JPH0475356A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0475356A JPH0475356A JP19165090A JP19165090A JPH0475356A JP H0475356 A JPH0475356 A JP H0475356A JP 19165090 A JP19165090 A JP 19165090A JP 19165090 A JP19165090 A JP 19165090A JP H0475356 A JPH0475356 A JP H0475356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- hole
- bump electrode
- semiconductor device
- lead terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体素子を樹脂でパッケージした半導体装
置に関する。
置に関する。
〈従来の技術〉
従来の半導体装置の内部構造を、第4図の平面図および
第5図の縦断面図に示す。
第5図の縦断面図に示す。
これらの図に示すように、従来の半導体装置は、半導体
素子21と、グイパッド部22と、多数本のリード端子
23.・・・と、パッケージ樹脂24とからなる。
素子21と、グイパッド部22と、多数本のリード端子
23.・・・と、パッケージ樹脂24とからなる。
半導体素子21は、その一面の周辺部に多数のポンディ
ングパッド25.・・・が設けられ、このポンディング
パッド25とは反対側の面がグイパッド部22にグイボ
ンド剤26により接合されている。
ングパッド25.・・・が設けられ、このポンディング
パッド25とは反対側の面がグイパッド部22にグイボ
ンド剤26により接合されている。
グイパッド部22は、リードフレームの一部で構成され
ており、パッケージ工程が完了するまでは、架橋部27
を介してリードフレームの周囲部分に連続している。
ており、パッケージ工程が完了するまでは、架橋部27
を介してリードフレームの周囲部分に連続している。
リード端子23は、グイパッド部22の両側から半導体
素子21の近傍まで延出しており、その内端部は、対応
するポンディングパッド25と金属細線28により接続
されている。
素子21の近傍まで延出しており、その内端部は、対応
するポンディングパッド25と金属細線28により接続
されている。
パッケージ樹脂24は、半導体素子21とグイパッド部
22とリード端子23の内側部分とを包み込む形でこれ
らの部材を封止している。
22とリード端子23の内側部分とを包み込む形でこれ
らの部材を封止している。
上記構成の半導体装置の製造に当たっては、まず、リー
ドフレームのグイパッド部22上に、ポンディングパッ
ド25を上にして半導体素子21が接合され、この半導
体素子21の各ポンディングパッド25と、その周囲に
臨んでいるリード端子23の内端部とが、金属細線28
により接続される・こののち、半導体素子2】やグイパ
ッド部22等が樹脂24で封止され、架橋部27やリー
ド端子23がリードフレームの他の部分から切り離され
る。
ドフレームのグイパッド部22上に、ポンディングパッ
ド25を上にして半導体素子21が接合され、この半導
体素子21の各ポンディングパッド25と、その周囲に
臨んでいるリード端子23の内端部とが、金属細線28
により接続される・こののち、半導体素子2】やグイパ
ッド部22等が樹脂24で封止され、架橋部27やリー
ド端子23がリードフレームの他の部分から切り離され
る。
〈発明か解決しようとする課題〉
上記のように、従来の半導体装置では、リード端子23
と半導体素子21の電極であるホンディングパッド25
とを金属細線28で接続しているのであるが、この金属
細線28が長くなると、金属細線28どうしの接触や、
半導体素子21のエッヂとの接触等の不都合が生じるの
で、金属細線28の長さは、できるだけ短くする必要が
ある。そのため、従来は、ポンディングパッド25を半
導体素子21の周辺部に片寄せて配置することで、リー
ド端子23との距離を短くし、金属細線28の長さを短
縮している。
と半導体素子21の電極であるホンディングパッド25
とを金属細線28で接続しているのであるが、この金属
細線28が長くなると、金属細線28どうしの接触や、
半導体素子21のエッヂとの接触等の不都合が生じるの
で、金属細線28の長さは、できるだけ短くする必要が
ある。そのため、従来は、ポンディングパッド25を半
導体素子21の周辺部に片寄せて配置することで、リー
ド端子23との距離を短くし、金属細線28の長さを短
縮している。
しかしながら、多数のポンディングパッド25を半導体
素子21の周辺部に設けるには、その周辺部にある程度
の長さが必要で、このことが半導体素子21のサイズを
縮小する上での障害となっていた。
素子21の周辺部に設けるには、その周辺部にある程度
の長さが必要で、このことが半導体素子21のサイズを
縮小する上での障害となっていた。
また、金属細線28は、ボンデ・イングパッド25とリ
ード端子23との間で半円弧状のループを描いて立ち上
がるから、その立ち上がり分を考慮してパッケージの厚
みを厚くしなければならず、パッケージを薄くするには
限界があった。
ード端子23との間で半円弧状のループを描いて立ち上
がるから、その立ち上がり分を考慮してパッケージの厚
みを厚くしなければならず、パッケージを薄くするには
限界があった。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものテアって
、テープキャリアを利用することで、半導体素子の小サ
イズ化と、パッケージの薄型化とを図ることを課題とす
る。
、テープキャリアを利用することで、半導体素子の小サ
イズ化と、パッケージの薄型化とを図ることを課題とす
る。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、上記の課題を達成するために、半導体素子と
、テープキャリアのサポート部と、リード端子と、パッ
ケージ樹脂とを備えた半導体装置であって、半導体素子
は、その一面各所にバンプ電極を有するもので、そのバ
ンプ電極のある面がサポート部の一面に接合され、サポ
ート部は、半導体素子のバンプ電極に合致する位置に透
孔を有し、リード端子は、テープキャリアの面上に積層
状に形成されたものであって、それぞれ半導体素子の接
合面とは反対面でサポート部の外側から各透孔に臨む位
置まで延長しており、リード端子の内端部は、透孔を通
してバンプ電極に接続され、パッケージ樹脂は、半導体
素子と、サポート部と、リード端子の内側部分とを封止
している構成とした。
、テープキャリアのサポート部と、リード端子と、パッ
ケージ樹脂とを備えた半導体装置であって、半導体素子
は、その一面各所にバンプ電極を有するもので、そのバ
ンプ電極のある面がサポート部の一面に接合され、サポ
ート部は、半導体素子のバンプ電極に合致する位置に透
孔を有し、リード端子は、テープキャリアの面上に積層
状に形成されたものであって、それぞれ半導体素子の接
合面とは反対面でサポート部の外側から各透孔に臨む位
置まで延長しており、リード端子の内端部は、透孔を通
してバンプ電極に接続され、パッケージ樹脂は、半導体
素子と、サポート部と、リード端子の内側部分とを封止
している構成とした。
〈作用〉
上記の構成において、リード端子は、サポート部の一面
に形成された部分により、対応するバンプ電極の位置に
導かれて該バンプ電極に直接に接続されており、金属細
線による接続は不要になる。
に形成された部分により、対応するバンプ電極の位置に
導かれて該バンプ電極に直接に接続されており、金属細
線による接続は不要になる。
したがって、半導体素子については、電極を周辺部に設
ける必要はなくなる。
ける必要はなくなる。
また、リード端子は、バンプ電極に接続される部分を含
め、全体がサポート部の一面に沿って走る形で延出する
から、立ち上がる部分がなく、偏平なスペースに収まる
。
め、全体がサポート部の一面に沿って走る形で延出する
から、立ち上がる部分がなく、偏平なスペースに収まる
。
〈実施例〉
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第1図ないし第3図は、本発明の一実施例に係り、第1
図は半導体装置の内部構造を示す平面図、第2図はその
縦断面図、第3図は分解斜視図である。
図は半導体装置の内部構造を示す平面図、第2図はその
縦断面図、第3図は分解斜視図である。
これらの図に示すように、この実施例の半導体装置は、
半導体素子1と、テープキャリア2の−部であるサポー
ト部2aと、多数本のリード端子3.・・・と、パッケ
ージ樹脂4とからなる。
半導体素子1と、テープキャリア2の−部であるサポー
ト部2aと、多数本のリード端子3.・・・と、パッケ
ージ樹脂4とからなる。
半導体素子lは、第3図に明示するように、その一面各
所にバンプ電極5.・・・を有するものである。
所にバンプ電極5.・・・を有するものである。
サポート部2aは、テープキャリア2の幅方向中央に形
成されたもので、パッケージ工程が完了するまでは、テ
ープキャリア2の周囲部分と架橋部2bを介して連続し
ている。2Cはテープキャリア2の送り孔である。
成されたもので、パッケージ工程が完了するまでは、テ
ープキャリア2の周囲部分と架橋部2bを介して連続し
ている。2Cはテープキャリア2の送り孔である。
このサポート部2aには、半導体素子1のバンプ電極5
に対応する位置に透孔6が形成されている。そして、サ
ポート部2aの一面(図面では下面)に、半導体素子1
のバンプ電極5のある面が・各バンプ電極5を透孔6に
合致させた形で接合されている。したがって、サポート
部2aに半導体素子1を接合した状態では、バンプ電極
5は、透孔6を通じてサポート部2aの反対面(図面で
は上面)側に露出している。
に対応する位置に透孔6が形成されている。そして、サ
ポート部2aの一面(図面では下面)に、半導体素子1
のバンプ電極5のある面が・各バンプ電極5を透孔6に
合致させた形で接合されている。したがって、サポート
部2aに半導体素子1を接合した状態では、バンプ電極
5は、透孔6を通じてサポート部2aの反対面(図面で
は上面)側に露出している。
リード端子3は、テープキャリア2の面上に予め積層状
に形成されたものであって、それぞれ半導体素子lの接
合面とは反対面(図面で上面)側において、テープキャ
リア2の周囲部分からサポート部2aの面上にまで延長
しており、その内端部は、いずれか一つの透孔6に臨ん
でいる。そして、各リード端子3の内端部は、透孔6を
通してバンプ電極5に接続されている。3aはリード端
子3の外端に形成されたテストパッドである。
に形成されたものであって、それぞれ半導体素子lの接
合面とは反対面(図面で上面)側において、テープキャ
リア2の周囲部分からサポート部2aの面上にまで延長
しており、その内端部は、いずれか一つの透孔6に臨ん
でいる。そして、各リード端子3の内端部は、透孔6を
通してバンプ電極5に接続されている。3aはリード端
子3の外端に形成されたテストパッドである。
パッケージ樹脂4は、半導体素子Iとサポート部2aと
リード端子3の内側部分とを包み込んでこれらの部材を
封止している。
リード端子3の内側部分とを包み込んでこれらの部材を
封止している。
上記構成の半導体装置の製造に当たっては、まず、テー
プキャリア2と、半導体素子lとを別個に用意する。テ
ープキャリア2には、透孔6のあるサポート部2aと、
透孔6に達するリード端子3とを予め形成しておく。ま
た、半導体素子lは、一面の各所にバンプ電極5を有す
るものとする。
プキャリア2と、半導体素子lとを別個に用意する。テ
ープキャリア2には、透孔6のあるサポート部2aと、
透孔6に達するリード端子3とを予め形成しておく。ま
た、半導体素子lは、一面の各所にバンプ電極5を有す
るものとする。
次に、テープキャリア2のサポート部2aの各面のうち
、リード端子3とは反対面に、半導体素子1のバンプ電
極5のある面を接合する。この場合・サポート部2aの
透孔6にノくンプ電極5の位置を合わせ、各バンプ電極
5が対応する透孔6を通じて反対面側に露出するように
する。
、リード端子3とは反対面に、半導体素子1のバンプ電
極5のある面を接合する。この場合・サポート部2aの
透孔6にノくンプ電極5の位置を合わせ、各バンプ電極
5が対応する透孔6を通じて反対面側に露出するように
する。
透孔6の反対面側には、リード端子3の内端部が臨んで
いるから、このリード端子3の内端部とバンプ電極5と
をボンド装置により接続する。
いるから、このリード端子3の内端部とバンプ電極5と
をボンド装置により接続する。
こののち、半導体素子1とサポート部2aとリード端子
3の内側部分を樹脂4で封止し、架橋部2bやリード端
子3をテープキャリア2の周囲部分から切り離す。
3の内側部分を樹脂4で封止し、架橋部2bやリード端
子3をテープキャリア2の周囲部分から切り離す。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明によれば、リード端子の内端
部が半導体素子のバンプ電極に直接に接続されるから、
従来、金属細線のループで接続する場合のように、電極
を半導体素子の周辺部に片寄せて設ける必要はなく、電
極を半導体素子の一面の各所に分散配置することができ
、このように、電極位置の制限が大幅に緩和されるから
、半導体素子の小サイズ化が可能となる。
部が半導体素子のバンプ電極に直接に接続されるから、
従来、金属細線のループで接続する場合のように、電極
を半導体素子の周辺部に片寄せて設ける必要はなく、電
極を半導体素子の一面の各所に分散配置することができ
、このように、電極位置の制限が大幅に緩和されるから
、半導体素子の小サイズ化が可能となる。
また、リード端子は、バンプ電極に接続される部分を含
め、全体がサポート部の一面に沿って走る形で延出する
から、金属細線のループのように立ち上がる部分がなく
、偏平なスペースに収まり、その分、パッケージを薄型
に形成することができる。
め、全体がサポート部の一面に沿って走る形で延出する
から、金属細線のループのように立ち上がる部分がなく
、偏平なスペースに収まり、その分、パッケージを薄型
に形成することができる。
第1図ないし第3図は、本発明の一実施例に係り、第1
図は半導体装置の内部構造を示す平面図、第2図はその
縦断面図、第3図は分解斜視図である。 第4図および第5図は従来例に係り、第4図は内部構造
を示す平面図、第5図はその縦断面図である。 l・・・半導体素子、2・・・テープキャリア、2a・
・・サポート部、3・・リード端子、4・・・パッケー
ジ樹脂、5・・・バンプ電極、6・・・透孔。
図は半導体装置の内部構造を示す平面図、第2図はその
縦断面図、第3図は分解斜視図である。 第4図および第5図は従来例に係り、第4図は内部構造
を示す平面図、第5図はその縦断面図である。 l・・・半導体素子、2・・・テープキャリア、2a・
・・サポート部、3・・リード端子、4・・・パッケー
ジ樹脂、5・・・バンプ電極、6・・・透孔。
Claims (1)
- (1)半導体素子と、テープキャリアのサポート部と、
リード端子と、パッケージ樹脂とを備えた半導体装置で
あって、 半導体素子は、その一面各所にバンプ電極を有するもの
で、そのバンプ電極のある面がサポート部の一面に接合
され、 サポート部は、半導体素子のバンプ電極に合致する位置
に透孔を有し、 リード端子は、テープキャリアの面上に積層状に形成さ
れたものであって、それぞれ半導体素子の接合面とは反
対面でサポート部の外側から各透孔に臨む位置まで延長
しており、リード端子の内端部は、透孔を通してバンプ
電極に接続され、 パッケージ樹脂は、半導体素子とサポート部とリード端
子の内側部分とを封止している、ことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19165090A JPH0475356A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19165090A JPH0475356A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475356A true JPH0475356A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16278186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19165090A Pending JPH0475356A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0475356A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0479341A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波用フレキシブル配線板 |
| JPH0710692A (ja) * | 1993-03-25 | 1995-01-13 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | シリコン単結晶中への酸素混入を減少する方法および装置 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP19165090A patent/JPH0475356A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0479341A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波用フレキシブル配線板 |
| JPH0710692A (ja) * | 1993-03-25 | 1995-01-13 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | シリコン単結晶中への酸素混入を減少する方法および装置 |
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