JPH0472552A - 薄膜トランジスタ基板の検査方法および薄膜トランジスタ基板の配線修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタアクテ
ィブマトリクス基板並びにその検査方法及びその装置に
関する。

〔従来の技術〕

第２図に薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板（
以後薄膜トランジスタ基板と略す）の電気的配線構成の
一例として、５×５画素配列の場合を示す。薄膜トラン
ジスタ基板は、走査線１１〜１５、信号線２１〜２５、
また各交点には薄膜トランジスタ７、透明画素電極８を
ガラス基板上に形成したものである。この薄膜トランジ
スタ基板と共通電極基板を平行に対峙させ１両基板間に
液晶を封入したものが液晶表示装置の基本構成である６
１１Ｐ〜１５ｐ及び２１ｐ〜２５ｐは電極端子パッドで
ある。

薄膜トランジスタ基板の製造においては、製造工程の塵
埃やホトレジスト欠陥等に起因する走査線と信号線の短
絡欠陥３が発生し易い。短絡３には、第３図（ａ）に示
すように、走査線と信号線の交差点で発生する短終３ａ
と、薄膜トランジスタ内で発生する短絡３ｂがある。こ
れらの欠陥は、走査線１３及び信号！２３に沿った線状
の表示不良の原因となる。この対策のため、第３図（ｂ
）に示すように、交差部や薄膜トランジスタを複数化す
る方法がある。同図の場合、９ａ、９ｄの位置で配線を
切断することにより短絡を修正できる。

しかしこの方法を実現するには、短絡の発生位置を特定
する必要がある。

第４図に、一般に短絡検査に用いらている電気的な方法
を示す。この検査では、薄膜トランジスタ基板は、走査
線１１〜１５が外部配線１１ｃｌ〜１５ｄと接続配線１
ｃにより接続され、信号線２１〜２５も外部配線２１ｄ
〜２５ｄと接続配線２Ｃにより接続さ九ている。そして
探針等を接続配線１ｃ、２ｃに接触させ、走査線と信号
線の間に電位差Ｖを印加し、電流計４で電流値を測定す
ることにより、短絡の有無を判別している。しかしこの
方法は短絡の発生している画素番地を特定できないとい
う課題がある。

この課題を解決するには、第２図に示す配線構造の薄膜
トランジスタ基板を対象とし、１本の走査線と１本の信
号線にだけ電位差Ｖを与えた状態での電流値の測定を、
全走査線及び全信号線に対し順次行えばよい。しかしこ
の方法は、走査線数と信号線数の積の回数だけ電流値を
測定する必要があり、液晶デイプレイ等の画素数の膨大
な薄膜トランジスタ基板では測定に長時間を要し実用に
適さない。また電圧印加のための探針の接触による電極
端子部ｌｉｐ〜１５ｐ、２１ｐ〜２５ｐの損傷も問題と
なる。また検査時間を短縮するため、多数本の探針を同
時に接触させる構造にしたとしても、検査を行う走査線
あるいは信号線を電気的に切り替えるため、長時間を要
する。さらに、上述した電気的な検査方法では、第３図
（ｂ）に示すように、走査線と信号線の交差部や薄膜ト
ランジスタを複数化した薄膜トランジスタ基板に対して
は、どの交差部あるいは薄膜トランジスタに短絡欠陥が
存在するのかを特定できない。

検査時間を短縮する方法としては、薄膜トランジスタ基
板とエレクトロクロミック表示パネルを組み合わせ、エ
レクトロクロミンク基板の発色膜の発色状態から欠陥を
検出する方法が特開平１−１５４０９２号公報に記載さ
れている。この方法によれば、各画素電極の導通状態に
応じてエレクトロクロミック表示基板の発色膜が非発色
あるいは発色状態となるため、欠陥画素を特定すること
が可能となる。ただしこの方法は薄膜トランジスタ基板
の画素電極とエレクトロクロミック表示基板の発色膜と
を電解質を介して導通接続する必要があるため、液体の
電解質を用いた場合には薄膜トランジスタ基板が汚染す
る問題がある。また、電解質に固体を用いた場合でも金
属線との物理的な接触により薄膜トランジスタ基板に損
傷が生じ易く、また導通接続不良による欠陥検査の誤り
が生じ易いなどの課題がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

このように、従来技術では薄膜トランジスタ基板の短絡
欠陥を短時間に、かつ基板に損傷を与えないで検出する
ことは不可能であった。また短絡欠陥の存在する画素番
地を特定することができても、各画素に対して走査線と
信号線の交差点や薄膜トランジスタの複数化がなされて
いる場合、どの交差点あるいは薄膜トランジスタに短絡
が存在するかを特定することは不可能であった。

本発明の目的は薄膜トランジスタ基板の短絡欠陥を、短
時間に、かつ基板への接触を最小限にした薄膜トランジ
スタ基板の検査方法及び装置を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、走査線と信号線の交差点や
薄膜トランジスタが複数化された薄膜トランジスタ基板
でも、どの交差点あるいは薄膜トランジスタに短絡が発
生しているかを特定できる、薄膜トランジスタ基板の検
査方法及び装置を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、短絡欠陥を有する薄膜トラ
ンジスタ基板の配線を自動的に修正できる薄膜トランジ
スタ基板の修正方法及び装置を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、短絡欠陥の検査に適した配
線パターンを有する薄膜トランジスタ基板を提供するこ
とにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、薄膜トランジスタ基板の走
査線と信号線の、いずれも一方の端子を電気的に接続し
、走査線と信号線の間に直流電圧を印加し、走査線と信
号線の短絡欠陥部を流れる電流による配線の発熱を赤外
画像検出器で検出し、これにより短絡欠陥の発生してい
る可能性のある画素番地を特定するようにした。

さらに短絡欠陥の発生している可能性のある画素番地の
配線パターンの発熱状態を赤外画像検出器で検出し、短
絡欠陥の位置を特定するようにした。

さらに短絡欠陥の発生している可能性のある画素番地の
配線パターンの発熱状態に加え、同一位置を検出した可
視画像を参照することにより、短絡欠陥の位置を特定す
るようにした。

さらに上記の方法で検出された短絡欠陥の位置データを
用い、レーザ等による配線修正位置を制御するようにし
た。

さらに走査線及び信号線の電極端子部の外側に。

幅の細い配線パターンを形成することにより、短絡の発
生した画素番地の特定を容易に行えるようにした。

Ｃ作用〕 正常な薄膜トランジスタ基板は走査線と信号線の間の抵
抗値は数十メガオーム程度であるため、走査線と信号線
の間に数十ボルト程度の電圧を印加してもほとんど電流
は流れない。これに対し、薄膜トランジスタ基板内に走
査線と信号線の短絡欠陥が存在した場合、この短絡欠陥
部分を通して電流が流れ、配線は発熱する。この発熱を
赤外画像検出器で発熱状態を検出することにより、短絡
が発生している走査線及び信号線を検出することができ
、これより短絡の発生している画素番地が特定できる。

また短絡部は正常な配線に比へ抵抗が太きい等の理由で
、赤外光の放射強度が強い。このため上記短絡画素番地
における配線パターンの赤外画像を検出することにより
、赤外光強度分布から短絡位置を特定できる。

また可視画像を用いれば配線パターンを明確に検出でき
る。そこで赤外画像と同一位置の可視画像を検出し、該
可視画像内の配線パターンの位置を参照することで、短
絡位置の特定をさらに容易に実現できる。

また上記方法で短絡位置が特定されると、配線を切断す
べき位置を決定できる。これを基にレーザ等により配線
修正照射位置を制御でき、自動的に配線を修正できる。

また走査線及び信号線の電極端子部の外側の配線の幅を
細くすることにより、配線抵抗が増加し、該配線からの
発熱量が増加する。これにより該配線の検出を容易に行
える。

〔実施例〕

以下９本発明の詳細な説明する。第１図に本発明による
薄膜トランジスタ基板の検査方法の手順を示す。本発明
では、薄膜トランジスタ基板の走査線１及び信号線２の
、いずれも一方の端子を電気的に接続した状態で検査を
行う。まず従来の電気的検査方法と同様に導通検査を行
う。次に導通検査で不良と判定された基板を対象に、短
絡が発生している可能性のある画素の番地（短絡画素番
地）を特定する。そして該短絡画素番地の配線パターン
を順次検査し短絡位置を特定した後、配線を修正する。

導通検査では、走査線１と信号線２の間に電位差■を与
え、電流計４で電流値を測定する。正常な薄膜トランジ
スタ基板では走査線１と信号線２の間の抵抗値は数十メ
ガオーム程度であるため、数十ボルト程度の電圧を印加
してもほとんど電流は流れない。これに対し、走査線１
と信号線２の間に短絡欠陥３が存在した場合、この短絡
部３を通して電流が流れる。そこで電ｆ７を値が規定値
以上の基板を、短絡の発生した不良基板と判定する。

短絡画素番地特定では、導通検査と同様に、走査線１と
信号線２の間に電位差■を与え、短絡の発生した走査線
と信号線に流れる電流による配線の発熱を検出し、短絡
画素番地特定する。これには１０〜３０１Ｌｍ■程度の
微小領域の発熱部から放射される赤外光の強度に応した
出力が得られる赤外顕微＠　５　ｍを用い、走査Ｍｌと
信号線２の端子部を破線６に沿って走査し、発熱してい
る配線を検出する。

第５図は短絡画素番地特定方法の詳細な実施例を示した
ものである。同図において薄膜トランジスタ基板は、走
査線１１〜１５が電極端子パッド］、　Ｉ　Ｐ〜１５Ｐ
の外側に形成された外部配線１１ｄ〜１５ｄと接続配線
１ｃにより電気的に接続され、また信号線２１〜２５は
電極端子パッド２１ｐ〜２５ｐの外側に形成された外部
配！２１ｄ〜２５ｃｌと接続配置２ｃにより電気的に接
続されている。走査１ｉＡ１１〜１５と信号線２１〜２
５の間に電位差Ｖを与えるには、接続配線１ｃ、２ｃに
電圧印加用の探針を接触させればよい。同図に示すよう
に５短終３が走査！１３と信号線２３の交差する画素で
発生している場合、電流は外部配線１３ｄ−＋電極端子
バッド１３ｐ→短終３→電極端子パッド２３ｐ→外部配
置１２３ｄと流れ、この間の配線は発熱する。そこで例
えば外部配線ｌｉｄ〜１５ｄと外部配線２１ｄ〜２５ｄ
から放射される赤外線を、破線６に沿って赤外顕微鏡で
検出すれば、破線６部の赤外光強度分布波形Ｉｔ、２ｔ
が得られる。これらの波形から赤外光強度の強い位置を
検出することにより、発熱した配線位置、すなわち走査
線１３及び信号線２３を検出できる。

その結果、短絡画素番地を特定できる。なお本実施例で
は、基板内の短絡がＮ個ある場合は、検出される走査線
及び信号線はそれぞれ最大Ｎ本となり、最大ＮＸＮ個の
交点を短絡が発生している可能性のある画素番地として
特定できる。

次に短絡位置特定方法の第１の実施例を説明する。第６
図に示すように、走査線と信号線の交差部及び薄膜トラ
ンジスタ７を複数化した基板では、短絡欠陥は短絡候補
領域７３ａ〜７３ｄで発生する可能性がある。このため
配線を修正するには。

どの短絡候補領域で短絡が発生しているかを特定（短絡
位置特定）する必要がある。一般に、短絡部は正常な配
線に比べ抵抗が大きい等の理由で、赤外光の放射強度が
強い。そこで本実施例では、第１図に示すように、短絡
画素番地の配線パターンを赤外顕微鏡５ｍの視野内に順
次位置決めし、赤外画像を検出する。そして該赤外画像
の強度が一定値以上の場合には、その画素番地に短絡に
よる発熱が存在すると判断し、赤外画像内での短絡位置
を検出する。短絡位置は、例えば赤外光強度が最大とな
る位置として検出すればよい。このようにして求めた赤
外画像中の短絡位置座標の他、回路パターン設計データ
及び基板の位置決め座標データを用い、短終３が発生し
ている短絡候補領域を決定すればよい。これにより第６
図に示す短終３は、短絡候補領域７３ｃに存在すること
が分かり、配線切断位置を９０に決定できる。なお赤外
画像の強度が一定値未満の場合は、その短絡画素番地に
は短絡がないと判断し、短絡位置特定は行わない。

次に短絡位置特定方法の第２の実施例を第７図により説
明する。第１の実施例では、赤外画像のみを用い短絡位
置を特定したが、本実施例では、赤外画像と同一位置を
検出する可視画像を参照し短絡位置を特定する。第７図
（ｂ）は、透過照明を行い、第６図に示す配線パターン
を検出した可視画像である。透過照明は基板背面から照
明するため、同図のごとく金属の配線パターンをシルエ
ツト像として検出できる。まず同図（ａ）に示すような
特徴的なパターンを辞書パターン６３として登録する。

この際、辞書パターン６３の位置７７を原点とし、短絡
候補位置（短絡候補領域の代表位［）７４ａ　〜７４ｃ
ｌ及び切断位置９８〜９ｄの座標を設定する。これによ
り辞書パターン位置７７が分かれば、短絡候補位置７４
ａ〜７４ｄ及び切断位１ｉ９ａ〜９ｄを決定できる。短
絡位置特定では短絡欠陥画素番地の配線パターンを順次
検査するが、可視画像中の辞書パターン位置７７は基板
の位置決め状態に応じ変化する。そこで検査ごとに透過
照明で可視画像を検出し、パターンマツチングにより、
その画像中で辞書パターン６３が最も一致する位置の座
標７７を求める。これにより可視画像中の短絡候補位置
７４ａ〜７４ｄ及び切断位置９ａ〜９ｄの座標を算出で
きる。一方、短絡３の位置は赤外画像から求める。本実
施例では可視画像と赤外画像は同一位置を検出している
ため、可視画像と赤外画像の座標は等しい。そこで可視
画像から求めた短絡候補位置７４ａ〜７４ｄの中で、赤
外画像中の短絡３の位置までの距離が最小になる短絡候
補位置を、短絡が発生している位置として決定できる。

これにより第１の実施例と同様に、第６図に示す短絡３
は、短絡候補領域７３ｃに存在することが分かり、配線
切断位置を９ｃに決定できる。本実施例では予め記憶す
べき座標データが、辞書パターン６３の位１１７７を原
点としたときの、短絡候補位置７４ａ〜７．４　ｄ及び
切断位置９ａ〜９ｄだけであり、短絡位置の特定をさら
に容易に実現できる。

以上述へた短絡位置特定方法により、配線切断位置は決
定される。そこで配線修正では、レーザ４３等の配線修
正法により、該配線切断位置を切断することにより、短
絡の発生した基板を修正する。

次に薄膜トランジスタ基板検査装置の第１の実施例を第
８図〜第１０図で説明する。本装置は機構系、導通検査
系、光学系からなる。機構系はθステージ３１．２ステ
ージ３２、Ｙステージ３３、Ｘステージ３４からなり、
薄膜トランジスタ基板３０を載置し、基板３０の任意の
位置を光学系視野内に位置決めする。導通検査系は直流
電源３５゜電流計４、探針３６ａ、３６ｂからなり、探
針３６ａ、３６ｂを配線パターンに接触させて走査線と
信号線の間に電位差を与え、電流値から短絡欠陥の有無
を判別する。光学系は赤外画像検出系、配線切断のため
のレーザ光照射系、明視野照明系、透過照明系、可視画
像検出系からなる。赤外画像検出系は対物レンズ３７、
ダイクロイックミラー３８、レンズ３９、赤外画像検出
器５からなり、薄膜トランジスタ基板３ｏ上の発熱部か
ら放射される赤外光（波長域λ、：約５〜１３μｍ）を
検出する０本赤外画像検出系は対物レンズ３７で赤外像
を拡大しているため、１０〜３０μｍ［相］程度の微小
領域から放射される赤外光の強度を検出できる。レーザ
光照射系は、レーザ４３、ビームエキスパンダ４２、図
示しない移動機構を持つ開口部４１、ダイクロイックミ
ラー４０からなり、開口部４１を透過したレーザ光を対
物レンズ３７で縮小し、薄膜トランジスタ基板３０上に
投影することにより、配線を切断する。明視野照明系は
ランプ４６、レンズ４５、ハーフミラ−４４からなり、
対物レンズ３７を介し、薄膜トランジスタ基板３０を上
方から照明する。透過照明系はランプ５０、レンズ４９
からなり、薄膜トランジスタ基板３０の背面側から照明
する。可視画像検出系は、可視画像検出器４８、レンズ
４７からなる。なお可視画像検出器４８は赤外画像検出
器５と同一位置の可視像を検出するように調整されてい
る。本実施例において対物レンズ３７は、可視域から赤
外域までの光を透過する必要があり、硝子材シこはＺｎ
Ｓ等を用いれば良い。ダイクロインクミラー３８は、赤
外画像検出器５の検出波長域λ、の光は反射し、検出波
長域λ、より波長の短い光は透過する特性の光学素子で
ある。またダイクロイックミラー４０は、レーザ４３の
波長λ２（λ２〈λ□）は反射し、可視光（波長域λ３
：λ３くλ２）は透過するする特性を有する。本実施例
は、前述の導通検査、短絡画素番地特定、短絡位置特定
、配線修正を１台の検査装置で実現するものである。

次に短絡画素番地特定における赤外光強度分布波形検圧
方法の実施例を第９図で説明する。薄膜トランジスタ基
板３ｏはモータ５１、送りねじ５２により廓動されるＸ
ステージ３４上に載置される。なおＸステージ３４の位
置は、位置検出器５３で検出され、基板３ｏから放射さ
れる赤外光は、対物レンズ３７を介し、赤外画像検出器
５で検出される。以上の構成において、画像検出時に赤
外画像検出器５の出力信号を位置検出器５３の信号を基
準にサンプルホールド回路５５でサンプルホールドし、
Ａ／Ｄ変換器５６でＡ／Ｄ変換しメモリ５７に記憶する
。Ｙ方向も同様に検出することにより、第５図に示す赤
外光強度分布波形Ｉｔ。

２ｔが得られる。

次に短絡画素特定及び配線修正を自動で行うための回路
構成の実施例を第１０図に示す。可視画像検出器４８で
検出した画像は画像メモリ６０に記憶される。そして２
値化回路６１で２値化後、パターンマツチング回路６２
で辞書パターン６３とパターンマツチングを行い、第７
図に示した検出画像中の辞書パターン位置７７を求める
。この位置データと、予め設定した短絡候補位置及び配
線切断位置の座襟データ６５を、短絡候補位置算出回路
６４に入力し短絡候補位置及び配線切断位置を算出する
。一方、赤外画像検出器５で検出した画像はメモリ６６
に記憶後、まず発熱有無判定回路６７で発熱の有無を判
定する。すなわち赤外画像の強度が一定値未満の場合に
は、短絡がない画素番地であると判定し、短絡位置特定
は行わない。赤外画像の強度が一定値以上の場合には、
短絡があると判断し、発熱位置検出回路６８で画像中で
赤外光強度が最大となる位置を発熱位置として検出する
。短絡位置決定回路６９では１発熱位置検出回路６８で
求めた発熱位置に最も近い短絡候補位置を真の短絡位置
と決定する。これにより配線切断位置も求まる。これを
基に開口部位置算出回路７０でレーザ照射系の開口部４
１の位置を算出する。さらに開口部コントローラ７１で
開口部移動機構７２を駆動し、開口部４１を位置決めす
る。以後ビームエキスパンダ４２を介し、レーザを照射
することにより、自動的に配線を切断し、短絡を修正で
きる。以上の実施例は、短絡位置特定のために可視画像
を参照する場合について述べたが、赤外画像のみを用い
る場合には、短絡候補位置算出回路６４の出力の替わり
に、回路パターン設計データ及び基板の位置決め座標デ
ータから求めた短絡候補位置を短絡位置決定回路６９に
入力すればよい。

なお以上の説明では透過照明での可視画像を配線パター
ンの位置検出に用いたが、これは明視野照明の可視画像
を用いても差し支えない。ただし安定に配線パターンの
２値画像が得られない場合には、濃淡画像を用いたパタ
ーンマツチングを行う必要があるであろう。またパター
ンマツチング以外の方法、例えば投影等の手法を用いて
特定の配線位置を求めてもよい・ 第１１図は薄膜トランジスタ基板検査装置の第２の実施
例を示す。本実施例では、可視光およびレーザ光用の対
物レンズ８３と赤外光用の対物レンズ８２を独立に設け
たものである。例えば可視光およびレーザ光用の対物レ
ンズ８３を中央部に配置し、ドーナツ状の赤外光用の対
物レンズ８２を対物レンズ８３と同軸に設置したもので
あり、第１の実施例と同様な機能が得られる。なお８４
は中央部に穴の空いたミラーであり、可視光及びレーザ
光は中央部を通過し、赤外光のみ反射する光学素子であ
る。

以上述べた薄膜トランジスタ基板検査装置の実施例では
、短絡欠陥の検査と配線の修正を一つの装置で行う場合
について示した。しかし本発明による短絡欠陥検査と配
線修正を、別々の装置で個々に実施してもよいことは言
うまでもない。

次に短絡画素番地特定に適した外部配線パターンの第１
の実施例を第１２図に示す。配線の発熱量をＷ、配線抵
抗をＲ１配線に流れる電流値を■、配線材料の体積抵抗
率をρ〔Ω・ｍ〕、配ＩＩＡ長をｇ、配線幅をＸ、配線
厚さをｔとするとＷ＝Ｉ”Ｒ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・■Ｒ＝ρ
・Ｑ／（ｘ−ｔ）　・・・・・・・・・・・・　■と表
せる。つまり配線幅あるいは配線厚さを小さくすること
により、単位長さ当りの配線からの発熱量は増加、すな
わち配線から放射される赤外光強度が増加し、発熱した
配線の検知が容易になる。

第１２図の実施例は、外部配線２３ｃｌ、２４ｄの配線
幅を、薄膜トランジスタ基板の配線パターンの最小露光
！Ｉｌｌ！相当に細くしたものである。なお外部配線は
、画素を駆動するためのＩＣが接続される電極端子パッ
ド２３ｐ、２４ｐの外側にあるため５画素の動作特性に
は影響しない。また電極端子パッドのように駆動用ＩＣ
との接触抵抗を低くするため、ある程度の幅を確保する
必要もない。

このため上述のような形状の外部配線パターンを薄膜ト
ランジスタ基板に作り込むことは実現可能である。

第１３図は外部配線パターンの第２の実施例である６第
７図の実施例との違いは、外部配線パターン２３ｃｌ、
２４ｄ及びガラス基板８１上に、薄膜トランジスタ基板
製造工程で使用するＳｉＮ等の絶縁膜８０を被覆した点
にある。物体から放射される赤外光の強度は、同じ温度
の物体でも材料や表面状態により異なるが、本実施例に
よれば絶縁膜８０の表面から放射される赤外光の強度を
検出することになり、赤外光強度分布は温度分布にほぼ
対応し、発熱した配線位置を検出するための処理を簡素
化できる。

〔発明の効果〕

以上述へたように本発明によれば薄膜トランジスタ基板
の配線の短絡不良を迅速に検知できるため、きわめて短
時間に薄膜トランジスタ基板の欠陥検査を行うことがで
きる６また。欠陥検査のための探針による接触回数は極
めて少なく、検査工程での基板損傷事故を低減できる６
また１本発明によれば、液晶デイスプレィの各画素に対
し複数の薄膜トランジスタ或いは複数の走査線と信号線
の交差部が形成された基板に対しても、従来不可能であ
った短絡位置の特定を行うことができ、短絡欠陥の存在
する基板を修正することが可能になる。このように本発
明によって、薄膜トランジスタ基板の検査を極めて短時
間に行うことができ、薄膜トランジスタ基板の歩留り向
上に効果を発揮するとともに、製品の原価低減に顕著な
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による薄膜トランジスタ基板検査方法の
実施例の説明図、第２図は薄膜トランジスタ基板の電気
的配線構成の一例を示す図、第３図は短絡欠陥の種類及
び短絡欠陥対策のための配線構造の一例を示す図、第４
図は従来の電気的な短絡欠陥検査方法の説明図、第５図
は短絡画素番地特定法の説明図、第６図は短絡位置特定
法の説明図、第７図は透過照明画像を用いた短絡位置特
定法の説明図、第８図は薄膜トランジスタ基板検査装置
の第１の実施例を示す図、第９図は短絡画素番地特定の
ための画像検出方法の説明図、第１０図は回路構成の機
能ブロック図、第１１図は薄膜トランジスタ基板検査装
置の第２の実施例を示す図、第１２図及び第１３図は各
々短絡画素番地特定に適した外部配線パターンの実施例
を示した図である。 １．１１〜１５・・走査線 ２．２１〜２５・信号線 ３．３ａ〜３ｄ・・・短絡欠陥　４・・電流計５・・・
赤外画像検出器、　　　５ｍ・・赤外顕微鏡６・・・赤
外光強度検出位置、 ７．７０〜７ｄ・・薄膜トランジスタ ８・・・透明画素電極、　９８〜９ｄ・・配線切断位置
１１ｐ〜１５ｐ・・走査線電極端子パッド２１ｐ〜２５
ｐ・信号線電極端子パッドｌｃ、２ｃ・・・接続配線 ｌｉｄ〜１５ｄ、２１ｄ〜２５ｄ・・・外部配線ｉｔ、
２ｔ・・・赤外光強度分布波形 ３０・・・薄膜トランジスタ基板、３１・θステージ３
２・・・Ｘステージ、　　　　　　３２・・・Ｙステー
ジ３４・・・Ｘステージ、　　　　　　３５・・直流電
源３６ａ、３６ｂ・・探針、　　　　３７・・対物レン
ズ３８．４０・・ダイクロインクミラー ３９．４５，４７．４９・・・レンズ、４１・・開口部
４２・　ビームエキスパンダ、　　４３・・・レーザ４
４・ハーフミラ−１４６及び５ｏ・・・ランプ４８・・
・可視画像検出器、　　　　５１・・モータ５２・・・
送りねじ、　　　　　　５３・・位置検出器５５・・・
サンプルホールド回路 ５６・・Ａ／Ｄ変換器、　　　　　５７・・メモリ６３
・辞書パターン ７３ａ〜７３ｄ・・・短絡候補領域 ７４ａ〜７４ｃｌ・・・短終候補位置 ７５・等赤外光強度線 ７６・赤外光強度分布波形 ７７・・・辞書パターン位置、　　８０・絶縁膜８１・
・ガラス基板 ８２・・赤外光用のの対物レンズ ８３・・可視光とレーザ光用の対物レンズ８４・−・中
央部に穴の空いたミラー

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の走査
   線と信号線を、いずれも一方の端子で電気的に接続し、
   走査線と信号線の間に電位差を与え、走査線と信号線の
   短絡欠陥部を流れる電流による走査線、信号線及び短絡
   部の発熱状態を赤外画像検出器で検出することを特徴と
   する薄膜トランジスタ基板の検査方法。 ２、走査線を電気的に接続する端子と画素領域との間に
   存在する走査線及び、信号線を電気的に接続する端子と
   画素領域との間に存在する信号線の発熱状態を赤外画像
   検出器で検出することにより、短絡欠陥が発生している
   可能性のある画素番地の特定することを特徴とする請求
   項１記載の薄膜トランジスタ基板の検査方法。 ３、短絡欠陥が発生している可能性のある画素番地の赤
   外画像の強度が基準値より大きい場合には、該画素番地
   に短絡欠陥が存在すると判断し、赤外光強度分布から短
   絡位置が発生している位置を特定することを特徴とする
   請求項１記載の薄膜トランジスタ基板の検査方法。 ４、薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の配線
   パターンの可視像を参照し、短絡欠陥が発生している位
   置を特定することを特徴とする請求項３記載の薄膜トラ
   ンジスタ基板の検査方法。 ５、薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の走査
   線と信号線を、いずれも一方の端子で電気的に接続し、
   走査線と信号線の間に電位差を与え、走査線と信号線の
   短絡欠陥部を流れる電流による走査線、信号線及び短絡
   部の発熱状態を赤外画像検出器で検出し、短絡欠陥が発
   生している可能性のある画素番地の赤外画像の強度が基
   準値より大きい場合には、該画素番地に短絡欠陥が存在
   すると判断し、赤外光強度分布から短絡位置が発生して
   いる位置を特定し、該特定した短絡欠陥位置データを用
   いてレーザ等による配線修正位置を制御することを特徴
   とする薄膜トランジスタ基板の修正方法。 ６、薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の走査
   線と信号線の間に電位差を与える電圧印加手段と、赤外
   画像を検出する手段と、該赤外画像から発熱位置を検出
   する手段を有し、該赤外画像から走査線、信号線の発熱
   状態から短絡欠陥が発生している可能性のある画素番地
   を特定することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の検
   査装置。 ７、薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の走査
   線と信号線の間に電位差を与える電圧印加手段と、赤外
   画像を検出する手段と、該赤外画像から発熱位置を検出
   する手段を有し、該赤外画像から短絡位置を特定するこ
   とを特徴とする薄膜トランジスタ基板の検査装置。 ８、該赤外画像と同一位置の可視画像を検出する手段を
   有し、該可視画像中の配線パターン位置を参照し、短絡
   欠陥が発生している位置を特定することを特徴とする請
   求項７記載の薄膜トランジスタ基板の検査装置。 ９、薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の走査
   線と信号線の間に電位差を与える電圧印加手段と、赤外
   画像を検出する手段と、該赤外画像から発熱位置を検出
   する手段と、該赤外画像から短絡位置を特定し、該特定
   した短絡欠陥位置データを用いてレーザによる配線修正
   位置を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする薄
   膜トランジスタ基板の修正装置。 １０、薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板であ
   って、基板周辺に形成された走査線と信号線の電極端子
   パッドの外側に、該基板の配線パターンの最小露光線幅
   相当に配線幅を細くした金属配線パターンを形成したこ
   とを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 １１、配線幅を細くした金属配線パターン上に絶縁膜を
   被覆したことを特徴とする請求項１０記載の薄膜トラン
   ジスタ基板。