JPH0555137A - 半導体基板処理装置 - Google Patents
半導体基板処理装置Info
- Publication number
- JPH0555137A JPH0555137A JP3212227A JP21222791A JPH0555137A JP H0555137 A JPH0555137 A JP H0555137A JP 3212227 A JP3212227 A JP 3212227A JP 21222791 A JP21222791 A JP 21222791A JP H0555137 A JPH0555137 A JP H0555137A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- airflow
- air flow
- guide plate
- airflow guide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板上に薬液を均一に塗布し、余剰薬
液が再付着するのを防止する。 【構成】 薬液を半導体基板３へ向けて吐出するノズル
１と、半導体基板３を保持する回転可能な保持手段２
と、保持手段２により保持された半導体基板３の外周を
囲むように内部が中空の壁が設けられ、半導体基板３付
近の気流（矢印Ａ）を壁に開孔された気流誘導口１３よ
り内部に誘導した後、外部へ排気口１２より排気する中
空カップ４とを備え、この中空カップ４は、半導体基板
３の直径よりも外径が大きく、基板の直径よりも内径が
小さい円環状の気流誘導板６を、気流誘導口１３付近
に、半導体基板３よりも下方に非接触状態で有してい
る。
液が再付着するのを防止する。 【構成】 薬液を半導体基板３へ向けて吐出するノズル
１と、半導体基板３を保持する回転可能な保持手段２
と、保持手段２により保持された半導体基板３の外周を
囲むように内部が中空の壁が設けられ、半導体基板３付
近の気流（矢印Ａ）を壁に開孔された気流誘導口１３よ
り内部に誘導した後、外部へ排気口１２より排気する中
空カップ４とを備え、この中空カップ４は、半導体基板
３の直径よりも外径が大きく、基板の直径よりも内径が
小さい円環状の気流誘導板６を、気流誘導口１３付近
に、半導体基板３よりも下方に非接触状態で有してい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板に薬液処理
を行う装置に関する。
を行う装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板には、現像液やリンス液、塗
布液、あるいは洗浄液等による薬液処理が行われる。こ
の薬液処理（現像、塗布、洗浄等）は、半導体基板を回
転させながら薬液を上方から滴下させ、基板表面に均一
に塗布するようにして行われる。
布液、あるいは洗浄液等による薬液処理が行われる。こ
の薬液処理（現像、塗布、洗浄等）は、半導体基板を回
転させながら薬液を上方から滴下させ、基板表面に均一
に塗布するようにして行われる。
【０００３】図３に、薬液処理に用いられていた従来の
処理装置の縦断面図を示す。半導体基板３が、真空チャ
ック２で水平に吸着保持されている。この真空チャック
２により半導体基板３が矢印Ｈの方向に回転され、半導
体基板３の表面上に吐出ノズル１から薬液が滴下され
る。
処理装置の縦断面図を示す。半導体基板３が、真空チャ
ック２で水平に吸着保持されている。この真空チャック
２により半導体基板３が矢印Ｈの方向に回転され、半導
体基板３の表面上に吐出ノズル１から薬液が滴下され
る。
【０００４】半導体基板３の周囲には、中空カップ４が
設けられている。半導体基板３が回転すると、その外周
には不要な薬液が飛散し霧状に分布する。中空カップ４
は、このような余剰薬液が半導体基板３上に再付着して
品質欠陥を招かないように、外部へ強制排気するもので
ある。
設けられている。半導体基板３が回転すると、その外周
には不要な薬液が飛散し霧状に分布する。中空カップ４
は、このような余剰薬液が半導体基板３上に再付着して
品質欠陥を招かないように、外部へ強制排気するもので
ある。
【０００５】中空カップ４は、図３に示されたように半
導体基板３の外周を囲む高い側壁を有し、その内部は中
空になっている。半導体基板３の外周付近には気流誘導
口１１が設けられており、下方には一般には二つ排気口
１２が設けられている。排気口１２には図示されていな
い排気ポンプが接続されており、中空カップ４内部の空
気が外部へ排気されるようになっている。
導体基板３の外周を囲む高い側壁を有し、その内部は中
空になっている。半導体基板３の外周付近には気流誘導
口１１が設けられており、下方には一般には二つ排気口
１２が設けられている。排気口１２には図示されていな
い排気ポンプが接続されており、中空カップ４内部の空
気が外部へ排気されるようになっている。
【０００６】この排気口１２からの排気により、中空カ
ップ４の壁の内側であって半導体基板３の上部には点線
で示された矢印Ａのように下方へ向け流れる気流が存在
する。また、半導体基板３が真空チャック２によって回
転すると、その周囲の空気には遠心力が働く。このた
め、この気流は半導体基板３の表面近くへくると矢印Ａ
２のように外周方向へ向きを変えて、中空カップ４の気
流誘導口１１へ向かう。気流誘導口１１より中空カップ
４の内部へ入った気流は、真空ポンプによって矢印Ｅの
方向に引かれて排気口１２より外部へ排気される。この
ように、中空カップ４によって矢印Ａ（Ａ２）からＥを
経て外部へ排気されるような気流が生じ、霧状の余剰薬
液はこの気流に乗って半導体基板３上に再付着すること
なく外部へ強制的に排出される。
ップ４の壁の内側であって半導体基板３の上部には点線
で示された矢印Ａのように下方へ向け流れる気流が存在
する。また、半導体基板３が真空チャック２によって回
転すると、その周囲の空気には遠心力が働く。このた
め、この気流は半導体基板３の表面近くへくると矢印Ａ
２のように外周方向へ向きを変えて、中空カップ４の気
流誘導口１１へ向かう。気流誘導口１１より中空カップ
４の内部へ入った気流は、真空ポンプによって矢印Ｅの
方向に引かれて排気口１２より外部へ排気される。この
ように、中空カップ４によって矢印Ａ（Ａ２）からＥを
経て外部へ排気されるような気流が生じ、霧状の余剰薬
液はこの気流に乗って半導体基板３上に再付着すること
なく外部へ強制的に排出される。
【０００７】しかし、このような従来の処理装置には次
のような問題があった。半導体基板３上の気流のうち、
周辺部では遠心力が強いため均一で強い気流が得られ
る。このため、この周辺部で飛散した霧状の余剰薬液は
半導体基板３上に再付着することなく、気流に乗って気
流誘導口１１へ誘導される。
のような問題があった。半導体基板３上の気流のうち、
周辺部では遠心力が強いため均一で強い気流が得られ
る。このため、この周辺部で飛散した霧状の余剰薬液は
半導体基板３上に再付着することなく、気流に乗って気
流誘導口１１へ誘導される。
【０００８】ところが、矢印Ａ２のような半導体基板３
の中心付近の気流は弱く、半導体基板３の近くで表面に
沿って気流誘導口１１へ向かう力は弱い。さらに、半導
体基板３の表面では気流に乱れが生じる。このため、半
導体基板１の中心付近では飛散した余剰薬液が再付着し
ていた。この結果、半導体基板３の周辺部と中心部とで
薬液の膜厚にばらつきが生じることや、中心部で排気気
流が弱く再付着した余剰薬液はパターンに欠陥を生じさ
せ、歩留まりの低下をきたしていた。
の中心付近の気流は弱く、半導体基板３の近くで表面に
沿って気流誘導口１１へ向かう力は弱い。さらに、半導
体基板３の表面では気流に乱れが生じる。このため、半
導体基板１の中心付近では飛散した余剰薬液が再付着し
ていた。この結果、半導体基板３の周辺部と中心部とで
薬液の膜厚にばらつきが生じることや、中心部で排気気
流が弱く再付着した余剰薬液はパターンに欠陥を生じさ
せ、歩留まりの低下をきたしていた。
【０００９】このような問題を解決するために、従来用
いられていた処理装置には、図４に示されたようなもの
があった。中空カップ４の気流誘導口１３付近に、傾斜
のついた反射板４ａと、水平に取り付けられた誘導板５
とが設けられている。この反射板４ａと誘導板５とを設
けたことにより、この間を通過する矢印Ｂの気流が半導
体基板の全周にわたって均一に強くなり、半導体基板３
の中心部付近の気流が矢印Ａ３のように基板表面に沿っ
て流れて気流誘導口１３へ向かう。このため、図２に示
された処理装置よりも、半導体基板３の中心部の気流は
強くなる。しかし、薬液の膜厚を均一にしたり、余剰薬
液の再付着を防止する程の十分な効果は得られず、歩留
まりの低下は免れなかった。
いられていた処理装置には、図４に示されたようなもの
があった。中空カップ４の気流誘導口１３付近に、傾斜
のついた反射板４ａと、水平に取り付けられた誘導板５
とが設けられている。この反射板４ａと誘導板５とを設
けたことにより、この間を通過する矢印Ｂの気流が半導
体基板の全周にわたって均一に強くなり、半導体基板３
の中心部付近の気流が矢印Ａ３のように基板表面に沿っ
て流れて気流誘導口１３へ向かう。このため、図２に示
された処理装置よりも、半導体基板３の中心部の気流は
強くなる。しかし、薬液の膜厚を均一にしたり、余剰薬
液の再付着を防止する程の十分な効果は得られず、歩留
まりの低下は免れなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
半導体基板処理装置には、基板の中心部と外周部とで薬
液の膜厚にばらつきが生じることや、余剰薬液が再付着
して歩留まりの低下を招いていた。
半導体基板処理装置には、基板の中心部と外周部とで薬
液の膜厚にばらつきが生じることや、余剰薬液が再付着
して歩留まりの低下を招いていた。
【００１１】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、半導体基板に薬液を均一に塗布することや、飛散し
た余剰な薬液が再付着して欠陥が生じ歩留まりが低下す
るのを防止することができる半導体基板処理装置を提供
することを目的とする。
で、半導体基板に薬液を均一に塗布することや、飛散し
た余剰な薬液が再付着して欠陥が生じ歩留まりが低下す
るのを防止することができる半導体基板処理装置を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板処理
装置は、半導体基板を回転させてその表面に液を吐出し
処理する装置であって、液を半導体基板へ向けて吐出す
るノズルと、半導体基板を保持し回転させる保持手段
と、保持手段により保持された半導体基板の外周を囲む
ように内部が中空の壁が設けられ、半導体基板付近の気
流を壁に開孔された気流誘導口より内部に誘導した後、
外部へ排気する中空カップとを備え、中空カップは、半
導体基板の直径よりも外径が大きく直径よりも内径が小
さい円環状の気流誘導板を、気流誘導口付近に半導体基
板よりも下方に非接触状態で有することを特徴としてい
る。
装置は、半導体基板を回転させてその表面に液を吐出し
処理する装置であって、液を半導体基板へ向けて吐出す
るノズルと、半導体基板を保持し回転させる保持手段
と、保持手段により保持された半導体基板の外周を囲む
ように内部が中空の壁が設けられ、半導体基板付近の気
流を壁に開孔された気流誘導口より内部に誘導した後、
外部へ排気する中空カップとを備え、中空カップは、半
導体基板の直径よりも外径が大きく直径よりも内径が小
さい円環状の気流誘導板を、気流誘導口付近に半導体基
板よりも下方に非接触状態で有することを特徴としてい
る。
【００１３】ここで、壁に開孔された気流誘導口付近に
は、気流誘導板よりも上方であってこの気流誘導板とは
非接触状態で傾斜角度をつけて反射板が設けられてお
り、気流誘導口より内部へ誘導された気流が、この反射
板と気流誘導板の外周部との間と、気流誘導板の内周部
と半導体基板との間の二つの経路に分かれて排気口へ向
かうものであってもよい。
は、気流誘導板よりも上方であってこの気流誘導板とは
非接触状態で傾斜角度をつけて反射板が設けられてお
り、気流誘導口より内部へ誘導された気流が、この反射
板と気流誘導板の外周部との間と、気流誘導板の内周部
と半導体基板との間の二つの経路に分かれて排気口へ向
かうものであってもよい。
【００１４】
【作用】ノズルから吐出された液が、保持手段により保
持され回転している半導体基板上に滴下して処理され
る。半導体基板周囲には中空カップが設けられており、
この中空カップは半導体基板の外周を囲む中空構造の壁
を有している。壁には、気流を内部に誘導するための気
流誘導口が開孔されており、誘導された気流は中空カッ
プより外部へ排気される。これにより、半導体基板の周
囲には基板表面へ向かって流れ、中空カップの壁の気流
誘導口より内部へ入った後、外部へ排気される気流が存
在する。この気流に乗って、飛散した余剰な液は気流誘
導口より中空カップの内部へ誘導された後、排出され
る。ここで、気流誘導口付近には半導体基板よりも下方
に非接触状態で気流誘導板が設けられており、この気流
誘導板は半導体基板の直径よりも外径が大きく基板の直
径よりも内径が小さい円環状の形状を有している。この
気流誘導板により、気流誘導口より壁の内部へ誘導され
た気流は、気流誘導板の外周部を通って壁の内部へ向か
う気流と、半導体基板と気流誘導板の内周部との隙間を
経て壁の内部へ向かう気流とに分かれる。これにより、
半導体基板表面付近を流れる気流が、基板の表面に沿っ
て気流誘導口へ向かって強く引かれることになり、基板
の中心部にも周辺部同様に均一で強い気流が発生するた
め、基板の表面には液が均一な膜厚で塗布され、また飛
散した余剰な液は基板表面に再付着することなく、気流
に乗って排出される。
持され回転している半導体基板上に滴下して処理され
る。半導体基板周囲には中空カップが設けられており、
この中空カップは半導体基板の外周を囲む中空構造の壁
を有している。壁には、気流を内部に誘導するための気
流誘導口が開孔されており、誘導された気流は中空カッ
プより外部へ排気される。これにより、半導体基板の周
囲には基板表面へ向かって流れ、中空カップの壁の気流
誘導口より内部へ入った後、外部へ排気される気流が存
在する。この気流に乗って、飛散した余剰な液は気流誘
導口より中空カップの内部へ誘導された後、排出され
る。ここで、気流誘導口付近には半導体基板よりも下方
に非接触状態で気流誘導板が設けられており、この気流
誘導板は半導体基板の直径よりも外径が大きく基板の直
径よりも内径が小さい円環状の形状を有している。この
気流誘導板により、気流誘導口より壁の内部へ誘導され
た気流は、気流誘導板の外周部を通って壁の内部へ向か
う気流と、半導体基板と気流誘導板の内周部との隙間を
経て壁の内部へ向かう気流とに分かれる。これにより、
半導体基板表面付近を流れる気流が、基板の表面に沿っ
て気流誘導口へ向かって強く引かれることになり、基板
の中心部にも周辺部同様に均一で強い気流が発生するた
め、基板の表面には液が均一な膜厚で塗布され、また飛
散した余剰な液は基板表面に再付着することなく、気流
に乗って排出される。
【００１５】ここで、気流誘導口付近に気流誘導板より
も上方であってこの気流誘導板とは非接触状態に傾斜角
度をつけて傾斜板が設けられている場合には、気流誘導
口より内部へ誘導された気流は、この傾斜板と気流誘導
板の外周部との間を流れる気流と、気流誘導板の内周部
と半導体基板との間を流れる気流とに分かれて流れ、よ
り基板表面付近を流れる気流が強く誘導口へ向けて流れ
ることになる。
も上方であってこの気流誘導板とは非接触状態に傾斜角
度をつけて傾斜板が設けられている場合には、気流誘導
口より内部へ誘導された気流は、この傾斜板と気流誘導
板の外周部との間を流れる気流と、気流誘導板の内周部
と半導体基板との間を流れる気流とに分かれて流れ、よ
り基板表面付近を流れる気流が強く誘導口へ向けて流れ
ることになる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１７】図１に、本実施例による半導体基板処理装
置の縦断面を示す。図４に示された処理装置と同様に、
中空カップ４の気流誘導口１３には反射板４ａが設けら
れている。そして本実施例では、新たに気流誘導板６が
設けられている点が相違する。他の図４に示された処理
装置と同一の構成要素には、同一の番号を付して説明を
省略する。
置の縦断面を示す。図４に示された処理装置と同様に、
中空カップ４の気流誘導口１３には反射板４ａが設けら
れている。そして本実施例では、新たに気流誘導板６が
設けられている点が相違する。他の図４に示された処理
装置と同一の構成要素には、同一の番号を付して説明を
省略する。
【００１８】気流誘導板６は、図２に示されるような円
環状の形状を有しており、その外径Ｄ１は半導体基板３
の直径よりも大きく、内径Ｄ２は半導体基板３の直径よ
りも小さい。このような形状をした気流誘導板６が、中
空カップ４の気流誘導口１３付近であって、半導体基板
３の下方に１〜２mm程度の間隔を空けて取り付けられて
いる。気流誘導板６の内周と半導体基板３との間に隙間
があり、さらに気流誘導板６の外周と反射板４ａとの間
に隙間がある。これにより、半導体基板上を矢印Ａのよ
うに下向きに流れていた気流は、気流誘導口１３より矢
印Ｃのように気流誘導板６の内周と半導体基板３との間
を流れ、あるいは矢印Ｄのように気流誘導板６の外周と
反射板４ａとの間を通って排気口１２へ向かう。
環状の形状を有しており、その外径Ｄ１は半導体基板３
の直径よりも大きく、内径Ｄ２は半導体基板３の直径よ
りも小さい。このような形状をした気流誘導板６が、中
空カップ４の気流誘導口１３付近であって、半導体基板
３の下方に１〜２mm程度の間隔を空けて取り付けられて
いる。気流誘導板６の内周と半導体基板３との間に隙間
があり、さらに気流誘導板６の外周と反射板４ａとの間
に隙間がある。これにより、半導体基板上を矢印Ａのよ
うに下向きに流れていた気流は、気流誘導口１３より矢
印Ｃのように気流誘導板６の内周と半導体基板３との間
を流れ、あるいは矢印Ｄのように気流誘導板６の外周と
反射板４ａとの間を通って排気口１２へ向かう。
【００１９】このように、本実施例では気流誘導板６を
設けたことにより、半導体基板３へ向かって下向きに流
れる気流が気流誘導口１３で二つの経路に分かれて細い
隙間を流れて、中空カップ４の内部へ誘導される。これ
により、半導体基板３表面付近の気流を中空カップ４内
へ引く力が強くなり、半導体基板３の中心付近の気流は
矢印Ａ２のように基板表面に沿って気流誘導口１３へ向
かうことになる。そして、この半導体基板３の表面を流
れる矢印Ａ２の気流には殆ど乱れがなく、層流となって
いる。
設けたことにより、半導体基板３へ向かって下向きに流
れる気流が気流誘導口１３で二つの経路に分かれて細い
隙間を流れて、中空カップ４の内部へ誘導される。これ
により、半導体基板３表面付近の気流を中空カップ４内
へ引く力が強くなり、半導体基板３の中心付近の気流は
矢印Ａ２のように基板表面に沿って気流誘導口１３へ向
かうことになる。そして、この半導体基板３の表面を流
れる矢印Ａ２の気流には殆ど乱れがなく、層流となって
いる。
【００２０】この結果、飛散した余剰薬液は矢印Ｃ及び
Ｄの気流に強く引かれる基板表面の矢印Ａ２の気流に乗
って気流誘導口１３へ向かうため、半導体基板３上に再
付着することなく排出される。従って、半導体基板３に
塗布される薬液の膜厚の均一性が向上し、さらに余剰薬
液が再付着しないことによってパターンの欠陥が防止さ
れ、歩留まりが向上する。
Ｄの気流に強く引かれる基板表面の矢印Ａ２の気流に乗
って気流誘導口１３へ向かうため、半導体基板３上に再
付着することなく排出される。従って、半導体基板３に
塗布される薬液の膜厚の均一性が向上し、さらに余剰薬
液が再付着しないことによってパターンの欠陥が防止さ
れ、歩留まりが向上する。
【００２１】本実施例による処理装置を用いて、余剰薬
液が再付着する量を測定したところ、従来の装置と比較
し約７０〜８０％減少するという結果が得られた。
液が再付着する量を測定したところ、従来の装置と比較
し約７０〜８０％減少するという結果が得られた。
【００２２】上述した実施例は一例であり、本発明を限
定するものではない。例えば、気流誘導板の形状は図１
及び図２に示されたものに限らず、半導体基板の直径よ
りも大きい外径と、半導体基板の直径よりも小さい内径
を有する円環状のものであればよい。
定するものではない。例えば、気流誘導板の形状は図１
及び図２に示されたものに限らず、半導体基板の直径よ
りも大きい外径と、半導体基板の直径よりも小さい内径
を有する円環状のものであればよい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体基
板処理装置は、半導体基板の直径よりも外径が大きく基
板の直径よりも内径が小さい円環状の気流誘導板が気流
誘導口付近に半導体基板よりも下方に非接触状態で設け
られていることにより、気流誘導口より壁の内部へ誘導
された気流は、気流誘導板の外周部を通って壁の内部へ
向かう気流と、半導体基板と気流誘導板の内周部との隙
間を経て壁の内部へ向かう気流とに分かれて流れるた
め、半導体基板表面付近の気流が基板表面に沿って気流
誘導口へ向かう方向に均一で強く引かれ、基板の中心部
にも周辺部同様に強い気流が発生し、基板の表面に液が
均一な膜厚で塗布される。また、飛散した余剰な液が基
板表面に再付着することなく気流に乗って排出され、歩
留まりの向上が達成される。
板処理装置は、半導体基板の直径よりも外径が大きく基
板の直径よりも内径が小さい円環状の気流誘導板が気流
誘導口付近に半導体基板よりも下方に非接触状態で設け
られていることにより、気流誘導口より壁の内部へ誘導
された気流は、気流誘導板の外周部を通って壁の内部へ
向かう気流と、半導体基板と気流誘導板の内周部との隙
間を経て壁の内部へ向かう気流とに分かれて流れるた
め、半導体基板表面付近の気流が基板表面に沿って気流
誘導口へ向かう方向に均一で強く引かれ、基板の中心部
にも周辺部同様に強い気流が発生し、基板の表面に液が
均一な膜厚で塗布される。また、飛散した余剰な液が基
板表面に再付着することなく気流に乗って排出され、歩
留まりの向上が達成される。
【図１】本発明の一実施例による半導体基板処理装置の
構造を示した縦断面図。
構造を示した縦断面図。
【図２】同半導体基板処理装置における気流誘導板の形
状を示した斜視図。
状を示した斜視図。
【図３】従来の半導体基板処理装置の構造を示した縦断
面図。
面図。
【図４】従来の他の半導体基板処理装置の構造を示した
縦断面図。
縦断面図。
１ 吐出ノズル ２ 真空チャック ３ 半導体基板 ４ 中空カップ ４ａ 反射板 ６ 気流誘導板 １２ 排気口 １３ 気流誘導口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｎ 8831−4Ｍ (72)発明者 大久保 功 一 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 菅 沼 達 美 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板を回転させてその表面に液を吐
出し処理する半導体基板処理装置において、 前記液を前記半導体基板へ向けて吐出するノズルと、 前記半導体基板を保持し回転させる保持手段と、 前記保持手段により保持された前記半導体基板の外周を
囲むように内部が中空の壁が設けられ、前記半導体基板
付近の気流を前記壁に開孔された気流誘導口より内部に
誘導した後、外部へ排気する中空カップとを備え、 前記中空カップは、前記半導体基板の直径よりも外径が
大きく、前記直径よりも内径が小さい円環状の気流誘導
板を、前記気流誘導口付近に、前記半導体基板よりも下
方に非接触状態で有することを特徴とする半導体基板処
理装置。 - 【請求項２】前記壁に開孔された前記気流誘導口付近に
は、前記気流誘導板よりも上方であってこの気流誘導板
とは非接触状態で傾斜角度をつけて反射板が設けられて
おり、前記気流誘導口より内部へ誘導された気流が、こ
の傾斜板と前記気流誘導板の外周部との間と、前記気流
誘導板の内周部と前記半導体基板との間の二つの経路に
分かれて前記排気口へ向かうことを特徴とする請求項１
記載の半導体基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212227A JPH0555137A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212227A JPH0555137A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555137A true JPH0555137A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16619065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3212227A Withdrawn JPH0555137A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555137A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8768161B2 (en) | 2012-09-13 | 2014-07-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus accessory and optical apparatus |
| JP2018129432A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP3212227A patent/JPH0555137A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8768161B2 (en) | 2012-09-13 | 2014-07-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus accessory and optical apparatus |
| JP2018129432A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2018147008A1 (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR20190099518A (ko) * | 2017-02-09 | 2019-08-27 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| CN110214365A (zh) * | 2017-02-09 | 2019-09-06 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
| CN110214365B (zh) * | 2017-02-09 | 2023-06-06 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11806743B2 (en) | Spin dispenser module substrate surface protection system | |
| JPH0468028B2 (ja) | ||
| JP2007330927A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JP2002361155A (ja) | 塗布処理装置及びその方法 | |
| JPS6231817B2 (ja) | ||
| JPH0555137A (ja) | 半導体基板処理装置 | |
| JPH08316293A (ja) | レジスト処理装置用チャック、及びウエハ洗浄方法 | |
| JPH0568094B2 (ja) | ||
| TW201711100A (zh) | 單片式晶圓洗淨處理裝置以及晶圓洗淨方法 | |
| JPH07240360A (ja) | 薬液塗布装置 | |
| JPH11289002A (ja) | 枚葉処理機構 | |
| JP2001110714A (ja) | 薬液塗布装置および薬液塗布方法 | |
| KR100798769B1 (ko) | 기판 처리장치 | |
| JP4832176B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JP3617712B2 (ja) | 基板回転処理装置 | |
| JPS5952563A (ja) | コ−テイング装置 | |
| JP3360052B2 (ja) | 現像装置 | |
| JPH029476A (ja) | スピンコーティング装置 | |
| JPS61206221A (ja) | スピン塗布装置 | |
| JP2002176020A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法、ならびにデバイス製品の製造方法 | |
| JPS6333660Y2 (ja) | ||
| JPS62136265A (ja) | 処理液塗布装置 | |
| JP2001307986A (ja) | 半導体基板固定保持装置 | |
| JPH0637007A (ja) | 処理装置 | |
| JPH11283902A (ja) | スピン処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |