JPH047534B2 - - Google Patents
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- JPH047534B2 JPH047534B2 JP60049632A JP4963285A JPH047534B2 JP H047534 B2 JPH047534 B2 JP H047534B2 JP 60049632 A JP60049632 A JP 60049632A JP 4963285 A JP4963285 A JP 4963285A JP H047534 B2 JPH047534 B2 JP H047534B2
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は集束イオンビーム装置に関し、更に詳
しくはイオンビームの集束用静電レンズに改良を
施した集束イオンビーム装置に関する。
しくはイオンビームの集束用静電レンズに改良を
施した集束イオンビーム装置に関する。
（従来の技術）
集束イオンビーム装置は、原子をイオン化さ
せ、それを取出してビームとし、このイオンビー
ムを物質に照射して物質の形や性質を変えようと
する装置である。この種の装置は、近年半導体微
細加工用のマスクレスイオン注入装置として用い
られるようになつてきている。第２図は、従来の
集束イオンビーム装置の電気的構成例を示す図で
ある。図において、１はイオンビーム加速用の高
圧を発生する加速電圧発生回路、２はイオンを出
射するエミツタ、３はエミツタ２から出射された
イオンを取出す引出し電極（エキストラクタ）、
４は該引出し電極３に電位を与える引出し電圧印
加用電源である。加速電圧発生回路１の出力電圧
としては、例えば200KV程度が用いられる。引
出し電圧印加用電源４の発生電圧としては、例え
ば5000V程度が用いられる。
せ、それを取出してビームとし、このイオンビー
ムを物質に照射して物質の形や性質を変えようと
する装置である。この種の装置は、近年半導体微
細加工用のマスクレスイオン注入装置として用い
られるようになつてきている。第２図は、従来の
集束イオンビーム装置の電気的構成例を示す図で
ある。図において、１はイオンビーム加速用の高
圧を発生する加速電圧発生回路、２はイオンを出
射するエミツタ、３はエミツタ２から出射された
イオンを取出す引出し電極（エキストラクタ）、
４は該引出し電極３に電位を与える引出し電圧印
加用電源である。加速電圧発生回路１の出力電圧
としては、例えば200KV程度が用いられる。引
出し電圧印加用電源４の発生電圧としては、例え
ば5000V程度が用いられる。
５はその内部を通過するイオンビームを多段加
速する加速管（アクセラレーシヨン・チユーブ）、
６は該加速管５に多段の加速電圧を与える分圧器
である。該分圧器６としては、例えば、高耐圧用
の分圧抵抗が用いられる。７はイオンビームを集
束させるコンデンサレンズ、８は通過するイオン
のうち質量の違うイオンを分離する質量分離器
（マスフイルタ）である。該質量分離器８は、通
過するイオンに磁界と磁界に直交する電界を印加
し、不要イオンを除去するものである。即ち、磁
界中を通過するイオンは、質量の小さいイオンか
ら順に軌道が曲げられる性質を利用し、更に必要
なイオンビームを直進させるように磁場に直交す
る電界を与えて、不要イオンを除去するものであ
る。
速する加速管（アクセラレーシヨン・チユーブ）、
６は該加速管５に多段の加速電圧を与える分圧器
である。該分圧器６としては、例えば、高耐圧用
の分圧抵抗が用いられる。７はイオンビームを集
束させるコンデンサレンズ、８は通過するイオン
のうち質量の違うイオンを分離する質量分離器
（マスフイルタ）である。該質量分離器８は、通
過するイオンに磁界と磁界に直交する電界を印加
し、不要イオンを除去するものである。即ち、磁
界中を通過するイオンは、質量の小さいイオンか
ら順に軌道が曲げられる性質を利用し、更に必要
なイオンビームを直進させるように磁場に直交す
る電界を与えて、不要イオンを除去するものであ
る。
９は対物レンズ、１０はイオンビームをＸ，
Y2方向に走査する偏向器、１１は最終的にイオ
ンビームが照射される試料（ターゲツト）であ
る。１２は加速電圧発生回路１の出力電圧が印加
される分圧器である。分圧器１２としては、分圧
器６と同様に例えば分圧抵抗が用いられる。分圧
器１２には、図に示すようなタツプＡ，Ｂが設け
られている。タツプＡの分圧電圧は対物レンズ９
に印加され、タツプＢの分圧電圧はコンデンサレ
ンズ７に印加されている。そして対物レンズ９へ
の印加電圧は加速電圧が200KVの場合、例えば
100KV、コンデンサレンズ７への印加電圧は例
えば50KV程度である。尚、コンデンサレンズ７
及び対物レンズ９は電界によりビームを絞る静電
エンズをなしている。このように構成された装置
の動作を説明すれば、以下のとおりである。
Y2方向に走査する偏向器、１１は最終的にイオ
ンビームが照射される試料（ターゲツト）であ
る。１２は加速電圧発生回路１の出力電圧が印加
される分圧器である。分圧器１２としては、分圧
器６と同様に例えば分圧抵抗が用いられる。分圧
器１２には、図に示すようなタツプＡ，Ｂが設け
られている。タツプＡの分圧電圧は対物レンズ９
に印加され、タツプＢの分圧電圧はコンデンサレ
ンズ７に印加されている。そして対物レンズ９へ
の印加電圧は加速電圧が200KVの場合、例えば
100KV、コンデンサレンズ７への印加電圧は例
えば50KV程度である。尚、コンデンサレンズ７
及び対物レンズ９は電界によりビームを絞る静電
エンズをなしている。このように構成された装置
の動作を説明すれば、以下のとおりである。
エミツタ２から発生し、引出し電極３の開口部
を通過した高輝度イオンビームは、６段の加速管
５で加速させられる。多段加速管５を通過した高
速イオンビームは、コンデンサレンズ７でビーム
径が細く絞られた後、質量分離器８で不要イオン
が除去される。質量分離器８を通過したイオンビ
ームは、対物レンズ９で、再度ビーム径が絞られ
た後、偏向器１０で所定方向に偏向させられた
後、ターゲツト１１を照射する。この結果、ター
ゲツト１１の表面は所定方向に走査させられ、イ
オンが注入され、或いはイオンビームによるスパ
ツタリングが行われる。
を通過した高輝度イオンビームは、６段の加速管
５で加速させられる。多段加速管５を通過した高
速イオンビームは、コンデンサレンズ７でビーム
径が細く絞られた後、質量分離器８で不要イオン
が除去される。質量分離器８を通過したイオンビ
ームは、対物レンズ９で、再度ビーム径が絞られ
た後、偏向器１０で所定方向に偏向させられた
後、ターゲツト１１を照射する。この結果、ター
ゲツト１１の表面は所定方向に走査させられ、イ
オンが注入され、或いはイオンビームによるスパ
ツタリングが行われる。
第３図は、このようにして形成されたイオンビ
ームがターゲツトに照射されるまでの軌跡を示す
図である。図中の番号は、第２図の構成要素の番
号として対応している。
ームがターゲツトに照射されるまでの軌跡を示す
図である。図中の番号は、第２図の構成要素の番
号として対応している。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、従来の集束イオンビーム装置ではコ
ンデンサレンズ及び対物レンズとして、前述した
ような静電レンズを用いている。静電レンズの場
合、真空絶縁をしなければならず、以下のような
問題が生じる。
ンデンサレンズ及び対物レンズとして、前述した
ような静電レンズを用いている。静電レンズの場
合、真空絶縁をしなければならず、以下のような
問題が生じる。
電極間のスペーサ、絶縁碍子の沿面等に微小
放電が生じる。
放電が生じる。
電極間の真空微小放電が生じる。
第２図に示す従来例においては、コンデンサレ
ンズ７及び対物レンズ９への給電は前述したよう
な分圧器１２からそれぞれ50KV、100KVが与え
られる。例えば加速電圧200KVの集束イオンビ
ーム装置では、分圧器１２として1000MΩ程度の
高抵抗を使用している。従つて、、で説明し
たような微小放電があると、この微小放電の放電
電流のために抵抗による電圧降下が生じ、前記し
た印加電圧50KV、100KVがそれぞれ変動する。
例えば、対物レンズ９で微小放電が生じたものと
する。このときの放電電流のピーク値を1μAとす
ると、100KVを与える分圧抵抗値は1000MΩの1/
２の500MΩであることから、電圧変動量は 500MΩ×1μA＝500（Ｖ） となる。100KVの定格値に対する誤差は0.5％に
なる。この結果、試料１１上のイオンビームは最
適集束条件から外れ、焦点がぼけてしまう。同様
の不具合はコンデンサレンズ７についても起こり
うる。
ンズ７及び対物レンズ９への給電は前述したよう
な分圧器１２からそれぞれ50KV、100KVが与え
られる。例えば加速電圧200KVの集束イオンビ
ーム装置では、分圧器１２として1000MΩ程度の
高抵抗を使用している。従つて、、で説明し
たような微小放電があると、この微小放電の放電
電流のために抵抗による電圧降下が生じ、前記し
た印加電圧50KV、100KVがそれぞれ変動する。
例えば、対物レンズ９で微小放電が生じたものと
する。このときの放電電流のピーク値を1μAとす
ると、100KVを与える分圧抵抗値は1000MΩの1/
２の500MΩであることから、電圧変動量は 500MΩ×1μA＝500（Ｖ） となる。100KVの定格値に対する誤差は0.5％に
なる。この結果、試料１１上のイオンビームは最
適集束条件から外れ、焦点がぼけてしまう。同様
の不具合はコンデンサレンズ７についても起こり
うる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので
あつて、その目的は静電レンズ部に微小放電が生
じた場合でも、イオンビームの最適集束条件が外
れることがないようにした集束イオンビーム装置
を実現することにある。
あつて、その目的は静電レンズ部に微小放電が生
じた場合でも、イオンビームの最適集束条件が外
れることがないようにした集束イオンビーム装置
を実現することにある。
（動作原理）
前述した不具合を解決するためには、微小放電
を少なくすればよい訳であるが、現状では微小放
電を皆無にすることは不可能であるが実情であ
る。従つて、微小放電が生じることを前提として
対策を考える必要がある。その対策の１つに以下
に述べるような方法がある。即ち、微小放電が起
きて負荷電流が増加しても各静電レンズに印加す
る電圧が変動しないようにすればよい。このよう
な条件を満足させるためには、内部抵抗の小さい
分圧器乃至は高圧発生電源を用いる必要がある。
を少なくすればよい訳であるが、現状では微小放
電を皆無にすることは不可能であるが実情であ
る。従つて、微小放電が生じることを前提として
対策を考える必要がある。その対策の１つに以下
に述べるような方法がある。即ち、微小放電が起
きて負荷電流が増加しても各静電レンズに印加す
る電圧が変動しないようにすればよい。このよう
な条件を満足させるためには、内部抵抗の小さい
分圧器乃至は高圧発生電源を用いる必要がある。
（問題点を解決するための手段）
前記した問題点を解決する本発明は、イオン源
より発射されるイオンビームを加速し、静電レン
ズで集束せしめた後、ターゲツト表面を照射する
集束イオンビーム装置において、加速電圧発生回
路として、直列接続されたコンデンサの直列回路
を並列に配置すると共に両直列回路のコンデンサ
の各段間に整流ダイオードをたすき掛け接続して
なるコツククロフト・ワルトン回路を用い、該コ
ツククロフト・ワルトン回路内の前記コンデンサ
の直列回路の同一位置の段間に、カソードを突き
合わせるように直列接続したダイオード直列回路
を挿入接続し、前記静電レンズへの電位の給電
は、前記ダイオード直列回路を構成するダイオー
ドのカソードから加速電圧発生回路としてコツク
クロフト・ワルトン回路を用い、該コツククロフ
ト・ワルトン回路内の同じ段数位置間に、カソー
ドを突き合わせるようにダイオードを直列に接続
したダイオード直列回路を設け、前記静電レンズ
への電位の給電は、前記ダイオードのカソードか
ら抵抗を介さずに直接行うように構成したことを
特徴とするものである。
より発射されるイオンビームを加速し、静電レン
ズで集束せしめた後、ターゲツト表面を照射する
集束イオンビーム装置において、加速電圧発生回
路として、直列接続されたコンデンサの直列回路
を並列に配置すると共に両直列回路のコンデンサ
の各段間に整流ダイオードをたすき掛け接続して
なるコツククロフト・ワルトン回路を用い、該コ
ツククロフト・ワルトン回路内の前記コンデンサ
の直列回路の同一位置の段間に、カソードを突き
合わせるように直列接続したダイオード直列回路
を挿入接続し、前記静電レンズへの電位の給電
は、前記ダイオード直列回路を構成するダイオー
ドのカソードから加速電圧発生回路としてコツク
クロフト・ワルトン回路を用い、該コツククロフ
ト・ワルトン回路内の同じ段数位置間に、カソー
ドを突き合わせるようにダイオードを直列に接続
したダイオード直列回路を設け、前記静電レンズ
への電位の給電は、前記ダイオードのカソードか
ら抵抗を介さずに直接行うように構成したことを
特徴とするものである。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、前記した原理に基づいて実現した本
発明の一実施例を示す電気回路図である。図に示
す回路は、第２図の加速電圧発生回路１に相当す
る部分の具体的構成を示しており、それ以外の部
分は、第２図の構成がそのまま用いられる。図に
おいて、２０は、ダイオードとコンデンサを多段
接続して構成した周知のコツククロフト・ワルト
ン回路である。コツククロフト・ワルトン回路
は、図に示すようにその両端に直列接続されたコ
ンデンサC1〜Cn（ｎは整数、以下同じ）とC1′〜
Cn′の各段間に図に示すように整流ダイオードD1
〜Dn，D1′〜Dn′のたすき掛け接続をしたもので、
高倍電圧整流回路として用いられる。
発明の一実施例を示す電気回路図である。図に示
す回路は、第２図の加速電圧発生回路１に相当す
る部分の具体的構成を示しており、それ以外の部
分は、第２図の構成がそのまま用いられる。図に
おいて、２０は、ダイオードとコンデンサを多段
接続して構成した周知のコツククロフト・ワルト
ン回路である。コツククロフト・ワルトン回路
は、図に示すようにその両端に直列接続されたコ
ンデンサC1〜Cn（ｎは整数、以下同じ）とC1′〜
Cn′の各段間に図に示すように整流ダイオードD1
〜Dn，D1′〜Dn′のたすき掛け接続をしたもので、
高倍電圧整流回路として用いられる。
２１，２２はそれぞれ位相が180°異なる高周波
高電圧を発生する高周波電源である。高周波電源
２２はコンデンサC1〜Cnの直列回路の一端に、
高周波電源２１はコンデンサC1′〜Cn′の直列回路
の一端にそれぞれ接続されている。Dc1，Dc1′は
コツククロフト・ワルトン回路２０の第３段目カ
ラムから高圧整流出力を取出すダイオード、Dc2，
Dc2′は同じく第６段目カラムから高圧整流出力を
取出すダイオードDck，Dck′は第ｋ段目（最上
段）から高圧整流出力を取出すダイオードであ
る。コツククロフト・ワルトン回路２０の最上段
から取出された高圧電圧は、多段加速管（第２図
の５参照）へ印加され、更に抵抗Ｒを介して出力
電圧制御回路２３に負帰還される。該出力電圧制
御回路２３は高周波電源２１，２２の出力振幅を
制御してコツククロフト・ワルトン回路２０の出
力が一定になるように制御する。Cm1〜Cm6，
Cm1′〜Cm6′はそれぞれコンデンサC1〜C6，C1′〜
C6′にそれぞれ並列接続された容量アツプ用コン
デンサである。このように構成された回路の動作
を説明すれば、以下のとおりである。
高電圧を発生する高周波電源である。高周波電源
２２はコンデンサC1〜Cnの直列回路の一端に、
高周波電源２１はコンデンサC1′〜Cn′の直列回路
の一端にそれぞれ接続されている。Dc1，Dc1′は
コツククロフト・ワルトン回路２０の第３段目カ
ラムから高圧整流出力を取出すダイオード、Dc2，
Dc2′は同じく第６段目カラムから高圧整流出力を
取出すダイオードDck，Dck′は第ｋ段目（最上
段）から高圧整流出力を取出すダイオードであ
る。コツククロフト・ワルトン回路２０の最上段
から取出された高圧電圧は、多段加速管（第２図
の５参照）へ印加され、更に抵抗Ｒを介して出力
電圧制御回路２３に負帰還される。該出力電圧制
御回路２３は高周波電源２１，２２の出力振幅を
制御してコツククロフト・ワルトン回路２０の出
力が一定になるように制御する。Cm1〜Cm6，
Cm1′〜Cm6′はそれぞれコンデンサC1〜C6，C1′〜
C6′にそれぞれ並列接続された容量アツプ用コン
デンサである。このように構成された回路の動作
を説明すれば、以下のとおりである。
図に示すコツククロフト・ワルトン回路２０
に、それぞれ高周波電源２１，２２から高周波高
電圧を印加すると、該コツククロフト・ワルトン
回路２０は段数に応じた高電圧を最上段に発生す
る。この高電圧を分圧したものが、それぞれ３段
目カラム、６段目カラムから取出されてそれぞれ
コンデンサレンズ及び対物レンズへ直接印加され
る。これら、印加電圧としては、例えば前述した
ように50KV、100KVがとられる。
に、それぞれ高周波電源２１，２２から高周波高
電圧を印加すると、該コツククロフト・ワルトン
回路２０は段数に応じた高電圧を最上段に発生す
る。この高電圧を分圧したものが、それぞれ３段
目カラム、６段目カラムから取出されてそれぞれ
コンデンサレンズ及び対物レンズへ直接印加され
る。これら、印加電圧としては、例えば前述した
ように50KV、100KVがとられる。
今、このコツククロフト・ワルトン回路２０の
６段目から取出す分圧回路の内部抵抗R6を求め
てみる。一般に、図に示すようなコツククロフ
ト・ワルトン回路２０の段数をＮ、高周波電源２
１，２２の周波数をｆ、コンデンサの容量をＣと
すると、内部抵抗RNは次式で表わされる。
６段目から取出す分圧回路の内部抵抗R6を求め
てみる。一般に、図に示すようなコツククロフ
ト・ワルトン回路２０の段数をＮ、高周波電源２
１，２２の周波数をｆ、コンデンサの容量をＣと
すると、内部抵抗RNは次式で表わされる。
RN＝１／（ｆ・Ｃ）×｛（N3／４）
−（N2／２）＋（Ｎ／２）｝ (1)
Ｎ＝６、ｆ＝20KHz、コンデンサC1〜Cn，
C1′〜Cn′，Cm1〜Cm6，Cm1′〜Cm6′の容量を何
れも4000PFとすると、上式よりＮ＝６として６
段の分圧抵抗R6を求めると、 R6＝１／（２×104×８×10-9） ×（63／４−62／２＋６／２） ＝244（KΩ） となる。そこで６段目の対物レンズに微小放電が
生じて、ピークで1μAの放電電流が流れたものと
すると、変動電圧量は 244KΩ×1μA＝0.244（Ｖ） となり、100KVの定格値に対する誤差は無視で
きる。液体金属形電界放射イオン源による集束イ
オンビーム装置では、イオン源より発生するイオ
ンの初速度分布の半値幅は、通常10eVであり、
各静電レンズで生じる1μA程度の放電電流による
電圧変動は、せいぜい0.2〜0.3V程度であり全く
問題にならない 図中に示す抵抗Ｒは、出力電圧を一定にするた
めの出力電圧制御回路（図示せず）に出力電圧を
帰還させるための帰還抵抗として機能している。
即ち、コツククロフト・ワルトン回路２０の最上
段出力を出力電圧制御回路２３に与える。出力電
圧制御回路２３は、入力された実際の出力電圧を
基準電圧と比較して、出力電圧が基準電圧に等し
くなるように高周波電源２１，２２の出力振幅を
制御する負帰還制御を行う。
C1′〜Cn′，Cm1〜Cm6，Cm1′〜Cm6′の容量を何
れも4000PFとすると、上式よりＮ＝６として６
段の分圧抵抗R6を求めると、 R6＝１／（２×104×８×10-9） ×（63／４−62／２＋６／２） ＝244（KΩ） となる。そこで６段目の対物レンズに微小放電が
生じて、ピークで1μAの放電電流が流れたものと
すると、変動電圧量は 244KΩ×1μA＝0.244（Ｖ） となり、100KVの定格値に対する誤差は無視で
きる。液体金属形電界放射イオン源による集束イ
オンビーム装置では、イオン源より発生するイオ
ンの初速度分布の半値幅は、通常10eVであり、
各静電レンズで生じる1μA程度の放電電流による
電圧変動は、せいぜい0.2〜0.3V程度であり全く
問題にならない 図中に示す抵抗Ｒは、出力電圧を一定にするた
めの出力電圧制御回路（図示せず）に出力電圧を
帰還させるための帰還抵抗として機能している。
即ち、コツククロフト・ワルトン回路２０の最上
段出力を出力電圧制御回路２３に与える。出力電
圧制御回路２３は、入力された実際の出力電圧を
基準電圧と比較して、出力電圧が基準電圧に等し
くなるように高周波電源２１，２２の出力振幅を
制御する負帰還制御を行う。
コンデンサC1〜C6及びC1′〜C6′の両端にそれぞ
れ並列接続されたコンデンサCm1〜Cm6，
Cm1′〜Cm6′は(1)式の容量Ｃの値を増やして、全
体として分圧回路の内部抵抗RNの値を対さくす
るためのものである。コンデンサC1〜C6及び
C1′〜C6′の容量を予め大きくしておけば必ずしも
このような並列接続用コンデンサを設ける必要は
ない。
れ並列接続されたコンデンサCm1〜Cm6，
Cm1′〜Cm6′は(1)式の容量Ｃの値を増やして、全
体として分圧回路の内部抵抗RNの値を対さくす
るためのものである。コンデンサC1〜C6及び
C1′〜C6′の容量を予め大きくしておけば必ずしも
このような並列接続用コンデンサを設ける必要は
ない。
このようにして、多段加速管に印加する高圧出
力は一定に制御されるが、コンデンサレンズ及び
対物レンズへの給電部の出力電圧は負帰還制御さ
れない。しかしながら、コツククロフト・ワルト
ン回路の内部抵抗が前述したように200KΩ〜
300KΩと低く、10μA程度の微小放電でも変動電
圧量は２〜3V程度であるので、10eV程度の加速
度分布を持つイオンを加速集束するイオンビーム
装置においては、その集束作用には殆んど影響し
ない。
力は一定に制御されるが、コンデンサレンズ及び
対物レンズへの給電部の出力電圧は負帰還制御さ
れない。しかしながら、コツククロフト・ワルト
ン回路の内部抵抗が前述したように200KΩ〜
300KΩと低く、10μA程度の微小放電でも変動電
圧量は２〜3V程度であるので、10eV程度の加速
度分布を持つイオンを加速集束するイオンビーム
装置においては、その集束作用には殆んど影響し
ない。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明では、加速
電圧発生回路として、直列接続されたコンデンサ
の直列回路を並列に配置すると共に両直列回路の
コンデンサの各段間に整流ダイオードをたすき掛
け接続してなるコツククロフト・ワルトン回路を
用い、該コツククロフト・ワルトン回路内の前記
コンデンサの直列回路の同一位置の段間に、カソ
ードを突き合わせるように直列接続したダイオー
ド直列回路を挿入接続し、前記静電レンズへの電
位の給電は、前記ダイオード直列回路を構成する
ダイオードのカソードから抵抗を介さずに直接行
うように構成したので、静電レンズに電位を給電
する分圧回路部分の内部抵抗が小さくなり、静電
レンズに微小放電が生じても電圧変動を小さくす
ることができる。従つて、イオンビームの最適集
束条件が常に外れることのない集束イオンビーム
装置を実現することができる。
電圧発生回路として、直列接続されたコンデンサ
の直列回路を並列に配置すると共に両直列回路の
コンデンサの各段間に整流ダイオードをたすき掛
け接続してなるコツククロフト・ワルトン回路を
用い、該コツククロフト・ワルトン回路内の前記
コンデンサの直列回路の同一位置の段間に、カソ
ードを突き合わせるように直列接続したダイオー
ド直列回路を挿入接続し、前記静電レンズへの電
位の給電は、前記ダイオード直列回路を構成する
ダイオードのカソードから抵抗を介さずに直接行
うように構成したので、静電レンズに電位を給電
する分圧回路部分の内部抵抗が小さくなり、静電
レンズに微小放電が生じても電圧変動を小さくす
ることができる。従つて、イオンビームの最適集
束条件が常に外れることのない集束イオンビーム
装置を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す電気回路図、
第２図は従来装置の構成例を示す図、第３図はイ
オンビームの軌跡を示す図である。 １……加速電圧発生回路、２……エミツタ、３
……引出し電極、４……電源、５……加速管、
６，１２……分圧器、７……コンデンサレンズ、
８……質量分離器、９……対物レンズ、１０……
偏向器、１１……試料、２０……コツククロフ
ト・ワルトン回路、２１，２２……高周波電源、
２３……出力電圧制御回路。
第２図は従来装置の構成例を示す図、第３図はイ
オンビームの軌跡を示す図である。 １……加速電圧発生回路、２……エミツタ、３
……引出し電極、４……電源、５……加速管、
６，１２……分圧器、７……コンデンサレンズ、
８……質量分離器、９……対物レンズ、１０……
偏向器、１１……試料、２０……コツククロフ
ト・ワルトン回路、２１，２２……高周波電源、
２３……出力電圧制御回路。
Claims (1)
- １ イオン源より発射されるイオンビームを加速
し、静電レンズで集束せしめた後、ターゲツト表
面を照射する集束イオンビーム装置において、加
速電圧発生回路として、直列接続されたコンデン
サの直列回路を並列に配置すると共に両直列回路
のコンデンサの各段間に整流ダイオードをたすき
掛け接続してなるコツククロフト・ワルトン回路
を用い、該コツククロフト・ワルトン回路内の前
記コンデンサの直列回路の同一位置の段間に、カ
ソードを突き合わせるように直列接続したダイオ
ード直列回路を挿入接続し、前記静電レンズへの
電位の給電は、前記ダイオード直列回路を構成す
るダイオードのカソードから抵抗を介さずに直接
行うように構成したことを特徴とする集束イオン
ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049632A JPS61208739A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 集束イオンビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049632A JPS61208739A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 集束イオンビ−ム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208739A JPS61208739A (ja) | 1986-09-17 |
| JPH047534B2 true JPH047534B2 (ja) | 1992-02-12 |
Family
ID=12836589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60049632A Granted JPS61208739A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 集束イオンビ−ム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61208739A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523939A (en) * | 1990-08-17 | 1996-06-04 | Schlumberger Technology Corporation | Borehole logging tool including a particle accelerator |
| US5191517A (en) * | 1990-08-17 | 1993-03-02 | Schlumberger Technology Corporation | Electrostatic particle accelerator having linear axial and radial fields |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662069A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-27 | Jeol Ltd | Generating device for high voltage |
| JPS5662070A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-27 | Jeol Ltd | Generating device for high voltage |
| JPS58158849A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Jeol Ltd | イオン銃用電源 |
| JPS5944800A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-13 | 日本電子株式会社 | 直流高電圧電源 |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP60049632A patent/JPS61208739A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61208739A (ja) | 1986-09-17 |
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