JPH0473641B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は比較的高周波数帯、特にVHF帯、
UHF帯およびマイクロ波帯で多く用いられる高
周波ろ波器に関するものである。

〔従来の技術〕

まず、第７図に示す従来の高周波ろ波器につい
て説明する。第７図において同図ａ一部欠載した
平面図、同図ｂは同図ａのＡ−Ａ線断面図で、１
ａ〜５ａ，１ｂ〜５ｂはストリツプ導体、６ａ，
６ｂは接地導体、７，８は同軸端子、９は同軸端
子の中心導体、１０ａ，１０ｂは誘電体板を示
す。

ストリツプ導体１ａ〜５ａ、接地導体６ａは誘
電体板１０ａに密着した導体膜で形成され、スト
リツプ導体１ｂ〜５ｂ、接地導体６ｂは誘電体板
１０ｂに密着した導体膜で形成されている。又、
これらのストリツプ導体１ａ〜５ａ，１ｂ〜５
ｂ、接地導体６ａ，６ｂ、誘電体板１０ａ，１０
ｂは、第７図ｂのＢ−Ｂ面に対して対称構造とな
るように重ね合わされている。

同軸端子８の接続部分の形状は、第８図に詳細
図を示すような形状であり、同軸端子８は中心導
体９がストリツプ導体５ａ，５ｂの位置に一致す
るように接続される。又、同軸端子７の接続法も
同様である。

この高周波ろ波器において、ストリツプ導体２
ａ，２ｂ，３ａ，３ｂ及び４ａ，４ｂが同一周波
数foで共振するものとすれば、周波数foではスト
リツプ導体１ａ，１ｂと５ａ，５ｂは共振状態に
あるストリツプ導体２ａ，２ｂ〜４ａ，４ｂを介
して強く結合し、同軸端子７への入射波は端子８
に導かれる。しかし、fo以外の周波数では、スト
リツプ導体１ａ，１ｂと５ａ，５ｂの結合は非常
に弱く、端子７への入射波はほとんどの電力が反
射される。このように、第７図に示した高周波ろ
波器は帯域通過ろ波器としての機能を有する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかるに、従来の高周波ろ波器は、ストリツプ
導体１ａ，１ｂ〜５ａ，５ｂが誘電体板１０ａ，
１０ｂの間に挾み込まれる構造となつているの
で、ストリツプ導体１ａ，１ｂ〜５ａ，５ｂ間の
結合量や共振周波数の調整が困難であるという欠
点があつた。

この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、ストリツプ導体間
の結合量や共振周波数の調整が容易な高周波ろ波
器を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明にかかる高周波ろ波器は、誘電体板に
複数の溝を設け、各溝の中にストリツプ導体を開
放端の向きが同じになるように形成するととも
に、隣接するストリツプ導体同士を直接導体によ
り接続してストリツプ導体の段間結合を行うよう
にしたものである。

〔作用〕

この発明による高周波ろ波器においては、スト
リツプ導体が誘電体板の露出面に形成されるので
ストリツプ導体の結合量や共振周波数の調整が容
易となり、かつストリツプ導体は溝中に形成され
るので誘電体の外の空間に漏れる電界は非常に小
さく平らな誘電体板上に形成される通常のマイク
ロストリツプ線路よりも波長短縮率が大きく、ス
トリツプ導体が短くなり小形化が図れる。

またストリツプ導体相互の結合に関しては、ス
トリツプ導体が溝中に設けられているため均一媒
質の場合に近い状態にあり、開放端の向きが同じ
１／４波長共振器となつているため、相互の結合は
小さいが、このろ波器では短絡端側に設ける導体
によつて段間結合を行なつているのでストリツプ
導体間に所定の結合量が得られる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例を示すもので、１
１〜１３はストリツプ導体、１４は接地導体、１
５は誘電体板、１６，１７は外部引出端子、１８
〜２０は誘電体板に設けられた溝、２１，２２は
段間結合用導体である。

上記ストリツプ導体１１〜１３は誘電体板１５
に設けられた溝１８〜２０の上縁部を露出させて
下底部を覆うようにして導体膜で形成され、一端
が開放、他端が接地導体１４で短絡されて1/4波
長の共振器になつており、これらストリツプ導体
１１〜１３は開放端の向きが同じになるように配
置されている。また外部引出端子１６，１７はそ
れぞれストリツプ導体１１，１２に直接接続され
ている。

しかして、導体２１と２２はそれぞれストリツ
プ導体１１，１２間および１２，１４間の短絡端
からストリツプ導体の全長の1/2以下の位置に設
けられている。なお、ストリツプ導体１１〜１
３、接地導体１４、外部引出端子１６，１７およ
び段間結合用導体２１，２２は導体膜で誘電体板
１５上に一体形成される。

上記ストリツプ導体１１〜１３相互の結合に関
しては、ストリツプ導体１１〜１３が溝中に設け
られているため均一媒質の場合に近い状態にあ
り、開放端の向きが同じ1/4波長共振器となつて
いるため、相互の結合は小さいが、この実施例の
ろ波器では、導体２１，２２によつてこれを補償
しストリツプ導体１１〜１３間に所望の結合量を
得ている。

上記構成のろ波器において、ストリツプ導体１
１〜１３が同一周波数foで共振するものとすれ
ば、周波数foではストリツプ導体１１と１３は強
く結合し、外部引出端子１６への入射波は外部引
出端子１７に導かれる。しかし、fo以外の周波数
ではストリツプ導体１１と１３の結合は非常に弱
く、外部引出端子１６への入射波はほとんどの電
力が反射される。このように第１図の高周波ろ波
器は帯域通過ろ波器としての機能を有する。

該実施例の高周波ろ波器では、ストリツプ導体
１１〜１３が誘電体板１５の露出面に形成されて
いるので、ストリツプ導体１１〜１３間の結合量
や共振周波数の調整が容易である。結合量は導体
２１，２２の短絡端からの距離l₁を変化させるこ
とにより調整することができる。又、共振周波数
はストリツプ導体１１〜１３の長さを変化させた
り、開放端に誘電体を接着したりして容易に調整
することができる。外部引出端子１６，１７とス
トリツプ導体１１，１３との結合量は、ストリツ
プ導体１１，１３の短絡端と外部引出端子１６，
１７を接続する位置との間隔l₂を変化させること
により調整できる。

さらに第１図のストリツプ導体１１〜１３は溝
１８〜２０の中に形成されているので、誘電体板
１５の外の空間に漏れる電界は非常に小さく、平
らな誘電体板上に形成される通常のマイクロスト
リツプ線路よりも波長短縮率が大きい。このた
め、長さがほぼ1/4波長に選ばれるストリツプ導
体１１〜１３が短くなり小形化が図られる。

又、ストリツプ導体１１〜１３は、第２図に第
１図のＣ−Ｃ線断面図を示すように略半円弧形状
でなりその中央部が接地導体１４に近接した形状
である。このため、接地導体１４に対向する面の
電流分布が平面的なマイクロストリツプ線路の場
合のように端部に集中せず、より均一な電流分布
となつて、線路損失が小さくなる。従つて低損失
なろ波器を得ることができる。

第３図はこの発明の他の一実施例であり、第１
図と同一部分は同一符号を付し、２３，２４はコ
ンデンサを示す。

第３図構成のろ波器では、外部引出端子１６，
１７はコンデンサ２３，２４を介してストリツプ
導体１１，１３の開放端に接続されており、結合
量はコンデンサ２３，２４の静電容量を変化させ
ることによつて調整できるようになつている。こ
のろ波器の動作は第１図のろ波器と同様である。
又、第１図のろ波器と同様にストリツプ導体１１
〜１３間の結合量や共振周波数の調整が容易であ
り、通常のマイクロストリツプ線路の場合よりも
小形、低損失となる。

また、第４図と第５図は、この発明のさらに他
の一実施例であり、第１図と同一部分は同一符号
を付す。なお、第５図は第４図のＤ−Ｄ線断面図
である。

第４図のろ波器では、ストリツプ導体１１〜１
３が溝１８〜２０全面に形成されているため接地
導体１４および外部引出端子１６，１７とともに
導体膜で一体形成する際に工作が容易である。こ
のろ波器の動作は第１図、第３図のろ波器と同様
であり、又第１図、第３図のろ波器と同様な特徴
を有する。

さらに、第６図はこの発明のさらに他の一実施
例で第３図と第４図を合成したもので、この第６
図のろ波器では、第４図のろ波器と同様にストリ
ツプ導体１１〜１３が溝１８〜２０の全面に形成
されているため工作が容易である。このろ波器の
動作は、第１図、第３図、第４図のろ波器と同様
であり、又、第１図、第３図、第４図のろ波器と
同様な特徴を有する。

なお、以上はストリツプ導体の数が３本の場合
について述べたが、４本以上の場合に適用しても
よい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明に係る高周波ろ波器で
は、誘電体板に溝を設け、溝の中にストリツプ導
体を開放端の向きが同じになるように形成すると
共に、隣接するストリツプ導体同士を直接導体に
より接続してストリツプ導体を段間結合を行なう
ことによつて、外部引出端子とストリツプ導体お
よびストリツプ導体間の結合量や共振周波数の調
整が容易であり、かつ小形で低損失なろ波器を得
ることができるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の高周波ろ波器の概略構成
図、第２図は第１図のＣ−Ｃ線断面図、第３図は
この発明の他の一実施例を示す概略構成図、第４
図はこの発明のさらに他の一実施例を示す概略構
成図、第５図は第４図のＤ−Ｄ線断面図、第６図
はこの発明のさらに他の一実施例を示す概略構成
図、第７図は従来の高周波ろ波器の概略構成図
で、同図ａは一部欠載する平面図、同図ｂは同図
ａのＡ−Ａ線断面図、第８図は第７図のストリツ
プ導体５ａ，５ｂと同軸端子８との接続部分の拡
大図である。 図中、１１〜１３はストリツプ導体、１４は接
地導体、１５は誘電体板、１６，１７は外部引出
端子、１８〜２０は溝、２１，２２は導体、２
３，２４はコンデンサである。なお、図中、同一
あるいは相当部分には同一符号を付して示してあ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 誘電体板上に密着した導体膜でストリツプ導
   体と接地導体を一体形成した高周波ろ波器におい
   て、誘電体板上に複数の溝を設け、上記各溝中に
   一端短絡他端開放の上記ストリツプ導体をそれぞ
   れ開放端の向きが同じになるように形成するとと
   もに、隣接する上記ストリツプ導体同士を直接導
   体により接続して段間結合を行うことを特徴とす
   る高周波ろ波器。 ２ 上記各溝は略半円弧形状でなり、これに密着
   するストリツプ導体の中央部が接地導体に近接
   し、接地導体に対向する面の電流分布を均一にし
   てなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の高周波ろ波器。 ３ 上記各ストリツプ導体は溝上縁部を露出させ
   て下底部を覆うようにしてなることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項または第２項記載の高周波
   ろ波器。 ４ 上記各ストリツプ導体は溝全面に形成されて
   なることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
   は第２項記載の高周波ろ波器。 ５ 上記ストリツプ導体の開放端側に、結合量及
   び共振周波数を調整するコンデンサを設けると共
   にこれを介して外部引出端子を接続したことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のい
   ずれかに記載の高周波ろ波器。