JPH0472727A - ガス洗浄法 - Google Patents
ガス洗浄法Info
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- JPH0472727A JPH0472727A JP18651690A JP18651690A JPH0472727A JP H0472727 A JPH0472727 A JP H0472727A JP 18651690 A JP18651690 A JP 18651690A JP 18651690 A JP18651690 A JP 18651690A JP H0472727 A JPH0472727 A JP H0472727A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウエーハの新らしい洗浄法に関する。
従来、半導体ウェーハの洗浄法としては、最も一般的に
はウェット洗浄法が用いられていた。すなわち、弗酸水
溶液、塩酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、アンモニ
ア水溶液、過酸化水素水溶液やこれらの混合液中に半導
体ウエーノ・を浸漬するのが通例であり、これらの薬品
の半導体ウェーハ表面からの除去には純水中に浸漬する
等の方法が用いられていた。
はウェット洗浄法が用いられていた。すなわち、弗酸水
溶液、塩酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、アンモニ
ア水溶液、過酸化水素水溶液やこれらの混合液中に半導
体ウエーノ・を浸漬するのが通例であり、これらの薬品
の半導体ウェーハ表面からの除去には純水中に浸漬する
等の方法が用いられていた。
しかし、上記従来技術によると、例えばＳｉウェーハを
ＨＦ洗浄する場合に、ＨＦ中に溶けた重金属イオンが８
１表面に付着する等、洗浄が充分に行なわれず、かえっ
て汚染している場合があったり、純水洗浄を必ず後工程
に要すると云う生産性の悪さ等の課題があった。
ＨＦ洗浄する場合に、ＨＦ中に溶けた重金属イオンが８
１表面に付着する等、洗浄が充分に行なわれず、かえっ
て汚染している場合があったり、純水洗浄を必ず後工程
に要すると云う生産性の悪さ等の課題があった。
本発明はかかる従来技術の課題を解決し、生産住良（、
汚染の無い新しい半導体ウェーハ等の洗浄法を提供する
事を目的とする。
汚染の無い新しい半導体ウェーハ等の洗浄法を提供する
事を目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、ガス洗浄洗に関
し、石英やセラミック等の容器に内に半導体ウェハを設
置すると共に、該容器内に塩酸ガスや弗酸ガスあるいは
オゾン・ガスや水蒸気等のガスを導入し、前記半導体ウ
ェーハを前記ガス等の雰囲気に晒丁手段をとる事を基本
と丁−る。
し、石英やセラミック等の容器に内に半導体ウェハを設
置すると共に、該容器内に塩酸ガスや弗酸ガスあるいは
オゾン・ガスや水蒸気等のガスを導入し、前記半導体ウ
ェーハを前記ガス等の雰囲気に晒丁手段をとる事を基本
と丁−る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、最も多用する塩酸（ａｃｔ）洗浄の場合を例にと
ると、石英容器内に石英ボートに設置されたＳｉウェー
ハを設置し、前記石英容器内にＨａｔガス・ボンベより
のＨＯｔガスを導入すると共に真空ポンプにより０．５
５ Ｔ Ｏｒ ｒ程度に減圧して保った後、ＨＯｔガス
の導入を止め、０．０００１Ｔｏｒｒ程度に盗見に減圧
すると、Ｓｉウェーハ表面に付着せる重金属の塩化物が
気化されて、洗浄される事となる。尚、本例の場合、外
部ヒーターによりせいぜい５ｏＯ℃程度に迄加熱しても
良（，１５００℃以上に加熱すると８１がエツチングさ
れる。更にＨｏｔガスのみならずａｔ。
ると、石英容器内に石英ボートに設置されたＳｉウェー
ハを設置し、前記石英容器内にＨａｔガス・ボンベより
のＨＯｔガスを導入すると共に真空ポンプにより０．５
５ Ｔ Ｏｒ ｒ程度に減圧して保った後、ＨＯｔガス
の導入を止め、０．０００１Ｔｏｒｒ程度に盗見に減圧
すると、Ｓｉウェーハ表面に付着せる重金属の塩化物が
気化されて、洗浄される事となる。尚、本例の場合、外
部ヒーターによりせいぜい５ｏＯ℃程度に迄加熱しても
良（，１５００℃以上に加熱すると８１がエツチングさ
れる。更にＨｏｔガスのみならずａｔ。
ガスやＨＦガスあるいはＨＯｔガスとオゾン・ガスの混
合ガスやアンモニア・ガスとオゾン・ガスの混合ガス等
の他のガスを用いても良い。
合ガスやアンモニア・ガスとオゾン・ガスの混合ガス等
の他のガスを用いても良い。
又、ガスとして水蒸気を用いると純水洗浄と同等以上の
残存ガスの除去も行なえると共に、・硫化水素ガスと水
蒸気との混合ガスは硫酸ガスと同等の作用があり、酸化
窒素ガスと水蒸気との混合ガスは硝酸ガスと同等の作用
がある等の効果もある更に、Ｈ，Ｏ，ガス等のガスを墜
独又は混合して用いても良い事は云うまでもない。
残存ガスの除去も行なえると共に、・硫化水素ガスと水
蒸気との混合ガスは硫酸ガスと同等の作用があり、酸化
窒素ガスと水蒸気との混合ガスは硝酸ガスと同等の作用
がある等の効果もある更に、Ｈ，Ｏ，ガス等のガスを墜
独又は混合して用いても良い事は云うまでもない。
更に、容器は石英以外にｓｌｔやＡｔ２ｏ８等の他のセ
ラミック系容器治具を用いても良い。
ラミック系容器治具を用いても良い。
本発明により半導体ウェーハ等の洗浄に関し、汚染が無
く、且つ生産性の良い新らしい洗浄法を提供する事がで
きる効果がある。
く、且つ生産性の良い新らしい洗浄法を提供する事がで
きる効果がある。
Claims (1)
- 石英やセラミック等の容器内に半導体ウエハを設置する
と共に、該容器内に塩酸ガスや弗酸ガスあるいはオゾン
・ガスや水蒸気等のガスを導入し、前記半導体ウエーハ
表面を洗浄する事を特徴とするガス洗浄法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18651690A JPH0472727A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ガス洗浄法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18651690A JPH0472727A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ガス洗浄法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472727A true JPH0472727A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16189866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18651690A Pending JPH0472727A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ガス洗浄法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472727A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996013067A1 (en) * | 1994-10-21 | 1996-05-02 | Tadahiro Ohmi | Method of, and apparatus for, producing thin film transistor |
| US5620559A (en) * | 1994-03-18 | 1997-04-15 | Fujitsu Limited | Hydrogen radical processing |
| US8298341B2 (en) * | 2008-05-29 | 2012-10-30 | Tokyo Electron Limited | Removal of metal contaminant deposited on quartz member of vertical heat processing apparatus |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18651690A patent/JPH0472727A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620559A (en) * | 1994-03-18 | 1997-04-15 | Fujitsu Limited | Hydrogen radical processing |
| WO1996013067A1 (en) * | 1994-10-21 | 1996-05-02 | Tadahiro Ohmi | Method of, and apparatus for, producing thin film transistor |
| US8298341B2 (en) * | 2008-05-29 | 2012-10-30 | Tokyo Electron Limited | Removal of metal contaminant deposited on quartz member of vertical heat processing apparatus |
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