JPH0475322A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、写真製版のホトレジスト塗布工程で使用して
好適な半導体製造装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体製造装置は第２図に示すように構
成されている。これを同図に基づいて説明すると、同図
において、符号１で示すものはその両側に開口部２を有
するガード、３はこのガードｌ内に回転自在に設けられ
粘性液としてのホトレジスト液４がその表面に塗布され
るＳｉ基板５を真空吸着するスピンヘッド、６はこのス
ピンへラド３の上方に先端部が前記ガード１内に臨むよ
うに設けられＳｉ基板５の表面にホトレジスト液４を供
給する管体である。また、７は前記スピンへラド３の内
部に形成された真空孔である。なお、図中矢印はスピン
ヘッド３の回転方向を示す。

このように構成された半導体製造装置を用いてＳｉ基板
５にホトレジスト液４を塗布するには、高速回転するス
ピンへラド３によってＳｉ基板５を真空吸着し、このＳ
ｉ基板５の表面に管体６からホトレジスト液４を供給す
ることにより行う。このとき、ホトレジスト液４は、一
部が遠心力によって中央部から周縁部に向かって移動し
、Ｓｉ基板５上に均一に塗布されるが、残りはＳｉ基板
５の周囲に飛散して開口部２に収容される。

（発明が解決しようとする課題） ところで、この種の半導体製造装置においては、スピン
ヘッド３の高速回転時に発生する遠心力によってホトレ
ジスト液４がＳｉ基板５上を中央部から周縁部に移動す
るものであるため、スピンへラド３の減速時にホトレジ
スト液４が中央部より周辺部で多くなっていた。この結
果、ホトレジスト液４がだれてＳｉ基板５の裏面周縁部
に付着し、次工程でエツチング不良が発生して品質上の
信鯨性が低下するという問題があった。すなわち、ホト
レジスト液４がＳｉ基板５の裏面周縁部に付着すると、
この部分に酸化膜が残り、後工程のバックメタライズで
十分なオーミックコンタクトを得ることができないから
である。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、次工
程においてエツチング不良の発生を防止することができ
、品質上の信鯨性を高めることができる半導体製造装置
を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る半導体製造装置は、高速回転するスピンヘ
ッドのガードに基板の裏面周縁にガスを吹き付けるガス
吹付口を設けたものである。

〔作　用〕

本発明においては、スピンヘッドの減速時にガス吹付口
から基板の裏面周縁にガスを吹き付けて水トレジスト液
のだれを阻止することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。

第１図は本発明に係る半導体製造装置を示す断面図で、
同図において第２図と同一の部材については同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。

同図において、符号１１で示すガード内には、前記スピ
ンヘッド３が回転自在に設けられている。

このガード１１には、前記スピンヘッド３上におけるＳ
ｉ基板５の裏面周縁にガスを吹き付けるガス吹付口１２
が設けられている。また、１３は前記スピンヘッド３の
両側方に形成された開口部である。なお、図中符号Ａは
ガス吹付口１２から吹き付けられるガスの流れを示す。

このように構成された半導体製造装置においては、高速
回転するスピンヘッド３が減速回転した時に、ガス吹付
口１２からスピンヘッド３上のＳｉ基板５の裏面周縁に
ガスを第１図に矢印Ａで示すように吹き付けてホトレジ
スト液４のだれを阻止することができる。すなわち、ス
ピンヘッド３の減速回転時にＳｉ基板５の表面周縁から
裏面周縁に回り込もうとするホトレジスト液４を除去す
ることができるのである。

したがって、本実施例においては、ホトレジスト塗布工
程でＳｉ基板５の裏面周縁にホトレジスト液４が付着し
ないから、次工程でのエツチング不良の発生を防止する
ことができる。

なお、本実施例においては、写真製版のホトレジスト塗
布工程で使用する例を示したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、現像工程にも実施例と同様に使用可
能である。

因に、本実施例における半導体製造装置を用いてＳｉ基
板５にホトレジスト液４を塗布するには、従来技術と同
様にして行われる。すなわち、高速回転するスピンヘッ
ド３によってＳｉ基板５を真空吸着し、このＳｉ基板５
の表面に管体６からホトレジスト液４を供給する。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、高速回転するスピ
ンヘッドのガードに基板の裏面周縁にガスを吹き付ける
ガス吹付口を設けたので、スピンヘッドの減速時にガス
吹付口から基板の裏面周縁にガスを吹き付けてホトレジ
スト液のだれを阻止することができる。したがって、ホ
トレジスト塗布工程で基板の裏面周縁にホトレジスト液
が付着しないから、次工程においてエツチング不良の発
生を防止することができ、品質上の信顛性を高めること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体製造装置を示す断面図、第
２図は従来の半導体製造装置を示す断面図である。 ３・・・スピンヘッド、４・・・ホトレジスト液、５・
・・Ｓｔ基板、６・・・管体、１１・・・ガード、１２
・・・ガス吹付口。 代　　理　　人　　大　岩　増　雄 ′−ＬＡ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ガード内に回転自在に設けられ基板の裏面中央部を吸
   着するスピンヘッドと、このスピンヘッドの上方に設け
   られ基板の表面に粘性液を供給する管体とを備えた半導
   体製造装置において、前記ガードに基板の裏面周縁にガ
   スを吹き付けるガス吹付口を設けたことを特徴とする半
   導体製造装置。