JPH0475357A - 微細金属球の配列方法 - Google Patents
微細金属球の配列方法Info
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- JPH0475357A JPH0475357A JP2189637A JP18963790A JPH0475357A JP H0475357 A JPH0475357 A JP H0475357A JP 2189637 A JP2189637 A JP 2189637A JP 18963790 A JP18963790 A JP 18963790A JP H0475357 A JPH0475357 A JP H0475357A
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- JP
- Japan
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- bumps
- bump
- substrate
- fine metal
- miniature
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
- H10W72/01221—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using local deposition
- H10W72/01225—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using local deposition in solid form, e.g. by using a powder or by stud bumping
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣチップの電極と外部リードとの接続法の
一種であるＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ Ｂｏｎｄｉ ｎｇ）法において、微細金属球（以下
、バンブとも称する。）を所定の配列パターンに従って
配列する微細金属球の配列方法に関するものである。
一種であるＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ Ｂｏｎｄｉ ｎｇ）法において、微細金属球（以下
、バンブとも称する。）を所定の配列パターンに従って
配列する微細金属球の配列方法に関するものである。
ＴＡＢ法は、ＩＣチップの電極部へのリード配線を、Ｔ
ＡＢテープ上にパターン化されて形成されているリード
の先端部分とＩＣチップの電極部とを、バンブと呼ばれ
る接合用の金属突起を介して接合する方法である。バン
ブは予めＴＡＢテープのリード側か、もしくはｊＣチッ
プの電極側かのいずれかに取り付けて置き、ＴＡＢテー
プとＩＣチップの接合は、ボンディングマシンを使って
加熱・加圧することにより行う。
ＡＢテープ上にパターン化されて形成されているリード
の先端部分とＩＣチップの電極部とを、バンブと呼ばれ
る接合用の金属突起を介して接合する方法である。バン
ブは予めＴＡＢテープのリード側か、もしくはｊＣチッ
プの電極側かのいずれかに取り付けて置き、ＴＡＢテー
プとＩＣチップの接合は、ボンディングマシンを使って
加熱・加圧することにより行う。
バンブをＩＣチップ側でなくＴＡＢテープのリード側に
形成しておく方法は、バンブ接合中にＩＣチップを傷め
る心配の無いことから、近年広く行われるようになって
きた。ハンプ付きＴＡＢテープの従来の製造方法には、
リードを厚めに作っておき、ハンプになる部分だけを残
して他を工、。
形成しておく方法は、バンブ接合中にＩＣチップを傷め
る心配の無いことから、近年広く行われるようになって
きた。ハンプ付きＴＡＢテープの従来の製造方法には、
リードを厚めに作っておき、ハンプになる部分だけを残
して他を工、。
チング等により薄く削り取る方法や、予めガラス等の基
板上にメツキで作製しておいたバンブを、リード先端部
に転写する方法等がある。但し、これらの方法で作製さ
れたバンブ付きＴＡＢテープは、バンブの形状が矩形に
近いものとなるため、バンブの高さが正確に揃っていな
いと、バンブとＩＣチップの電極との接合にバラツキが
生じやすいという欠点があった。
板上にメツキで作製しておいたバンブを、リード先端部
に転写する方法等がある。但し、これらの方法で作製さ
れたバンブ付きＴＡＢテープは、バンブの形状が矩形に
近いものとなるため、バンブの高さが正確に揃っていな
いと、バンブとＩＣチップの電極との接合にバラツキが
生じやすいという欠点があった。
本発明者等は先に、ＴＡＢテープのリード先端部に球形
状のバンブを形成する新しい方法を、特願千１〜２３４
９１７号として出願した。この方法は、バンプを配列す
べき位置に合わせて貫通穴を設けた基板の裏側を真空に
吸引しておき、貫通穴部分にバンプとなる金属球を吸い
寄せて仮固定した後に、ＴＡＢテープのリードと基板上
に配列・仮固定されている金属球とを重ね合わせて接合
するものである。
状のバンブを形成する新しい方法を、特願千１〜２３４
９１７号として出願した。この方法は、バンプを配列す
べき位置に合わせて貫通穴を設けた基板の裏側を真空に
吸引しておき、貫通穴部分にバンプとなる金属球を吸い
寄せて仮固定した後に、ＴＡＢテープのリードと基板上
に配列・仮固定されている金属球とを重ね合わせて接合
するものである。
球形状のバンプは、これまでの、ガラス基板等の上にメ
ツキで形成された矩形のハンプに比べて変形しやすく、
接合の点では有利なものである。
ツキで形成された矩形のハンプに比べて変形しやすく、
接合の点では有利なものである。
しかしながら、メツキによってバンプを形成する場合に
は、始めから配列すべき所定の位置を特定して形成する
ことができるのに対して、球形状のバンプはバラバラの
状態で作製されるため、所定の位置に如何にして能率良
く配列するかが大きな問題となる。
は、始めから配列すべき所定の位置を特定して形成する
ことができるのに対して、球形状のバンプはバラバラの
状態で作製されるため、所定の位置に如何にして能率良
く配列するかが大きな問題となる。
本発明は上記事情に基づいてなされたものであり、効率
良く、しかも確実に微細金属球を所定の位置に配列する
ことができる微細金属球の配列方法を提供することを目
的とするものである。
良く、しかも確実に微細金属球を所定の位置に配列する
ことができる微細金属球の配列方法を提供することを目
的とするものである。
上記の目的を達成するための本発明に係る微細金属球の
配列方法は、イオン化された雰囲気中で、基板上に微細
金属球を配列することを特徴とするものである。
配列方法は、イオン化された雰囲気中で、基板上に微細
金属球を配列することを特徴とするものである。
本発明は前記の構成によって、イオン化された雰囲気中
で微細金属球を基板上の所定の位置に配列することによ
り、帯電している微細金属球や配列されるときに帯電し
た微細金属球等がイオン化された雰囲気との間で電荷の
授受を行い電気的に中性になるので、静電気により微細
金属球が凝集したり、所定の位置以外の位置に微細金属
球が付着したりするのを防止する。
で微細金属球を基板上の所定の位置に配列することによ
り、帯電している微細金属球や配列されるときに帯電し
た微細金属球等がイオン化された雰囲気との間で電荷の
授受を行い電気的に中性になるので、静電気により微細
金属球が凝集したり、所定の位置以外の位置に微細金属
球が付着したりするのを防止する。
以下に本発明の第１実施例を第１図乃至第３図を参照し
て説明する。第１図は本発明の第１実施例である微細金
属球の配列方法を説明する図、第２図（ａ）はその微細
金属球の配列方法において使用する微細金属球の配列装
置の配列部の概略斜視図、同図（ｂ）はその配列部の概
略断面図、第３図はそのバンプ配列装置を用いたバンプ
転写装置の概略構成図である。本実施例においてはバン
プとして直径８０μｍの球形状のものを使用する。
て説明する。第１図は本発明の第１実施例である微細金
属球の配列方法を説明する図、第２図（ａ）はその微細
金属球の配列方法において使用する微細金属球の配列装
置の配列部の概略斜視図、同図（ｂ）はその配列部の概
略断面図、第３図はそのバンプ配列装置を用いたバンプ
転写装置の概略構成図である。本実施例においてはバン
プとして直径８０μｍの球形状のものを使用する。
第３図に示すバンプ転写装置は、バンプ２を吸引して所
定の位置に配列するバンプ配列装置４と、ＴＡＢテープ
２２を送り出す機構（不図示）と、ＴＡＢテープ２２の
リード２６の先端部にバンプ２を転写するために加熱・
加圧するポンディングツール６とを有するものである。
定の位置に配列するバンプ配列装置４と、ＴＡＢテープ
２２を送り出す機構（不図示）と、ＴＡＢテープ２２の
リード２６の先端部にバンプ２を転写するために加熱・
加圧するポンディングツール６とを有するものである。
バンプの配列装置４は、バンプ供給部８と、配列部１０
と、排気部２０と、イオン発生装置としてのイオンガン
（たとえば、シムコジャパン株式会社製、イオクリーン
ガン）３０とを含むものである。配列部１０は、第１図
及び第２図に示すようにバンプ配列用の基板１２と、排
気部２０により内部が減圧される吸引部１４とからなる
。また、配列部１０と排気部２０とは排気管１６を介し
て繋がれている。
と、排気部２０と、イオン発生装置としてのイオンガン
（たとえば、シムコジャパン株式会社製、イオクリーン
ガン）３０とを含むものである。配列部１０は、第１図
及び第２図に示すようにバンプ配列用の基板１２と、排
気部２０により内部が減圧される吸引部１４とからなる
。また、配列部１０と排気部２０とは排気管１６を介し
て繋がれている。
イオンガン３０ば、たとえば図示しないコンプレッサか
らの空気を電離し、発生したイオンをイオンビームとし
て放出するものである。
らの空気を電離し、発生したイオンをイオンビームとし
て放出するものである。
本実施例の配列部ｌＯにおいては、厚さ３０μｍのニッ
ケル製の基板１２を使用している。基板１２にはバンプ
２を配列すべき全ての位置に直径約６０μｍの貫通穴１
３が設けられている。吸引部１４には貫通穴１３に対応
して開口部１５が設けられている。
ケル製の基板１２を使用している。基板１２にはバンプ
２を配列すべき全ての位置に直径約６０μｍの貫通穴１
３が設けられている。吸引部１４には貫通穴１３に対応
して開口部１５が設けられている。
本装置を用いてバンプを所定パターンに配列しＴＡＢテ
ープに転写するには、先ず排気部２ｏを作動させて排気
管１６を介して、吸引部１４内を減圧状態にする。する
と、貫通穴１３の表側には吸引力が発生する。このとき
、第１図に示すように配列部１０を多数のバンプ２が載
っているバンブ供給部８の近くに寄せて、イオンガン３
ｏによってイオンビームを基板１２やバンブ供給部８の
周辺に照射しながら、バンプ２を貫通穴１３に吸引する
。
ープに転写するには、先ず排気部２ｏを作動させて排気
管１６を介して、吸引部１４内を減圧状態にする。する
と、貫通穴１３の表側には吸引力が発生する。このとき
、第１図に示すように配列部１０を多数のバンプ２が載
っているバンブ供給部８の近くに寄せて、イオンガン３
ｏによってイオンビームを基板１２やバンブ供給部８の
周辺に照射しながら、バンプ２を貫通穴１３に吸引する
。
また、例えば配列部１０を基板１２が上側になるように
設置し、その基板１２の周辺の雰囲気をイオンガン３０
によってイオン化しながら、基板１２上にバンプをふり
かけることにより、バンプ２を貫通穴１３に吸引するよ
うにしてもよい。
設置し、その基板１２の周辺の雰囲気をイオンガン３０
によってイオン化しながら、基板１２上にバンプをふり
かけることにより、バンプ２を貫通穴１３に吸引するよ
うにしてもよい。
ところで、ハンプを吸引する際にバンプの周辺にイオン
ビームを照射しない（すなわち、バンプの周辺の気体を
イオン化しない）場合には、摩擦等により帯電したバン
プが互いに凝集し、これらのバンプが一つの貫通穴に集
まったり、基板１２の貫通穴１３以外の位置に付着した
りすることがある。このようなバンプの凝集が生ずると
、バンプをＴＡＢテープのリード先端部に転写する際に
、当然、歩留りが著しく低下する。
ビームを照射しない（すなわち、バンプの周辺の気体を
イオン化しない）場合には、摩擦等により帯電したバン
プが互いに凝集し、これらのバンプが一つの貫通穴に集
まったり、基板１２の貫通穴１３以外の位置に付着した
りすることがある。このようなバンプの凝集が生ずると
、バンプをＴＡＢテープのリード先端部に転写する際に
、当然、歩留りが著しく低下する。
本実施例の微細金属球の配列方法においては、イオンガ
ン３０によってイオンビームを照射することにより、イ
オン化された雰囲気中で基板１２にバンプ２を吸引する
ので、帯電し凝集していたバンプはイオン化した気体と
の間で電荷の授受を行い電気的に中性になる。また、吸
引中に他のバンプ２との摩擦等により帯電したバンプ２
も中性になる。したがって、各バンブ間には静電気が働
かなくなり、ハンプが凝集しなくなるので、容品に各貫
通穴１３に一つずつノ＼ンプ２を配置することができる
。
ン３０によってイオンビームを照射することにより、イ
オン化された雰囲気中で基板１２にバンプ２を吸引する
ので、帯電し凝集していたバンプはイオン化した気体と
の間で電荷の授受を行い電気的に中性になる。また、吸
引中に他のバンプ２との摩擦等により帯電したバンプ２
も中性になる。したがって、各バンブ間には静電気が働
かなくなり、ハンプが凝集しなくなるので、容品に各貫
通穴１３に一つずつノ＼ンプ２を配置することができる
。
バンプ２を吸引して配列した後は、ノ＼ンプ配列装Ｗ４
の基板１２はボンディング受は部の役割を果たすことに
なる。先ず、ポリイミド等の絶縁物からなるフィルムキ
ャリア２４上にリード２６が形成されたＴＡＢテープ２
２と基板１２との間の位置を、図示しない位置合わせ調
整機構部を用いて調整する。ハンプ配列装置４の位置が
決まったら、適当な温度に加熱されているボンディング
・ンール６により一定の荷重を作用させることにより、
貫通穴１３に吸引されていたノ＼ツブ２をＴＡＢテープ
の望まれたり一ド２６の先端部に転写・接合する。
の基板１２はボンディング受は部の役割を果たすことに
なる。先ず、ポリイミド等の絶縁物からなるフィルムキ
ャリア２４上にリード２６が形成されたＴＡＢテープ２
２と基板１２との間の位置を、図示しない位置合わせ調
整機構部を用いて調整する。ハンプ配列装置４の位置が
決まったら、適当な温度に加熱されているボンディング
・ンール６により一定の荷重を作用させることにより、
貫通穴１３に吸引されていたノ＼ツブ２をＴＡＢテープ
の望まれたり一ド２６の先端部に転写・接合する。
バンプ２を写し取られたバンブ配列装置４は再びバンプ
を配列する工程に戻り、同時にＴＡＢテープ２２が一コ
マ分送られて新たなフレームが転写位置に送られ、上記
と同様にバンプ配列装置４の位置を調整した後、次のバ
ンプ２がＴＡＢテープ２２のリード２６の先端部に転写
・接合される。
を配列する工程に戻り、同時にＴＡＢテープ２２が一コ
マ分送られて新たなフレームが転写位置に送られ、上記
と同様にバンプ配列装置４の位置を調整した後、次のバ
ンプ２がＴＡＢテープ２２のリード２６の先端部に転写
・接合される。
このように、本実施例の微細金属球の配列方法において
は、静電気除去対策を施すことにより、バンプを所定の
配列位置に確実に一つずつ配列することができるので、
バンプをＴＡＢテープのリード先端部に転写する際の歩
留りを著しく向上させることができる。
は、静電気除去対策を施すことにより、バンプを所定の
配列位置に確実に一つずつ配列することができるので、
バンプをＴＡＢテープのリード先端部に転写する際の歩
留りを著しく向上させることができる。
次に、本発明の第２実施例を第４図及び第５図を用いて
説明する。第４図は本発明の第２実施例である微細金属
球の配列方法を説明する図、第５図（ａ）はその微細金
属球の配列方法において使用するバンプ配列装置の基板
の概略斜視図、同図（ｂ）はその基板の概略断面図であ
る。尚、使用するバンプの大きさは第１実施例における
ものと同一である。
説明する。第４図は本発明の第２実施例である微細金属
球の配列方法を説明する図、第５図（ａ）はその微細金
属球の配列方法において使用するバンプ配列装置の基板
の概略斜視図、同図（ｂ）はその基板の概略断面図であ
る。尚、使用するバンプの大きさは第１実施例における
ものと同一である。
第４図に示すバンプ配列装置は、バンブ供給部８０と、
基板１２０と、イオン発生装置としてのイオンブロワ（
シムコジャパン株式会社製、Ａ３００型）３００とを有
する。基板１２０には配列パターンに対応する位置にバ
ンプ２より少し大きい直径１００μｍの穴１３０が設け
られている。
基板１２０と、イオン発生装置としてのイオンブロワ（
シムコジャパン株式会社製、Ａ３００型）３００とを有
する。基板１２０には配列パターンに対応する位置にバ
ンプ２より少し大きい直径１００μｍの穴１３０が設け
られている。
穴１３０の深さは６０μｍである。イオンブロワ３００
はイオン化した気体を緩やかに吹き出す装置である。
はイオン化した気体を緩やかに吹き出す装置である。
上記のバンプ配列装置を用いてバンプを所定パターンに
配列するには、先ず基板１２０を傾斜させて、基板１２
０の上部からバンプ供給部８０のバンプ２を基板１２０
上に転がす。このとき、基板１２０上を転がり落ちるバ
ンプ２の周辺にイオンブロワ３００でイオン化した気体
を吹きつけながら、バンプ２を穴１３０に落として、バ
ンプを所定位置に配置する。
配列するには、先ず基板１２０を傾斜させて、基板１２
０の上部からバンプ供給部８０のバンプ２を基板１２０
上に転がす。このとき、基板１２０上を転がり落ちるバ
ンプ２の周辺にイオンブロワ３００でイオン化した気体
を吹きつけながら、バンプ２を穴１３０に落として、バ
ンプを所定位置に配置する。
本実施例の微細金属球の配列方法においても、イオン化
した気体を基板１２０やバンプ２に吹きつけることによ
り、基板１２０の周辺をイオン化した雰囲気で包み、帯
電しているバンプをイオン化した気体により電気的に中
性化する。また、基板上を転がる際に基板や他のバンプ
との摩擦によりバンプが帯電した場合もバンプの中性化
を回ることができる。したがって、ハンプ間には静電気
が働かなくなるので、容易に各人１３０に−っずつバン
プを配列することができる。
した気体を基板１２０やバンプ２に吹きつけることによ
り、基板１２０の周辺をイオン化した雰囲気で包み、帯
電しているバンプをイオン化した気体により電気的に中
性化する。また、基板上を転がる際に基板や他のバンプ
との摩擦によりバンプが帯電した場合もバンプの中性化
を回ることができる。したがって、ハンプ間には静電気
が働かなくなるので、容易に各人１３０に−っずつバン
プを配列することができる。
バンプ２を所定の位置に配置した後は、基板１２０をボ
ンディング受は部として第１実施例と同様に使用するこ
とによりハンプをＴＡＢテープのリード先端部に転写・
接合することができる。その他の作用・効果は第１の実
施例と同様である。
ンディング受は部として第１実施例と同様に使用するこ
とによりハンプをＴＡＢテープのリード先端部に転写・
接合することができる。その他の作用・効果は第１の実
施例と同様である。
尚、上記の第１実施例では、イオン発生装置としてイオ
ンガンを使用した場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、第２実施例において使用
したイオンブロワを使用してもよい。上記の第２実施例
においても、同様である。
ンガンを使用した場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、第２実施例において使用
したイオンブロワを使用してもよい。上記の第２実施例
においても、同様である。
以上説明したように本発明によれば、帯電している微細
金属球や配列するときに帯電した微細金属球等を電気的
に中性にすることにより、微細金属球の凝集を防止し、
微細金属球を一つずつ確実に所定の位置に配列すること
が可能になり、したかって微細金属球をＴＡＢテープの
リード部に転写する際の歩留りを著しく向上させること
ができる微細金属球の配列方法を提供することができる
。
金属球や配列するときに帯電した微細金属球等を電気的
に中性にすることにより、微細金属球の凝集を防止し、
微細金属球を一つずつ確実に所定の位置に配列すること
が可能になり、したかって微細金属球をＴＡＢテープの
リード部に転写する際の歩留りを著しく向上させること
ができる微細金属球の配列方法を提供することができる
。
第１図は本発明の第１実施例である微細金属球の配列方
法を説明する図、第２図（ａ）はその微細金属球の配列
方法において使用するハンプ配列装置の配列部の概略斜
視図、同図（ｂ）はその配列部の概略断面図、第３図は
そのバンプ配列装置を用いたバンプ転写装置の概略構成
図、第４図は本発明の第２実施例である微細金属球の゛
配列方法を説明する図、第５図（ａ）はその微細金属球
の配列方法において使用するバンプ配列装置の基板の概
略斜視図、同図（ｂ）はその基板の概略断面図である。 ２・・・バンプ、４・・・バンプ配列装置、６・・・ボ
ンディングツール、 ８．８０・・・バンプ供給部、 １０・・・配列部、１２．１２０・・・基板、１３．１
３０・・・穴、 １４ ・・・ １６ ・・ ２２・・・ ２４・・・ ３０ ・・・ 吸引部、１５・・・開口部、 排気管、２０・・・排気部、 ＴＡＢテープ、 フィルムキャリア、２６・・・リード、イオンガン、３
００・・・イオンブロワ。 第１図
法を説明する図、第２図（ａ）はその微細金属球の配列
方法において使用するハンプ配列装置の配列部の概略斜
視図、同図（ｂ）はその配列部の概略断面図、第３図は
そのバンプ配列装置を用いたバンプ転写装置の概略構成
図、第４図は本発明の第２実施例である微細金属球の゛
配列方法を説明する図、第５図（ａ）はその微細金属球
の配列方法において使用するバンプ配列装置の基板の概
略斜視図、同図（ｂ）はその基板の概略断面図である。 ２・・・バンプ、４・・・バンプ配列装置、６・・・ボ
ンディングツール、 ８．８０・・・バンプ供給部、 １０・・・配列部、１２．１２０・・・基板、１３．１
３０・・・穴、 １４ ・・・ １６ ・・ ２２・・・ ２４・・・ ３０ ・・・ 吸引部、１５・・・開口部、 排気管、２０・・・排気部、 ＴＡＢテープ、 フィルムキャリア、２６・・・リード、イオンガン、３
００・・・イオンブロワ。 第１図
Claims (1)
- イオン化された雰囲気中で、基板上に微細金属球を配
列することを特徴とする微細金属球の配列方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2189637A JPH0719798B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 微細金属球の配列方法 |
| EP91302037A EP0447170B1 (en) | 1990-03-14 | 1991-03-12 | Method of bonding bumps to leads of tab tape and an apparatus for arranging bumps used for the same |
| MYPI91000398A MY106135A (en) | 1990-03-14 | 1991-03-12 | Method of bonding bumps to leads of tab tape and an apparatus for arranging bumps used for the same. |
| DE69132891T DE69132891T2 (de) | 1990-03-14 | 1991-03-12 | Verfahren zum Verbinden von Höckern auf TAB-Trägerleitern und ein Apparat zum Anordnen von Höckern |
| US07/669,189 US5114878A (en) | 1989-09-11 | 1991-03-13 | Method of bonding bumps to leads of tab tape and an apparatus for arranging bumps used for the same |
| KR1019910004083A KR940004247B1 (ko) | 1990-03-14 | 1991-03-14 | 범프를 tab 테이프의 리드에 접합하는 방법 및 이에 사용하는 범프 배열장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2189637A JPH0719798B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 微細金属球の配列方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475357A true JPH0475357A (ja) | 1992-03-10 |
| JPH0719798B2 JPH0719798B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=16244637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2189637A Expired - Lifetime JPH0719798B2 (ja) | 1989-09-11 | 1990-07-18 | 微細金属球の配列方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719798B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0710692A (ja) * | 1993-03-25 | 1995-01-13 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | シリコン単結晶中への酸素混入を減少する方法および装置 |
| US5976965A (en) * | 1997-06-18 | 1999-11-02 | Nec Corporation | Method for arranging minute metallic balls |
| US6107181A (en) * | 1997-09-08 | 2000-08-22 | Fujitsu Limited | Method of forming bumps and template used for forming bumps |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP2189637A patent/JPH0719798B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0710692A (ja) * | 1993-03-25 | 1995-01-13 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | シリコン単結晶中への酸素混入を減少する方法および装置 |
| US5976965A (en) * | 1997-06-18 | 1999-11-02 | Nec Corporation | Method for arranging minute metallic balls |
| US6107181A (en) * | 1997-09-08 | 2000-08-22 | Fujitsu Limited | Method of forming bumps and template used for forming bumps |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719798B2 (ja) | 1995-03-06 |
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