JPH0473637B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0473637B2 JPH0473637B2 JP60283614A JP28361485A JPH0473637B2 JP H0473637 B2 JPH0473637 B2 JP H0473637B2 JP 60283614 A JP60283614 A JP 60283614A JP 28361485 A JP28361485 A JP 28361485A JP H0473637 B2 JPH0473637 B2 JP H0473637B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductivity type
- type region
- nitride film
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 10
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 10
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- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は特定の波長光に対して光感度を向上さ
せた光半導体装置に関する。
せた光半導体装置に関する。
従来の技術
従来の光半導体装置は第４図ａ，ｂに示すよう
な平面構造、断面構造であり、所定導電形半導体
基板１の上に同一導電形領域２を有し、その表面
に反対導電形領域３を２つ以上有している。第１
の導電形領域２および第２の導電形領域３の表面
には酸化膜４と窒化膜５とが形成されている。通
常、酸化膜として9000〜15000Å、窒化膜として
3000〜5000Åの厚みがある。この光半導体装置に
光が入射されると表面近傍での反射などにより、
特定の波長に対し光感度が低下することがあつ
た。
な平面構造、断面構造であり、所定導電形半導体
基板１の上に同一導電形領域２を有し、その表面
に反対導電形領域３を２つ以上有している。第１
の導電形領域２および第２の導電形領域３の表面
には酸化膜４と窒化膜５とが形成されている。通
常、酸化膜として9000〜15000Å、窒化膜として
3000〜5000Åの厚みがある。この光半導体装置に
光が入射されると表面近傍での反射などにより、
特定の波長に対し光感度が低下することがあつ
た。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、基板仕様の選定や
反対導電形領域を所定の波長光に合わせて形成す
る必要がある。また、表面の酸化膜と窒化膜が
5000Å以上では近赤外光に対して反射効果があ
り、充分な光感度が得られない欠点があつた。本
発明はこのような問題点を解決するもので、近赤
外光に対して高い光感度を有する光半導体装置を
得ることを目的とするものである。
反対導電形領域を所定の波長光に合わせて形成す
る必要がある。また、表面の酸化膜と窒化膜が
5000Å以上では近赤外光に対して反射効果があ
り、充分な光感度が得られない欠点があつた。本
発明はこのような問題点を解決するもので、近赤
外光に対して高い光感度を有する光半導体装置を
得ることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明は近赤外
光に対して、反対導電形領域表面の酸化膜と窒化
膜との厚みを制御して反射防止膜を形成するとと
もに同一導電形領域表面の酸化膜と窒化膜とを厚
くして反射膜とすることにより、光感度を大幅に
高めたものである。この反射防止膜の厚みとして
酸化膜を500Å以下に窒化膜を500〜1500Åにして
あり、反射膜の厚みとしては酸化膜と窒化膜との
合計の厚みをほぼ5000Åにしてある。
光に対して、反対導電形領域表面の酸化膜と窒化
膜との厚みを制御して反射防止膜を形成するとと
もに同一導電形領域表面の酸化膜と窒化膜とを厚
くして反射膜とすることにより、光感度を大幅に
高めたものである。この反射防止膜の厚みとして
酸化膜を500Å以下に窒化膜を500〜1500Åにして
あり、反射膜の厚みとしては酸化膜と窒化膜との
合計の厚みをほぼ5000Åにしてある。
作 用
本発明の光半導体装置の構造により、近赤外光
に対して反射が少なくなり、効率よく光を反射導
電領域、つまり、接合部に入射させることができ
る。また同一導電形領域、つまり、非接合部表面
の反射膜構造により前記反対導電形領域周辺への
入射に対する光感度を低減させることができる。
に対して反射が少なくなり、効率よく光を反射導
電領域、つまり、接合部に入射させることができ
る。また同一導電形領域、つまり、非接合部表面
の反射膜構造により前記反対導電形領域周辺への
入射に対する光感度を低減させることができる。
実施例
第１図ａ，ｂは本発明の一実施例による反対導
電形領域が２つの場合のチツプの平面図および断
面図である。１はＮ形導電形半導体基板、２は基
板と同一導電形領域、３は基板と反対のＰ形導電
形領域、４，６は酸化膜、５，７は窒化膜であ
る。近赤外光に対して、感度を向上させるため、
反対導電形領域３の表面の酸化膜４と窒化膜５と
の厚みを制御して反射防止膜構造としてある。一
方、感度ピークが反対導電形領域３以外に表われ
ないように、同一導電形領域２の表面の酸化膜６
と窒化膜７との厚みを変えて反射膜構造としてあ
る。本実施例では反射防止膜として酸化膜４
（200Å）と窒化膜５（850Å）の２層で形成して
おり、反射膜として酸化膜６（4000Å）、窒化膜
７（5000Å）をそれぞれ反対導電形領域２の上面
に形成し、この部分は４層で形成してある。な
お、この反射膜部分の下層酸化膜４は領域２を形
成する際の数千Åの拡散防止マスクがそのまま残
つて存在していてもよく、第１図の断面図はその
例である。
電形領域が２つの場合のチツプの平面図および断
面図である。１はＮ形導電形半導体基板、２は基
板と同一導電形領域、３は基板と反対のＰ形導電
形領域、４，６は酸化膜、５，７は窒化膜であ
る。近赤外光に対して、感度を向上させるため、
反対導電形領域３の表面の酸化膜４と窒化膜５と
の厚みを制御して反射防止膜構造としてある。一
方、感度ピークが反対導電形領域３以外に表われ
ないように、同一導電形領域２の表面の酸化膜６
と窒化膜７との厚みを変えて反射膜構造としてあ
る。本実施例では反射防止膜として酸化膜４
（200Å）と窒化膜５（850Å）の２層で形成して
おり、反射膜として酸化膜６（4000Å）、窒化膜
７（5000Å）をそれぞれ反対導電形領域２の上面
に形成し、この部分は４層で形成してある。な
お、この反射膜部分の下層酸化膜４は領域２を形
成する際の数千Åの拡散防止マスクがそのまま残
つて存在していてもよく、第１図の断面図はその
例である。
第２図ａ，ｂはＰ形領域３が６つの場合のチツ
プの平面図および断面図である。１はＮ形半導体
基板、２はＮ形領域、３は基板と反射のＰ形領
域、４および６は酸化膜、５および７は窒化膜で
ある。反射防止膜として窒化膜（1000Å）を形成
してあり、反射膜には第１図同様に酸化膜と窒化
膜との４層で形成してある。なお、反射膜の上に
Al等の金属を付設して反射効果を高めても効果
があるのはいうまでもない。
プの平面図および断面図である。１はＮ形半導体
基板、２はＮ形領域、３は基板と反射のＰ形領
域、４および６は酸化膜、５および７は窒化膜で
ある。反射防止膜として窒化膜（1000Å）を形成
してあり、反射膜には第１図同様に酸化膜と窒化
膜との４層で形成してある。なお、反射膜の上に
Al等の金属を付設して反射効果を高めても効果
があるのはいうまでもない。
第３図に本発明実施例装置の光感度特性を従来
例装置と比較して示す。破線８は本発明の光感度
分布を示しており、実線９は従来の光半導体装置
の光感度分布である。反射防止膜の周辺に反射膜
を形成した本発明では光感度分布が平坦な特性と
なり、反対導電形領域上に感度ピークが発生する
ことはない。本発明の実施例ではＮ形基板を使用
した場合について述べたが、Ｐ形基板で第１導電
形領域をＰ形に、第２導電形領域をＮ形にしても
同様の効果が得られることは言うまでもない。
例装置と比較して示す。破線８は本発明の光感度
分布を示しており、実線９は従来の光半導体装置
の光感度分布である。反射防止膜の周辺に反射膜
を形成した本発明では光感度分布が平坦な特性と
なり、反対導電形領域上に感度ピークが発生する
ことはない。本発明の実施例ではＮ形基板を使用
した場合について述べたが、Ｐ形基板で第１導電
形領域をＰ形に、第２導電形領域をＮ形にしても
同様の効果が得られることは言うまでもない。
発明の効果
以上のように、本発明によれば近赤外光に対す
る最適な反射防止膜構造により、光感度が大幅に
向上した。たとえば波長800nｍのレーザ光に対
して、第１図示の本実施例装置では約1.5倍の光
感度向上が達成できた。
る最適な反射防止膜構造により、光感度が大幅に
向上した。たとえば波長800nｍのレーザ光に対
して、第１図示の本実施例装置では約1.5倍の光
感度向上が達成できた。
第１図ａ，ｂは本発明の一実施例による光半導
体装置の平面図および断面図、第２図ａ，ｂは他
の実施例装置の平面図および断面図、第３図は本
発明と実施例装置と従来光半導体装置との各感度
分布特性図、第４図は従来例装置の平面図および
断面図である。 １……Ｎ形半導体基板、２……Ｎ形領域、３…
…Ｐ形領域、４，６……酸化膜、５，７……窒化
膜。
体装置の平面図および断面図、第２図ａ，ｂは他
の実施例装置の平面図および断面図、第３図は本
発明と実施例装置と従来光半導体装置との各感度
分布特性図、第４図は従来例装置の平面図および
断面図である。 １……Ｎ形半導体基板、２……Ｎ形領域、３…
…Ｐ形領域、４，６……酸化膜、５，７……窒化
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定導電形半導体基板上に、同一導電形領域
を有し、その表面に反対導電形領域を少なくとも
２つ以上有し、前記反対導電形領域の表面に酸化
膜と窒化膜との積層もしくは窒化膜だけによる反
射防止膜および前記同一導電形領域の表面にのみ
反射膜をそなえたことを特徴とする光半導体装
置。 ２ 反射防止膜が酸化膜を500Å以下、窒化膜を
500〜1500Åの各厚みの範囲に選定されたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283614A JPS62142375A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283614A JPS62142375A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142375A JPS62142375A (ja) | 1987-06-25 |
| JPH0473637B2 true JPH0473637B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=17667782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60283614A Granted JPS62142375A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62142375A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248676A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| JPH03206671A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Nec Corp | フォトダイオード |
| JP3386011B2 (ja) * | 1999-07-15 | 2003-03-10 | 住友電気工業株式会社 | 半導体受光素子 |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP60283614A patent/JPS62142375A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62142375A (ja) | 1987-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |