JPS6236669A - 転写マスクおよびその製造方法 - Google Patents
転写マスクおよびその製造方法Info
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- JPS6236669A JPS6236669A JP60174983A JP17498385A JPS6236669A JP S6236669 A JPS6236669 A JP S6236669A JP 60174983 A JP60174983 A JP 60174983A JP 17498385 A JP17498385 A JP 17498385A JP S6236669 A JPS6236669 A JP S6236669A
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- JP
- Japan
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- film
- pattern
- alumina film
- quartz
- alumina
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、写真製版技術において用いられる転写マスク
の改良に関するものである。
の改良に関するものである。
半導体製品、特に集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃ
ｊｒ−ｅｕｉｔｓ）の製造において、回路パターンを半
導体基板に作り込むための、いわゆる写真製版技術は重
要な技術として周知であるが、この回路パターンの原版
となる転写マスクは、通常ガラス基板上に光を遮蔽する
薄膜を回路パターンとして形成することにより作られて
いる。
ｊｒ−ｅｕｉｔｓ）の製造において、回路パターンを半
導体基板に作り込むための、いわゆる写真製版技術は重
要な技術として周知であるが、この回路パターンの原版
となる転写マスクは、通常ガラス基板上に光を遮蔽する
薄膜を回路パターンとして形成することにより作られて
いる。
第２図は従来の転写マスクの断面図を示すもので、（１
）は石英基板、（２）はクロームｃｃｒ＞ｍである。こ
こで微細な回路パターンを形成するにはガラス材の熱膨
張による寸法歪を避ける必要がある。
）は石英基板、（２）はクロームｃｃｒ＞ｍである。こ
こで微細な回路パターンを形成するにはガラス材の熱膨
張による寸法歪を避ける必要がある。
現在、最も熱膨張係数（α）の低い石英基板（そのα峡
０．５４ｘｌＯ−’ ／ ℃）が、高精度を必要とする
製品に多用されている。一方、・回路パ゛ターンとなる
べき光の遮蔽膜としては、光を反射することと、石英基
板との熱膨張係数の差が小さいこととが望まれ、そのた
め金属膜の内でもクローム（Ｃｒ）が最も低い熱膨張係
数（α−。６．２Ｘ１０−’ ／ ”Ｃ）をもつ材料の
一つとして多用されている。これはいわゆるクロムマス
クと称されているものである。
０．５４ｘｌＯ−’ ／ ℃）が、高精度を必要とする
製品に多用されている。一方、・回路パ゛ターンとなる
べき光の遮蔽膜としては、光を反射することと、石英基
板との熱膨張係数の差が小さいこととが望まれ、そのた
め金属膜の内でもクローム（Ｃｒ）が最も低い熱膨張係
数（α−。６．２Ｘ１０−’ ／ ”Ｃ）をもつ材料の
一つとして多用されている。これはいわゆるクロムマス
クと称されているものである。
しかし、上述のクロムマスクは、Ｃｒと石英基板との間
の密着力が弱いことが欠点である。また、マスク上に異
物が付着した場合、該異物を除去する際にＣｒのパター
ンも同時に除去され、これがいわゆるパターン欠陥とな
って製品不良を起こして使用できなくなるという不具合
があった。
の密着力が弱いことが欠点である。また、マスク上に異
物が付着した場合、該異物を除去する際にＣｒのパター
ンも同時に除去され、これがいわゆるパターン欠陥とな
って製品不良を起こして使用できなくなるという不具合
があった。
本発明は、上記の事情に鑑みなされたもので、基板の上
にアルミニューム（Ａｊ）の薄膜で回路パターンを形成
し、さらにこの薄膜をアルミナ膜で被覆したものである
。
にアルミニューム（Ａｊ）の薄膜で回路パターンを形成
し、さらにこの薄膜をアルミナ膜で被覆したものである
。
その結果、温度変化による基板とＡｌ膜との寸法歪はア
ルミナ膜で固定されて従来のクロムマスクと同程度とな
る。
ルミナ膜で固定されて従来のクロムマスクと同程度とな
る。
以下、第１図（ａ）および（ｂ）の実施例をもとに本発
明を説明する。まず第１図°（ａ）のごとく石英基板（
１）上にアルミニューム（Ａｌ）の薄膜（３）で回路パ
ターンを形成する。ここで、前記ＡｌはＣｒに比べて石
英基板に対する密着強度が強（、本発明者等の実験でも
布によるＪ＠擦、綿棒による摩擦に対して、Ｃｒパター
ンでは剥がれが生じた場合があるのに対し、ＡＰを用い
たパターンでは剥がれが全く認められなかった。しかし
Ａｌは、表面が柔かいこと、＃４膨張係数が大きいこと
（α＝２０ｘｌＯ−＠／ ℃） 、摩擦に対し剥離はし
ないもののＡｌ表面に擦過傷が残ること、および石英基
板との熱膨張係数の差による寸法歪の大きいこと等の欠
点のあることが判った。
明を説明する。まず第１図°（ａ）のごとく石英基板（
１）上にアルミニューム（Ａｌ）の薄膜（３）で回路パ
ターンを形成する。ここで、前記ＡｌはＣｒに比べて石
英基板に対する密着強度が強（、本発明者等の実験でも
布によるＪ＠擦、綿棒による摩擦に対して、Ｃｒパター
ンでは剥がれが生じた場合があるのに対し、ＡＰを用い
たパターンでは剥がれが全く認められなかった。しかし
Ａｌは、表面が柔かいこと、＃４膨張係数が大きいこと
（α＝２０ｘｌＯ−＠／ ℃） 、摩擦に対し剥離はし
ないもののＡｌ表面に擦過傷が残ること、および石英基
板との熱膨張係数の差による寸法歪の大きいこと等の欠
点のあることが判った。
そこで、上記の決を改善するため、第１図（ａ）のＡｌ
パターンの表面に第１図（ｂ）に示すように、アルミナ
膜（４）を化学化成処理により形成した。
パターンの表面に第１図（ｂ）に示すように、アルミナ
膜（４）を化学化成処理により形成した。
このアルミナＦ！！ （４）の熱膨張係数ａはほぼ７ｘ
ｌＯ−’ ７℃であり、こればＣｒに比べてわずかに大
きいが遜色のないレベルである。さらに、前記アルミナ
膜（４）の硬度は石英よりも硬く （モース尺度の硬度
で石英が６〜７に対しアルミナは９）、またＳｉｇＩｔ
ａに対しても十分な強度を有している。このアルミナ膜
（４）によりＡｌ表面硬度が向上すること、および温度
変化に対するＡｌの膨張／収縮をアルミナ膜（４）が固
定してしまうこと等で、Ｃｒの場合と同程度の寸法歪に
することが可能となった。
ｌＯ−’ ７℃であり、こればＣｒに比べてわずかに大
きいが遜色のないレベルである。さらに、前記アルミナ
膜（４）の硬度は石英よりも硬く （モース尺度の硬度
で石英が６〜７に対しアルミナは９）、またＳｉｇＩｔ
ａに対しても十分な強度を有している。このアルミナ膜
（４）によりＡｌ表面硬度が向上すること、および温度
変化に対するＡｌの膨張／収縮をアルミナ膜（４）が固
定してしまうこと等で、Ｃｒの場合と同程度の寸法歪に
することが可能となった。
ここで、前記化学化成処理の方法としては、Ａｌの膜（
３）を例えば高湿の純水中に浸漬するだけでもよく、例
えば１００℃の沸騰純水中に高純度のＡｌを１分間浸漬
するだけで、約２，０ＯＯＡの厚さのアルミナ膜（４）
を得ろことができた。なお、純水の温度および浸漬時間
を変えることによりアルミナ膜（４）の厚さを自由に制
御することができる。
３）を例えば高湿の純水中に浸漬するだけでもよく、例
えば１００℃の沸騰純水中に高純度のＡｌを１分間浸漬
するだけで、約２，０ＯＯＡの厚さのアルミナ膜（４）
を得ろことができた。なお、純水の温度および浸漬時間
を変えることによりアルミナ膜（４）の厚さを自由に制
御することができる。
また、説明の都合上Ａｌについて述べたが、これはＡ
Ｉ Ｓｉ、 Ａ Ｉ Ｔｉ、 Ａ Ｉ ５ｉＣｕ等化学
化成処理の可能なＡｌ合金であれば、何れでも良いこと
ば勿論であり、また基板材料も石英に限定されない乙と
も自明である。
Ｉ Ｓｉ、 Ａ Ｉ Ｔｉ、 Ａ Ｉ ５ｉＣｕ等化学
化成処理の可能なＡｌ合金であれば、何れでも良いこと
ば勿論であり、また基板材料も石英に限定されない乙と
も自明である。
本発明は、上述のごとく極めて単純な方法でクロムマス
クと同程度の寸法歪を有し、かつ剥離に対してはクロム
マスクより優れた特徴を有しているだけでなく、材料コ
ストの面からもＣｒに比べＡｌの方が安価であり、低価
格のマスク作製が可能である。
クと同程度の寸法歪を有し、かつ剥離に対してはクロム
マスクより優れた特徴を有しているだけでなく、材料コ
ストの面からもＣｒに比べＡｌの方が安価であり、低価
格のマスク作製が可能である。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施例による転
写マスクの断面図、第２図は従来のクロムマスクの断面
図である。 図中、（１）は石英基板、（２）はクローム（Ｃｒ）層
、（３）はアルミニューム（Ａ ｊ ） Ｒ，［４１は
アルミナ膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
写マスクの断面図、第２図は従来のクロムマスクの断面
図である。 図中、（１）は石英基板、（２）はクローム（Ｃｒ）層
、（３）はアルミニューム（Ａ ｊ ） Ｒ，［４１は
アルミナ膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）絶縁基板上にアルミニューム（Ａｌ）又はＡｌ合
金を被着する工程、次に該Ａｌ又はＡｌ合金を所望のパ
ターンに形成する工程、次いで該Ａｌ又はＡｌ合金表面
に化学化成処理によりアルミナ被膜を形成する工程から
成ることを特徴とする転写マスクの製造方法。 - （２）絶縁基板上にアルミナ被膜で覆われたアルミニュ
ーム（Ａｌ）又はＡｌ合金のパターンを有することを特
徴とする転写マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60174983A JPS6236669A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | 転写マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60174983A JPS6236669A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | 転写マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236669A true JPS6236669A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=15988167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60174983A Pending JPS6236669A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | 転写マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236669A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002251000A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクブランクス及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010026398A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sk Electronics:Kk | マスク基板、マスクブランクス、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2019215467A (ja) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク及びフォトマスクブランクス |
-
1985
- 1985-08-10 JP JP60174983A patent/JPS6236669A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002251000A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクブランクス及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010026398A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sk Electronics:Kk | マスク基板、マスクブランクス、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2019215467A (ja) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク及びフォトマスクブランクス |
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