JPH0472726A - ディジタル・エッチング法 - Google Patents
ディジタル・エッチング法Info
- Publication number
- JPH0472726A JPH0472726A JP18651290A JP18651290A JPH0472726A JP H0472726 A JPH0472726 A JP H0472726A JP 18651290 A JP18651290 A JP 18651290A JP 18651290 A JP18651290 A JP 18651290A JP H0472726 A JPH0472726 A JP H0472726A
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- JP
- Japan
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- etching
- substrate
- etching method
- digital
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主として半導体材料等のエツチング法に関する
。
。
ＣＨＭを解決するための手段〕
上記課題を解決するために本発明はディジタル・エッチ
ング法に関し、半導体基板等の基板を一原子層づつある
いはせいぜい三原子層づつ程度迄ディジタルにエツチン
グする手段をとる。
ング法に関し、半導体基板等の基板を一原子層づつある
いはせいぜい三原子層づつ程度迄ディジタルにエツチン
グする手段をとる。
従来、エツチング処理は半導体基板等の表面からエツチ
ング速度Ｘ Ｘ ／ ｓｉと云う形で、リニアにエツチ
ングするのが通例でありだ。
ング速度Ｘ Ｘ ／ ｓｉと云う形で、リニアにエツチ
ングするのが通例でありだ。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、−例として、Ａｒスパッタ法によるディジタル・
エッチング法を例にとると、Ｓｉ基板表面に吸着した一
〇Ｈ基を一層エッチングするには８１基板温度を５００
℃程度に保ち、ターゲット電圧を一２００■とし、Ａｒ
ガス圧をｓ ｘ ｉ ｏ−３ＴＯｒｒ程度とし、８１基
板電圧を＋７■でｒｆパワー５Ｗで５分のＡｒボンバー
ドメントをさせると、−ＯＨ基のみの除去が出来る。こ
の様に、Ａｒスパッタ法では、低運動エネルギーのＡｒ
粒子を基板表面に当てることにより、−ＯＨ基の一層除
去や、運動エネルギーを制御して、基板ｓｌの８１原子
層の一原子層づつのエツチングやせいぜい３原子層づつ
のエツチングを行なうこともできる。
エッチング法を例にとると、Ｓｉ基板表面に吸着した一
〇Ｈ基を一層エッチングするには８１基板温度を５００
℃程度に保ち、ターゲット電圧を一２００■とし、Ａｒ
ガス圧をｓ ｘ ｉ ｏ−３ＴＯｒｒ程度とし、８１基
板電圧を＋７■でｒｆパワー５Ｗで５分のＡｒボンバー
ドメントをさせると、−ＯＨ基のみの除去が出来る。こ
の様に、Ａｒスパッタ法では、低運動エネルギーのＡｒ
粒子を基板表面に当てることにより、−ＯＨ基の一層除
去や、運動エネルギーを制御して、基板ｓｌの８１原子
層の一原子層づつのエツチングやせいぜい３原子層づつ
のエツチングを行なうこともできる。
次に、他の実施例として、ガス・エツチング法によるデ
ィジタル・エッチング法を例にとると、いまＧａＡ３基
板を真空容器に入れ、まず酸素を容器内に導入してＧａ
、ＯをＧａＡθ基板表面に形成し、約５００℃に加熱す
るとＧａ２Ｏ層が一層エッチングされる。
ィジタル・エッチング法を例にとると、いまＧａＡ３基
板を真空容器に入れ、まず酸素を容器内に導入してＧａ
、ＯをＧａＡθ基板表面に形成し、約５００℃に加熱す
るとＧａ２Ｏ層が一層エッチングされる。
次に、塩紫ガスを容器内に導入し、ＧａＡｓ基板表面に
ｐＳｃｔｓＮを形成して、１５０℃程度に加熱するとＡ
ｓＣｌ２層が一層エソチングされる。この操作を繰り返
す事によりＧａＡｓ基板表面から一原子層づつのディジ
タル・エッチングが可能となる。
ｐＳｃｔｓＮを形成して、１５０℃程度に加熱するとＡ
ｓＣｌ２層が一層エソチングされる。この操作を繰り返
す事によりＧａＡｓ基板表面から一原子層づつのディジ
タル・エッチングが可能となる。
更に、その他の実施例として、ウェット・エツチング法
によるディジタル・エッチング法を例にとると、いま、
８１基板をアンモニア水と過酸化水素水を調合して、４
久／分程度のエツチング速度を持つエツチング液を作成
すると、該エツチング液にＳｉを１分間浸漬する事によ
りＳ１基板表面からＳｉ層が一原子層除去され、その後
の純水洗浄により該エツチングは停止する事となり、エ
ツチング液浸漬と純水洗浄をディジタルに繰り返す事に
よりディジタル・エッチングが可能となりエツチング時
間又はエツチング液調合によるエツチング速度の変更に
より一原子層づつのエツチングから三原子層づつ程度の
エツチング迄、精度良（行なうこともできる。
によるディジタル・エッチング法を例にとると、いま、
８１基板をアンモニア水と過酸化水素水を調合して、４
久／分程度のエツチング速度を持つエツチング液を作成
すると、該エツチング液にＳｉを１分間浸漬する事によ
りＳ１基板表面からＳｉ層が一原子層除去され、その後
の純水洗浄により該エツチングは停止する事となり、エ
ツチング液浸漬と純水洗浄をディジタルに繰り返す事に
よりディジタル・エッチングが可能となりエツチング時
間又はエツチング液調合によるエツチング速度の変更に
より一原子層づつのエツチングから三原子層づつ程度の
エツチング迄、精度良（行なうこともできる。
本発明は主として準結晶半導体基板の高精度エツチング
に適用されるが、その他の材料に適用しでも良い事は云
うまでもない。
に適用されるが、その他の材料に適用しでも良い事は云
うまでもない。
本発明により極めて高精度で、バラツキの無い半導体基
板等のエツチングが可能となる効果がある。
板等のエツチングが可能となる効果がある。
以上
Claims (1)
- 半導体基板等の基板を一原子層づつあるいはせいぜい
三原子層づつ程度迄ディジタルにエッチングする事を特
徴とするディジタル・エッチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18651290A JPH0472726A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ディジタル・エッチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18651290A JPH0472726A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ディジタル・エッチング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472726A true JPH0472726A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16189802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18651290A Pending JPH0472726A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ディジタル・エッチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472726A (ja) |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18651290A patent/JPH0472726A/ja active Pending
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