JPH0474909A - 測長装置 - Google Patents
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- JPH0474909A JPH0474909A JP18703990A JP18703990A JPH0474909A JP H0474909 A JPH0474909 A JP H0474909A JP 18703990 A JP18703990 A JP 18703990A JP 18703990 A JP18703990 A JP 18703990A JP H0474909 A JPH0474909 A JP H0474909A
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- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 claims description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 36
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、板体上の所定のパターン間の距離等を測定す
る測長装置に関する。
る測長装置に関する。
近年、各種技術分野においては装置が微小化又は高精度
化され、これに伴い装置の製造時における各部の寸法も
厳格な管理が必要となり、このため・サブμmオーダの
精度で測定可能な測長装置が要望されるようになった。
化され、これに伴い装置の製造時における各部の寸法も
厳格な管理が必要となり、このため・サブμmオーダの
精度で測定可能な測長装置が要望されるようになった。
ここで、上記のように高精度の測長が必要である対象物
として、テレビジョン、コンピュータ等の表示に使用さ
れる液晶表示装置を例示して説明する。
として、テレビジョン、コンピュータ等の表示に使用さ
れる液晶表示装置を例示して説明する。
第4図は液晶表示装置の電極の配置図である。
図で、1は基板、2は基板1上に縦横に多数配置された
電極である。例えば、図で横方向の長さが400 ts
の基板1上に電極2が横方向1列に6700個配列され
ている。これら各電極2は互いに正確な間隔で配置され
る必要がある。即ち、第4図に示す隣接する電極2間の
寸法X++)’+は正確でなければならない。したがっ
て、このような電極パターンを製造するための原板(マ
スク)における上記寸法X++3’+ は厳格に管理さ
れなければならない。そして、このためには、冑精度の
測長装置が必要である。例えば、上記の例では、寸法x
1は60μであるので、測長装置としてはサブμmオー
ダの精度のものが要望される。このような装置の測定に
使用される測長装置を第5図により説明する。
電極である。例えば、図で横方向の長さが400 ts
の基板1上に電極2が横方向1列に6700個配列され
ている。これら各電極2は互いに正確な間隔で配置され
る必要がある。即ち、第4図に示す隣接する電極2間の
寸法X++)’+は正確でなければならない。したがっ
て、このような電極パターンを製造するための原板(マ
スク)における上記寸法X++3’+ は厳格に管理さ
れなければならない。そして、このためには、冑精度の
測長装置が必要である。例えば、上記の例では、寸法x
1は60μであるので、測長装置としてはサブμmオー
ダの精度のものが要望される。このような装置の測定に
使用される測長装置を第5図により説明する。
第5図は測長装置の系統図である。図で、X。
Yは座標軸を示す。この測長装置はX軸およびY軸方向
の測定が可能な2軸の測長装置である。5x、5yはそ
れぞれX軸、Y軸方向の移動機構が備えられているステ
ージであり、ステージ5Yは図示されていない空気定盤
上に支持され、また、ステージ5Xはステージ5Y上に
おいてY軸方向に移動可能に設置されている。6はステ
ージ5上でX軸方向に移動可能な移動台、7Xは移動台
6をX軸方向に移動させるモータ、7Yはステージ5X
をY軸方向に移動させるモータである。ステージ5Xお
よび移動台6は、それぞれモータ7X、7Yの回転によ
り移動する構成となっている。8は移動台6に固定され
たテーブル、9はテーブル8上に載置された被測長対象
物である原板を示す。
の測定が可能な2軸の測長装置である。5x、5yはそ
れぞれX軸、Y軸方向の移動機構が備えられているステ
ージであり、ステージ5Yは図示されていない空気定盤
上に支持され、また、ステージ5Xはステージ5Y上に
おいてY軸方向に移動可能に設置されている。6はステ
ージ5上でX軸方向に移動可能な移動台、7Xは移動台
6をX軸方向に移動させるモータ、7Yはステージ5X
をY軸方向に移動させるモータである。ステージ5Xお
よび移動台6は、それぞれモータ7X、7Yの回転によ
り移動する構成となっている。8は移動台6に固定され
たテーブル、9はテーブル8上に載置された被測長対象
物である原板を示す。
9pは第4図に示す電極2を作成するため原板9に構成
された電極パターンである。電極パターン9pは第4図
に示す電極2の配置に等しく配置されている。10はこ
れら電極パターン9pを観察するオートフォーカス付の
顕微鏡、11は顕微鏡10を支持するスタンド、12は
原板9を照明する光源、13は光源12を支持すると共
に光を顕微鏡10に導く導光管である。14は顕微鏡1
0の視野内の像を撮像するカメラであり、像に応じた電
気信号を出力する。
された電極パターンである。電極パターン9pは第4図
に示す電極2の配置に等しく配置されている。10はこ
れら電極パターン9pを観察するオートフォーカス付の
顕微鏡、11は顕微鏡10を支持するスタンド、12は
原板9を照明する光源、13は光源12を支持すると共
に光を顕微鏡10に導く導光管である。14は顕微鏡1
0の視野内の像を撮像するカメラであり、像に応じた電
気信号を出力する。
16は画像処理装置を示し、画像処理部16aおよび表
示部16bで構成されている。画像処理部16aはカメ
ラ14からの信号に基づき顕微鏡10の視野内の像を表
示部16bに表示する処理を行なうとともに、後述する
ようにその像についての種々の処理を実行する。表示部
16bは等間隔に縦横に配列された微粒子(画素)で構
成されている。これらの画素は表示部16bにおける発
光単位であり、各画素が選択的に発光することにより、
映像が形成表示される。各画素は、画像処理部16aに
内蔵されたメモリのアドレスに対応せしめられているの
が通常である。どの画素を発光させるかの選択は、カメ
ラ14の信号に基づいて画像処理部16aで行なわれる
。17は測長装置における所定の演算制御を行なう制御
装置であり、マイクロフンピユータを用いて構成されて
いる。
示部16bで構成されている。画像処理部16aはカメ
ラ14からの信号に基づき顕微鏡10の視野内の像を表
示部16bに表示する処理を行なうとともに、後述する
ようにその像についての種々の処理を実行する。表示部
16bは等間隔に縦横に配列された微粒子(画素)で構
成されている。これらの画素は表示部16bにおける発
光単位であり、各画素が選択的に発光することにより、
映像が形成表示される。各画素は、画像処理部16aに
内蔵されたメモリのアドレスに対応せしめられているの
が通常である。どの画素を発光させるかの選択は、カメ
ラ14の信号に基づいて画像処理部16aで行なわれる
。17は測長装置における所定の演算制御を行なう制御
装置であり、マイクロフンピユータを用いて構成されて
いる。
36はレーザヘッドであり、例えば2周波レーザヘッド
が用いられる。このレーザヘッドは僅かに異なる周波数
f、、f2のレーザ光を出力する。
が用いられる。このレーザヘッドは僅かに異なる周波数
f、、f2のレーザ光を出力する。
37はレーザヘッド36からのレーザ光を直線方向およ
びこれと直角方向に分割するビームスプリッタである。
びこれと直角方向に分割するビームスプリッタである。
38X、38Yはレーザ光のうち周波数f1のレーザ光
のみを出力するインタフェロメータである。39はテー
ブル8に固定されたL型ミラーであり、X軸方向の反射
を行なう部分39XおよびY軸方向の反射を行なう部分
39Yを有する。40X40YはそれぞれX軸、Y軸の
レシーバであり、インタフェロメータ38X、38Yか
ら送られてくるレーザ光の周波数に基づいて所定の信号
を出力する。
のみを出力するインタフェロメータである。39はテー
ブル8に固定されたL型ミラーであり、X軸方向の反射
を行なう部分39XおよびY軸方向の反射を行なう部分
39Yを有する。40X40YはそれぞれX軸、Y軸の
レシーバであり、インタフェロメータ38X、38Yか
ら送られてくるレーザ光の周波数に基づいて所定の信号
を出力する。
41はパルスコンパレータであり、レーザヘッド36か
らの信号とレシーバ40X、40Yからの信号とに基づ
いてX軸方向およびY軸方向の変位量を演算し、これを
制御装置17に出力する。レーザヘッド36、ビームス
プリッタ37、インタフェロメータ38X、38Y、L
型ミラー39、レシーバ40X、 40Y、およびパル
スコンパレータ41によりレーザ測長器が構成される。
らの信号とレシーバ40X、40Yからの信号とに基づ
いてX軸方向およびY軸方向の変位量を演算し、これを
制御装置17に出力する。レーザヘッド36、ビームス
プリッタ37、インタフェロメータ38X、38Y、L
型ミラー39、レシーバ40X、 40Y、およびパル
スコンパレータ41によりレーザ測長器が構成される。
このレーザ測長器の測定原理の概略を説明する。
レーザヘッド36からの各レーザ光はビームスプリッタ
37により分割され、その一方がインタフェロメータ3
8Xに入力され、かつ、周波数f1のレーザ光のみミラ
ー39の部分39Xに照射される。この状態でテーブル
8が変位すると照射されたレーザ光には、ドツプラ効果
によりドツプラ変調が発生し、ミラ一部分39Xから反
射されるレーザ光の周波数は(f、 ±Δf、)とな
る。この反射レーザ光はインタフェロメータ38Xを経
て周波数f2のレーザ光とともにレシーバ40Xに入力
され、レシーバ40Xでは、これら2つのレーザ光の周
波数に基づき(fz CfI ±Δf1))の演算
がなされ、これに応した信号が出力される。一方、レー
ザヘッド36からは各レーザ光の周波数の差に応じた信
号(fz fl)が出力され、レシーバ40Xの4
7.号とともにパルスコンパレータ41に入力される。
37により分割され、その一方がインタフェロメータ3
8Xに入力され、かつ、周波数f1のレーザ光のみミラ
ー39の部分39Xに照射される。この状態でテーブル
8が変位すると照射されたレーザ光には、ドツプラ効果
によりドツプラ変調が発生し、ミラ一部分39Xから反
射されるレーザ光の周波数は(f、 ±Δf、)とな
る。この反射レーザ光はインタフェロメータ38Xを経
て周波数f2のレーザ光とともにレシーバ40Xに入力
され、レシーバ40Xでは、これら2つのレーザ光の周
波数に基づき(fz CfI ±Δf1))の演算
がなされ、これに応した信号が出力される。一方、レー
ザヘッド36からは各レーザ光の周波数の差に応じた信
号(fz fl)が出力され、レシーバ40Xの4
7.号とともにパルスコンパレータ41に入力される。
パルスコンパレータ41では両人力値に基づいて((f
z f+ ) fz + (f+ ±Δfl
))の演算が実行され、この結果、信号±Δf、がとり
出される。この信号±Δf、はチーフル8の変位に比例
した信号であり、これにより測定値を得ることができる
。
z f+ ) fz + (f+ ±Δfl
))の演算が実行され、この結果、信号±Δf、がとり
出される。この信号±Δf、はチーフル8の変位に比例
した信号であり、これにより測定値を得ることができる
。
次に、上記測長装置の動作を第6図(a) 、 (b)
に示す画像処理装置の表示像を参照しながら説明する。
に示す画像処理装置の表示像を参照しながら説明する。
まず、原板9をテーブル8上にセットし、顕微鏡10の
倍率を電極パターン9pの全体像やその周辺が把握可能
な程度(例えば5倍)に低くする。
倍率を電極パターン9pの全体像やその周辺が把握可能
な程度(例えば5倍)に低くする。
次いで、カメラ14に撮影され表示部16bに表示され
た顕微鏡10の視野を観察しながら、制′4′B装置1
7を介して(又は手動で)テーブル8を移動させ、最端
部の電極パターン9p(この電極パターンを9p+ と
する)を顕微鏡10の視野にとらえる。この状態で、顕
微鏡10の倍率を高倍率(例えば200倍)とする。こ
のとき、表示部16bに表示された顕微鏡10の視野内
の映像が第6図(a)に示されている。第6図(a)に
おいて、Aは顕微鏡10の視野、Cは顕微鏡10の中心
線に対応する中心線、また、9p+ ’は電極パター
ン9p+ の映像である。
た顕微鏡10の視野を観察しながら、制′4′B装置1
7を介して(又は手動で)テーブル8を移動させ、最端
部の電極パターン9p(この電極パターンを9p+ と
する)を顕微鏡10の視野にとらえる。この状態で、顕
微鏡10の倍率を高倍率(例えば200倍)とする。こ
のとき、表示部16bに表示された顕微鏡10の視野内
の映像が第6図(a)に示されている。第6図(a)に
おいて、Aは顕微鏡10の視野、Cは顕微鏡10の中心
線に対応する中心線、また、9p+ ’は電極パター
ン9p+ の映像である。
電極パターン9p+ は顕微鏡10で拡大されているた
め、その映像9p1′は電極パターン9pの極く一部で
あり、かつ、その縁部(エツジ)は図示のように凹凸と
なって現われる。ところで、原板9における測長は、各
電極パターン9pのエツジ間を測定するのであるから、
エツジに凹凸が存在していては測定不可能となる。この
ため、何等かの手段によりエツジを確定する必要がある
。
め、その映像9p1′は電極パターン9pの極く一部で
あり、かつ、その縁部(エツジ)は図示のように凹凸と
なって現われる。ところで、原板9における測長は、各
電極パターン9pのエツジ間を測定するのであるから、
エツジに凹凸が存在していては測定不可能となる。この
ため、何等かの手段によりエツジを確定する必要がある
。
このエツジの確定は、画像処理部16aにおいて、映像
9p1′の縁部の発光画素の位置を多数検出し、それら
の平均値を演算することにより行なわれる。なお、この
ようなエツジの確定方法は、投影分布法として周知であ
るので詳細な説明は省略する。第6図(a)において、
確定したエツジが符号Eで示されている。画像処理部1
6aは中心線CとエツジEとの間隔!!、を、その間の
画素数でカウントする(メモリのアドレスの差を演算す
る)ことにより求め、その値l、を制御装置17に出力
する。
9p1′の縁部の発光画素の位置を多数検出し、それら
の平均値を演算することにより行なわれる。なお、この
ようなエツジの確定方法は、投影分布法として周知であ
るので詳細な説明は省略する。第6図(a)において、
確定したエツジが符号Eで示されている。画像処理部1
6aは中心線CとエツジEとの間隔!!、を、その間の
画素数でカウントする(メモリのアドレスの差を演算す
る)ことにより求め、その値l、を制御装置17に出力
する。
次に、制御装置17はモータ7xに指令信号を出力し、
テーブル8を移動して次の電極パターン9p (この電
極パターン9p2とする。)を顕微鏡■0の視野に入れ
、これを表示部16bに表示する。
テーブル8を移動して次の電極パターン9p (この電
極パターン9p2とする。)を顕微鏡■0の視野に入れ
、これを表示部16bに表示する。
このときのテーブル8の移動量lはレーザ測長器により
検出され、制御装置17に出力される。第6図(b)に
電極パターン9pzが視野に入ったときの状態が示され
ている。第6図(b)で第6図(a)と同一部分には同
一符号が付しである。9p2′は電極パターン9pzの
映像を示す。電極パターン9pzの映像9p2′に対し
ても、電極パターン9p+ の映像9p1′と全く同様
にしてエツジEが確定され、中心線Cとの間隔12が求
められ、この値12が制御装置17に出力される。
検出され、制御装置17に出力される。第6図(b)に
電極パターン9pzが視野に入ったときの状態が示され
ている。第6図(b)で第6図(a)と同一部分には同
一符号が付しである。9p2′は電極パターン9pzの
映像を示す。電極パターン9pzの映像9p2′に対し
ても、電極パターン9p+ の映像9p1′と全く同様
にしてエツジEが確定され、中心線Cとの間隔12が求
められ、この値12が制御装置17に出力される。
ここで、レーザ測長器で検出された移動量eは、最初の
視野において顕微鏡IOの中心線に対向する原板9上の
位置と、次の視野において顕微鏡10の中心線に対向す
る原板9上の位置との間の間隔に等しい。したがって、
第6図(a) 、 (b)に示す視野の場合、制御装置
17は入力された値1..e21を加算して測定値L
<L−1,−Ml!2−Mりを得る。各電極パターン9
pの間隔は、第4図に示す電極2の間隔X+ + X
z+ X3・・・・・・・・・と同しように、最端部
の電極パターン(9p+)のエツジEを基準とし、上述
のような方法で、当該エツジEからの間隔として測定さ
れる。
視野において顕微鏡IOの中心線に対向する原板9上の
位置と、次の視野において顕微鏡10の中心線に対向す
る原板9上の位置との間の間隔に等しい。したがって、
第6図(a) 、 (b)に示す視野の場合、制御装置
17は入力された値1..e21を加算して測定値L
<L−1,−Ml!2−Mりを得る。各電極パターン9
pの間隔は、第4図に示す電極2の間隔X+ + X
z+ X3・・・・・・・・・と同しように、最端部
の電極パターン(9p+)のエツジEを基準とし、上述
のような方法で、当該エツジEからの間隔として測定さ
れる。
Y軸方向における各電極パターン90間隔の測定も上記
と同様の手段により実施される。
と同様の手段により実施される。
ところで、上記測長装置の測定精度は、次のような要因
によって左右される。
によって左右される。
(1)ミラー39X、39Y相互の直角度(例えば、許
容される直角からのずれの角度は1.25μradであ
る)、およびそれらの固定状態(ステージ5X、移動台
6の移動方向に対するミラーの直角度、例えば許容値2
24μrad)(2)ステージ5Xと移動台6の直角度
(3)テーフ゛ル8のたわみおよびf頃き(例えば、長
さ200鶴に対する許容値は、たわみ角316、crr
ad、たわみ量63.Lcrm)(4)レーザ測長器の
設置状態(例えば、ミラー39X、39Yに対する入射
角の許容値223μrad) (5)ステージ5Xと移動台6の移動時のピッチング、
ローリングおよびヨーイングの発生(各許容値はそれぞ
れ、0.5μrad、0.5μrad、5.crrad
) 上記各許容値は単なる一例であるが、いずれにしても、
許容値は上記オーダの微小値である。
容される直角からのずれの角度は1.25μradであ
る)、およびそれらの固定状態(ステージ5X、移動台
6の移動方向に対するミラーの直角度、例えば許容値2
24μrad)(2)ステージ5Xと移動台6の直角度
(3)テーフ゛ル8のたわみおよびf頃き(例えば、長
さ200鶴に対する許容値は、たわみ角316、crr
ad、たわみ量63.Lcrm)(4)レーザ測長器の
設置状態(例えば、ミラー39X、39Yに対する入射
角の許容値223μrad) (5)ステージ5Xと移動台6の移動時のピッチング、
ローリングおよびヨーイングの発生(各許容値はそれぞ
れ、0.5μrad、0.5μrad、5.crrad
) 上記各許容値は単なる一例であるが、いずれにしても、
許容値は上記オーダの微小値である。
測長装置を上記各許容値以下の精度で構成するためには
、各部品の加工、組立をこれら許容値に応じた精度で行
わねばならず、このような加工、組立は不可能に近く、
仮に可能であっても、それら加工、組立、調整には多大
な手間と時間が必要となる。また、このように多くの手
間と時間をかけて加工、組立、調整を行っても、測長装
置に作用する振動や構成部品の経年変化等により測定精
度が低下するのを避けることはできず、必要に応じて再
調整を行わねばならず、その都度再び多くの手間と時間
が必要となる。
、各部品の加工、組立をこれら許容値に応じた精度で行
わねばならず、このような加工、組立は不可能に近く、
仮に可能であっても、それら加工、組立、調整には多大
な手間と時間が必要となる。また、このように多くの手
間と時間をかけて加工、組立、調整を行っても、測長装
置に作用する振動や構成部品の経年変化等により測定精
度が低下するのを避けることはできず、必要に応じて再
調整を行わねばならず、その都度再び多くの手間と時間
が必要となる。
本発明の目的は、上記従来技術における課題を解決し、
部品の加工、組立、調整を簡易化することができるとと
もに、当該部品の変形や組立、調整ずれに対しても容易
に対処することができる測長装置を提供するにある。
部品の加工、組立、調整を簡易化することができるとと
もに、当該部品の変形や組立、調整ずれに対しても容易
に対処することができる測長装置を提供するにある。
上記の目的を達成するため、本発明は、被測長物を載置
するテーブルと、このテーブルを移動させる移動台と、
この移動台を移動可能に支持するヘースと、前記テーブ
ルに対向して配置された顕微鏡と、この顕微鏡像を撮影
するカメラと、このカメラにより撮影された顕微鏡像を
処理する処理手段と、前記テーブルの移動量を測定する
測定手段とを備えた測長装置において、前記テーブルを
多数の微小領域に区分するとともに当該テーブルに載置
され寸法が既知であるパターンをもつ基準マスクを実測
して得られた前記各微小領域毎の誤差を求める誤差検出
手段と、この誤差検出手段により得られた誤差を記憶す
る記憶部と、前記被測長物の前記各微小領域の実測値を
前記記憶部に記憶された同−微小頭域の値により補正す
る演算手段と、前記誤差検出手段に対して再検出を指令
する誤差検出指令手段と、この誤差検出指令手段により
得られた値で前記記憶部に記憶された値を更新する誤差
更新手段とを設けたことを特徴とする。
するテーブルと、このテーブルを移動させる移動台と、
この移動台を移動可能に支持するヘースと、前記テーブ
ルに対向して配置された顕微鏡と、この顕微鏡像を撮影
するカメラと、このカメラにより撮影された顕微鏡像を
処理する処理手段と、前記テーブルの移動量を測定する
測定手段とを備えた測長装置において、前記テーブルを
多数の微小領域に区分するとともに当該テーブルに載置
され寸法が既知であるパターンをもつ基準マスクを実測
して得られた前記各微小領域毎の誤差を求める誤差検出
手段と、この誤差検出手段により得られた誤差を記憶す
る記憶部と、前記被測長物の前記各微小領域の実測値を
前記記憶部に記憶された同−微小頭域の値により補正す
る演算手段と、前記誤差検出手段に対して再検出を指令
する誤差検出指令手段と、この誤差検出指令手段により
得られた値で前記記憶部に記憶された値を更新する誤差
更新手段とを設けたことを特徴とする。
最初、テーブルを多数の微小領域に区分し、当該テーブ
ル上に、寸法が既知のパターンをもつ基準マスクを載置
し、この基準マスクを測長装置により測定する。この測
定により、各微小領域における測定誤差が算出される。
ル上に、寸法が既知のパターンをもつ基準マスクを載置
し、この基準マスクを測長装置により測定する。この測
定により、各微小領域における測定誤差が算出される。
これら各微小領域の測定誤差は、各微小領域毎に記憶部
に補正値としテ記憶される。次に、被測長物がテーブル
に載置され、その測定がなされる。このとき、当該測定
により得られた測定値は、記憶部からとりだされた当該
測定における微小領域と同一微小領域の補正値に基づい
て補正され、これにより、正確な測定値を得ることがで
きる。測長装置使用中、地震、他物体との衝突、構成部
品の変化等が生した時、使用者は再度基準マスクをテー
ブル上に載置し、誤差検出指令手段により誤差の再検出
を指令する。
に補正値としテ記憶される。次に、被測長物がテーブル
に載置され、その測定がなされる。このとき、当該測定
により得られた測定値は、記憶部からとりだされた当該
測定における微小領域と同一微小領域の補正値に基づい
て補正され、これにより、正確な測定値を得ることがで
きる。測長装置使用中、地震、他物体との衝突、構成部
品の変化等が生した時、使用者は再度基準マスクをテー
ブル上に載置し、誤差検出指令手段により誤差の再検出
を指令する。
これにより、誤差が再検出され、さきに記憶されている
補正値が更新される。以後、この新しい補正値により、
測定値の補正がなされる。
補正値が更新される。以後、この新しい補正値により、
測定値の補正がなされる。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第1図は本発明の実施例に係る測長装置の制御装置のブ
ロック図である。図で、50 (−点鎖線で示されてい
る)は第5図に示す制御装置17に相当する制御装置で
ある。この制御装置50は、加算手段50a、補正値記
憶部50b、および演算制御部50cで構成されている
。加算手段50aは画像処理部16aで得られた前述の
カウント値の信号s1とレーザ測長器で得られた測定値
の信号s2とを加算する手段であり、従来の制御装置に
も備えられている。補正値記憶部50bについては後述
する。また、演算制御部50cは、前述のエツジ検出指
令信号s3、オートフォーカス指令信号S4、ステージ
5X、5Yの駆動指令信号35等の出力その他従来の制
御装置17と同一の所定の制御を行う以外に、これら制
御とは異なる特定の制御も行う。この特定の制御につい
ては、前記補正値記憶部50bの説明とともに説明する
。
ロック図である。図で、50 (−点鎖線で示されてい
る)は第5図に示す制御装置17に相当する制御装置で
ある。この制御装置50は、加算手段50a、補正値記
憶部50b、および演算制御部50cで構成されている
。加算手段50aは画像処理部16aで得られた前述の
カウント値の信号s1とレーザ測長器で得られた測定値
の信号s2とを加算する手段であり、従来の制御装置に
も備えられている。補正値記憶部50bについては後述
する。また、演算制御部50cは、前述のエツジ検出指
令信号s3、オートフォーカス指令信号S4、ステージ
5X、5Yの駆動指令信号35等の出力その他従来の制
御装置17と同一の所定の制御を行う以外に、これら制
御とは異なる特定の制御も行う。この特定の制御につい
ては、前記補正値記憶部50bの説明とともに説明する
。
51は補正値更新指令部であり、使用者が必要に応じて
操作する。
操作する。
本実施例では、テーブルB上に、直交座標を想定し、こ
の座標に基づいて多数の微小領域を想定する。これらの
微小領域を第2図に示す。図で、0は座標原点、i、j
はそれぞれある微小領域を区分するX軸上、Y軸上の線
分の番号を示す。また、第3図(a)、(b)は第2図
に示す微小領域の拡大図である。
の座標に基づいて多数の微小領域を想定する。これらの
微小領域を第2図に示す。図で、0は座標原点、i、j
はそれぞれある微小領域を区分するX軸上、Y軸上の線
分の番号を示す。また、第3図(a)、(b)は第2図
に示す微小領域の拡大図である。
ここで、本実施例を用いた測定動作を説明する。
測長装置が完成すると、まず、テーブル8上に基準マス
クが載置される。このとき、−例として基準マスクのパ
ターンのX軸と、測定装置の計測系のX軸とを座標変換
の弐を用いて整合させる。なお、この整合はY軸につい
て行ってもよい。上記基準マスクは、例えば第4図に示
すようなパターンを有し、各部の寸法が全て既知のマス
クである。
クが載置される。このとき、−例として基準マスクのパ
ターンのX軸と、測定装置の計測系のX軸とを座標変換
の弐を用いて整合させる。なお、この整合はY軸につい
て行ってもよい。上記基準マスクは、例えば第4図に示
すようなパターンを有し、各部の寸法が全て既知のマス
クである。
基準マスクの各部の寸法(真値)は予め適宜のメモリに
格納されている。基準マスクを各微小領域について測定
することにより、それら測定値と基準マスクから得られ
る真価との差、即ち、測定誤差を得ることができる。
格納されている。基準マスクを各微小領域について測定
することにより、それら測定値と基準マスクから得られ
る真価との差、即ち、測定誤差を得ることができる。
第3図(a)に、座標(i−1、j)、(i、j−1)
により規定される微小領域のX軸、Y軸方向の誤差ΔX
、ΔYが示されている。なお、これらの誤差は極端に誇
張されて描かれている(第3図(b)においても同じ)
。この場合、真価はX8、YJであり、測定値は(Xi
+ΔX)、(Yi +ΔY)である。このことから、
当該微小領域における補正値は Xi X軸方向の補正値: X、 +ΔX YJ Y軸方向の補正値: YJ +ΔY となる。
により規定される微小領域のX軸、Y軸方向の誤差ΔX
、ΔYが示されている。なお、これらの誤差は極端に誇
張されて描かれている(第3図(b)においても同じ)
。この場合、真価はX8、YJであり、測定値は(Xi
+ΔX)、(Yi +ΔY)である。このことから、
当該微小領域における補正値は Xi X軸方向の補正値: X、 +ΔX YJ Y軸方向の補正値: YJ +ΔY となる。
さらに、第3図(b)には、Y軸方向に並んだ微小領域
における傾きによる誤差が示されている。
における傾きによる誤差が示されている。
Y軸方向の長さ0〜YIにおいては垂直線分に対して角
度e3、長さY l” Y zにおいでは角度θ2、長
さY2〜Y、においては角度θ3が誤差として表されて
いる。これらの誤差により、図示された各微小領域では
任意の寸法YについてX軸方向に次のような誤差を生じ
る。
度e3、長さY l” Y zにおいでは角度θ2、長
さY2〜Y、においては角度θ3が誤差として表されて
いる。これらの誤差により、図示された各微小領域では
任意の寸法YについてX軸方向に次のような誤差を生じ
る。
0〜Y1未満: ye。
71〜72未満:Yθ+ + (Y−Y、)θ2Y2
〜Y1未満:yθ、+(Y−Y、)θ2+ (Y −Y
z )θ3 これらは全てX軸方向の誤差であるから、各微小領域に
ついて、第3図(a)における前述のX軸方向の補正値
とともにX軸方向の補正値となる。
〜Y1未満:yθ、+(Y−Y、)θ2+ (Y −Y
z )θ3 これらは全てX軸方向の誤差であるから、各微小領域に
ついて、第3図(a)における前述のX軸方向の補正値
とともにX軸方向の補正値となる。
ここで、参考までに、各誤差を生しる要因を列挙してお
く。
く。
X軸方向の寸法誤差(ΔX):ミラー固定状態、テーブ
ルのたわみ、テーブルの傾き、レーザ測長装置の設置状
態、ステージ5Xのピッチングおよびヨーイング Y軸方向の寸法誤差(ΔY):ミラー固定状態、テーブ
ルのたわみ、テーブルの傾き、レーザ測長装置の設置状
態、ステージ5Yのピッチングおよびヨーイング 傾きによる誤差:ミラーの直角度、ステージ5Xと移動
台の直角度、ステージ5Xおよびステージ5Yのローリ
ング このようにして得られた補正値は、演算制御部50Cの
制御のもとに補正値記憶部50bに格納される。これに
より、本実施例の測長装置が使用可能状態となる。
ルのたわみ、テーブルの傾き、レーザ測長装置の設置状
態、ステージ5Xのピッチングおよびヨーイング Y軸方向の寸法誤差(ΔY):ミラー固定状態、テーブ
ルのたわみ、テーブルの傾き、レーザ測長装置の設置状
態、ステージ5Yのピッチングおよびヨーイング 傾きによる誤差:ミラーの直角度、ステージ5Xと移動
台の直角度、ステージ5Xおよびステージ5Yのローリ
ング このようにして得られた補正値は、演算制御部50Cの
制御のもとに補正値記憶部50bに格納される。これに
より、本実施例の測長装置が使用可能状態となる。
この測長装置を使用する場合、1つの測定毎に、演算制
御部50cはその測定端の属する微小領域を見出し、補
正値記憶部50bから同一微小領域の補正値をとりだし
、この補正値を用いて測定値を補正する。例えば、演算
制御部50cは測定値に対して寸法誤差による補正値を
乗算し、傾き誤差を加算する。これにより、正確な測定
を行うことができる。
御部50cはその測定端の属する微小領域を見出し、補
正値記憶部50bから同一微小領域の補正値をとりだし
、この補正値を用いて測定値を補正する。例えば、演算
制御部50cは測定値に対して寸法誤差による補正値を
乗算し、傾き誤差を加算する。これにより、正確な測定
を行うことができる。
このような測長装置に対して、何らかの振動や衝撃(例
えば地震や他物体の衝突等)が作用すると、前述の(1
)〜(5)の事項に変化が生じ、この結果、各微小領域
における誤差も変化する。
えば地震や他物体の衝突等)が作用すると、前述の(1
)〜(5)の事項に変化が生じ、この結果、各微小領域
における誤差も変化する。
このため、それまで補正値記憶部50bに記憶されてい
た補正値を用いて測定値を補正しても、もはや正確な測
定はできない。
た補正値を用いて測定値を補正しても、もはや正確な測
定はできない。
そこで、使用者は、再度基準マスクをテーブル8上に載
置し、補正値更新指令部51を操作して演算制御部50
Cに対して誤差検出を指令する。
置し、補正値更新指令部51を操作して演算制御部50
Cに対して誤差検出を指令する。
演算制御部はこの指令により、上記と同様の方法により
誤差を検出し、これに基づく補正値を、現在補正値記憶
部50bに記憶されている補正値に代えて当該補正値記
憶部50bに格納する。以後の測定は、この新しい補正
値による測定値補正により行われる。
誤差を検出し、これに基づく補正値を、現在補正値記憶
部50bに記憶されている補正値に代えて当該補正値記
憶部50bに格納する。以後の測定は、この新しい補正
値による測定値補正により行われる。
このように、本実施例では、基準マスクに基づいて各微
小領域毎に補正値を作成し、これらを記憶部に記憶して
おき、実際の測定においては、当該補正値により測定値
を補正するようにしたので、測長装置の加工、組立、調
整を許容値以内の高精度レベルで実施する必要はなく、
当該加工、組立、調整等を飛躍的に簡素化することがで
き、しかも、正確な測定を行うことができる。さらに、
振動、衝撃、構成部品の経年変化等により測長装置の構
造上に変化が生じても、補正値の更新が可能であるので
、再組立、再調整を行うことなく、正確な測定を継続す
ることができる。
小領域毎に補正値を作成し、これらを記憶部に記憶して
おき、実際の測定においては、当該補正値により測定値
を補正するようにしたので、測長装置の加工、組立、調
整を許容値以内の高精度レベルで実施する必要はなく、
当該加工、組立、調整等を飛躍的に簡素化することがで
き、しかも、正確な測定を行うことができる。さらに、
振動、衝撃、構成部品の経年変化等により測長装置の構
造上に変化が生じても、補正値の更新が可能であるので
、再組立、再調整を行うことなく、正確な測定を継続す
ることができる。
なお、上記実施例の説明では、レーザ測長器を使用した
例について述べたが、これに代えてリニアエンコーダを
使用してもよいのは当然である。
例について述べたが、これに代えてリニアエンコーダを
使用してもよいのは当然である。
以上述べたように、本発明では、基準マスクに基づいて
、誤差検出手段により各微小領域毎に補正値を見出し、
これらを記憶部に記憶しておき、実際の測定においては
、演算手段により、記憶部に記憶された同一微小領域の
補正値を用いて測定値を補正するようにしたので、測長
装置の加工、組立、調整を許容値以内の高精度レベルで
実施する必要はなく、当該加工、組立、調整等を飛躍的
に簡素化することができ、しかも、正確な測定を行うこ
とができる。さらに、振動、衝撃、構成部品の経年変化
等により測長装置の構造上に変化が生しても、補正値の
更新が可能であるので、再組立、再調整を行うことなく
、正確な測定を継続することができる。
、誤差検出手段により各微小領域毎に補正値を見出し、
これらを記憶部に記憶しておき、実際の測定においては
、演算手段により、記憶部に記憶された同一微小領域の
補正値を用いて測定値を補正するようにしたので、測長
装置の加工、組立、調整を許容値以内の高精度レベルで
実施する必要はなく、当該加工、組立、調整等を飛躍的
に簡素化することができ、しかも、正確な測定を行うこ
とができる。さらに、振動、衝撃、構成部品の経年変化
等により測長装置の構造上に変化が生しても、補正値の
更新が可能であるので、再組立、再調整を行うことなく
、正確な測定を継続することができる。
第1図は本発明の実施例に係る測長装置の制御装置のブ
ロック図、第2図は微小領域の説明図、第3図(a)、
(b)は寸法誤差および傾き誤差の説明図、第4図は液
晶表示装置の電極の配置図、第5図は従来の測長装置の
系統図、第6図(a)、(b)は顕微鏡像の平面図であ
る。 6・・・・・・移動台、8・・・・・・テーブル、10
・・・・・・顕微鏡、14・・・・・・カメラ、50・
・・・・・制御装置、50b・・・・・・補正値記憶部
、50c・・・・・・演算制御部、51・・・・・・補
正値更新指令部 第 図 呻−−−−−−一−×4−−−−−−−H(b) 第 ] 図 第 図 第 図 Xつ 第 図 (a) (b)
ロック図、第2図は微小領域の説明図、第3図(a)、
(b)は寸法誤差および傾き誤差の説明図、第4図は液
晶表示装置の電極の配置図、第5図は従来の測長装置の
系統図、第6図(a)、(b)は顕微鏡像の平面図であ
る。 6・・・・・・移動台、8・・・・・・テーブル、10
・・・・・・顕微鏡、14・・・・・・カメラ、50・
・・・・・制御装置、50b・・・・・・補正値記憶部
、50c・・・・・・演算制御部、51・・・・・・補
正値更新指令部 第 図 呻−−−−−−一−×4−−−−−−−H(b) 第 ] 図 第 図 第 図 Xつ 第 図 (a) (b)
Claims (2)
- (1)被測長物を載置するテーブルと、このテーブルを
移動させる移動台と、この移動台を移動可能に支持する
ベースと、前記テーブルに対向して配置された顕微鏡と
、この顕微鏡像を撮影するカメラと、このカメラにより
撮影された顕微鏡像を処理する処理手段と、前記テーブ
ルの移動量を測定する測定手段とを備えた測長装置にお
いて、前記テーブルを多数の微小領域に区分するととも
に当該テーブルに載置され寸法が既知であるパターンを
もつ基準マスクを実測して得られた前記各微小領域毎の
誤差を求める誤差検出手段と、この誤差検出手段により
得られた誤差を記憶する記憶部と、前記被測長物の前記
各微小領域の実測値を前記記憶部に記憶された同一微小
領域の値により補正する演算手段と、前記誤差検出手段
に対して再検出を指令する誤差検出指令手段と、この誤
差検出指令手段により得られた値で前記記憶部に記憶さ
れた値を更新する誤差更新手段とを設けたことを特徴と
する測長装置 - (2)請求項(1)において、前記記憶部に記憶された
値は、所定の原点からの前記微小領域の第1の軸方向の
寸法誤差、および前記第1の軸方向に垂直な方向の寸法
誤差、ならびに前記各軸のうちの一方の軸に対する傾き
の角度誤差であることを特徴とする測長装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18703990A JPH0474909A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 測長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18703990A JPH0474909A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 測長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474909A true JPH0474909A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16199107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18703990A Pending JPH0474909A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 測長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474909A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002131019A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 徴小寸法測定方法 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP18703990A patent/JPH0474909A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002131019A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 徴小寸法測定方法 |
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