JPS5944800A - 直流高電圧電源 - Google Patents
直流高電圧電源Info
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- JPS5944800A JPS5944800A JP15368282A JP15368282A JPS5944800A JP S5944800 A JPS5944800 A JP S5944800A JP 15368282 A JP15368282 A JP 15368282A JP 15368282 A JP15368282 A JP 15368282A JP S5944800 A JPS5944800 A JP S5944800A
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- Japan
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- circuit
- insulation
- lance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、荷電粒子加速装置等の１島に高電月発生部を
小型化簡易化した直流高電圧電源に関（Ｊる。
小型化簡易化した直流高電圧電源に関（Ｊる。
近年Ｅ、ｌ−１，１）型−イオン源やガス相のイオンｌ
１ｉｉｉより発生ずるイオンを２００〜３ （１０Ｋ
Ｖの高トネルギーに加速すると其に、１ナブミク１１ン
以１ζに細く収束したイオンビームの応用はマスクレス
イオン打込みの分野で急速に高まっており、斯種装置を
小型化、簡易化−リ−ることは装置の二１ス１−ダウン
に欠かせない技術開発である。第１図は、例えばイオン
ビーム装置の従来装置の高電月発イ１部の回路図を示す
。図に示したように、接地電位より２００〜３００ＫＶ
に絶縁された高電圧、インＡ引出し用電圧、イオンビー
ム集束用電圧等を伝達する必要があり、これ笠を絶縁１
−ランスにより接地電位部より伝送して、高電位側で整
流し引出し電極、集束用電極等に供給している。図にお
いて１は、対称型コツククロフト、ウオルトン型回路、
２はフィルタコンデンリ”群であり分割用高抵抗Ｒｎと
並列接続して使用される。３はフィルタ抵抗であり、４
は加速電位に対し１０ Ｋ Ｖ稈１旦の負電位を与え、
加速管６に入射するイオンビームの集束度合を制御する
高周波電源５の出力を伝送り−る多段の絶縁トランス群
であり、その出力４．１ Ｍ圧１〜ランス、ダ゛イオー
ド、−１ンデンリ、リ−り１氏抗、」、りなる整流回路
７に接続されている１、Ｆ３は引出し電＜６＜ １２
ヘＩ ミツｉ ９ニ３’Ｊし′Ｃ’Ｉ ＯＫ Ｖ 稈１
（Ｅ ）負電位をりえ、エミッタ９Ｊ、りのイΔンじ−
ｌ＼１１１を制御するための直流電圧を調整り−るため
の高周波電源１０の出力を伝送り−る多段の絶縁１−ラ
ンス群であり、その出力はＩｆ７圧トランス、グイ調−
ド。
１ｉｉｉより発生ずるイオンを２００〜３ （１０Ｋ
Ｖの高トネルギーに加速すると其に、１ナブミク１１ン
以１ζに細く収束したイオンビームの応用はマスクレス
イオン打込みの分野で急速に高まっており、斯種装置を
小型化、簡易化−リ−ることは装置の二１ス１−ダウン
に欠かせない技術開発である。第１図は、例えばイオン
ビーム装置の従来装置の高電月発イ１部の回路図を示す
。図に示したように、接地電位より２００〜３００ＫＶ
に絶縁された高電圧、インＡ引出し用電圧、イオンビー
ム集束用電圧等を伝達する必要があり、これ笠を絶縁１
−ランスにより接地電位部より伝送して、高電位側で整
流し引出し電極、集束用電極等に供給している。図にお
いて１は、対称型コツククロフト、ウオルトン型回路、
２はフィルタコンデンリ”群であり分割用高抵抗Ｒｎと
並列接続して使用される。３はフィルタ抵抗であり、４
は加速電位に対し１０ Ｋ Ｖ稈１旦の負電位を与え、
加速管６に入射するイオンビームの集束度合を制御する
高周波電源５の出力を伝送り−る多段の絶縁トランス群
であり、その出力４．１ Ｍ圧１〜ランス、ダ゛イオー
ド、−１ンデンリ、リ−り１氏抗、」、りなる整流回路
７に接続されている１、Ｆ３は引出し電＜６＜ １２
ヘＩ ミツｉ ９ニ３’Ｊし′Ｃ’Ｉ ＯＫ Ｖ 稈１
（Ｅ ）負電位をりえ、エミッタ９Ｊ、りのイΔンじ−
ｌ＼１１１を制御するための直流電圧を調整り−るため
の高周波電源１０の出力を伝送り−る多段の絶縁１−ラ
ンス群であり、その出力はＩｆ７圧トランス、グイ調−
ド。
］ンデンリ、リーク抵抗Ｊ、す４ｊへ成された整流回路
１１にて整流され、引出し電極１２に供給される。
１１にて整流され、引出し電極１２に供給される。
１３はエミッター９を加熱りるヒータ１４（Ｊヒータ加
熱用高周波電源１５の出力を１ムｊスＪる絶縁１−ラン
ス群である。この絶縁１〜ランスＢＹ／１．８．１３を
′構成覆る各絶縁１〜ランスにはぞの一］ア１巻線に加
速電圧を分割抵抗Ｒｎで分割した直流社ｊ位が与えられ
ている。１６は整流回路７からの自流゛市圧によってイ
オンビーフ！１を収束させるための集束用電極ぐある。
熱用高周波電源１５の出力を１ムｊスＪる絶縁１−ラン
ス群である。この絶縁１〜ランスＢＹ／１．８．１３を
′構成覆る各絶縁１〜ランスにはぞの一］ア１巻線に加
速電圧を分割抵抗Ｒｎで分割した直流社ｊ位が与えられ
ている。１６は整流回路７からの自流゛市圧によってイ
オンビーフ！１を収束させるための集束用電極ぐある。
Ｒｍは加速電極６の各電極（Ｊ所望の電位を与えるため
の分割抵抗群（” ｃｌ’ｊる。以１゛の様に構成され
た従来装置における欠点は、高周波電源５，１０．１Ｅ
５のそれぞれの１１１１周波電月を絶縁トランス群４．
ε３，１３を用いて」−ミッタ側に伝送しているため、
絶縁］ヘラシス群が３３系統ら必要であることで装置が
大型化するど其に複雑化し高価となる点にある。
の分割抵抗群（” ｃｌ’ｊる。以１゛の様に構成され
た従来装置における欠点は、高周波電源５，１０．１Ｅ
５のそれぞれの１１１１周波電月を絶縁トランス群４．
ε３，１３を用いて」−ミッタ側に伝送しているため、
絶縁］ヘラシス群が３３系統ら必要であることで装置が
大型化するど其に複雑化し高価となる点にある。
本発明は以上の点に鑑みてなされたしので、数列の多段
コンデンサ柱と複数の整流器からイする＝１ツククロフ
１〜．つＡルトン回路の少くとも一列の多段コンデン１
す柱をニガのコンテン１ノ柱に分割し、この分割された
多段コンデンサ柱にＪ：つ−Ｕ ＝＋ツククロフ１〜．
ウオルトン回路の入ノｊ側に設けられた絶縁１ヘランス
Ｔ】の出力を該コンデンリ社の２端子に接続し、コツク
ク［１フト、ウオルトン回路の出力側に設けられた絶縁
トランス「２の１次側に該コンデンザ柱の他端の２端子
に接続し、絶縁トランス］−１に接続された可変＾周波
電ｉ１＋＋ｉの出力を絶縁トランスＴ＋、夕刊のコンデ
ン１す住、絶縁１−ランスＴ２を介して絶縁トランスｒ
２ Ｍ Ｉｃ続された整流回路に伝送することににす
］ツククに１フト。
コンデンサ柱と複数の整流器からイする＝１ツククロフ
１〜．つＡルトン回路の少くとも一列の多段コンデン１
す柱をニガのコンテン１ノ柱に分割し、この分割された
多段コンデンサ柱にＪ：つ−Ｕ ＝＋ツククロフ１〜．
ウオルトン回路の入ノｊ側に設けられた絶縁１ヘランス
Ｔ】の出力を該コンデンリ社の２端子に接続し、コツク
ク［１フト、ウオルトン回路の出力側に設けられた絶縁
トランス「２の１次側に該コンデンザ柱の他端の２端子
に接続し、絶縁トランス］−１に接続された可変＾周波
電ｉ１＋＋ｉの出力を絶縁トランスＴ＋、夕刊のコンデ
ン１す住、絶縁１−ランスＴ２を介して絶縁トランスｒ
２ Ｍ Ｉｃ続された整流回路に伝送することににす
］ツククに１フト。
ウオルトン回路の出力高電位部に前記整流回路の出力電
圧をイオン源に与える手段を設（）たことを特徴どして
いる。
圧をイオン源に与える手段を設（）たことを特徴どして
いる。
以下本発明を図面を用いて計則に説明りる。
第２図【よ本発明の一実施例における電気的４１°１１
成の接続図である。尚第′１図と同一部分に【、１同−
ｒｊ１号をイク］シてその説明を省略する１、第２図に
承り本発明の一実施例は、第′１図の対称型−１ツクク
ＩＩノ１〜．ウオルトン回路１のＣ７７” Ｃｌ乳及び
Ｃ２１へ・Ｃ跡の２列のコンデンリ′社の各々を分割し
、ＣｒＬ ”ＣＩ？Ｌ、 ＣＨＩ 〜Ｃｚｑ、 Ｃ
ａｌ 〜Ｃ３ｗ、 Ｃ４１〜Ｃ４ｎの４列のコンデン
１す柱としで、史に０，１ ・〜・（’； ＩＭ ＋
０２１〜Ｃ２負とＣ３１〜Ｃ３領、Ｃ４１〜Ｃ４負の２
絹の］ンノごン１す柱の入ツノ側ど出力側をイれぞれ絶
縁トシンスで接続して、入力側の絶縁ｉ〜ランスの１次
側にイれぞれ＾周波電源を設りたことが人さ／、「特徴
−（゛ある。これを更に詳細に説明づと、図にＪ＞いＣ
り。
成の接続図である。尚第′１図と同一部分に【、１同−
ｒｊ１号をイク］シてその説明を省略する１、第２図に
承り本発明の一実施例は、第′１図の対称型−１ツクク
ＩＩノ１〜．ウオルトン回路１のＣ７７” Ｃｌ乳及び
Ｃ２１へ・Ｃ跡の２列のコンデンリ′社の各々を分割し
、ＣｒＬ ”ＣＩ？Ｌ、 ＣＨＩ 〜Ｃｚｑ、 Ｃ
ａｌ 〜Ｃ３ｗ、 Ｃ４１〜Ｃ４ｎの４列のコンデン
１す柱としで、史に０，１ ・〜・（’； ＩＭ ＋
０２１〜Ｃ２負とＣ３１〜Ｃ３領、Ｃ４１〜Ｃ４負の２
絹の］ンノごン１す柱の入ツノ側ど出力側をイれぞれ絶
縁トシンスで接続して、入力側の絶縁ｉ〜ランスの１次
側にイれぞれ＾周波電源を設りたことが人さ／、「特徴
−（゛ある。これを更に詳細に説明づと、図にＪ＞いＣ
り。
１０は高周波電源で、たどλばｊ５０ Ｋ ｌ−１ｚ
ｔ”励振され絶縁トランスｒ、、 、 Ｔ、λの１次
側に接続３＼れ−Ｃいる。１０は２相の高周波高月７１
２源Ｃ゛あり、該電源１９のの端は絶縁トランスＴｌ＋
の二次側中点へ、及び整流器Ｌ）＋’＼、又○端は絶
縁１−ランス１−１２の２次側の中点及び整流器Ｄ２１
＼に１′ｉ；続され−Ｃいる。電源１９の中点は接地さ
れでいる１、又す１３流器１）＋、Ｄｚに他端はバラン
ス抵抗１” 、 、 Ｉ’ ２の中点に接続され、との
ｒ 、 、 ｒ ２の中点が二１ンデンザ社１段目の電
位を決定する。同様＜’Ｔ ＩＪ法で第２図に示ず如き
継続接続して般終段のコンデン１すＣ１気１ｃ２牧及び
Ｃ３気、Ｃ幌を絶縁１〜ランス１ハ。
ｔ”励振され絶縁トランスｒ、、 、 Ｔ、λの１次
側に接続３＼れ−Ｃいる。１０は２相の高周波高月７１
２源Ｃ゛あり、該電源１９のの端は絶縁トランスＴｌ＋
の二次側中点へ、及び整流器Ｌ）＋’＼、又○端は絶
縁１−ランス１−１２の２次側の中点及び整流器Ｄ２１
＼に１′ｉ；続され−Ｃいる。電源１９の中点は接地さ
れでいる１、又す１３流器１）＋、Ｄｚに他端はバラン
ス抵抗１” 、 、 Ｉ’ ２の中点に接続され、との
ｒ 、 、 ｒ ２の中点が二１ンデンザ社１段目の電
位を決定する。同様＜’Ｔ ＩＪ法で第２図に示ず如き
継続接続して般終段のコンデン１すＣ１気１ｃ２牧及び
Ｃ３気、Ｃ幌を絶縁１〜ランス１ハ。
Ｔｘｚの１次側コイルのに接続する。絶縁トランスＴｅ
ｌ 、 Ｔｚｉの１次側コイルの中点には最終段の整
流器Ｄ’ｎ−＋、Ｄｎが接続されており、この点が本直
流高電圧電源の最畠電位であり、この点よりフィルタ抵
抗３を通じてエミッタ９に高電圧が印加されている。又
、絶縁１〜ランスＴｌ’ ＋−ｈｚの２次側は高周波ダ
イオード、コンデンサ等で構成れる整流回路１７及び１
８に接続され、その出力はフィルタ抵抗２０．２１を通
じて引出し電極１２．集束用電極１６に供給される。２
２．２３はフィルタコンデンザであり、２４．２５は整
流回路１７及び１８のリーク抵抗である。この様４４．
１ｆｌ’ｌ成と成せば、高周波電源５及び１０の高周波
電力は各］ンデンザ柱と絶縁トランスが作る伝送回路に
Ｊ、つ（整流回路１７及σ１ε３に供給され、該整流回
路１７及び１８の出／Ｉは二］ツクク１−１ノＩ・、つ
Δルトン回路の出力に重畳され゛Ｃ伝送され引出し゛市
ＪＩｊ＋ １２、集束用電極１（３に０１給される。又
、′１１！（７／：Ｅ回路１７及び１８に接続されてい
る引出し電１７ ”ｌ ２及び集束用電極１６の電位の
調整は、高周波電源５及び１０の出力を用度させること
に。１、つＣ（Ｊ−）。
ｌ 、 Ｔｚｉの１次側コイルの中点には最終段の整
流器Ｄ’ｎ−＋、Ｄｎが接続されており、この点が本直
流高電圧電源の最畠電位であり、この点よりフィルタ抵
抗３を通じてエミッタ９に高電圧が印加されている。又
、絶縁１〜ランスＴｌ’ ＋−ｈｚの２次側は高周波ダ
イオード、コンデンサ等で構成れる整流回路１７及び１
８に接続され、その出力はフィルタ抵抗２０．２１を通
じて引出し電極１２．集束用電極１６に供給される。２
２．２３はフィルタコンデンザであり、２４．２５は整
流回路１７及び１８のリーク抵抗である。この様４４．
１ｆｌ’ｌ成と成せば、高周波電源５及び１０の高周波
電力は各］ンデンザ柱と絶縁トランスが作る伝送回路に
Ｊ、つ（整流回路１７及σ１ε３に供給され、該整流回
路１７及び１８の出／Ｉは二］ツクク１−１ノＩ・、つ
Δルトン回路の出力に重畳され゛Ｃ伝送され引出し゛市
ＪＩｊ＋ １２、集束用電極１（３に０１給される。又
、′１１！（７／：Ｅ回路１７及び１８に接続されてい
る引出し電１７ ”ｌ ２及び集束用電極１６の電位の
調整は、高周波電源５及び１０の出力を用度させること
に。１、つＣ（Ｊ−）。
次にこの様に構成された装置【こおいで、Ａ’ｔ＋ Ｉ
−！Ｉｌｉ’１に高周波電力をどの様に供給Ｊ”るかに
ついＣ−１集束電極用電源回路を用いて従来装置のとの
関係（ごおいて説明する。まり゛第１図の従来装置の１
ツクク［１フト、ウオルトン回路の内部抵抗＋＜ １は
次式Ｃ−コンデンリ力ラム１段の静電容１１１ｆ−励振
周波数 Ｎ−カラム段数 ここで加速電圧２００ Ｋ Ｖ程度で数１００μ△の負
何に供給する装防ぐはＮ＝２０．ｆ ２０１＜Ｈ１程
度であり、その一段の静？［（容ｈ）は３０００ＰＦ程
度が使用されている。叩ら、２０段で１５０１１ Ｆの
静電容量と４にる。これを本実施例にあてはめると、１
５０ Ｐ ）Ｔを２列に分割することになり、第３図（
ａ ）の回路となる０、又第５３図（ａ ）は第３図（
ｂ ）の等価回路に置き換えることができる。令弟２図
絶縁［・ランスＴ１１ の出力が例えば５０Ｋｌ−１
ｚ 、 １０ＫＩ−１ｚとずれば、第３図（ｌ〕）とな
る。
−！Ｉｌｉ’１に高周波電力をどの様に供給Ｊ”るかに
ついＣ−１集束電極用電源回路を用いて従来装置のとの
関係（ごおいて説明する。まり゛第１図の従来装置の１
ツクク［１フト、ウオルトン回路の内部抵抗＋＜ １は
次式Ｃ−コンデンリ力ラム１段の静電容１１１ｆ−励振
周波数 Ｎ−カラム段数 ここで加速電圧２００ Ｋ Ｖ程度で数１００μ△の負
何に供給する装防ぐはＮ＝２０．ｆ ２０１＜Ｈ１程
度であり、その一段の静？［（容ｈ）は３０００ＰＦ程
度が使用されている。叩ら、２０段で１５０１１ Ｆの
静電容量と４にる。これを本実施例にあてはめると、１
５０ Ｐ ）Ｔを２列に分割することになり、第３図（
ａ ）の回路となる０、又第５３図（ａ ）は第３図（
ｂ ）の等価回路に置き換えることができる。令弟２図
絶縁［・ランスＴ１１ の出力が例えば５０Ｋｌ−１
ｚ 、 １０ＫＩ−１ｚとずれば、第３図（ｌ〕）とな
る。
一方整流回路１７の必要な容量は、エミッタ９ど電極１
Ｇに流れるビーム電流が数１０μΔと微小であるためリ
ーク抵抗２４でほどんど消費され、通常２ワツト（Ｗ）
程度であり、故に開回路に流れる電流ｉは２００μＡと
なり、本回路の］ンデン１ノ“カラム柱（Ｃ１１〜Ｃ１
ヶ、ＣｚＩ〜に２Ｊによる電圧降下へＶは 八Ｖ＝８５（ｋΩ）Ｘ２００（μΔ）−１７（Ｖ）とな
って僅かであり、伝送回路においで無視できる。以上集
束電極用電諒回路にＪ、り検関しｌ、゛が、引出し電４
０ｉ用電源回路につい−Ｃも同様にとえることかＣ゛き
、各コンデンリ柱ど絶糾＋ １−ランスがＩ／ｌる伝送
回路ににって高電圧側に高周波？［（力を供給ｉＪるこ
とができる。
Ｇに流れるビーム電流が数１０μΔと微小であるためリ
ーク抵抗２４でほどんど消費され、通常２ワツト（Ｗ）
程度であり、故に開回路に流れる電流ｉは２００μＡと
なり、本回路の］ンデン１ノ“カラム柱（Ｃ１１〜Ｃ１
ヶ、ＣｚＩ〜に２Ｊによる電圧降下へＶは 八Ｖ＝８５（ｋΩ）Ｘ２００（μΔ）−１７（Ｖ）とな
って僅かであり、伝送回路においで無視できる。以上集
束電極用電諒回路にＪ、り検関しｌ、゛が、引出し電４
０ｉ用電源回路につい−Ｃも同様にとえることかＣ゛き
、各コンデンリ柱ど絶糾＋ １−ランスがＩ／ｌる伝送
回路ににって高電圧側に高周波？［（力を供給ｉＪるこ
とができる。
尚本発明は以」−の実施例駅ｒ １１′□−限定される
１〕のではなく、本実施例においては第１図の対称１１
すの田ツククロフト、ウオルトン高電１［ブト牛回路の
２列の」ンデンリ′社を２組用いて構成したが、とｌう
らか一１ｊのみを２列の＝］ンア゛ンリ（Ｉどし−（ム
よく、又第４図に示ずり・１称型］ツクク］］フト、つ
Ａル１〜ン畠電圧発生回路に使用される３木の一′１ン
デンリ社にｂ）商用Ｊることができる。
１〕のではなく、本実施例においては第１図の対称１１
すの田ツククロフト、ウオルトン高電１［ブト牛回路の
２列の」ンデンリ′社を２組用いて構成したが、とｌう
らか一１ｊのみを２列の＝］ンア゛ンリ（Ｉどし−（ム
よく、又第４図に示ずり・１称型］ツクク］］フト、つ
Ａル１〜ン畠電圧発生回路に使用される３木の一′１ン
デンリ社にｂ）商用Ｊることができる。
以−にの様に本発明は高電位側に必要４Ｔ引出し電極用
電源、集束用電極用電諒のパワーを：Ｉツククロフ１〜
．つＡルトン回路の二１ン）゛ンリカラムを兼用し工伝
送し、従来の絶縁１〜ランスＢＹを大幅に減少Ｊること
ができ装置を小型化、簡易化（３キるど其に、装置のロ
スｌ−ダウンに効果を発揮１）る。
電源、集束用電極用電諒のパワーを：Ｉツククロフ１〜
．つＡルトン回路の二１ン）゛ンリカラムを兼用し工伝
送し、従来の絶縁１〜ランスＢＹを大幅に減少Ｊること
ができ装置を小型化、簡易化（３キるど其に、装置のロ
スｌ−ダウンに効果を発揮１）る。
第１図は従来の直流高電圧電源の構成図、第２図は本発
明の一実施例を示す構成図、第３図（ａ ）、（ｂ）は
本発明を説明するだめの図、第４図は他の実施例を説明
するための図である。 １：コッククロッ１へ、ウオルトン回路、２：フィルタ
コンデンザ群、３：フィルタ抵抗、４，８゜１３＝絶縁
１〜ランス群、５，１０．１５：高周波電源、６：加速
管、７．１１：整流回路、１２：引出し電極、１７１：
ヒータ、１６：集束用電極、１７．１８：整流回路、１
９：高周波電圧電源、２０．２１ ：フィルタ抵抗、２
２，２３：フィルタコ１ンデンーリ、２４，２５：放電
用抵抗、Ｒｎ。 １（ｍ：分割抵抗群＋ Ｃｏ 〜Ｃ４ｗ ： ｍｌンデ
ンサ、ｒ１〜ｒｎ：バランス抵抗、Ｔｏ ＋ Ｌ ＋
Ｔｚ、＋ Ｔ ２ｚ ：絶縁１〜ランス。 時的出願人 日木電子株式会ネ１ 代表者 伊藤 −夫
明の一実施例を示す構成図、第３図（ａ ）、（ｂ）は
本発明を説明するだめの図、第４図は他の実施例を説明
するための図である。 １：コッククロッ１へ、ウオルトン回路、２：フィルタ
コンデンザ群、３：フィルタ抵抗、４，８゜１３＝絶縁
１〜ランス群、５，１０．１５：高周波電源、６：加速
管、７．１１：整流回路、１２：引出し電極、１７１：
ヒータ、１６：集束用電極、１７．１８：整流回路、１
９：高周波電圧電源、２０．２１ ：フィルタ抵抗、２
２，２３：フィルタコ１ンデンーリ、２４，２５：放電
用抵抗、Ｒｎ。 １（ｍ：分割抵抗群＋ Ｃｏ 〜Ｃ４ｗ ： ｍｌンデ
ンサ、ｒ１〜ｒｎ：バランス抵抗、Ｔｏ ＋ Ｌ ＋
Ｔｚ、＋ Ｔ ２ｚ ：絶縁１〜ランス。 時的出願人 日木電子株式会ネ１ 代表者 伊藤 −夫
Claims (1)
- 数列の多段］ンデン１す社ど複数の整流器からなるコツ
ククロフト、ウオルトン型回路の少くとｂ−列の多段コ
ンチン′ＩＩｔｔＩを夕刊の二１ンノ゛ンリ＋１に分割
し、この分割された多段重」ンデンリ（１の両端に絶縁
１−ランス−丁１と絶縁ｌ−ランス１２を接わｃし、接
地電位に設けられた可変高周波電源の出力を絶縁トラン
ス１−１の一次に接続し二次を該夕刊の−１ンデンリー
社の端部に接続し、反対の端部を絶縁１〜ランス１２の
一次側に接続し、二次側を整流回路に伝送することによ
りコックク「−１）１〜．つΔルトン回路の高圧出力側
に前記整流回路の１１１力電月を伝送させる手段を設（
）た直流高電圧電源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15368282A JPS5944800A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 直流高電圧電源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15368282A JPS5944800A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 直流高電圧電源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944800A true JPS5944800A (ja) | 1984-03-13 |
Family
ID=15567851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15368282A Pending JPS5944800A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 直流高電圧電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944800A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208740A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-17 | Jeol Ltd | 集束イオンビ−ム装置 |
| JPS61208739A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-17 | Jeol Ltd | 集束イオンビ−ム装置 |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP15368282A patent/JPS5944800A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208740A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-17 | Jeol Ltd | 集束イオンビ−ム装置 |
| JPS61208739A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-17 | Jeol Ltd | 集束イオンビ−ム装置 |
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