JPH0474860A - Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法Info
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- JPH0474860A JPH0474860A JP2185129A JP18512990A JPH0474860A JP H0474860 A JPH0474860 A JP H0474860A JP 2185129 A JP2185129 A JP 2185129A JP 18512990 A JP18512990 A JP 18512990A JP H0474860 A JPH0474860 A JP H0474860A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は、透明導電膜形成用の高密度ＩＴＯ（錫を含有
する酸化インジウムのことで、 Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
−Ｏｗｉｄｅの略称）スパッタリングターゲツト材とそ
の製造方法に関するものである。
する酸化インジウムのことで、 Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
−Ｏｗｉｄｅの略称）スパッタリングターゲツト材とそ
の製造方法に関するものである。
（ロ）従来技術
薄膜技術の発達に伴ない、表示素子分野などでは透明導
電膜が太陽電池や液晶デイスプレィ等に利用されて来て
おり、その中でも酸化インジウムおよび酸化錫からなる
Ｉ ｎ？ｏ、・５ｎ０２ （ＩＴＯ）膜は光透過性や
導電性等の特性を有することから、酸化物系透明導電膜
として広範囲に利用されている。
電膜が太陽電池や液晶デイスプレィ等に利用されて来て
おり、その中でも酸化インジウムおよび酸化錫からなる
Ｉ ｎ？ｏ、・５ｎ０２ （ＩＴＯ）膜は光透過性や
導電性等の特性を有することから、酸化物系透明導電膜
として広範囲に利用されている。
ＩＴＯからなる透明導電膜の作製法としては、塗布法、
ＣＶＤ法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、インジウム
−錫メタルターゲットを用いた反応性スパッタ法、およ
びＩＴＯターゲットを用いたスパッタリング法等が提案
されているが、このうちＩＴＯターゲットを用いたスパ
ッタリング法が主流となっているのが現状である。
ＣＶＤ法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、インジウム
−錫メタルターゲットを用いた反応性スパッタ法、およ
びＩＴＯターゲットを用いたスパッタリング法等が提案
されているが、このうちＩＴＯターゲットを用いたスパ
ッタリング法が主流となっているのが現状である。
このＩＴＯターゲットの成形方法としては、下記の諸法
が提案されているが、未だ多くの解決すべき問題点があ
る。
が提案されているが、未だ多くの解決すべき問題点があ
る。
工）熱間加圧成形法： （特開昭６１−５５８１１号公
報参照） この方法はＩ ｎ２０３と５ｎ０２の粉末材料を高温高
圧（１ｔｏｎ／Ｃｍ２で１×ｌＯ２′℃程度以上）で圧
搾して板状成形体を作製するため、簡単に高ｒ変化でき
るが、装と及び型が極めて高価となり、生産性も１−１
０枚／１〜２日程度と慈いので極めて高価なターグー２
１・となる。
報参照） この方法はＩ ｎ２０３と５ｎ０２の粉末材料を高温高
圧（１ｔｏｎ／Ｃｍ２で１×ｌＯ２′℃程度以上）で圧
搾して板状成形体を作製するため、簡単に高ｒ変化でき
るが、装と及び型が極めて高価となり、生産性も１−１
０枚／１〜２日程度と慈いので極めて高価なターグー２
１・となる。
ＩＪ ）冷間静水圧プレス法・ （特開平１−″２９０
５５１号公報参照） ＩＴＯ粉末をバインダーと共に金型に装入し加圧して予
備成形体を作り、該予備成形体を脱脂後５ ｔｏｎ／ｃ
ｍ２程度で再プレスした後、焼成する方法であるため、
製造工程が極めて複雑で多工程を必要とする上、更に高
圧処理を必要とするので技術的、経済的に問題があり、
実用的でない。
５５１号公報参照） ＩＴＯ粉末をバインダーと共に金型に装入し加圧して予
備成形体を作り、該予備成形体を脱脂後５ ｔｏｎ／ｃ
ｍ２程度で再プレスした後、焼成する方法であるため、
製造工程が極めて複雑で多工程を必要とする上、更に高
圧処理を必要とするので技術的、経済的に問題があり、
実用的でない。
ｍ）鋳込み成形法・ （＃開平１−２９０５５０号公叩
参照） 酸化インジウム−酸化錫の成形体を泥禁鋳込み成型法に
より成形し、該成形体を焼成する方法であり、この方法
ではスラリーの流動特性の適正化を図ると粉の焼結性が
劣化するため、高密度化にはおのずから限界がある。
参照） 酸化インジウム−酸化錫の成形体を泥禁鋳込み成型法に
より成形し、該成形体を焼成する方法であり、この方法
ではスラリーの流動特性の適正化を図ると粉の焼結性が
劣化するため、高密度化にはおのずから限界がある。
以上列記したようなＩＴＯターゲットの高密度化を実現
するために、熱間加圧成形法を用いたり、３〜５ ｔｏ
ｎ／ｃｍ２の高圧で再プレスを行なったり、又は高濃度
のスラリーを型に流し込んで鋳込むことで、一応相対密
度７０％以との成形体が得られるが、上記のように各方
法とも解決すべき問題点が多い。
するために、熱間加圧成形法を用いたり、３〜５ ｔｏ
ｎ／ｃｍ２の高圧で再プレスを行なったり、又は高濃度
のスラリーを型に流し込んで鋳込むことで、一応相対密
度７０％以との成形体が得られるが、上記のように各方
法とも解決すべき問題点が多い。
また、通常の冷間加圧成形法や常圧焼結法では相対密度
が６０％程度であって高密度とはいえず、所期の目的を
達し得ないのである。
が６０％程度であって高密度とはいえず、所期の目的を
達し得ないのである。
（ハ）発明の開示
本発明は上記のような状況に鑑み、冷間加圧成形法およ
び常圧焼結法による高密度ＩＴＯターゲット材について
検討の結果、原料粉体の比表面積値あるいは粉体を構成
する平均結晶子径が目的とする焼結体密度に著しく影響
を及ぼすとの知見を得、ＩＴＯターゲット製造時の原料
粉（主原料である酸化インジウム）の比表面積値（又は
結晶子径）を微細粒子範囲に限定することにより、特殊
な高温高圧処理を行なうことなく、通常のセラミックス
の成形及び焼成条件で、高密度ＩＴＯターゲットを製造
することができる方法を見出したのである。
び常圧焼結法による高密度ＩＴＯターゲット材について
検討の結果、原料粉体の比表面積値あるいは粉体を構成
する平均結晶子径が目的とする焼結体密度に著しく影響
を及ぼすとの知見を得、ＩＴＯターゲット製造時の原料
粉（主原料である酸化インジウム）の比表面積値（又は
結晶子径）を微細粒子範囲に限定することにより、特殊
な高温高圧処理を行なうことなく、通常のセラミックス
の成形及び焼成条件で、高密度ＩＴＯターゲットを製造
することができる方法を見出したのである。
即ち、第１の発明は、比表面積値１０ｍ２／ｇ以上の酸
化インジウムを全原料中の８５〜９５ｗｔ％使用してな
る相対密度７０％以上の焼結体からなるＩＴＯスパッタ
リングターゲット材である。
化インジウムを全原料中の８５〜９５ｗｔ％使用してな
る相対密度７０％以上の焼結体からなるＩＴＯスパッタ
リングターゲット材である。
また、第２の発明は、全体の８５〜９５ｗｔ％が比表面
積値１０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウムである原料を冷
間加圧成形した後、常圧焼成することにより、相対密度
７０％以りの焼結体からなるＩＴｏスパッタリングター
ゲー、ト材を製造する方法である。
積値１０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウムである原料を冷
間加圧成形した後、常圧焼成することにより、相対密度
７０％以りの焼結体からなるＩＴｏスパッタリングター
ゲー、ト材を製造する方法である。
次に、本発明の詳細な説明する。
本発明者等は上記の知見に基き、多くの試作・実験を重
ね、原料粉末である酸化インジウムの比表面積を太きく
すること、換言すれば除粉粉末の平均結晶子径を超微細
な粒子範囲に限定することにより、冷間成形圧カニ１〜
３ ｔｏｎ／ａｍ” 、焼成温度二大気中１３００〜１
６００℃の条件で成形・焼成することにより、相対密度
７０〜９５％の焼結体が得られることを見出したのであ
る。
ね、原料粉末である酸化インジウムの比表面積を太きく
すること、換言すれば除粉粉末の平均結晶子径を超微細
な粒子範囲に限定することにより、冷間成形圧カニ１〜
３ ｔｏｎ／ａｍ” 、焼成温度二大気中１３００〜１
６００℃の条件で成形・焼成することにより、相対密度
７０〜９５％の焼結体が得られることを見出したのであ
る。
原料粉末の比表面積値としては、１０ｍＺ／ｇ以ト、好
ましくは１０〜６０ｍ２／ｇで、最も好ましくは２０〜
４０ｍ２７ｇであり、この条件範囲の原料粉末である酸
化インジウムを使用することにより、相対密度の高い焼
結体が得られるのである。
ましくは１０〜６０ｍ２／ｇで、最も好ましくは２０〜
４０ｍ２７ｇであり、この条件範囲の原料粉末である酸
化インジウムを使用することにより、相対密度の高い焼
結体が得られるのである。
本発明で使用する酸化インジウム粉末としては、比表面
積値１０ｍ２／ｇ以上、換言すれば平均結晶子径として
０．Ｏ１〜０．０８Ｂｍの範囲のものであれば、通常の
市販品の酸化インジウム粉と酸化錫粉末とを所定割合に
混合したもの、あるいは共沈法で製造した粉末でも差支
えなく、更に導電性および光透過性向上のために第三成
分を微量添加しても良い。
積値１０ｍ２／ｇ以上、換言すれば平均結晶子径として
０．Ｏ１〜０．０８Ｂｍの範囲のものであれば、通常の
市販品の酸化インジウム粉と酸化錫粉末とを所定割合に
混合したもの、あるいは共沈法で製造した粉末でも差支
えなく、更に導電性および光透過性向上のために第三成
分を微量添加しても良い。
酸化インジウムの配合比としては、原料全体の８５〜９
５ｙｔ％が相対密度７０％以上の焼結体を得るために必
要である。
５ｙｔ％が相対密度７０％以上の焼結体を得るために必
要である。
次に、成形方法としては、金型を用いた冷間加圧成形で
も、ゴム型を用いた冷間静水圧成形法でも良いが、原料
粉末の比表面積値が１０ｍ２／ｇ以上と大きいため、ス
ラリー化した時の粘性が高くなり、鋳込み成形法は適切
とはいえない。
も、ゴム型を用いた冷間静水圧成形法でも良いが、原料
粉末の比表面積値が１０ｍ２／ｇ以上と大きいため、ス
ラリー化した時の粘性が高くなり、鋳込み成形法は適切
とはいえない。
成形時の成形圧力としては、冷開成形圧力１〜３ ｔｏ
ｎ／ｃ■２で１更に焼結体の相対密度を９０％以北する
ためには１．５ ｔｏｎ／ｃ１２以上が好ましいのであ
る。成形圧力が１ ｔｏｎ／ｃ■２未満の場合でも、応
所期の目的を達成することができ、例えば成形圧力２５
０ Ｋｇ／ ｃｍ２．焼結温度１５００℃、焼結時間６
０分間の条件で製造した焼結体の相対密度は７３％程度
である。
ｎ／ｃ■２で１更に焼結体の相対密度を９０％以北する
ためには１．５ ｔｏｎ／ｃ１２以上が好ましいのであ
る。成形圧力が１ ｔｏｎ／ｃ■２未満の場合でも、応
所期の目的を達成することができ、例えば成形圧力２５
０ Ｋｇ／ ｃｍ２．焼結温度１５００℃、焼結時間６
０分間の条件で製造した焼結体の相対密度は７３％程度
である。
本発明は上記のように構成されてなり、比表面積値１０
ｍ２／ｇ以上、好ましくはｌＯ〜６０ｍ２／ｇ、最も好
ましくは２０〜４０ｍ２／Ｈの酸化インジウム粉末を８
５〜９５ｗｔ％と、酸化錫を５〜１５ｗｔ％、その他不
可避不純物からなる原料粉末を使用し、冷間加圧成形法
で成形し、常圧焼結法により焼結して製造された相対密
度７０％以上の高密度ＩＴＯスパッタリング材である。
ｍ２／ｇ以上、好ましくはｌＯ〜６０ｍ２／ｇ、最も好
ましくは２０〜４０ｍ２／Ｈの酸化インジウム粉末を８
５〜９５ｗｔ％と、酸化錫を５〜１５ｗｔ％、その他不
可避不純物からなる原料粉末を使用し、冷間加圧成形法
で成形し、常圧焼結法により焼結して製造された相対密
度７０％以上の高密度ＩＴＯスパッタリング材である。
上記の比表面積値１０〜６０ｍ２／ｇの微粉末は、透過
型電子顕微鏡で精査の結果、−次粒子が０．０１〜Ｑ、
Ｑ８ｐｍの範囲であり、この−次粒子を「結晶子」と呼
称した。即ち、乎均結晶子径０．０１〜０．０８ｐｍ粉
末が比表面積１０〜６０ｍ２／ｇの粉末に相当するので
ある。
型電子顕微鏡で精査の結果、−次粒子が０．０１〜Ｑ、
Ｑ８ｐｍの範囲であり、この−次粒子を「結晶子」と呼
称した。即ち、乎均結晶子径０．０１〜０．０８ｐｍ粉
末が比表面積１０〜６０ｍ２／ｇの粉末に相当するので
ある。
次に、本発明を実施例により説明する。
（ニ）実施例
実施例１
比表面積３６ｍ２／ｇの酸化インジウム微粉末１９０ｇ
と酸化錫微粉末１０ｇを採取し、この原料粉末に対して
１０ｗｔ％の水をパインターとして添加し、メノウ製自
動乳鉢で５時間混合してＩＴＯ粉を得た。
と酸化錫微粉末１０ｇを採取し、この原料粉末に対して
１０ｗｔ％の水をパインターとして添加し、メノウ製自
動乳鉢で５時間混合してＩＴＯ粉を得た。
このＩＴＯ粉を目開き２００ｐｍの篩で造粒した後、内
径２５．４ｍｍφの金型に充填して約１０ｇのペレット
とし、１．５ ｔｏｎ／ｃｍｚで冷間加圧成形した後、
１５００℃で１時間常圧焼成して焼結体を製造した。こ
の焼結体の相対密度は９０．２％であった。
径２５．４ｍｍφの金型に充填して約１０ｇのペレット
とし、１．５ ｔｏｎ／ｃｍｚで冷間加圧成形した後、
１５００℃で１時間常圧焼成して焼結体を製造した。こ
の焼結体の相対密度は９０．２％であった。
また、上記と同様の原料粉末を使用し、同様の操作を行
ない、加圧成形圧を０．２５ｔｏｎ／ｃ篇２と３．０ｔ
ｏｎ／ｃｍ２に変化して成形した後、各１５００℃で１
時間常圧焼成して焼結体を製造した。
ない、加圧成形圧を０．２５ｔｏｎ／ｃ篇２と３．０ｔ
ｏｎ／ｃｍ２に変化して成形した後、各１５００℃で１
時間常圧焼成して焼結体を製造した。
この各焼結体の相対密度は、０．２５ｔｏｎ／ｃｍ２成
形の場合が７３．０％であり、３．Ｏｔｏｎ／ｃｍ２の
場合は９４．５％であった・ 実施例２ 比表面積３６ｍ２／ｇの酸化インジウム３８００ｇと酸
化錫微粉末２００ｇを採取し、この原料粉末に対して１
０ｗｔ％の水をバインダーとして添加し、実施例１と同
様に混合・造粒処理した後、１５０Ｘ４５０ｍｍの金型
に充填し、１ ｔｏｎ／ａｍ２の圧力で冷間加圧成形し
た後、１５００℃で３時間常圧焼成して焼結体を製造し
た。
形の場合が７３．０％であり、３．Ｏｔｏｎ／ｃｍ２の
場合は９４．５％であった・ 実施例２ 比表面積３６ｍ２／ｇの酸化インジウム３８００ｇと酸
化錫微粉末２００ｇを採取し、この原料粉末に対して１
０ｗｔ％の水をバインダーとして添加し、実施例１と同
様に混合・造粒処理した後、１５０Ｘ４５０ｍｍの金型
に充填し、１ ｔｏｎ／ａｍ２の圧力で冷間加圧成形し
た後、１５００℃で３時間常圧焼成して焼結体を製造し
た。
この焼結体の相対密度は８４，０％であった。
実施例３
比表面積５５ｍ２／Ｈのインジウム微粉末１９０ｇと酸
化錫微粉末１０ｇを採取し、この原料粉末に対して１０
ｗｔ％の水をバインダーとして添加し、メノウ製自動乳
鉢で５時間混合し、ＩＴＯ粉を得た。このＩＴＯ粉を目
開き２００終ｍの篩で裏ごしして造粒し、内径２５．４
層■φの金型に約１０ｇ充填し、成形圧力１．５ ｔｏ
ｎ／ｃｍ”で冷開成形した後、１５００℃で１時間常圧
焼結して焼結体を製造した。
化錫微粉末１０ｇを採取し、この原料粉末に対して１０
ｗｔ％の水をバインダーとして添加し、メノウ製自動乳
鉢で５時間混合し、ＩＴＯ粉を得た。このＩＴＯ粉を目
開き２００終ｍの篩で裏ごしして造粒し、内径２５．４
層■φの金型に約１０ｇ充填し、成形圧力１．５ ｔｏ
ｎ／ｃｍ”で冷開成形した後、１５００℃で１時間常圧
焼結して焼結体を製造した。
この焼結体の相対密度は８３．５％であった。
比較例１
比表面積６ｍ２／ｇと８ｍ２／Ｈの酸化インジウム微粉
末を各準備し、各酸化インジウム微粉末に酸化錫微粉末
を各５ｗｔ％となるように配合し、更にバインダーとし
て水を各１０ｗｔ％となるように添加した後、実施例１
と同様に各配合原料粉をメノウ製自動乳鉢で５時間混合
し、各ＩＴＯ粉を得た。
末を各準備し、各酸化インジウム微粉末に酸化錫微粉末
を各５ｗｔ％となるように配合し、更にバインダーとし
て水を各１０ｗｔ％となるように添加した後、実施例１
と同様に各配合原料粉をメノウ製自動乳鉢で５時間混合
し、各ＩＴＯ粉を得た。
このＩＴＯ粉を目開き２００ｇｍの篩で裏ごしして造粒
し、内径２５．４ｍｍφの金型にそれぞれ約１０ｇ充填
し、成形圧力１ ｔｏｎ／ｃｍＺで冷間加圧成形した後
、１５００℃で１時間常圧焼成して焼結体を製造した。
し、内径２５．４ｍｍφの金型にそれぞれ約１０ｇ充填
し、成形圧力１ ｔｏｎ／ｃｍＺで冷間加圧成形した後
、１５００℃で１時間常圧焼成して焼結体を製造した。
各焼結体の相対密度は、比表面１１６ｍ２／Ｈの酸化イ
ンジウムを主原料粉とした焼結体の相対密度は５６．３
％であり、比表面積８ｍＺ／ｇの場合の相対密度は６０
．１％であった。
ンジウムを主原料粉とした焼結体の相対密度は５６．３
％であり、比表面積８ｍＺ／ｇの場合の相対密度は６０
．１％であった。
（ホ）発明の効果
本発明法は上述したように、従来のような特殊な高温・
高圧処理や特殊で高価な装置を使用することなく、通常
のセラミックス製造プロセスと同様な簡単な工程で、冷
間成形圧力も低く、生産性も１時間当り２０〜３０枚程
度と高いので、低コストでの量産が可能となる。
高圧処理や特殊で高価な装置を使用することなく、通常
のセラミックス製造プロセスと同様な簡単な工程で、冷
間成形圧力も低く、生産性も１時間当り２０〜３０枚程
度と高いので、低コストでの量産が可能となる。
また、本発明によれば、常圧焼結法で従来法では達成で
きなかった高密度の透明導電膜スパッタリングターゲツ
ト材が実現できたのである。
きなかった高密度の透明導電膜スパッタリングターゲツ
ト材が実現できたのである。
しかも、本発明によれば到達相対密度が高いので、高品
質の透明導電膜用ターゲットを製造することができるの
である。
質の透明導電膜用ターゲットを製造することができるの
である。
Claims (2)
- （１）比表面積値１０ｍ＾２／ｇ以上の酸化インジウム
を全原料中の８５〜９５ｗｔ％使用してなる相対密度７
０％以上の焼結体からなるＩＴＯスパッタリングターゲ
ット材。 - （２）全体の８５〜９５ｗｔ％が比表面積値１０ｍ＾２
／ｇ以上の酸化インジウムである原料を冷間加圧成形し
た後、常圧焼成することにより、相対密度７０％以上の
焼結体からなるＩＴＯスパッタリングターゲット材を製
造する方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18512990A JP3184977B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP18512990A JP3184977B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 |
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|---|---|---|---|
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| JPH0474860A true JPH0474860A (ja) | 1992-03-10 |
| JP3184977B2 JP3184977B2 (ja) | 2001-07-09 |
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|---|---|---|---|
| JP18512990A Expired - Fee Related JP3184977B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット材の製造方法 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656216A (en) * | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
| US6582641B1 (en) | 1994-08-25 | 2003-06-24 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets |
| US7799312B2 (en) | 2002-03-22 | 2010-09-21 | Samsung Corning Precision Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing high-density indium tin oxide target, methods for preparing tin oxide powder and indium oxide powder used therefor |
| CN115893989A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-04 | 芜湖映日科技股份有限公司 | 一种细化ito靶材微观晶粒结构增强机械强度的工艺方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290551A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JPH0243356A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-13 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JPH02297812A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-12-10 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲツト |
| JPH02297813A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-12-10 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲット |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP18512990A patent/JP3184977B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290551A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JPH0243356A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-13 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JPH02297812A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-12-10 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲツト |
| JPH02297813A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-12-10 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲット |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656216A (en) * | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
| US6582641B1 (en) | 1994-08-25 | 2003-06-24 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets |
| US7799312B2 (en) | 2002-03-22 | 2010-09-21 | Samsung Corning Precision Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing high-density indium tin oxide target, methods for preparing tin oxide powder and indium oxide powder used therefor |
| CN115893989A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-04 | 芜湖映日科技股份有限公司 | 一种细化ito靶材微观晶粒结构增强机械强度的工艺方法 |
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