JPS5952526A - 金属酸化膜のスパツタリング方法 - Google Patents
金属酸化膜のスパツタリング方法Info
- Publication number
- JPS5952526A JPS5952526A JP15841482A JP15841482A JPS5952526A JP S5952526 A JPS5952526 A JP S5952526A JP 15841482 A JP15841482 A JP 15841482A JP 15841482 A JP15841482 A JP 15841482A JP S5952526 A JPS5952526 A JP S5952526A
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- JP
- Japan
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- oxide film
- plasma
- gas
- metal oxide
- sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は金属酸化膜を被着する反応性スパッタリング方
法の改善に関する。
法の改善に関する。
（′ｂ）従来技術と問題点
周知のようにスパッタリング方法（以下、スパッタ法と
称する）は、電子部品の薄膜形成に良く利用されており
、半導体装置の製造や抵抗体の製作に欠くことのできな
い技術となっている。
称する）は、電子部品の薄膜形成に良く利用されており
、半導体装置の製造や抵抗体の製作に欠くことのできな
い技術となっている。
例えば、半導体製造の際に用いられるフォトマスクは透
明力°う７基板上にクロム（Ｏｒ）などの金属や酸化ク
ロム（Ｃｒ２Ｏ２）などの金属酸化物の薄膜をバターニ
ングして形成するが、この薄膜の被着にはスパッタ法が
使用される。その簿膜被着時に、ターゲットが叩かれて
プラズマイオンと化学反応を起し、その反応生成膜を被
着するスパッタ法は反応性スパッタ法と呼ばれておシ、
上記の酸化クロムを被着させる場合、あるいは酸化シリ
コンや窒化シリコンを被着させる場合がこれに当たる。
明力°う７基板上にクロム（Ｏｒ）などの金属や酸化ク
ロム（Ｃｒ２Ｏ２）などの金属酸化物の薄膜をバターニ
ングして形成するが、この薄膜の被着にはスパッタ法が
使用される。その簿膜被着時に、ターゲットが叩かれて
プラズマイオンと化学反応を起し、その反応生成膜を被
着するスパッタ法は反応性スパッタ法と呼ばれておシ、
上記の酸化クロムを被着させる場合、あるいは酸化シリ
コンや窒化シリコンを被着させる場合がこれに当たる。
このような反応性スパッタ法において、酸素（０２）ガ
スをプラズマ化し、酸素イオンをターゲットに衝突させ
て、酸化膜を被着させる場合に初期にはプラズマが発生
、し難くて、強制的に高電圧を印加し、無理にプラズマ
を発生させる方法が採られている。例えば、第１図にそ
の概要断面図を示す直流（ＤＣ）電源型ヌパツタ装置に
より酸化クロム膜を被着させる場合がこれに相当する。
スをプラズマ化し、酸素イオンをターゲットに衝突させ
て、酸化膜を被着させる場合に初期にはプラズマが発生
、し難くて、強制的に高電圧を印加し、無理にプラズマ
を発生させる方法が採られている。例えば、第１図にそ
の概要断面図を示す直流（ＤＣ）電源型ヌパツタ装置に
より酸化クロム膜を被着させる場合がこれに相当する。
図において、ｌはターゲットの金属クロム板、２は被着
月のガラス基板であるが、ヌバッタ容器３内を排気口４
よシ排気し、真空度がＩ Ｏ”Ｔｏｒｒとなるようにガ
ス流入口５よシ酸素ガスを流入させる。
月のガラス基板であるが、ヌバッタ容器３内を排気口４
よシ排気し、真空度がＩ Ｏ”Ｔｏｒｒとなるようにガ
ス流入口５よシ酸素ガスを流入させる。
そうして最初にＤＣ電圧をｅｏｏｖ以上と高くしておい
てプラズマを発生させ、発生が始咬ると共に約５００Ｖ
の電圧に低下させて、スパッタをおこなっている。
てプラズマを発生させ、発生が始咬ると共に約５００Ｖ
の電圧に低下させて、スパッタをおこなっている。
このようにして、膜厚２００〜３００人の酸化クロム膜
を被着させた後、その表面を検査すると、径ｌμｅｌ１
前後のピット（ピンホー）ｖ）が無数に発生しておシ、
極めて荒れた膜質の薄膜となっている。
を被着させた後、その表面を検査すると、径ｌμｅｌ１
前後のピット（ピンホー）ｖ）が無数に発生しておシ、
極めて荒れた膜質の薄膜となっている。
これはターゲット表面が空気に曝されて表面に不導体膜
が生じておシ、したがって最初にその不導体膜を破壊す
る必要があって、そのため高電圧を印加し、それに伴な
う異常放電によってピンホールが発生すると考えられる
。
が生じておシ、したがって最初にその不導体膜を破壊す
る必要があって、そのため高電圧を印加し、それに伴な
う異常放電によってピンホールが発生すると考えられる
。
しかしながら、このようなピンホールを生じた薄膜は、
決して好ましいものではなく、今後の電子技術の進歩に
よって数１００人程度のりすい膜が益々多くなると予想
され、是非ピンホールのない膜質に改善する必要がある
。
決して好ましいものではなく、今後の電子技術の進歩に
よって数１００人程度のりすい膜が益々多くなると予想
され、是非ピンホールのない膜質に改善する必要がある
。
（Ｃ）発明の目的
本発明はこのようなピンホールの発生のない金属酸化膜
を反応性スパッタ法によって形成する方法を提案するも
のである。
を反応性スパッタ法によって形成する方法を提案するも
のである。
働 発明の構成
かかる目的は、金属酸化膜を形成する反応性スパッタ法
において、最初にアルゴン（Ａｒ）ガスを酸素ガスに混
入し、低電圧にてプラズマを発生させ、次いで酸素ガス
のみを流入して所期の電圧にてプラズマを発生させるス
パッタ法によって達成することができる。
において、最初にアルゴン（Ａｒ）ガスを酸素ガスに混
入し、低電圧にてプラズマを発生させ、次いで酸素ガス
のみを流入して所期の電圧にてプラズマを発生させるス
パッタ法によって達成することができる。
（ｅ） 発明の実施例
以下、実施例によって詳細に説明する。上記第１図に示
したスパッタ装置を用いて、排気口４よシ真空に吸引し
た後、ガス流入口４よシ第２図に示す図表のようにアル
ゴンガスと酸素ガスを流入する。即ちアルゴンガスは２
ｎｔｌｌ ７分、酸素ガスは１２ｍ６１分を流入させて
、８５０ＶのＤＣ１ｆｉ圧を印加すると、僅か１秒でプ
ラズマが発生する。数秒・間、流入ガスをそのままとし
て除々にＤＣ電圧を高くし、５００■のＤ’Ｃ電圧に印
加すると共にアルゴンガスの流入を中止する。しかる後
に、酸素ガス１２Ｌｌ／分、ＤＣ電圧５００■のままと
してスパッタさせると３０〜３５秒で膜厚２００人の酸
化クロム膜をガラス基板ｚ上に形成することができる。
したスパッタ装置を用いて、排気口４よシ真空に吸引し
た後、ガス流入口４よシ第２図に示す図表のようにアル
ゴンガスと酸素ガスを流入する。即ちアルゴンガスは２
ｎｔｌｌ ７分、酸素ガスは１２ｍ６１分を流入させて
、８５０ＶのＤＣ１ｆｉ圧を印加すると、僅か１秒でプ
ラズマが発生する。数秒・間、流入ガスをそのままとし
て除々にＤＣ電圧を高くし、５００■のＤ’Ｃ電圧に印
加すると共にアルゴンガスの流入を中止する。しかる後
に、酸素ガス１２Ｌｌ／分、ＤＣ電圧５００■のままと
してスパッタさせると３０〜３５秒で膜厚２００人の酸
化クロム膜をガラス基板ｚ上に形成することができる。
その間の真空度は絶えず１Ｏ−３Ｔｏｒｒに維持する。
このようにして被着した酸化クロム膜を検出したところ
、ピンホールの発生は全黙認められない酸化クロム薄膜
がえら□れた。これは初期のプラズマ発生時に異常放電
が生じなかったことを意味する。
、ピンホールの発生は全黙認められない酸化クロム薄膜
がえら□れた。これは初期のプラズマ発生時に異常放電
が生じなかったことを意味する。
上記は一実施例であるが、金属酸化膜を反応性スパッタ
法にて被着する場合に、流入ガスが酸素ガスのみでなく
、他のガス例えば窒素ガスを僅かに酸素ガスに混入させ
る場合にも、同様にしてアルゴンガスを初期に混入させ
ることによって、同じく低電圧でプラズマを発生させる
ことができて同様にソフトなプラズマ発生法となる。
法にて被着する場合に、流入ガスが酸素ガスのみでなく
、他のガス例えば窒素ガスを僅かに酸素ガスに混入させ
る場合にも、同様にしてアルゴンガスを初期に混入させ
ることによって、同じく低電圧でプラズマを発生させる
ことができて同様にソフトなプラズマ発生法となる。
（ト）発明の効果
したがって、本発明によれば非常に薄い金属酸化膜例え
ば３００人程度の薄膜を極めて品質良く形成することが
できるため、電子部品の性能向上に寄与するものである
。
ば３００人程度の薄膜を極めて品質良く形成することが
できるため、電子部品の性能向上に寄与するものである
。
尚、上記実施例は酸化クロム薄膜で説明したが、その他
の金属薄膜のスパッタ法にも適用できることは勿論であ
る。
の金属薄膜のスパッタ法にも適用できることは勿論であ
る。
第１図はスパッタリング装置の概要断面図、第２・図は
本発明にかかるヌバッタリング方法の時間図表である。 図中１はターゲット（金属クロム）、２はガラス基板、
８は真空容器、４は排気口、５はガス流入口を示す。
本発明にかかるヌバッタリング方法の時間図表である。 図中１はターゲット（金属クロム）、２はガラス基板、
８は真空容器、４は排気口、５はガス流入口を示す。
Claims (1)
- 酸素ガスを流入し、酸素プラズマを発生させて、ターゲ
ットに衝突させ、該ターゲット材料の金属からなる酸化
膜を形成する反応性スパッタリング方法において、最初
にアルゴンガヌを酸素ガスに混入し、低電圧にてプラズ
マを発生させ、次いで酸素ガスのみを流入して、所期の
電圧にて酸素ブー ラズマを発生させる工程が含まれ
てなることを特徴とする金属ｐ化膜のスパッタリング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15841482A JPS6022971B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 金属酸化膜のスパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15841482A JPS6022971B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 金属酸化膜のスパツタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952526A true JPS5952526A (ja) | 1984-03-27 |
| JPS6022971B2 JPS6022971B2 (ja) | 1985-06-05 |
Family
ID=15671230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15841482A Expired JPS6022971B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 金属酸化膜のスパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022971B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6283462A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配向性金属薄膜の製造方法 |
| WO2001082347A1 (en) * | 2000-04-21 | 2001-11-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing group-iii nitride compound semiconductor device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619069U (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-20 | 大門ランド株式会社 | フオ−ク |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15841482A patent/JPS6022971B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6283462A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配向性金属薄膜の製造方法 |
| WO2001082347A1 (en) * | 2000-04-21 | 2001-11-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing group-iii nitride compound semiconductor device |
| US6830949B2 (en) | 2000-04-21 | 2004-12-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group-III nitride compound semiconductor device |
| KR100504161B1 (ko) * | 2000-04-21 | 2005-07-28 | 도요다 고세이 가부시키가이샤 | Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6022971B2 (ja) | 1985-06-05 |
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