JPH0475356A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPH0475356A JPH0475356A JP2191650A JP19165090A JPH0475356A JP H0475356 A JPH0475356 A JP H0475356A JP 2191650 A JP2191650 A JP 2191650A JP 19165090 A JP19165090 A JP 19165090A JP H0475356 A JPH0475356 A JP H0475356A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体素子を樹脂でパッケージした半導体装
置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor element is packaged with resin.
〈従来の技術〉
従来の半導体装置の内部構造を、第４図の平面図および
第５図の縦断面図に示す。<Prior Art> The internal structure of a conventional semiconductor device is shown in a plan view in FIG. 4 and a longitudinal sectional view in FIG. 5.
これらの図に示すように、従来の半導体装置は、半導体
素子２１と、グイパッド部２２と、多数本のリード端子
２３．・・・と、パッケージ樹脂２４とからなる。As shown in these figures, the conventional semiconductor device includes a semiconductor element 21, a lead pad portion 22, and a large number of lead terminals 23. ... and package resin 24.
半導体素子２１は、その一面の周辺部に多数のポンディ
ングパッド２５．・・・が設けられ、このポンディング
パッド２５とは反対側の面がグイパッド部２２にグイボ
ンド剤２６により接合されている。The semiconductor element 21 has a large number of bonding pads 25. ... is provided, and the surface opposite to the bonding pad 25 is bonded to the Gui pad portion 22 with a Gui bonding agent 26.
グイパッド部２２は、リードフレームの一部で構成され
ており、パッケージ工程が完了するまでは、架橋部２７
を介してリードフレームの周囲部分に連続している。The lead pad section 22 is made up of a part of the lead frame, and until the packaging process is completed, the bridge section 27 is
It is continuous to the peripheral part of the lead frame via.
リード端子２３は、グイパッド部２２の両側から半導体
素子２１の近傍まで延出しており、その内端部は、対応
するポンディングパッド２５と金属細線２８により接続
されている。The lead terminals 23 extend from both sides of the guide pad portion 22 to the vicinity of the semiconductor element 21, and their inner ends are connected to corresponding bonding pads 25 by thin metal wires 28.
パッケージ樹脂２４は、半導体素子２１とグイパッド部
２２とリード端子２３の内側部分とを包み込む形でこれ
らの部材を封止している。The package resin 24 encloses the semiconductor element 21, the guide pad portion 22, and the inner portion of the lead terminal 23, thereby sealing these members.
上記構成の半導体装置の製造に当たっては、まず、リー
ドフレームのグイパッド部２２上に、ポンディングパッ
ド２５を上にして半導体素子２１が接合され、この半導
体素子２１の各ポンディングパッド２５と、その周囲に
臨んでいるリード端子２３の内端部とが、金属細線２８
により接続される・こののち、半導体素子２】やグイパ
ッド部２２等が樹脂２４で封止され、架橋部２７やリー
ド端子２３がリードフレームの他の部分から切り離され
る。In manufacturing the semiconductor device having the above configuration, first, the semiconductor element 21 is bonded onto the lead frame pad portion 22 with the bonding pads 25 facing upward, and each of the bonding pads 25 of the semiconductor element 21 and its surroundings are bonded. The inner end of the lead terminal 23 facing the metal wire 28
After that, the semiconductor element 2], the lead pad portion 22, etc. are sealed with resin 24, and the bridge portion 27 and lead terminals 23 are separated from other parts of the lead frame.
〈発明か解決しようとする課題〉
上記のように、従来の半導体装置では、リード端子２３
と半導体素子２１の電極であるホンディングパッド２５
とを金属細線２８で接続しているのであるが、この金属
細線２８が長くなると、金属細線２８どうしの接触や、
半導体素子２１のエッヂとの接触等の不都合が生じるの
で、金属細線２８の長さは、できるだけ短くする必要が
ある。そのため、従来は、ポンディングパッド２５を半
導体素子２１の周辺部に片寄せて配置することで、リー
ド端子２３との距離を短くし、金属細線２８の長さを短
縮している。<Problem to be solved by the invention> As described above, in the conventional semiconductor device, the lead terminal 23
and a bonding pad 25 which is an electrode of the semiconductor element 21.
are connected by a thin metal wire 28, but if this thin metal wire 28 becomes long, the metal wires 28 may come into contact with each other,
Since inconveniences such as contact with the edge of the semiconductor element 21 may occur, the length of the thin metal wire 28 needs to be as short as possible. Therefore, conventionally, the distance between the bonding pad 25 and the lead terminal 23 is shortened by arranging the bonding pad 25 off to the periphery of the semiconductor element 21, thereby shortening the length of the thin metal wire 28.
しかしながら、多数のポンディングパッド２５を半導体
素子２１の周辺部に設けるには、その周辺部にある程度
の長さが必要で、このことが半導体素子２１のサイズを
縮小する上での障害となっていた。However, in order to provide a large number of bonding pads 25 on the periphery of the semiconductor element 21, a certain length is required at the periphery, and this becomes an obstacle in reducing the size of the semiconductor element 21. Ta.
また、金属細線２８は、ボンデ・イングパッド２５とリ
ード端子２３との間で半円弧状のループを描いて立ち上
がるから、その立ち上がり分を考慮してパッケージの厚
みを厚くしなければならず、パッケージを薄くするには
限界があった。In addition, since the thin metal wire 28 stands up in a semi-circular loop between the bonding pad 25 and the lead terminal 23, the thickness of the package must be increased in consideration of the rise. There was a limit to how thin it could be.
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものテアって
、テープキャリアを利用することで、半導体素子の小サ
イズ化と、パッケージの薄型化とを図ることを課題とす
る。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to reduce the size of a semiconductor element and the thickness of a package by using a tape carrier.
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、上記の課題を達成するために、半導体素子と
、テープキャリアのサポート部と、リード端子と、パッ
ケージ樹脂とを備えた半導体装置であって、半導体素子
は、その一面各所にバンプ電極を有するもので、そのバ
ンプ電極のある面がサポート部の一面に接合され、サポ
ート部は、半導体素子のバンプ電極に合致する位置に透
孔を有し、リード端子は、テープキャリアの面上に積層
状に形成されたものであって、それぞれ半導体素子の接
合面とは反対面でサポート部の外側から各透孔に臨む位
置まで延長しており、リード端子の内端部は、透孔を通
してバンプ電極に接続され、パッケージ樹脂は、半導体
素子と、サポート部と、リード端子の内側部分とを封止
している構成とした。<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above-mentioned problems, the present invention provides a semiconductor device comprising a semiconductor element, a support portion of a tape carrier, lead terminals, and a package resin, The element has bump electrodes at various places on one surface, and the surface with the bump electrodes is joined to one surface of the support part, and the support part has through holes at positions that match the bump electrodes of the semiconductor element, and has leads. The terminals are formed in a laminated manner on the surface of the tape carrier, and each extends from the outside of the support part to a position facing each through hole on the opposite surface to the bonding surface of the semiconductor element, and is a lead terminal. The inner end portion of the semiconductor device is connected to the bump electrode through the through hole, and the package resin seals the semiconductor element, the support portion, and the inner portion of the lead terminal.
〈作用〉
上記の構成において、リード端子は、サポート部の一面
に形成された部分により、対応するバンプ電極の位置に
導かれて該バンプ電極に直接に接続されており、金属細
線による接続は不要になる。<Function> In the above configuration, the lead terminal is guided to the position of the corresponding bump electrode by the portion formed on one surface of the support part and is directly connected to the bump electrode, and connection using a thin metal wire is not required. become.
したがって、半導体素子については、電極を周辺部に設
ける必要はなくなる。Therefore, it is no longer necessary to provide electrodes on the periphery of the semiconductor element.
また、リード端子は、バンプ電極に接続される部分を含
め、全体がサポート部の一面に沿って走る形で延出する
から、立ち上がる部分がなく、偏平なスペースに収まる
。Furthermore, since the entire lead terminal, including the portion connected to the bump electrode, extends along one surface of the support portion, there is no raised portion and the lead terminal fits in a flat space.
〈実施例〉
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。<Example> Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an example shown in the drawings.
第１図ないし第３図は、本発明の一実施例に係り、第１
図は半導体装置の内部構造を示す平面図、第２図はその
縦断面図、第３図は分解斜視図である。FIGS. 1 to 3 relate to one embodiment of the present invention.
The figure is a plan view showing the internal structure of the semiconductor device, FIG. 2 is a longitudinal sectional view thereof, and FIG. 3 is an exploded perspective view.
これらの図に示すように、この実施例の半導体装置は、
半導体素子１と、テープキャリア２の−部であるサポー
ト部２ａと、多数本のリード端子３．・・・と、パッケ
ージ樹脂４とからなる。As shown in these figures, the semiconductor device of this example is
A semiconductor element 1, a support part 2a which is the negative part of the tape carrier 2, and a large number of lead terminals 3. . . . and a package resin 4.
半導体素子ｌは、第３図に明示するように、その一面各
所にバンプ電極５．・・・を有するものである。As clearly shown in FIG. 3, the semiconductor element 1 has bump electrodes 5. It has...
サポート部２ａは、テープキャリア２の幅方向中央に形
成されたもので、パッケージ工程が完了するまでは、テ
ープキャリア２の周囲部分と架橋部２ｂを介して連続し
ている。２Ｃはテープキャリア２の送り孔である。The support portion 2a is formed at the center of the tape carrier 2 in the width direction, and is continuous with the peripheral portion of the tape carrier 2 via the bridge portion 2b until the packaging process is completed. 2C is a feed hole of the tape carrier 2.
このサポート部２ａには、半導体素子１のバンプ電極５
に対応する位置に透孔６が形成されている。そして、サ
ポート部２ａの一面（図面では下面）に、半導体素子１
のバンプ電極５のある面が・各バンプ電極５を透孔６に
合致させた形で接合されている。したがって、サポート
部２ａに半導体素子１を接合した状態では、バンプ電極
５は、透孔６を通じてサポート部２ａの反対面（図面で
は上面）側に露出している。This support portion 2a includes bump electrodes 5 of the semiconductor element 1.
A through hole 6 is formed at a position corresponding to . Then, a semiconductor element 1 is placed on one surface (lower surface in the drawing) of the support portion 2a.
The surfaces of the bump electrodes 5 are joined in such a way that each bump electrode 5 is aligned with the through hole 6. Therefore, when the semiconductor element 1 is bonded to the support portion 2a, the bump electrode 5 is exposed through the through hole 6 to the opposite surface (the upper surface in the drawing) of the support portion 2a.
リード端子３は、テープキャリア２の面上に予め積層状
に形成されたものであって、それぞれ半導体素子ｌの接
合面とは反対面（図面で上面）側において、テープキャ
リア２の周囲部分からサポート部２ａの面上にまで延長
しており、その内端部は、いずれか一つの透孔６に臨ん
でいる。そして、各リード端子３の内端部は、透孔６を
通してバンプ電極５に接続されている。３ａはリード端
子３の外端に形成されたテストパッドである。The lead terminals 3 are formed in advance in a laminated manner on the surface of the tape carrier 2, and are connected from the peripheral portion of the tape carrier 2 on the side opposite to the bonding surface of the semiconductor element 1 (the upper surface in the drawing). It extends onto the surface of the support portion 2a, and its inner end faces one of the through holes 6. The inner end of each lead terminal 3 is connected to the bump electrode 5 through the through hole 6. 3a is a test pad formed at the outer end of the lead terminal 3.
パッケージ樹脂４は、半導体素子Ｉとサポート部２ａと
リード端子３の内側部分とを包み込んでこれらの部材を
封止している。The package resin 4 encloses the semiconductor element I, the support portion 2a, and the inner portion of the lead terminal 3, thereby sealing these members.
上記構成の半導体装置の製造に当たっては、まず、テー
プキャリア２と、半導体素子ｌとを別個に用意する。テ
ープキャリア２には、透孔６のあるサポート部２ａと、
透孔６に達するリード端子３とを予め形成しておく。ま
た、半導体素子ｌは、一面の各所にバンプ電極５を有す
るものとする。In manufacturing the semiconductor device having the above configuration, first, the tape carrier 2 and the semiconductor element 1 are prepared separately. The tape carrier 2 includes a support portion 2a having a through hole 6,
Lead terminals 3 reaching through holes 6 are formed in advance. Further, it is assumed that the semiconductor element 1 has bump electrodes 5 at various locations on one surface.
次に、テープキャリア２のサポート部２ａの各面のうち
、リード端子３とは反対面に、半導体素子１のバンプ電
極５のある面を接合する。この場合・サポート部２ａの
透孔６にノくンプ電極５の位置を合わせ、各バンプ電極
５が対応する透孔６を通じて反対面側に露出するように
する。Next, the surface on which the bump electrode 5 of the semiconductor element 1 is located is bonded to the surface of the support portion 2a of the tape carrier 2 opposite to the lead terminal 3. In this case, the bump electrodes 5 are aligned with the through holes 6 of the support portion 2a so that each bump electrode 5 is exposed to the opposite side through the corresponding through hole 6.
透孔６の反対面側には、リード端子３の内端部が臨んで
いるから、このリード端子３の内端部とバンプ電極５と
をボンド装置により接続する。Since the inner end of the lead terminal 3 faces the opposite side of the through hole 6, the inner end of the lead terminal 3 and the bump electrode 5 are connected by a bonding device.
こののち、半導体素子１とサポート部２ａとリード端子
３の内側部分を樹脂４で封止し、架橋部２ｂやリード端
子３をテープキャリア２の周囲部分から切り離す。Thereafter, the inner parts of the semiconductor element 1, the support part 2a, and the lead terminals 3 are sealed with resin 4, and the bridge part 2b and the lead terminals 3 are separated from the surrounding part of the tape carrier 2.
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明によれば、リード端子の内端
部が半導体素子のバンプ電極に直接に接続されるから、
従来、金属細線のループで接続する場合のように、電極
を半導体素子の周辺部に片寄せて設ける必要はなく、電
極を半導体素子の一面の各所に分散配置することができ
、このように、電極位置の制限が大幅に緩和されるから
、半導体素子の小サイズ化が可能となる。<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, since the inner end of the lead terminal is directly connected to the bump electrode of the semiconductor element,
Unlike conventional connections using loops of thin metal wires, the electrodes do not need to be placed near the periphery of the semiconductor element, and the electrodes can be distributed at various locations on one side of the semiconductor element. Since restrictions on electrode positions are significantly relaxed, it is possible to reduce the size of semiconductor elements.
また、リード端子は、バンプ電極に接続される部分を含
め、全体がサポート部の一面に沿って走る形で延出する
から、金属細線のループのように立ち上がる部分がなく
、偏平なスペースに収まり、その分、パッケージを薄型
に形成することができる。In addition, the entire lead terminal, including the part connected to the bump electrode, runs along one side of the support part, so there is no part that stands up like a loop of thin metal wire, and it can fit in a flat space. , the package can be made thinner accordingly.
第１図ないし第３図は、本発明の一実施例に係り、第１
図は半導体装置の内部構造を示す平面図、第２図はその
縦断面図、第３図は分解斜視図である。
第４図および第５図は従来例に係り、第４図は内部構造
を示す平面図、第５図はその縦断面図である。
ｌ・・・半導体素子、２・・・テープキャリア、２ａ・
・・サポート部、３・・リード端子、４・・・パッケー
ジ樹脂、５・・・バンプ電極、６・・・透孔。FIGS. 1 to 3 relate to one embodiment of the present invention.
The figure is a plan view showing the internal structure of the semiconductor device, FIG. 2 is a longitudinal sectional view thereof, and FIG. 3 is an exploded perspective view. 4 and 5 relate to a conventional example, with FIG. 4 being a plan view showing the internal structure, and FIG. 5 being a longitudinal sectional view thereof. l...Semiconductor element, 2...Tape carrier, 2a.
...Support part, 3.Lead terminal, 4.Package resin, 5.Bump electrode, 6.Through hole.
Claims (1)
リード端子と、パッケージ樹脂とを備えた半導体装置で
あって、 半導体素子は、その一面各所にバンプ電極を有するもの
で、そのバンプ電極のある面がサポート部の一面に接合
され、 サポート部は、半導体素子のバンプ電極に合致する位置
に透孔を有し、 リード端子は、テープキャリアの面上に積層状に形成さ
れたものであって、それぞれ半導体素子の接合面とは反
対面でサポート部の外側から各透孔に臨む位置まで延長
しており、リード端子の内端部は、透孔を通してバンプ
電極に接続され、 パッケージ樹脂は、半導体素子とサポート部とリード端
子の内側部分とを封止している、ことを特徴とする半導
体装置。(1) A semiconductor element, a support part of a tape carrier,
A semiconductor device including a lead terminal and a package resin, wherein the semiconductor element has bump electrodes at various places on one surface, the surface with the bump electrodes is bonded to one surface of a support part, and the support part is The lead terminals have through holes at positions that match the bump electrodes of the semiconductor element, and the lead terminals are formed in a laminated manner on the surface of the tape carrier, and each has a support part on the opposite side from the bonding surface of the semiconductor element. The inner end of the lead terminal is connected to the bump electrode through the hole, and the package resin seals the semiconductor element, the support part, and the inner part of the lead terminal. A semiconductor device characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2191650A JPH0475356A (en) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2191650A JPH0475356A (en) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475356A true JPH0475356A (en) | 1992-03-10 |
Family
ID=16278186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2191650A Pending JPH0475356A (en) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0475356A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0479341A (en) * | 1990-07-23 | 1992-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Flexible wiring board |
| JPH0710692A (en) * | 1993-03-25 | 1995-01-13 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | Method and apparatus for reducing oxygen incorporation in silicon single crystals |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP2191650A patent/JPH0475356A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0479341A (en) * | 1990-07-23 | 1992-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Flexible wiring board |
| JPH0710692A (en) * | 1993-03-25 | 1995-01-13 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | Method and apparatus for reducing oxygen incorporation in silicon single crystals |
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