JPH0473569B2 - - Google Patents
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- JPH0473569B2 JPH0473569B2 JP57228948A JP22894882A JPH0473569B2 JP H0473569 B2 JPH0473569 B2 JP H0473569B2 JP 57228948 A JP57228948 A JP 57228948A JP 22894882 A JP22894882 A JP 22894882A JP H0473569 B2 JPH0473569 B2 JP H0473569B2
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- JP
- Japan
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- electrode
- pixel drive
- liquid crystal
- pixel
- drive electrode
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アクテイブマトリツクス液晶表示装
置に関し、製造工程において発生した画素欠陥の
修正を目的としたものである。以下図面を参照し
て説明する。
置に関し、製造工程において発生した画素欠陥の
修正を目的としたものである。以下図面を参照し
て説明する。
液晶表示装置は、小型・軽量・低省費電力・受
光表示デバイスといつた特長を活し、時計・電卓
などに広く使用されており、将来有望な表示装置
のひとつである。この内基板内に信号線と画素駆
動電極とをオン・オフするスイツチング素子を形
成したアクテイブマトリツクス型のものは、画素
駆動電圧の保持ができれば液晶の駆動デユーテイ
比100％が可能であり、大画面・微細画素による
高精細度に適している。しかしながら、画素サイ
ズが小さくなるにつれ、画素駆動電圧を保持する
ための画素駆動電極と対向電極との間に液晶を挾
む保持容量が少さくなり、別に容量を追加しない
と電圧が保てなくなる。そのためアクテイブマト
リツク基板内に保持容量を形成する方法がとられ
るが、この場合には、画素駆動電極の一部を用い
る場合には、アクテイブマトリツクス基板を光が
通過するようなTN型液晶を用いた場合などにお
いては、光の透過率が低下し、表示のコントラス
ト落ち、表示品質が悪くなるといつた問題があ
る。そこで画素駆動電極とそれに隣接するワイミ
ング線との間にコンデンサを形成する方法がとら
れる。この方法は非選択レベルにあるタイミング
線との間に容量を作るもので、現在選択レベルに
あるタイミング線のひとつ前のタイミング線と画
素駆動電極によつて形成される。
光表示デバイスといつた特長を活し、時計・電卓
などに広く使用されており、将来有望な表示装置
のひとつである。この内基板内に信号線と画素駆
動電極とをオン・オフするスイツチング素子を形
成したアクテイブマトリツクス型のものは、画素
駆動電圧の保持ができれば液晶の駆動デユーテイ
比100％が可能であり、大画面・微細画素による
高精細度に適している。しかしながら、画素サイ
ズが小さくなるにつれ、画素駆動電圧を保持する
ための画素駆動電極と対向電極との間に液晶を挾
む保持容量が少さくなり、別に容量を追加しない
と電圧が保てなくなる。そのためアクテイブマト
リツク基板内に保持容量を形成する方法がとられ
るが、この場合には、画素駆動電極の一部を用い
る場合には、アクテイブマトリツクス基板を光が
通過するようなTN型液晶を用いた場合などにお
いては、光の透過率が低下し、表示のコントラス
ト落ち、表示品質が悪くなるといつた問題があ
る。そこで画素駆動電極とそれに隣接するワイミ
ング線との間にコンデンサを形成する方法がとら
れる。この方法は非選択レベルにあるタイミング
線との間に容量を作るもので、現在選択レベルに
あるタイミング線のひとつ前のタイミング線と画
素駆動電極によつて形成される。
第１図は、従来のアクテイブマトリツクス基板
の構成を示すものであり、現在選択レベルにある
タイミング線２によりスイツチング素子である
MOSトランジスタ８をオン状態としデータ線１
の信号を画素駆動電極６に充電する。このとき第
２図の回路図に示すようにデータ線１の信号を
MOSトランジスタ８を通じて、画素駆動電極と
液晶セルを構成するガラス基板上の電極によつて
形成される容量４と画素駆動電極と非選択レベル
にあるタイミング線３との間に形成した容量５に
各々充電する。これによつて画素サイズが小さく
なることによる容量４の低下を容量５で補なうこ
とができるが、一方で画素駆動電極と非選択レベ
ルのタイミング線とを重ねた部分３における、上
記画素駆動電極と非選択レベルのタイミング線に
挾まれる絶縁膜におけるピンホールが製造工程に
おいて発生した場合画素駆動電極はタイミング線
の非選択レベルに保たれてしまいデータ線からの
信号は消去されてしまう。このようなピンホール
の発生は、形成される電極７の面積が表示装置全
体ではかなりの大きさになるため確率は高い。こ
の場合表示装置としては、その画素が点灯したま
ま、あるいは全く点灯しないといつた画素欠陥と
なるため、著しい品質の低下をまねく。
の構成を示すものであり、現在選択レベルにある
タイミング線２によりスイツチング素子である
MOSトランジスタ８をオン状態としデータ線１
の信号を画素駆動電極６に充電する。このとき第
２図の回路図に示すようにデータ線１の信号を
MOSトランジスタ８を通じて、画素駆動電極と
液晶セルを構成するガラス基板上の電極によつて
形成される容量４と画素駆動電極と非選択レベル
にあるタイミング線３との間に形成した容量５に
各々充電する。これによつて画素サイズが小さく
なることによる容量４の低下を容量５で補なうこ
とができるが、一方で画素駆動電極と非選択レベ
ルのタイミング線とを重ねた部分３における、上
記画素駆動電極と非選択レベルのタイミング線に
挾まれる絶縁膜におけるピンホールが製造工程に
おいて発生した場合画素駆動電極はタイミング線
の非選択レベルに保たれてしまいデータ線からの
信号は消去されてしまう。このようなピンホール
の発生は、形成される電極７の面積が表示装置全
体ではかなりの大きさになるため確率は高い。こ
の場合表示装置としては、その画素が点灯したま
ま、あるいは全く点灯しないといつた画素欠陥と
なるため、著しい品質の低下をまねく。
そこで本発明においては、このような欠陥の発
生に対して後から修正の方法を与えるもので、第
３図に示すように画素駆動電極６と容量５の電極
７を接続部９以外でスリツト１０により分離して
おくパターンとすることである。
生に対して後から修正の方法を与えるもので、第
３図に示すように画素駆動電極６と容量５の電極
７を接続部９以外でスリツト１０により分離して
おくパターンとすることである。
このパターンを用いて実際に電極７においてピ
ンホールによる欠陥が発生した場合、接続部９を
レーザなどにより切断し画素駆動電極６と完全に
分離してしまうことにより画素駆動電極がタイミ
ング線の非選択レベルに保たれてしまうこともな
く、かつ画素としての電圧保持容量が容量４だけ
になつてしまうが、点灯か非点灯かといつた極端
な欠陥状態ではなく、データ線からの信号によつ
て一応コントロールされる状態となり、かなり改
善される。
ンホールによる欠陥が発生した場合、接続部９を
レーザなどにより切断し画素駆動電極６と完全に
分離してしまうことにより画素駆動電極がタイミ
ング線の非選択レベルに保たれてしまうこともな
く、かつ画素としての電圧保持容量が容量４だけ
になつてしまうが、点灯か非点灯かといつた極端
な欠陥状態ではなく、データ線からの信号によつ
て一応コントロールされる状態となり、かなり改
善される。
以上の如く、本発明は液晶表示容量を、接続部
を介して該画素電極と電気的に接続された電極と
前段の該タイミング線とで形成し、該接続部の幅
を、該画素電極の幅よりも狭くしたから、表示容
量を構成する絶縁膜中のピンホールによるリーク
不良があつた場合、表示容量と画素駆動電極との
接続部を切断することにより、表示不良をなくす
ことができ、歩留りの向上と、表示品質の向上を
図ることができる。
を介して該画素電極と電気的に接続された電極と
前段の該タイミング線とで形成し、該接続部の幅
を、該画素電極の幅よりも狭くしたから、表示容
量を構成する絶縁膜中のピンホールによるリーク
不良があつた場合、表示容量と画素駆動電極との
接続部を切断することにより、表示不良をなくす
ことができ、歩留りの向上と、表示品質の向上を
図ることができる。
第１図は従来のアクテイブマトリツクス基板の
構成図。第２図は第１図の電気回路図。第３図は
本発明による画素駆動電極と容量電極の構成図。 １……データ線、２……現在選択レベルにある
タイミング線、３……現在非選択レベルにあるタ
イミング線、４……画素駆動電極と対向電極に液
晶を挾んで作られる容量、５……画素駆動電極と
非選択レベルにあるタイミング線３との間に作ら
れる容量、６……画素駆動電極、７……容量５を
構成する画素駆動電極６と接続された電極、８…
…MOSトランジスタ、９……画素駆動電極と容
量電極を分割するスリツト、１０……画素駆動電
極と容量電極の接続部。
構成図。第２図は第１図の電気回路図。第３図は
本発明による画素駆動電極と容量電極の構成図。 １……データ線、２……現在選択レベルにある
タイミング線、３……現在非選択レベルにあるタ
イミング線、４……画素駆動電極と対向電極に液
晶を挾んで作られる容量、５……画素駆動電極と
非選択レベルにあるタイミング線３との間に作ら
れる容量、６……画素駆動電極、７……容量５を
構成する画素駆動電極６と接続された電極、８…
…MOSトランジスタ、９……画素駆動電極と容
量電極を分割するスリツト、１０……画素駆動電
極と容量電極の接続部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一対の基板間に挟持されてなる液晶層と、該
１対の基板の一方の基板上にマトリクス状に配置
されてなる画素電極と、該画素電極にデータ信号
を供給してなるデータ線と、該画素電極にタイミ
ング信号を供給してなるタイミング線を有してな
る電気光学表示装置において、 液晶表示容量は、接続部を介して該画素電極と
電気的に接続された電極と前段の該タイミング線
とで形成され、 該接続部の幅は、該画素電極の幅よりも狭いこ
とを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228948A JPS59119322A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228948A JPS59119322A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119322A JPS59119322A (ja) | 1984-07-10 |
| JPH0473569B2 true JPH0473569B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=16884359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57228948A Granted JPS59119322A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119322A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60230118A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-15 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 記憶容量内蔵型液晶表示装置 |
| JP2620240B2 (ja) | 1987-06-10 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JPH01219824A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Seikosha Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板 |
| JPH0786618B2 (ja) * | 1988-12-29 | 1995-09-20 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
| JPH0298333U (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-06 | ||
| JPH0786619B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1995-09-20 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
| JP2818197B2 (ja) * | 1989-05-23 | 1998-10-30 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR940005124B1 (ko) * | 1989-10-04 | 1994-06-11 | 호시덴 가부시기가이샤 | 액정표시소자 |
| US5392143A (en) * | 1989-11-30 | 1995-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display having drain and pixel electrodes linkable to a wiring line having a potential |
| US5151806A (en) * | 1990-04-27 | 1992-09-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having a series combination of the storage capacitors |
| FR2662290B1 (fr) * | 1990-05-15 | 1992-07-24 | France Telecom | Procede de realisation d'un ecran d'affichage a matrice active et a condensateurs de stockage et ecran obtenu par ce procede. |
| US5402254B1 (en) * | 1990-10-17 | 1998-09-22 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device with tfts in which pixel electrodes are formed in the same plane as the gate electrodes with anodized oxide films before the deposition of silicon |
| US5287206A (en) * | 1990-11-30 | 1994-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device |
| JP2650780B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1997-09-03 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552091A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Suwa Seikosha Kk | Correcting substrate for liquid crystal panel |
| JPS5660480A (en) * | 1979-10-23 | 1981-05-25 | Canon Kk | Display unit |
| JPS5677887A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display unit |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57228948A patent/JPS59119322A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59119322A (ja) | 1984-07-10 |
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