JPH0474413A - 現像処理装置 - Google Patents
現像処理装置Info
- Publication number
- JPH0474413A JPH0474413A JP2188373A JP18837390A JPH0474413A JP H0474413 A JPH0474413 A JP H0474413A JP 2188373 A JP2188373 A JP 2188373A JP 18837390 A JP18837390 A JP 18837390A JP H0474413 A JPH0474413 A JP H0474413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- air
- flow
- developer
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
現像処理装置、特に基板表面の露光済みレジストの現像
を行う現像処理部に関し、 レジストパターンの寸法、特に幅寸法の高精度化を目的
とし、 現像処理室内にて基板を固着し回転させる手段と、回転
する該基板上面の露光済みレジスト膜に現像液を掛ける
手段と、現像処理室上部より下部に向けて空気または不
活性ガスを流す手段と、該空気または不活性ガスの流れ
に対し適当な間隔で該基板の上面を覆う整流板とを具え
たことを特徴とし、 さらに、前記整流板にはその下面より前記基板に向けて
空気または不活性ガスを流出せしめる手段を具えたこと
を特徴とする、 または、前記整流板の中心部にあけた透孔より前記基板
に向けて空気または不活性ガスを流出せしめる手段を具
えたことを特徴とし構成する。
を行う現像処理部に関し、 レジストパターンの寸法、特に幅寸法の高精度化を目的
とし、 現像処理室内にて基板を固着し回転させる手段と、回転
する該基板上面の露光済みレジスト膜に現像液を掛ける
手段と、現像処理室上部より下部に向けて空気または不
活性ガスを流す手段と、該空気または不活性ガスの流れ
に対し適当な間隔で該基板の上面を覆う整流板とを具え
たことを特徴とし、 さらに、前記整流板にはその下面より前記基板に向けて
空気または不活性ガスを流出せしめる手段を具えたこと
を特徴とする、 または、前記整流板の中心部にあけた透孔より前記基板
に向けて空気または不活性ガスを流出せしめる手段を具
えたことを特徴とし構成する。
本発明は現像処理装置、特にパドルノズル等を利用し回
転基板の露光済みレジスト膜に現像液を掛ける現像処理
部に関する。
転基板の露光済みレジスト膜に現像液を掛ける現像処理
部に関する。
ＩＣパターンの微細化に伴って、ＩＣパターン形成用マ
スクに要求される精度（面内寸法のばらつき）は、さら
に厳しくなでいる。そのため、マスク製造工程の一つで
あるレジストの現像処理は、ディッピング方式に替わっ
てパドルノズルやスプレーノズル等を使用し、回転する
マスク基板に現像液を掛ける方式が利用されるようにな
った。
スクに要求される精度（面内寸法のばらつき）は、さら
に厳しくなでいる。そのため、マスク製造工程の一つで
あるレジストの現像処理は、ディッピング方式に替わっ
てパドルノズルやスプレーノズル等を使用し、回転する
マスク基板に現像液を掛ける方式が利用されるようにな
った。
第４図は現像処理装置の概略を示す側面図、第５図は該
装置における従来の現像処理部の概略を示す側断面図で
ある。
装置における従来の現像処理部の概略を示す側断面図で
ある。
第４図の現像処理装置１において、複数の露光済みマス
ク基Ｆｉ２を収容した基板ホルダー３は上下動するテー
ブル４に搭載し、基板ホルダー３より１枚ずつ取り出さ
れた基板２は現像処理部５にて現像、洗浄処理する。洗
浄済み基板２は、ベーキング部６にてレジストパターン
の焼付けを行ったのち、上下動するテーブル７に搭載し
た基板ホルダー８に収容する。
ク基Ｆｉ２を収容した基板ホルダー３は上下動するテー
ブル４に搭載し、基板ホルダー３より１枚ずつ取り出さ
れた基板２は現像処理部５にて現像、洗浄処理する。洗
浄済み基板２は、ベーキング部６にてレジストパターン
の焼付けを行ったのち、上下動するテーブル７に搭載し
た基板ホルダー８に収容する。
第４図において、９は基板ホルダー３より取り出した基
板２を現像処理部５に送る搬送部、１０は現像、洗浄済
み基板２をベーキング部６に送る搬送部、１１はレジス
トパターンの焼付は済み基板２を基板ホルダー８に収容
する搬送部である。
板２を現像処理部５に送る搬送部、１０は現像、洗浄済
み基板２をベーキング部６に送る搬送部、１１はレジス
トパターンの焼付は済み基板２を基板ホルダー８に収容
する搬送部である。
第５図において、現像処理部５の処理室１２には基板２
の下面を吸着し回転する真空チャック１３゜基板２の上
面の露光済みレジストに現像液１４を掛けるパドルノズ
ル１５．処理室１２に空気（または窒素ガス等の不活性
ガス）１６を供給する注入口１７゜回転する基板２から
の現像液はね返りを防止する防止板１８を具え、処理室
１２内の空気１６は排気口１９より吸引する。
の下面を吸着し回転する真空チャック１３゜基板２の上
面の露光済みレジストに現像液１４を掛けるパドルノズ
ル１５．処理室１２に空気（または窒素ガス等の不活性
ガス）１６を供給する注入口１７゜回転する基板２から
の現像液はね返りを防止する防止板１８を具え、処理室
１２内の空気１６は排気口１９より吸引する。
パドルノズル１５またはスプレーノズル等を使用し、回
転する基板２上面の露光済みレジスト膜の現像を行う従
来方法は、基板２の上面において中心部と周縁部とで現
像液の流れ速度に差が生じ、そのことが現像速度差とな
り、該現像速度差はレジストパターンの粗密によって拡
大されると共に、空気１６の一部１６ａが第５図に示す
如く基板２０表面で反射することによって一層顕著にな
る。
転する基板２上面の露光済みレジスト膜の現像を行う従
来方法は、基板２の上面において中心部と周縁部とで現
像液の流れ速度に差が生じ、そのことが現像速度差とな
り、該現像速度差はレジストパターンの粗密によって拡
大されると共に、空気１６の一部１６ａが第５図に示す
如く基板２０表面で反射することによって一層顕著にな
る。
従って、従来のレジストパターン寸法は、直径が約１５
０ｍｍの基板２においてばらつきを０．１μｍ以下にす
ることが極めて困難であり、基板２の周縁部に除去すべ
きレジストの一部が残され易いという問題点があった。
０ｍｍの基板２においてばらつきを０．１μｍ以下にす
ることが極めて困難であり、基板２の周縁部に除去すべ
きレジストの一部が残され易いという問題点があった。
本発明の目的は、レジストパターンの寸法精度を高め、
基板２の周縁部に除去すべきレジストが残らないように
し、ＩＣの一層の高密度化と高性能化および基板２の利
用歩留まりを向上せしめることである。
基板２の周縁部に除去すべきレジストが残らないように
し、ＩＣの一層の高密度化と高性能化および基板２の利
用歩留まりを向上せしめることである。
上記目的は本発明の基本構成を模式的に示す第１図によ
れば、現像処理室８内にて基板２を固着し回転させる手
段（回転真空チャック）１３と、基板２上面の露光済み
レジスト膜に現像液１４を掛ける手段（パドルノズル）
１５と、現像処理室８の上部より下部に向けて空気（ま
たは不活性ガス）１６を流す手段（注入口１７と排気口
１９）と、空気１６の流れに対し適当な間隔で基板２の
上面を覆う整流板２２とを具えたことを特徴とする現像
処理部２１を具えた現像処理装置によって達成される。
れば、現像処理室８内にて基板２を固着し回転させる手
段（回転真空チャック）１３と、基板２上面の露光済み
レジスト膜に現像液１４を掛ける手段（パドルノズル）
１５と、現像処理室８の上部より下部に向けて空気（ま
たは不活性ガス）１６を流す手段（注入口１７と排気口
１９）と、空気１６の流れに対し適当な間隔で基板２の
上面を覆う整流板２２とを具えたことを特徴とする現像
処理部２１を具えた現像処理装置によって達成される。
上記手段によれば、現像処理すべき基板の上方に整流板
を設け、現像処理室の上部から流下する空気または不活
性ガスは、該基板に直接当たらないようになる。その結
果、該空気または不活性ガスが基板に当たり、そのこと
によって基板上に発生する現像液の流れ阻害が解消し、
安定した現像処理を可能にする。
を設け、現像処理室の上部から流下する空気または不活
性ガスは、該基板に直接当たらないようになる。その結
果、該空気または不活性ガスが基板に当たり、そのこと
によって基板上に発生する現像液の流れ阻害が解消し、
安定した現像処理を可能にする。
〔実施例］
以下に、図面を用いて本発明の実施例に係わる現像処理
装置を説明する。
装置を説明する。
第２図は本発明の一実施例による現像処理装置の現像処
理部を示す側面図（イ）とその要部の断面図（ロ）、第
３図は本発明の他の実施例による現像処理装置の現像処
理部を示す側面図（イ）とその要部の断面図（［りであ
る。
理部を示す側面図（イ）とその要部の断面図（ロ）、第
３図は本発明の他の実施例による現像処理装置の現像処
理部を示す側面図（イ）とその要部の断面図（［りであ
る。
第２図において、従来の現像処理部５に相当する現像処
理部３１は、処理室１２内でマスク基板２の下面を吸着
し回転する真空チャック１３、基板２の上面の露光済み
レジスト膜に現像液１４を掛けるパドルノズル（または
スプレーノズル） １５、処理室１２に空気（または不
活性ガス）１６を供給する注入口１７、回転する基板２
からの現像液はね返り防止板１８、処理室の空気１６を
吸引する排気口１９、基板２に空気１６が直接に当たら
ないようにする整流板３２を具えてなる。
理部３１は、処理室１２内でマスク基板２の下面を吸着
し回転する真空チャック１３、基板２の上面の露光済み
レジスト膜に現像液１４を掛けるパドルノズル（または
スプレーノズル） １５、処理室１２に空気（または不
活性ガス）１６を供給する注入口１７、回転する基板２
からの現像液はね返り防止板１８、処理室の空気１６を
吸引する排気口１９、基板２に空気１６が直接に当たら
ないようにする整流板３２を具えてなる。
基板２と整流板３２との間隔は、基板２の上面を流れる
現像液１４が整流板３２に被着上ず、空気１６が整流板
３２の下にあまり流れ込まない適当量、例えば２０１〜
３０Ｉｌｌｌａ程度とする。
現像液１４が整流板３２に被着上ず、空気１６が整流板
３２の下にあまり流れ込まない適当量、例えば２０１〜
３０Ｉｌｌｌａ程度とする。
パドルノズル１５は可撓性パイプ３３を介してバルブ３
４に連結し、バルブ３４には現像液タンク（図示せず）
に連通ずるバイブ３５と洗浄液タンク（図示せず）に連
通ずるバイブ３６とを接続する。
４に連結し、バルブ３４には現像液タンク（図示せず）
に連通ずるバイブ３５と洗浄液タンク（図示せず）に連
通ずるバイブ３６とを接続する。
パドルノズル１５は水平面内で回動可能なアーム３７の
回動端に支持されており、支持金具３８を介してパドル
ノズル１５に装着したドーナツ形状の整流板３２には、
可撓性を有するバイブ３９に連通する空洞４０と、下面
に開口する多数の透孔４１とを有する。
回動端に支持されており、支持金具３８を介してパドル
ノズル１５に装着したドーナツ形状の整流板３２には、
可撓性を有するバイブ３９に連通する空洞４０と、下面
に開口する多数の透孔４１とを有する。
バルブ３４の操作によってバイブ３３と３５を連通せし
めたとき、パドルノズル１５より流出した現像液１４は
、整流板３２の中心部にあいた透孔４２を通過して、例
えば３００ｒｐｍの速度で回転する基板２の上面に広げ
られたのち、基板２０周端部よりその回転遠心力によっ
て振り落とされるようになる。
めたとき、パドルノズル１５より流出した現像液１４は
、整流板３２の中心部にあいた透孔４２を通過して、例
えば３００ｒｐｍの速度で回転する基板２の上面に広げ
られたのち、基板２０周端部よりその回転遠心力によっ
て振り落とされるようになる。
その際、注入口１７より送り込まれた空気１６は、整流
板３２に遮ぎられ基板２に直接に当接しないようになり
、基Ｆｉ２の上面ムこおける現像液１４の流れを安定化
する。
板３２に遮ぎられ基板２に直接に当接しないようになり
、基Ｆｉ２の上面ムこおける現像液１４の流れを安定化
する。
さらに、前記現像時においてバイブ３９と空洞４０およ
び透孔４１を通る不活性ガス（または空気）４３が基板
２に当たるようにすれば、不活性ガス４３は基板２の外
周縁方向に流れ、現像液１４の流れを一層安定化させる
と共に、バルブ３４の切り換えによって現像済みのレジ
ストパターンを洗浄液（水またはリンス液）で洗浄した
のちの乾燥に際し、不活性ガス４３のかかる流れは、乾
燥時のレジストパターンに塵が付着することを防止し、
乾燥時間を短縮するようになる。
び透孔４１を通る不活性ガス（または空気）４３が基板
２に当たるようにすれば、不活性ガス４３は基板２の外
周縁方向に流れ、現像液１４の流れを一層安定化させる
と共に、バルブ３４の切り換えによって現像済みのレジ
ストパターンを洗浄液（水またはリンス液）で洗浄した
のちの乾燥に際し、不活性ガス４３のかかる流れは、乾
燥時のレジストパターンに塵が付着することを防止し、
乾燥時間を短縮するようになる。
第３図において、従来の現像処理部５に相当する現像処
理部５１は、処理室１２内でマスク基Ｉｇｉ２の下面を
吸着し回転する真空チャック１３、基板２の上面の露光
済みレジスト膜に現像液Ｉ４を掛けるパドルノズル（ま
たはスプレーノズル）１５、処理室１２に空気（または
不活性ガス）１６を供給する注入口１７、回転する基板
２からの現像液はね返り防止板１８、処理室１２の空気
１６を吸引する排気口１９、基板２に空気１６が直接に
当たらないようにする整流板５２を具えてなる。
理部５１は、処理室１２内でマスク基Ｉｇｉ２の下面を
吸着し回転する真空チャック１３、基板２の上面の露光
済みレジスト膜に現像液Ｉ４を掛けるパドルノズル（ま
たはスプレーノズル）１５、処理室１２に空気（または
不活性ガス）１６を供給する注入口１７、回転する基板
２からの現像液はね返り防止板１８、処理室１２の空気
１６を吸引する排気口１９、基板２に空気１６が直接に
当たらないようにする整流板５２を具えてなる。
基板２と整流板５２との間隔は、基板２の上面を流れる
現像液１４が整流板５２に被着せず、空気１６が整流板
５２の下にあまり流れ込まない適当量、例えば２０１１
１１〜３０ｍ１１程度とする。
現像液１４が整流板５２に被着せず、空気１６が整流板
５２の下にあまり流れ込まない適当量、例えば２０１１
１１〜３０ｍ１１程度とする。
パドルノズル１５は可撓性を有するバイブ３３を介して
バルブ３４に連結し、バルブ３４には現像液タンク（図
示せず）に連通するバイブ３５と洗浄液タンク（図示せ
ず）に連通ずるバイブ３６とを接続する。
バルブ３４に連結し、バルブ３４には現像液タンク（図
示せず）に連通するバイブ３５と洗浄液タンク（図示せ
ず）に連通ずるバイブ３６とを接続する。
パドルノズル１５は水平面内で回動可能なアーム３７の
回動端に支持されており、可撓性を有するバイブ５３に
連通する空洞５４を構成しパドルノズルエ５に固着した
椀形金具５５の下面に、整流板５２が固着され、整流板
５２の中心部には透孔５６があけられている。
回動端に支持されており、可撓性を有するバイブ５３に
連通する空洞５４を構成しパドルノズルエ５に固着した
椀形金具５５の下面に、整流板５２が固着され、整流板
５２の中心部には透孔５６があけられている。
バルブ３４の操作によってバイブ３３と３５を連通せし
めたとき、パドルノズル１５より流出した現像液１４は
、整流板５２の透孔５６を通過し、例えば３００ｒｐｍ
＋の速度で回転する基板２の上面に広げられたのち、基
板２の周端部よりその回転遠心力によって振り落とされ
るようになる。
めたとき、パドルノズル１５より流出した現像液１４は
、整流板５２の透孔５６を通過し、例えば３００ｒｐｍ
＋の速度で回転する基板２の上面に広げられたのち、基
板２の周端部よりその回転遠心力によって振り落とされ
るようになる。
その際、注入口１７より送り込まれた空気１６は、整流
板５２に遮ぎられ基板２に直接に当接しないようになり
、基板２の上面における現像液１４の流れを安定化する
。
板５２に遮ぎられ基板２に直接に当接しないようになり
、基板２の上面における現像液１４の流れを安定化する
。
さらに、前記現像時においてパイプ５３と空洞５５およ
び透孔５６を通る不活性ガス（または空気）４３を流す
と、不活性ガス４３は基板２の上面に沿って外周縁方向
に流れ、現像液１４の流れを一層安定化させると共に、
パルプ３４の切り換えによって現像済みのレジストパタ
ーンを洗浄液（水またはリンス液）で洗浄したのちの乾
燥に際し、不活性ガス４３のかかる流れは、乾燥時のレ
ジストパターンに塵が付着することを防止し、乾燥時間
を短縮するようになる。
び透孔５６を通る不活性ガス（または空気）４３を流す
と、不活性ガス４３は基板２の上面に沿って外周縁方向
に流れ、現像液１４の流れを一層安定化させると共に、
パルプ３４の切り換えによって現像済みのレジストパタ
ーンを洗浄液（水またはリンス液）で洗浄したのちの乾
燥に際し、不活性ガス４３のかかる流れは、乾燥時のレ
ジストパターンに塵が付着することを防止し、乾燥時間
を短縮するようになる。
以上説明したように本発明による現像処理装置は、現像
処理部において、基板の上面における現像液の流れを安
定化せしめ、その結果、レジストパターンの寸法精度（
ばらつき）を０．０５μｍ（従来精度のｌ／２）に改善
し、基板周縁部における不要レジストの除去が確実とな
って基板利用率を向上すると共に、現像後の乾燥時に塵
の付着をなくし得た効果がある。
処理部において、基板の上面における現像液の流れを安
定化せしめ、その結果、レジストパターンの寸法精度（
ばらつき）を０．０５μｍ（従来精度のｌ／２）に改善
し、基板周縁部における不要レジストの除去が確実とな
って基板利用率を向上すると共に、現像後の乾燥時に塵
の付着をなくし得た効果がある。
第１図は本発明装置要部の基本構成図、第２図は本発明
の一実施例による装置要部、第３図は本発明の他の実施
例による装置要部、第４図は現像処理装置の概略側面図
、 第５図は第４図に示す装置の現像処理部、である。 図中において、 ２は基板、 １２は現像処理室、１３は真空チャ
ック、１４は現像液、 １５はパドルノズル、１６は空気、 １７は空気注入口、 １９は排気口、 ２Ｌ３１，５１は現像処理部、 ２２、３２．５２は整流板、 ４０は整流板３２内の空洞、 ４１は整流板３２の下面の透孔、 ４３は不活性ガス、 ５６は整流板５２の中心部透孔、 を示す。 ＪＪ 木肩−ｅハ装置零音Ｆ／）−益４−オ糞が（口笛 １
図 哄４図１足示１狡屓の工児像処理舒 第 ５ 図 （ロ） 不７９月の一実兄食慣二よ コ茨１要静第 り 図 ５１１貝（イ象りｄづ咥Ｕ６）； （ロ） 木定幅の砲ｎ芙叱剣りこよろ袋Ｉ学部 ％ 図
の一実施例による装置要部、第３図は本発明の他の実施
例による装置要部、第４図は現像処理装置の概略側面図
、 第５図は第４図に示す装置の現像処理部、である。 図中において、 ２は基板、 １２は現像処理室、１３は真空チャ
ック、１４は現像液、 １５はパドルノズル、１６は空気、 １７は空気注入口、 １９は排気口、 ２Ｌ３１，５１は現像処理部、 ２２、３２．５２は整流板、 ４０は整流板３２内の空洞、 ４１は整流板３２の下面の透孔、 ４３は不活性ガス、 ５６は整流板５２の中心部透孔、 を示す。 ＪＪ 木肩−ｅハ装置零音Ｆ／）−益４−オ糞が（口笛 １
図 哄４図１足示１狡屓の工児像処理舒 第 ５ 図 （ロ） 不７９月の一実兄食慣二よ コ茨１要静第 り 図 ５１１貝（イ象りｄづ咥Ｕ６）； （ロ） 木定幅の砲ｎ芙叱剣りこよろ袋Ｉ学部 ％ 図
Claims (3)
- （１）現像処理室（１２）内にて基板（２）を固着し回
転させる手段（１３）と、回転する該基板（２）上面の
露光済みレジスト膜に現像液（１４）を掛ける手段（１
５）と、現像処理室（１２）上部より下部に向けて空気
または不活性ガス（１６）を流す手段（１７と１９）と
、該空気（１６）または不活性ガスの流れに対し適当な
間隔で該基板（２）の上面を覆う整流板（２２、３２、
５２）とを具えたことを特徴とする現像処理装置。 - （２）前記整流板（３２）にはその下面より前記基板（
２）に向けて空気または不活性ガス（４３）を流出せし
める手段（４０と４１）を具えたことを特徴とする前記
請求項１記載の現像処理装置。 - （３）前記整流板（５２）の中心部にあけた透孔（５６
）より前記基板（２）に向けて空気または不活性ガス（
４３）を流出せしめる手段を具えたことを特徴とする前
記請求項１記載の現像処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188373A JPH0474413A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 現像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188373A JPH0474413A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 現像処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474413A true JPH0474413A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16222485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2188373A Pending JPH0474413A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 現像処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474413A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001118790A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、基板処理装置及び現像方法 |
| CN106773169A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种挡板及包含该挡板的真空干燥机 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP2188373A patent/JPH0474413A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001118790A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、基板処理装置及び現像方法 |
| CN106773169A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种挡板及包含该挡板的真空干燥机 |
| CN106773169B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-09-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种挡板及包含该挡板的真空干燥机 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200805450A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JPH07106233A (ja) | 回転式基板処理装置 | |
| JPH0474413A (ja) | 現像処理装置 | |
| JP3580664B2 (ja) | 現像装置および現像方法 | |
| JP2007510283A (ja) | 処理液塗布装置及び処理液塗布方法 | |
| JP3169666B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
| JP3633774B2 (ja) | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 | |
| JP2849863B2 (ja) | 塗布装置 | |
| JP2624426B2 (ja) | 角形基板の洗浄装置 | |
| JP3451155B2 (ja) | 基板回転式現像装置 | |
| JP2906783B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPS59217329A (ja) | スピンナ装置 | |
| KR20000050312A (ko) | 포토레지스트 현상 설비 | |
| JPS5952563A (ja) | コ−テイング装置 | |
| JP2001307986A (ja) | 半導体基板固定保持装置 | |
| JP2002011420A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS61206221A (ja) | スピン塗布装置 | |
| KR20040052363A (ko) | 감광막 현상 장치 | |
| JPH03215932A (ja) | 現像装置 | |
| JPH11186133A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH088207B2 (ja) | スプレー現像方法 | |
| JPS6352144A (ja) | レジスト膜の現像方法 | |
| JPH0555137A (ja) | 半導体基板処理装置 | |
| JP2003086555A (ja) | ウェーハの表面処理装置 | |
| JPH03211721A (ja) | 半導体製造装置 |