JPH0472783A - 波長可変半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は波長可変半導体レーザ、特にコヒーレント光通
信用として有効な波長可変半導体レーザの構成に関する
。 （従来の技ＩＦｉｌ 波長多重通信では、複数の波長の光に信号を乗せて１本
の光ファイバーで複数のチャネル情報を伝送できるため
、伝送容量が拡大する。この場合、受信側では波長多重
された受信光の中の特定の波長の信号だけを干渉を使っ
て選局するための局部発振レーザが必要である。この局
部発振レーザとしては、受信光の複数の波長の中の特定
の波長の信号を自由に選局できる波長可変レーザを用い
る。 この波長可変レーザには、（１）広い波長可変幅がある
こと、干渉を利用するため（２）狭いスペクトル線幅を
有すること、信号のＳ／Ｎを高めるため（３）光出力が
大きいことが要求される。 従ダ導体で構成された波長可変レーザとしては、エレク
トロニクスレターズ ２５．１５（１９８９）第９９０
頁から第９９１頁（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓＶｏｌ、２５ Ｎｏ、１５ （１９
８９）ｐｐ。 ９９０−９９１）に記載されているように、内部に回折
格子を有する分布帰還型半導体レーザの素子長を１．２
ｍｍと長くして、電極を複数に分け。 その電極間の注入電流の比率を変えることで、光出力２
０ｍＷ以上、スペクトル線幅ＩＭＨｚ以下で波長可変＠
２．２ｎｍを得ている。 また、エレクトロニクスレターズ ２６．１（１９９０
年）第４６頁から第４７頁（Ｅ ｌ ｅ ｃｔｏｒｏｎ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ、２６ Ｎｏ、
１ （１９９０） ｐＰ、 ４６−４７）に記載のよ
うに分布帰還型半導体レーザの中に屈折率を変える先導
波路を挿入することで光出力は４ｍＷ以下と小さいが、
７ｎｍの波長可変幅を得ていた。 さらに、半導体レーザを温度制御用のペルチェ素子に貼
付だ半導体レーザの波長がＯ，ｌｎｍ／℃で変化するこ
とを利用して、温度で制御する方法も知られている。
信用として有効な波長可変半導体レーザの構成に関する
。 （従来の技ＩＦｉｌ 波長多重通信では、複数の波長の光に信号を乗せて１本
の光ファイバーで複数のチャネル情報を伝送できるため
、伝送容量が拡大する。この場合、受信側では波長多重
された受信光の中の特定の波長の信号だけを干渉を使っ
て選局するための局部発振レーザが必要である。この局
部発振レーザとしては、受信光の複数の波長の中の特定
の波長の信号を自由に選局できる波長可変レーザを用い
る。 この波長可変レーザには、（１）広い波長可変幅がある
こと、干渉を利用するため（２）狭いスペクトル線幅を
有すること、信号のＳ／Ｎを高めるため（３）光出力が
大きいことが要求される。 従ダ導体で構成された波長可変レーザとしては、エレク
トロニクスレターズ ２５．１５（１９８９）第９９０
頁から第９９１頁（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓＶｏｌ、２５ Ｎｏ、１５ （１９
８９）ｐｐ。 ９９０−９９１）に記載されているように、内部に回折
格子を有する分布帰還型半導体レーザの素子長を１．２
ｍｍと長くして、電極を複数に分け。 その電極間の注入電流の比率を変えることで、光出力２
０ｍＷ以上、スペクトル線幅ＩＭＨｚ以下で波長可変＠
２．２ｎｍを得ている。 また、エレクトロニクスレターズ ２６．１（１９９０
年）第４６頁から第４７頁（Ｅ ｌ ｅ ｃｔｏｒｏｎ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ、２６ Ｎｏ、
１ （１９９０） ｐＰ、 ４６−４７）に記載のよ
うに分布帰還型半導体レーザの中に屈折率を変える先導
波路を挿入することで光出力は４ｍＷ以下と小さいが、
７ｎｍの波長可変幅を得ていた。 さらに、半導体レーザを温度制御用のペルチェ素子に貼
付だ半導体レーザの波長がＯ，ｌｎｍ／℃で変化するこ
とを利用して、温度で制御する方法も知られている。
上記従来技術において、第１の複数の電極を設けた分布
帰還型半導体レーザの構造では、波長可変幅が内部の回
折格子の反射波長幅の約３ｎｍで限定されるため４ｎｍ
以上に波長可変幅を広げることが難しい、また、第２の
屈折率可変の導波路を内蔵する構造では、屈折率を変え
るために注入したキャリアの吸収により光出力が低下し
、１０ｍＷ以上の光出力が得られない、第３のペルチェ
素子による温度制御では、半導体レーザの活性層から離
れた基板の裏面にペルチェ素子を付は裏面から半導体素
子全体の温度を制御する方法であるため、温度を変える
ための応答速度が遅く１秒程度の時間でしか波長の切り
替えができない、即ち従来知られている可変長半導体レ
ーザでは、出力。 波長可変幅及び切り替え速度の条件を同時に実用範囲で
満たすものが実現されていない。 本発明の目的は、高出力で波長可変幅が広く、かつ切り
替え速度の速い波長可変半導体レーザを実現することで
ある。 本発明の他の目的は光出力１０ｍＷ以上、スペクトルｉ
幅１０ＭＨｚ以下で、波長可変幅４ｎｍ以上を有し、応
答速度がｌ Ｏ−”秒（１ｍ秒）のオーダ以下の実用可
能な波長可変レーザを実現することである。
帰還型半導体レーザの構造では、波長可変幅が内部の回
折格子の反射波長幅の約３ｎｍで限定されるため４ｎｍ
以上に波長可変幅を広げることが難しい、また、第２の
屈折率可変の導波路を内蔵する構造では、屈折率を変え
るために注入したキャリアの吸収により光出力が低下し
、１０ｍＷ以上の光出力が得られない、第３のペルチェ
素子による温度制御では、半導体レーザの活性層から離
れた基板の裏面にペルチェ素子を付は裏面から半導体素
子全体の温度を制御する方法であるため、温度を変える
ための応答速度が遅く１秒程度の時間でしか波長の切り
替えができない、即ち従来知られている可変長半導体レ
ーザでは、出力。 波長可変幅及び切り替え速度の条件を同時に実用範囲で
満たすものが実現されていない。 本発明の目的は、高出力で波長可変幅が広く、かつ切り
替え速度の速い波長可変半導体レーザを実現することで
ある。 本発明の他の目的は光出力１０ｍＷ以上、スペクトルｉ
幅１０ＭＨｚ以下で、波長可変幅４ｎｍ以上を有し、応
答速度がｌ Ｏ−”秒（１ｍ秒）のオーダ以下の実用可
能な波長可変レーザを実現することである。
上記目的を達成するために９本発明は半導体レーザの活
性層の近傍の半導体基板の厚さより近い位置に可変熱源
を形成し、この可変熱源の温度を制御することによって
、半導体レーザの出力光の波長を変えるようにしたもの
である。 特に好ましい実施形態としては、半導体基板の上に少な
くとも上記半導体よりもバンドキャップエネルギーが小
さな活性層となる第１の半導体層及び上記半導体基板と
逆の導電極性をもつ第２の半導体層とをもち、上記第２
の半導体層の上部及び第１の半導体層の下部にキャリア
注入用の電極を有する半導体レーザ素子において、上記
第２の半導体層の上部の電極上にＮ縁膜を介して、可変
熱源として抵抗簿膜を形成する構成とする。
性層の近傍の半導体基板の厚さより近い位置に可変熱源
を形成し、この可変熱源の温度を制御することによって
、半導体レーザの出力光の波長を変えるようにしたもの
である。 特に好ましい実施形態としては、半導体基板の上に少な
くとも上記半導体よりもバンドキャップエネルギーが小
さな活性層となる第１の半導体層及び上記半導体基板と
逆の導電極性をもつ第２の半導体層とをもち、上記第２
の半導体層の上部及び第１の半導体層の下部にキャリア
注入用の電極を有する半導体レーザ素子において、上記
第２の半導体層の上部の電極上にＮ縁膜を介して、可変
熱源として抵抗簿膜を形成する構成とする。
本発明によれば、可変熱源が活性層の近傍に設けられる
ため、活性層周辺の温度を高速で変えることができる。 特に、活性層に対して半導体基板と反対側の上部電極上
に熱源を形成した場合は、半導体基板のもつ熱勾配と熱
抵抗との関係によって、熱源の温度切り換えに対する活
性層の周辺熱応答が速くなる。半導体レーザの発振波長
は活性層の周辺の温度を変えるとそれに付随する屈折率
変化により、１．５５μｍの発信波長のレーザで０．１
ｎｍ／’Ｃ変る。これを利用することにより、活性層ｌ
の周辺の温度を４０℃変えることで、約４ｎｍの発信波
長可変幅が得られる。 特に熱源として抵抗膜を用い、活性層に非常に近い素子
表面に上記抵抗膜を付は温度を制御する態様では、熱源
と活性層の距離を数μｍ程度とすることができ、厚みが
約２００μｍの半導体基板を介する従来の温度制御によ
る波長可変レーザと比べ活性層周辺の温度変化の応答が
著しく改善される。 第２図（ａ）は材料に２００μｍ厚のＩｎＰを用い入た
とき、２０℃から６０”Ｃへ変化させるときの温度変化
で、裏面に熱源を配した場合の応答１０と表面全体に熱
源を設けたときの応答１１である。裏面にからの制御１
ｏでは基板を熱が拡散するための０．０３ｍ秒程度の時
間遅れを生じるのに対し、表面に熱源を設け、裏面では
２０’Ｃ−定と成るように制御する場合では即座に応答
する。 さらに、表面に付ける熱源の抵抗膜の幅を活性層と同程
度にすることにより、温度の応答速度をより速くするこ
とができる。熱源となる表面近傍に活性層があるため、
熱源の寸法を活性層の幅と同程度にしても熱は拡散する
こと無く活性層１の温度を高める。このため、全表面に
熱を加える方法よりも熱源の幅を狭めることができる。 温度の変化は単位面積当りのパワー密度で決まるため、
幅を狭めることによりパワー密度が高くなり、エネルギ
ー効率を高めると同時に応答が著しく速くなる。第２図
（２）にＩｎＰ材料で４００ｐｍの幅全面に熱源をもつ
場合の応答特性１１と４００μｍに対し１０μｍの幅の
熱源をもつ場合の応答特性１２を示す、パワー密度の高
まりに対応し、約１桁応答の変化が大きく、なっている
ことが分かる。また、注入パワーは１０μｍ幅の方が１
７６少ない、注入パワーが抵抗膜幅１ｏμｍと素子＠４
００μｍの比に単純に一致しないのは熱が基板内で横に
広がるためである。 以上のように、熱源を素子表面に設けることで裏面に設
けた場合に比べ活性層周辺の温度変化の遅れ時間がなく
なり、さらに、熱源の幅を狭めることにより制御のため
のエネルギー効率を高めると同時に一層温度変化を進め
ることができる。
ため、活性層周辺の温度を高速で変えることができる。 特に、活性層に対して半導体基板と反対側の上部電極上
に熱源を形成した場合は、半導体基板のもつ熱勾配と熱
抵抗との関係によって、熱源の温度切り換えに対する活
性層の周辺熱応答が速くなる。半導体レーザの発振波長
は活性層の周辺の温度を変えるとそれに付随する屈折率
変化により、１．５５μｍの発信波長のレーザで０．１
ｎｍ／’Ｃ変る。これを利用することにより、活性層ｌ
の周辺の温度を４０℃変えることで、約４ｎｍの発信波
長可変幅が得られる。 特に熱源として抵抗膜を用い、活性層に非常に近い素子
表面に上記抵抗膜を付は温度を制御する態様では、熱源
と活性層の距離を数μｍ程度とすることができ、厚みが
約２００μｍの半導体基板を介する従来の温度制御によ
る波長可変レーザと比べ活性層周辺の温度変化の応答が
著しく改善される。 第２図（ａ）は材料に２００μｍ厚のＩｎＰを用い入た
とき、２０℃から６０”Ｃへ変化させるときの温度変化
で、裏面に熱源を配した場合の応答１０と表面全体に熱
源を設けたときの応答１１である。裏面にからの制御１
ｏでは基板を熱が拡散するための０．０３ｍ秒程度の時
間遅れを生じるのに対し、表面に熱源を設け、裏面では
２０’Ｃ−定と成るように制御する場合では即座に応答
する。 さらに、表面に付ける熱源の抵抗膜の幅を活性層と同程
度にすることにより、温度の応答速度をより速くするこ
とができる。熱源となる表面近傍に活性層があるため、
熱源の寸法を活性層の幅と同程度にしても熱は拡散する
こと無く活性層１の温度を高める。このため、全表面に
熱を加える方法よりも熱源の幅を狭めることができる。 温度の変化は単位面積当りのパワー密度で決まるため、
幅を狭めることによりパワー密度が高くなり、エネルギ
ー効率を高めると同時に応答が著しく速くなる。第２図
（２）にＩｎＰ材料で４００ｐｍの幅全面に熱源をもつ
場合の応答特性１１と４００μｍに対し１０μｍの幅の
熱源をもつ場合の応答特性１２を示す、パワー密度の高
まりに対応し、約１桁応答の変化が大きく、なっている
ことが分かる。また、注入パワーは１０μｍ幅の方が１
７６少ない、注入パワーが抵抗膜幅１ｏμｍと素子＠４
００μｍの比に単純に一致しないのは熱が基板内で横に
広がるためである。 以上のように、熱源を素子表面に設けることで裏面に設
けた場合に比べ活性層周辺の温度変化の遅れ時間がなく
なり、さらに、熱源の幅を狭めることにより制御のため
のエネルギー効率を高めると同時に一層温度変化を進め
ることができる。
以下０本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による波長可変半導体レーザの１実施例
の構成を示すの概略斜視図である。以下簡単に作製方法
を述べながら構造を説明する。 ｎ型のＩｎＰ基板３上に有機金属結晶法でＩｎＧ ａ
Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐの多重量子井
戸の構造をもつ活性層１及びｐ型のＩｎＰ層２等を形成
した後、活性層１が幅１μｍ程度となるようにエツチン
グで他の領域を除去し、除去した領域にＦｅをドープし
た高抵抗層等を形成し、活性層１にのみ電流が流れ込む
ようにした。さらに、活性層１上部に窓をもつＳ ｉ
Ｏ，絶縁膜５を形成し、レーザ発振のための電流注入用
Ａｕを主体とするｐ電極６を形成した。この段階までは
従来の半導体レーザの製作方法と同じ方法で形成したも
のである。 特に、単一波長で狭スペクトルの波長可変レーザとする
ため、レーザ内部の活性層１下に光軸方向（第１図中で
は奥手方向）にはピッチ０．２４μｍの回折格子を有す
る分布帰還型レーザ構造を取った。ｐ型電極６の右領域
に抵抗膜８用の電極９−１．９−２を島状に形成した後
、Ｓｉｎ、絶縁膜７を活性層上部１幅２０μｍ程形成し
、さらにその上に抵抗膜８としてｐｔ膜を厚さ０．７μ
ｍ、＠１０μｍ形成した。このときｐｔ膜８の両端は先
に形成した電極９−１と９−２に接するようにした。最
後に、裏面にＡｕを主体とするｎ電極を全面に形成した
。 以上のようにして作成した厚み２００μｍで幅４００μ
ｍの試料をペルチェ素子で温度コントロールができる放
熱ブロックに裏面を接合させて特性を評価した。このブ
ロックの温度は２０℃程度で一定になるように制御した
。ｐ型電極６への電流を２５０ｍＡとしたところ波長１
．５４μｍでＩ Ｍ Ｈｚのスペクトル線幅、２０ｍＷ
の光出力を得た。抵抗膜８に４００ｍＡの電流を電極９
−１と９−２を介して流したところ、１０μ秒で２ｎｍ
の長波長への波長移動をＩＩ）ＩＩＩした。さらに、１
００μ秒で４ｎｍの波長移動を得た。その後、波長観測
系からの負帰還制御により、１ｍ秒内で、４ｎｍの移動
点で安定した発振波長を得た。このときの光出力は１０
ｍＷ以上、スペクトル線幅は１０ Ｍ Ｈｚ以下であっ
た。 以上本発明の１実施例について説明したが１本発明は上
記実施例に限定されるものではない、上記実施例では、
可変熱源として抵抗薄膜を使用したが、活性層上部の活
性層近傍に活性層の幅より広く、半導体素子平面より狭
い形状の温度可変の熱源を形成するかぎり同様の効果を
得ることができる。また、抵抗薄膜で構成する場合、素
子形状を小型にし、かつ製造工程が簡易であるため、熱
応答が若干低下することを許容すれば、活性層の下部、
あるいは側部に形成してもよい。 （発明の効果］ 本発明によ可変熱源を半導体レーザの活性層の近傍に形
成することによって、波長可変範囲が広く、熱応答が速
い半導体レーザを実現できる。特に実施例に示したよう
に、１ｍ秒で４ｎｍの波長可変が可能となる。従来の温
度制御による半導体レーザは半導体基板裏面の電極に直
接ペルチェ素子が接しているのではなく、ヒートシンク
の金属ブロックを介するため一層遅くなる。また、時間
遅れがあるため、オーバーシュートを生じ結果的に充分
の安定性を得るまでに秒近くかかっていた。 本発明では、温度変化が速くなるとともに活性層１周辺
の温度安定性も速い応答を利用することで実現すること
ができる。 また、熱源として抵抗膜を使用する場合、抵抗膜幅を狭
くすることで注入エネルギー密度が高くなり、−層の速
い応答、高いエネルギー効率が得られ、＃御し易くなる
。特に実施例に示したように、波長１．５４μｍでＩ
Ｍ Ｈｚのスペクトル線幅、２０ｍＷの光出力を、応答
速度が１ｍ秒以内で、波長可変が４ｎｍの実用可能な波
長可変半導体レーザが実現できた。
の構成を示すの概略斜視図である。以下簡単に作製方法
を述べながら構造を説明する。 ｎ型のＩｎＰ基板３上に有機金属結晶法でＩｎＧ ａ
Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐの多重量子井
戸の構造をもつ活性層１及びｐ型のＩｎＰ層２等を形成
した後、活性層１が幅１μｍ程度となるようにエツチン
グで他の領域を除去し、除去した領域にＦｅをドープし
た高抵抗層等を形成し、活性層１にのみ電流が流れ込む
ようにした。さらに、活性層１上部に窓をもつＳ ｉ
Ｏ，絶縁膜５を形成し、レーザ発振のための電流注入用
Ａｕを主体とするｐ電極６を形成した。この段階までは
従来の半導体レーザの製作方法と同じ方法で形成したも
のである。 特に、単一波長で狭スペクトルの波長可変レーザとする
ため、レーザ内部の活性層１下に光軸方向（第１図中で
は奥手方向）にはピッチ０．２４μｍの回折格子を有す
る分布帰還型レーザ構造を取った。ｐ型電極６の右領域
に抵抗膜８用の電極９−１．９−２を島状に形成した後
、Ｓｉｎ、絶縁膜７を活性層上部１幅２０μｍ程形成し
、さらにその上に抵抗膜８としてｐｔ膜を厚さ０．７μ
ｍ、＠１０μｍ形成した。このときｐｔ膜８の両端は先
に形成した電極９−１と９−２に接するようにした。最
後に、裏面にＡｕを主体とするｎ電極を全面に形成した
。 以上のようにして作成した厚み２００μｍで幅４００μ
ｍの試料をペルチェ素子で温度コントロールができる放
熱ブロックに裏面を接合させて特性を評価した。このブ
ロックの温度は２０℃程度で一定になるように制御した
。ｐ型電極６への電流を２５０ｍＡとしたところ波長１
．５４μｍでＩ Ｍ Ｈｚのスペクトル線幅、２０ｍＷ
の光出力を得た。抵抗膜８に４００ｍＡの電流を電極９
−１と９−２を介して流したところ、１０μ秒で２ｎｍ
の長波長への波長移動をＩＩ）ＩＩＩした。さらに、１
００μ秒で４ｎｍの波長移動を得た。その後、波長観測
系からの負帰還制御により、１ｍ秒内で、４ｎｍの移動
点で安定した発振波長を得た。このときの光出力は１０
ｍＷ以上、スペクトル線幅は１０ Ｍ Ｈｚ以下であっ
た。 以上本発明の１実施例について説明したが１本発明は上
記実施例に限定されるものではない、上記実施例では、
可変熱源として抵抗薄膜を使用したが、活性層上部の活
性層近傍に活性層の幅より広く、半導体素子平面より狭
い形状の温度可変の熱源を形成するかぎり同様の効果を
得ることができる。また、抵抗薄膜で構成する場合、素
子形状を小型にし、かつ製造工程が簡易であるため、熱
応答が若干低下することを許容すれば、活性層の下部、
あるいは側部に形成してもよい。 （発明の効果］ 本発明によ可変熱源を半導体レーザの活性層の近傍に形
成することによって、波長可変範囲が広く、熱応答が速
い半導体レーザを実現できる。特に実施例に示したよう
に、１ｍ秒で４ｎｍの波長可変が可能となる。従来の温
度制御による半導体レーザは半導体基板裏面の電極に直
接ペルチェ素子が接しているのではなく、ヒートシンク
の金属ブロックを介するため一層遅くなる。また、時間
遅れがあるため、オーバーシュートを生じ結果的に充分
の安定性を得るまでに秒近くかかっていた。 本発明では、温度変化が速くなるとともに活性層１周辺
の温度安定性も速い応答を利用することで実現すること
ができる。 また、熱源として抵抗膜を使用する場合、抵抗膜幅を狭
くすることで注入エネルギー密度が高くなり、−層の速
い応答、高いエネルギー効率が得られ、＃御し易くなる
。特に実施例に示したように、波長１．５４μｍでＩ
Ｍ Ｈｚのスペクトル線幅、２０ｍＷの光出力を、応答
速度が１ｍ秒以内で、波長可変が４ｎｍの実用可能な波
長可変半導体レーザが実現できた。
第１図は本発明による波長可変半導体レーザの１実施例
の斜視図、第２図（ａ）は本発明の効果説明のため、半
導体基板表面からと裏面から加熱した場合の温度応答比
較図、第２図（ｂ）は表面全面に抵抗膜を形成した場合
と１表面の一部に抵抗膜を形成した場合の温度応答比較
図である。 ・・・表面から温度制御する場合の活性層の温度応答特
性、１２・・・狭い抵抗膜を用いたときの活性層の応答
特性。
の斜視図、第２図（ａ）は本発明の効果説明のため、半
導体基板表面からと裏面から加熱した場合の温度応答比
較図、第２図（ｂ）は表面全面に抵抗膜を形成した場合
と１表面の一部に抵抗膜を形成した場合の温度応答比較
図である。 ・・・表面から温度制御する場合の活性層の温度応答特
性、１２・・・狭い抵抗膜を用いたときの活性層の応答
特性。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板の上に少なくとも上記半導体基板よりも
バンドキャップエネルギーが小さな活性層となる第１の
半導体層及び上記半導体基板と逆の導電極性をもつ第２
の半導体層と、上記第２の半導体層の上部及び第１の半
導体層の下部にキャリア注入用の電極を有する半導体レ
ーザにおいて、 上記活性層から、上記半導体基板の厚さより近い位置に
可変熱源を形成したことを特徴とする波長可変半導体レ
ーザ。 ２、請求項第１記載において、上記可変熱源が上記第２
の半導体層の上部の電極上に形成され、かつ上記基板の
平面より狭い加熱平面をもつことを特徴とする波長可変
半導体レーザ。 ３、半導体基板の上に少なくとも上記半導体基板よりも
バンドキャップエネルギーが小さな活性層となる第１の
半導体層及び上記半導体基板と逆の導電極性をもつ第２
半導体層とを有し、上記第２の半導体層の上部及び第１
の半導体層の下部にキャリア注入用の電極を有する半導
体レーザにおいて、 上記第２の半導体層の上部の電極上に絶縁膜を介して、
温度を変えるための加熱用の抵抗膜を形成して構成され
たことを特徴とする波長可変半導体レーザ。 ４、請求項第３記載において、加熱用の抵抗膜が上記活
性層の平面より広く、上記基板の平面より狭い平面をも
つことを特徴とする波長可変半導体レーザ。 ５、請求項第３及び第４記載において、上記半導体レー
ザが上記活性層の下部に光軸方向の回折格子を有する分
布帰還型レーザ構造をもつことを特徴とする波長可変半
導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18431690A JP3152424B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 波長可変半導体レーザ |
| EP91110430A EP0465914B1 (en) | 1990-07-13 | 1991-06-25 | Wavelength tunable laser diode |
| DE69112725T DE69112725T2 (de) | 1990-07-13 | 1991-06-25 | Laserdiode mit abstimmbarer Wellenlänge. |
| US07/720,691 US5173909A (en) | 1990-07-13 | 1991-06-25 | Wavelength tunable laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18431690A JP3152424B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 波長可変半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472783A true JPH0472783A (ja) | 1992-03-06 |
| JP3152424B2 JP3152424B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=16151205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18431690A Expired - Lifetime JP3152424B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 波長可変半導体レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5173909A (ja) |
| EP (1) | EP0465914B1 (ja) |
| JP (1) | JP3152424B2 (ja) |
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1990
- 1990-07-13 JP JP18431690A patent/JP3152424B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1991
- 1991-06-25 EP EP91110430A patent/EP0465914B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-25 DE DE69112725T patent/DE69112725T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-25 US US07/720,691 patent/US5173909A/en not_active Expired - Lifetime
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| EP0465914A2 (en) | 1992-01-15 |
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| EP0465914B1 (en) | 1995-09-06 |
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