JPS62142375A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS62142375A JPS62142375A JP60283614A JP28361485A JPS62142375A JP S62142375 A JPS62142375 A JP S62142375A JP 60283614 A JP60283614 A JP 60283614A JP 28361485 A JP28361485 A JP 28361485A JP S62142375 A JPS62142375 A JP S62142375A
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- Japan
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- film
- conductivity type
- region
- nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は特定の波長光に対して光感度を向上させた光半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
従来の技術
従来の光半導体装置は第４図ａ、ｂに示すような平面構
造、断面構造であり、所定導電形半導体基板１の上に同
一導電形領域２を有し、その表面に反対導電形領域３を
２つ以上有している。第１の導電影領域２および第２の
導電影領域３の表面には酸化膜４と窒化膜５とが形成さ
れている。通常、酸化膜として９０００〜１６ｏｏＯ人
、窒化膜として３０００〜ＳＯＯ〇への厚みがある。こ
の光半導体装置に光が入射されると表面近傍での反射な
どにより、特定の波長に対し光感度が低下することがあ
った。
造、断面構造であり、所定導電形半導体基板１の上に同
一導電形領域２を有し、その表面に反対導電形領域３を
２つ以上有している。第１の導電影領域２および第２の
導電影領域３の表面には酸化膜４と窒化膜５とが形成さ
れている。通常、酸化膜として９０００〜１６ｏｏＯ人
、窒化膜として３０００〜ＳＯＯ〇への厚みがある。こ
の光半導体装置に光が入射されると表面近傍での反射な
どにより、特定の波長に対し光感度が低下することがあ
った。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、基板仕様の選定や反対導電
形領域を所定の波長光に合わせて形成する必要がある。
形領域を所定の波長光に合わせて形成する必要がある。
また、表面の酸化膜と窒化膜が５０００Å以上では近赤
外光に対して反射効果があり、充分な光感度が得られな
い欠点があった。
外光に対して反射効果があり、充分な光感度が得られな
い欠点があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、近赤外光
に対して高い光感度を有する光半導体装置を得ることを
目的とするものである。
に対して高い光感度を有する光半導体装置を得ることを
目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために、本発明は近赤外光に対し
て、反対導電形領域表面の酸化膜と窒化膜との厚みを制
御して反射防止膜を形成するとともて同一導電形領域表
面の酸化膜と窒化膜とを厚くして反射膜とすることによ
シ、光感度を大幅に高めたものである。この反射防止膜
の厚みとして酸化膜を５００Å以下に窒化膜を５００〜
１６００人にしてちり、反射膜の厚みとしては酸化膜と
窒化膜との合計の厚みをほぼ５ｏｏｏ八にしである。
て、反対導電形領域表面の酸化膜と窒化膜との厚みを制
御して反射防止膜を形成するとともて同一導電形領域表
面の酸化膜と窒化膜とを厚くして反射膜とすることによ
シ、光感度を大幅に高めたものである。この反射防止膜
の厚みとして酸化膜を５００Å以下に窒化膜を５００〜
１６００人にしてちり、反射膜の厚みとしては酸化膜と
窒化膜との合計の厚みをほぼ５ｏｏｏ八にしである。
作 用
本発明の光半導体装置の構造により、近赤外光に対して
反射が少なくなり、効率よく光を反対導電領域、つまり
、接合部に入射させることができる。また同一導電形領
域、つまり、非接合部表面の反射膜構造により前記反対
導電形領域周辺への入射に対する光感度を低減させるこ
とができる０実施例 第１図ａ、ｂは本発明の一実施例による反対導電形領域
が２つの場合のチップの平面図および断面図である。１
はＮ形導電形半導体基板、２は基板と同一導電形領域、
３は基板と反対のＰ形導電形領域、４，６は酸化膜、５
，７は窒化膜である。
反射が少なくなり、効率よく光を反対導電領域、つまり
、接合部に入射させることができる。また同一導電形領
域、つまり、非接合部表面の反射膜構造により前記反対
導電形領域周辺への入射に対する光感度を低減させるこ
とができる０実施例 第１図ａ、ｂは本発明の一実施例による反対導電形領域
が２つの場合のチップの平面図および断面図である。１
はＮ形導電形半導体基板、２は基板と同一導電形領域、
３は基板と反対のＰ形導電形領域、４，６は酸化膜、５
，７は窒化膜である。
近赤外光に対して、感度を向上させるため、反対導電形
領域３の表面の酸化膜４と窒化膜６との厚みを制御して
反射防止膜構造としである。一方、感度ピークが反対導
電形領域３以外に表われないように、同一導電形領域２
の表面の酸化膜６と窒化膜７との厚みを変えて反射膜構
造としである。
領域３の表面の酸化膜４と窒化膜６との厚みを制御して
反射防止膜構造としである。一方、感度ピークが反対導
電形領域３以外に表われないように、同一導電形領域２
の表面の酸化膜６と窒化膜７との厚みを変えて反射膜構
造としである。
本実施例では反射防止膜として酸化膜４ （２００人）
と窒化膜５（８５０人）の２層で形成しており、反射膜
として酸化膜６（４０００人）、窒化膜７（６００ｏ入
）をそれぞれ反対導電形領域２の上面に形成し、この部
分は４層で形成しである。なお、この反射膜部分の下層
酸化膜４は領域２を形成する際の数千人の拡散防止マス
クがそのまま残って存在していてもよく、第１図の断面
図はその例である。
と窒化膜５（８５０人）の２層で形成しており、反射膜
として酸化膜６（４０００人）、窒化膜７（６００ｏ入
）をそれぞれ反対導電形領域２の上面に形成し、この部
分は４層で形成しである。なお、この反射膜部分の下層
酸化膜４は領域２を形成する際の数千人の拡散防止マス
クがそのまま残って存在していてもよく、第１図の断面
図はその例である。
第２図ａ、ｂはＰ影領域３が６つの場合のチップの平面
図および断面図である。１はＮ形半導体基板、２はＮ影
領域、３は基板と反射のＰ影領域、４および６は酸化膜
、５および７は窒化膜である。
図および断面図である。１はＮ形半導体基板、２はＮ影
領域、３は基板と反射のＰ影領域、４および６は酸化膜
、５および７は窒化膜である。
反射防止膜として窒化膜（１０００人）を形成してあり
、反射膜には第１図同様に酸化膜と窒化膜との４層で形
成しである。なお、反射膜の上にＡｅ等の金属を付設し
て反射効果を高めても効果があるのはいうまでもない。
、反射膜には第１図同様に酸化膜と窒化膜との４層で形
成しである。なお、反射膜の上にＡｅ等の金属を付設し
て反射効果を高めても効果があるのはいうまでもない。
第３図に本発明実施例装置の光感度特性を従来例装置と
比較して示す。破線８は本発明の光感度分布を示してお
り、実線９は従来の光半導体装置の光感度分布である。
比較して示す。破線８は本発明の光感度分布を示してお
り、実線９は従来の光半導体装置の光感度分布である。
反射防止膜の周辺に反射膜を形成した本発明では光感度
分布が平坦な特性となり、反対導電形領域上に感度ピー
クが発生することはない。本発明の実施例ではＮ形基板
を使用した場合について述べたが、Ｐ形基板で第１導電
形領域をＰ形に、第２導電形領域をＮ形にしても同様の
効果が得られることは言うまでもない。
分布が平坦な特性となり、反対導電形領域上に感度ピー
クが発生することはない。本発明の実施例ではＮ形基板
を使用した場合について述べたが、Ｐ形基板で第１導電
形領域をＰ形に、第２導電形領域をＮ形にしても同様の
効果が得られることは言うまでもない。
発明の効果
以上のように、本発明によれば近赤外光に対する最適な
反射防止膜構造により、光感度が大幅に向上した。たと
えば波長８００ ｎ ｍのレーザ光に対して、第１図示
の本実施例装置では約１．５倍の光感度向上が達成でき
た。
反射防止膜構造により、光感度が大幅に向上した。たと
えば波長８００ ｎ ｍのレーザ光に対して、第１図示
の本実施例装置では約１．５倍の光感度向上が達成でき
た。
第１図ａ、ｂは本発明の一実施例による光半導体装置の
平面図および断面図、第２図ａ、ｂは他の実施例装置の
平面図および断面図、第３図は本発明と実施例装置と従
来光半導体装置との各感度分布特性図、第４図は従来例
装置の平面図および断面図である。 １・・・・・Ｎ形半導体基板、２・・・・・Ｎ影領域、
３・・・・・Ｐ影領域、４，６・・・・・・酸化膜、５
，７・・・・・・窒化膜Ｑ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 第４図
平面図および断面図、第２図ａ、ｂは他の実施例装置の
平面図および断面図、第３図は本発明と実施例装置と従
来光半導体装置との各感度分布特性図、第４図は従来例
装置の平面図および断面図である。 １・・・・・Ｎ形半導体基板、２・・・・・Ｎ影領域、
３・・・・・Ｐ影領域、４，６・・・・・・酸化膜、５
，７・・・・・・窒化膜Ｑ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）所定導電形半導体基板上に、同一導電形領域を有
し、その表面に反対導電形領域を少なくとも２つ以上有
し、前記反対導電形領域の表面に酸化膜と窒化膜との積
層もしくは窒化膜だけによる反射防止膜および前記同一
導電形領域の表面にのみ反射膜をそなえたことを特徴と
する光半導体装置。 - （２）反射防止膜が酸化膜を５００Å以下、窒化膜を５
００〜１５００Åの各厚みの範囲に選定されたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283614A JPS62142375A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283614A JPS62142375A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142375A true JPS62142375A (ja) | 1987-06-25 |
| JPH0473637B2 JPH0473637B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=17667782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60283614A Granted JPS62142375A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62142375A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248676A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| JPH03206671A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Nec Corp | フォトダイオード |
| JP2001028454A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-01-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子 |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP60283614A patent/JPS62142375A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248676A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| JPH03206671A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Nec Corp | フォトダイオード |
| JP2001028454A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-01-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473637B2 (ja) | 1992-11-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |