JPH0475337A - 半導体基板の研磨法 - Google Patents
半導体基板の研磨法Info
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- JPH0475337A JPH0475337A JP18870590A JP18870590A JPH0475337A JP H0475337 A JPH0475337 A JP H0475337A JP 18870590 A JP18870590 A JP 18870590A JP 18870590 A JP18870590 A JP 18870590A JP H0475337 A JPH0475337 A JP H0475337A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- polishing
- semiconductor
- polishing method
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の研磨法に関し、とりわけ〔従来の
技術〕 従来、ＳＯ工基板を研磨法で製作するには、主として、
石英基板表面か、酸化したＳｉウェーハ表面等に、他の
Ｓｉウェーハをシラノール反応により貼付け、該貼付Ｓ
ｉウェーハを裏面から機械研磨及び機械化学研磨を施し
、Ｓ１膜厚として１μｍ±０２μｍ程度にするのが通例
であった。
技術〕 従来、ＳＯ工基板を研磨法で製作するには、主として、
石英基板表面か、酸化したＳｉウェーハ表面等に、他の
Ｓｉウェーハをシラノール反応により貼付け、該貼付Ｓ
ｉウェーハを裏面から機械研磨及び機械化学研磨を施し
、Ｓ１膜厚として１μｍ±０２μｍ程度にするのが通例
であった。
〔発明が解決しよ５とする課題〕
しかし、上記従来技術によると、半導体膜厚精度がせい
ぜい±０２μｍ程度であり、ひいては半導体膜厚を０５
μｍ以下には出来ないと云う課題等があった。
ぜい±０２μｍ程度であり、ひいては半導体膜厚を０５
μｍ以下には出来ないと云う課題等があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、高精度な半
導体基板の研磨法を提供する事を目的とする。
導体基板の研磨法を提供する事を目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は半導体基板の研磨
法に関し、ドライ・エッチング容器内に半導体基板を設
置し、前記容器内又は外から半導体基板の膜厚を光学的
に検出しながら半導体基板表面にプラズマあるいはイオ
ン照射密度を半導体膜厚に対応して変化させながらエツ
チングする手段をとる。
法に関し、ドライ・エッチング容器内に半導体基板を設
置し、前記容器内又は外から半導体基板の膜厚を光学的
に検出しながら半導体基板表面にプラズマあるいはイオ
ン照射密度を半導体膜厚に対応して変化させながらエツ
チングする手段をとる。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、Ｓｉｎ、上のＳ１膜の厚さを機械研磨及び機械化
学研磨により１μｍ±０．２μｍにした半導体基板を用
いて、更に厚さを０５μｍ以下、０．１μｍ程度に迄エ
ツチングし、精度を±０．０２μｍ程度にするには、前
記基板をドライ・エッチング容器内に設置し、例えばノ
ズルからフレオン・プラズマ・エツチング・ガスあるい
は塩素イオン・エツチング・ガス等を噴出させながらエ
ツチングする場合に、赤外線干渉法等によりウェーハ全
面のＳ１膜厚分布を測定しながらＳ１膜厚の厚い部分に
エツチング・ガスを照射する事を繰り返して徐々に厚さ
の低減と精度向上を計るか、あるいはノズルによらない
場合は磁界や電界により部分的にプラズマあるいはイオ
ンから成るエツチング・ガスの密度を高める等の方法等
により部分的にエツチングを増速しながら、且つ全体と
して厚さを一定値になるようにする等の方法により、Ｓ
１膜厚を０．１μｍ±０．０２μｍ程度の高精度研磨が
可能となる。尚、該ドライ研磨を施した後に、表面の鏡
面を保つには更に機械・化学研磨等によるパフ研磨も施
して良い事は云うまでもない。
学研磨により１μｍ±０．２μｍにした半導体基板を用
いて、更に厚さを０５μｍ以下、０．１μｍ程度に迄エ
ツチングし、精度を±０．０２μｍ程度にするには、前
記基板をドライ・エッチング容器内に設置し、例えばノ
ズルからフレオン・プラズマ・エツチング・ガスあるい
は塩素イオン・エツチング・ガス等を噴出させながらエ
ツチングする場合に、赤外線干渉法等によりウェーハ全
面のＳ１膜厚分布を測定しながらＳ１膜厚の厚い部分に
エツチング・ガスを照射する事を繰り返して徐々に厚さ
の低減と精度向上を計るか、あるいはノズルによらない
場合は磁界や電界により部分的にプラズマあるいはイオ
ンから成るエツチング・ガスの密度を高める等の方法等
により部分的にエツチングを増速しながら、且つ全体と
して厚さを一定値になるようにする等の方法により、Ｓ
１膜厚を０．１μｍ±０．０２μｍ程度の高精度研磨が
可能となる。尚、該ドライ研磨を施した後に、表面の鏡
面を保つには更に機械・化学研磨等によるパフ研磨も施
して良い事は云うまでもない。
更に、本発明はＳ１膜によるＳＯ工に限らず、他のＧａ
Ａｓ等の半導体膜によるＳＯ工にも適用できる事は云う
までもない。
Ａｓ等の半導体膜によるＳＯ工にも適用できる事は云う
までもない。
本発明により極めて薄く、且つ高精度の半導体膜を持っ
たＳＯ工基板が製作できる効果がある。
たＳＯ工基板が製作できる効果がある。
以上
Claims (1)
- ドライ・エッチング容器内に半導体基板を設置し、前記
容器内又は外から半導体基板の膜厚を光学的に検出しつ
つ、半導体基板表面にプラズマあるいはイオン密度を半
導体膜厚さに対応して変化させてエッチングする事を特
徴とする半導体基板の研磨法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18870590A JPH0475337A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体基板の研磨法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18870590A JPH0475337A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体基板の研磨法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475337A true JPH0475337A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16228366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18870590A Pending JPH0475337A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体基板の研磨法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0475337A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04196559A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉ基板における単結晶薄膜層の膜厚制御方法 |
| JPH11274115A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Ebara Corp | ガスポリッシング方法及びポリッシング装置 |
| JP2018157120A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP18870590A patent/JPH0475337A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04196559A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉ基板における単結晶薄膜層の膜厚制御方法 |
| JPH11274115A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Ebara Corp | ガスポリッシング方法及びポリッシング装置 |
| JP2018157120A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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