中の取扱
いに一層の注意が必要となつて生産性が低下する
という問題点があつた。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点の除去を目的とした本発明は、本発
明の一実施例を示す第1図によれば、ニオブ酸リ
チウムの単結晶からなり厚さ方向に対向する一方
の主面から他方の主面に向けて傾斜する分極処理
が施された圧電体12に、該他方の主面からの分
極反転領域19を形成したのち、該一方および他
方の主面に動作電極13,14を形成することを
特徴とする振動素子の製造方法である。
〔作用〕
上記手段によれば、圧電体の厚さを従来の2倍
にすることが可能となり、そのことで発振周波数
の高い振動素子の製造が従来のものより容易とな
り、性能のばらつきを小さくすることができた。
〔実施例〕
以下に、図面を用いて本発明の実施例による振
動素子を説明する。
第1図は本発明の一実施例による振動素子の製
造方法を、主要工程順に示す側面図であり、圧電
振動素子11はLiNbO3単結晶から切り出した圧
電体12の対向主面(上面と下面、Z面)12a
および12bにそれぞれ動作電極13,14を形
成してなる。
第1図イにおいて、ポーリング処理した
LiNbO3単結晶のインゴツトをスライスしたウエ
ーハ15、即ち、該ポーリング処理によつて生成
された分極方位と適宜角度だけ傾斜する方向にス
ライスしたウエーハ15は、分極Psの方位が図
中の矢印方向(上向き方向)であるとき、+C軸
側の面(上面、+Z′面)にチタン(Ti)の薄膜1
6を蒸着する。
次いで、LiNbO3のキユーリ温度(約1250℃)
〜1100℃の温度で加熱し、ウエーハ15にTi薄
膜16を拡散させると、第1図ロに拡大して示す
ように、分極反転領域19が生成される。
そこで、分極反転領域19の深さをtとしたと
き、拡散処理中のウエーハ15に発生する表面電
荷は、深さtが厚さT3の1/2でバランス状態とな
るため、上面から拡張する分極反転領域19の深
さtは、ウエーハ17の厚さT3の約1/2で拡張を
停止し、分極反転領域19の分極Ps′は分極Psと
方位が逆向きになる。
次いで、第1図ハに示すように、ウエーハ17
の上面と下面とに複数個の動作電極13,14を
パターン形成したのち、上下に対向する動作電極
13,14をそれぞれが含むように、図中の一点
鎖線でウエーハ17を割断すると、第1図ニに示
す圧電振動素子11が完成する。
そして、分極PsとPs′を有する圧電体12の厚
さは、発振周波数が同じ場合は従来の圧電体2の
厚さTの約2倍であり、例えば発振周波数が26M
Hzである従来の圧電振動素子1において、圧電体
厚さTが約75μmであるとき、本発明になる圧電
振動子11ち圧電体厚さT3は約150μmである。
第2図はTi拡散温度と分極反転領域の深さと
の関係の実施例を示す図である。
第2図において、横軸がTi拡散温度℃、縦軸
が分極反転領域の深さtμmである。使用した試料
は、ポーリング処理によつて分極の生成された
LiNbO3単結晶の163度回転Y板、厚さ450μmの
ウエーハを使用し、+C軸側の面(+Z′面)に厚
さ3000〓のTi蒸着膜を被着したのち、N22.4l/
min,O20.22l/minの雰囲気中で9時間加熱し
LiNbO3にTiを拡散させたとき、拡散温度に対す
る分極反転層の深さを測定してその測定値をプロ
ツトし、該プロツト間を実線で結んだものであ
る。
第2図より、拡散温度の上昇に従つて分極反転
領域の深さt2を増すようになり、例えば厚さ
180μmの圧電体では1140℃で9時間加熱し、分極
反転領域の深さt2は、該圧電体の厚さの約1/2に
達するようになる。そして、Ti拡散温度が
LiNbO3のキユーリ温度(約1150℃)を越える
と、ポーリング処理により生成された分極が消滅
するため、本発明は該キユーリ温度〜1110℃で実
用上の拡散処理が可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明による振動素子の圧
電体厚さは、従来の圧電体厚さの2倍となる。従
つて、圧電体を切り出すウエーハの厚さも従来の
2倍となるため、ウエーハはインゴツトのスライ
スおよび表面を鏡面にする等の加工および、取り
扱いが容易となり、厚さのばらつきを少なくでき
ることで発振周波数の調整が容易となり、振動素
子を高性能化すると共に生産性を向上し得た効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による振動素子の製
造方法を説明するための側面図、第2図はTi拡
散温度と分極反転領域深さとの関係を示す図、第
3図は従来の圧電振動素子を示す側面図、であ
る。 図中において、11は振動素子、12は圧電
体、13,14は動作電極、15,17はウエー
ハ、16はチタン薄膜、19は分極反転領域、t
は分極反転領域の深さ、T3は圧電体の厚さ、を
示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ニオブ酸リチウムの単結晶からなり厚さ方向
    に対向する一方の主面から他方の主面に向けて傾
    斜する分極処理が施された圧電体12に、該他方
    の主面からの分極反転領域19を形成したのち、
    該一方及び他方の主面に動作電極13,14を形
    成することを特徴とする振動素子の製造方法。 2 前記分極反転領域の形成が、前記他方の主面
    にチタンの薄膜16を蒸着し、ニオブ酸リチウム
    のキユーリ温度〜約1100℃以上の温度に加熱して
    該蒸着チタンを前記圧電体に拡散せしめることを
    特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の振動
    素子の製造方法。 3 ニオブ酸リチウムの単結晶からなるウエーハ
    に前記分極反転領域19、動作電極13,14を
    形成したのち、該ウエーハを前記圧電体12に分
    割することを特徴とする前記特許請求の範囲第1
    項記載の振動素子の製造方法。
JP14821587A 1987-06-15 1987-06-15 振動素子の製造方法 Granted JPS63311808A (ja)

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JP14821587A JPS63311808A (ja) 1987-06-15 1987-06-15 振動素子の製造方法

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JP14821587A JPS63311808A (ja) 1987-06-15 1987-06-15 振動素子の製造方法

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JPS63311808A JPS63311808A (ja) 1988-12-20
JPH0472405B2 true JPH0472405B2 (ja) 1992-11-18

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