JPH0719798B2 - 微細金属球の配列方法 - Google Patents
微細金属球の配列方法Info
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- JPH0719798B2 JPH0719798B2 JP2189637A JP18963790A JPH0719798B2 JP H0719798 B2 JPH0719798 B2 JP H0719798B2 JP 2189637 A JP2189637 A JP 2189637A JP 18963790 A JP18963790 A JP 18963790A JP H0719798 B2 JPH0719798 B2 JP H0719798B2
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- Japan
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- bumps
- bump
- fine metal
- substrate
- arranging
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
- H10W72/01221—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using local deposition
- H10W72/01225—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using local deposition in solid form, e.g. by using a powder or by stud bumping
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ICチップの電極と外部リードとの接続法の一
種であるTAB（Tape Automated Bonding）法において、
微細金属球（以下、バンプとも称する。）を所定の配列
パターンに従って配列する微細金属球の配列方法に関す
るものである。
種であるTAB（Tape Automated Bonding）法において、
微細金属球（以下、バンプとも称する。）を所定の配列
パターンに従って配列する微細金属球の配列方法に関す
るものである。
TAB法は、ICチップの電極部へのリード配線を、TABテー
プ上にパターン化されて形成されているリードの先端部
分とICチップの電極部とを、バンプと呼ばれる接合用の
金属突起を介して接合する方法である。バンプは予めTA
Bテープのリード側か、もしくはICチップの電極側かの
いずれかに取り付けて置き、TABテープとICチップの接
合は、ボンディングマシンを使って加熱・加圧すること
により行う。
プ上にパターン化されて形成されているリードの先端部
分とICチップの電極部とを、バンプと呼ばれる接合用の
金属突起を介して接合する方法である。バンプは予めTA
Bテープのリード側か、もしくはICチップの電極側かの
いずれかに取り付けて置き、TABテープとICチップの接
合は、ボンディングマシンを使って加熱・加圧すること
により行う。
バンプをICチップ側でなくTABテープのリード側に形成
しておく方法は、バンプ接合中にICチップを傷める心配
の無いことから、近年広く行われるようになってきた。
バンプ付きTABテープの従来の製造方法には、リードを
厚めに作っておき、バンプになる部分だけを残して他を
エッチング等により薄く削り取る方法や、予めガラス等
の基板上にメッキで作製しておいたバンプを、リード先
端部に転写する方法等がある。但し、これらの方法で作
製されたバンプ付きTABテープは、バンプの形状が矩形
に近いものとなるため、バンプの高さが正確に揃ってい
ないと、バンプとICチップの電極との接合にバラツキが
生じやすいという欠点があった。
しておく方法は、バンプ接合中にICチップを傷める心配
の無いことから、近年広く行われるようになってきた。
バンプ付きTABテープの従来の製造方法には、リードを
厚めに作っておき、バンプになる部分だけを残して他を
エッチング等により薄く削り取る方法や、予めガラス等
の基板上にメッキで作製しておいたバンプを、リード先
端部に転写する方法等がある。但し、これらの方法で作
製されたバンプ付きTABテープは、バンプの形状が矩形
に近いものとなるため、バンプの高さが正確に揃ってい
ないと、バンプとICチップの電極との接合にバラツキが
生じやすいという欠点があった。
本発明者等は先に、TABテープのリード先端部に球形状
のバンプを形成する新しい方法を、特願平1-234917号と
して出願した。この方法は、バンプを配列すべき位置に
合わせて貫通穴を設けた基板の裏側を真空に吸引してお
き、貫通穴部分にバンプとなる金属球を吸い寄せて仮固
定した後に、TABテープのリードと基板上に配列・仮固
定されている金属球とを重ね合わせて接合するものであ
る。
のバンプを形成する新しい方法を、特願平1-234917号と
して出願した。この方法は、バンプを配列すべき位置に
合わせて貫通穴を設けた基板の裏側を真空に吸引してお
き、貫通穴部分にバンプとなる金属球を吸い寄せて仮固
定した後に、TABテープのリードと基板上に配列・仮固
定されている金属球とを重ね合わせて接合するものであ
る。
球形状のバンプは、これまでの、ガラス基板等の上にメ
ッキで形成された矩形のバンプに比べて変形しやすく、
接合の点では有利なものである。しかしながら、メッキ
によってバンプを形成する場合には、始めから配列すべ
き所定の位置を特定して形成することができるのに対し
て、球形状のバンプはバラバラの状態で作製されるた
め、所定の位置に如何にして能率良く配列するかが大き
な問題となる。
ッキで形成された矩形のバンプに比べて変形しやすく、
接合の点では有利なものである。しかしながら、メッキ
によってバンプを形成する場合には、始めから配列すべ
き所定の位置を特定して形成することができるのに対し
て、球形状のバンプはバラバラの状態で作製されるた
め、所定の位置に如何にして能率良く配列するかが大き
な問題となる。
本発明は上記事情に基づいてなされたものであり、効率
良く、しかも確実に微細金属球を所定の位置に配列する
ことができる微細金属球の配列方法を提供することを目
的とするものである。
良く、しかも確実に微細金属球を所定の位置に配列する
ことができる微細金属球の配列方法を提供することを目
的とするものである。
上記の目的を達成するための本発明に係る微細金属球の
配列方法は、イオン化された雰囲気中で、基板上に微細
金属球を配列することを特徴とするものである。
配列方法は、イオン化された雰囲気中で、基板上に微細
金属球を配列することを特徴とするものである。
本発明は前記の構成によって、イオン化された雰囲気中
で微細金属球を基板上の所定の位置に配列することによ
り、帯電している微細金属球や配列されるときに帯電し
た微細金属球等がイオン化された雰囲気との間で電荷の
授受を行い電気的に中性になるので、静電気により微細
金属球が凝集したり、所定の位置以外の位置に微細金属
球が付着したりするのを防止する。
で微細金属球を基板上の所定の位置に配列することによ
り、帯電している微細金属球や配列されるときに帯電し
た微細金属球等がイオン化された雰囲気との間で電荷の
授受を行い電気的に中性になるので、静電気により微細
金属球が凝集したり、所定の位置以外の位置に微細金属
球が付着したりするのを防止する。
以下に本発明の第１実施例を第１図乃至第３図を参照し
て説明する。第１図は本発明の第１実施例である微細金
属球の配列方法を説明する図、第２図（ａ）はその微細
金属球の配列方法において使用する微細金属球の配列装
置の配列部の概略斜視図、同図（ｂ）はその配列部の概
略断面図、第３図はそのバンプ配列装置を用いたバンプ
転写装置の概略構成図である。本実施例においてはバン
プとして直径80μｍの球形状のものを使用する。
て説明する。第１図は本発明の第１実施例である微細金
属球の配列方法を説明する図、第２図（ａ）はその微細
金属球の配列方法において使用する微細金属球の配列装
置の配列部の概略斜視図、同図（ｂ）はその配列部の概
略断面図、第３図はそのバンプ配列装置を用いたバンプ
転写装置の概略構成図である。本実施例においてはバン
プとして直径80μｍの球形状のものを使用する。
第３図に示すバンプ転写装置は、バンプ２を吸引して所
定の位置に配列するバンプ配列装置４と、TABテープ22
を送り出す機構（不図示）と、TABテープ22のリード26
の先端部にバンプ２を転写するために加熱・加圧するボ
ンディングツール６とを有するものである。
定の位置に配列するバンプ配列装置４と、TABテープ22
を送り出す機構（不図示）と、TABテープ22のリード26
の先端部にバンプ２を転写するために加熱・加圧するボ
ンディングツール６とを有するものである。
バンプの配列装置４は、バンプ供給部８と、配列部10
と、排気部20と、イオン発生装置としてのイオンガン
（たとえば、シムコジャパン株式会社製、イオクリーン
ガン）30とを含むものである。配列部10は、第１図及び
第２図に示すようにバンプ配列用の基板12と、排気部20
により内部が減圧される吸引部14とからなる。また、配
列部10と排気部20とは排気管16を介して繋がれている。
と、排気部20と、イオン発生装置としてのイオンガン
（たとえば、シムコジャパン株式会社製、イオクリーン
ガン）30とを含むものである。配列部10は、第１図及び
第２図に示すようにバンプ配列用の基板12と、排気部20
により内部が減圧される吸引部14とからなる。また、配
列部10と排気部20とは排気管16を介して繋がれている。
イオンガン30は、たとえば図示しないコンプレッサから
の空気を電離し、発生したイオンをイオンビームとして
放出するものである。
の空気を電離し、発生したイオンをイオンビームとして
放出するものである。
本実施例の配列部10においては、厚さ30μｍのニッケル
製の基板12を使用している。基板12にはバンプ２を配列
すべき全ての位置に直径約60μｍの貫通穴13が設けられ
ている。吸引部14には貫通穴13に対応して開口部15が設
けられている。
製の基板12を使用している。基板12にはバンプ２を配列
すべき全ての位置に直径約60μｍの貫通穴13が設けられ
ている。吸引部14には貫通穴13に対応して開口部15が設
けられている。
本装置を用いてバンプを所定パターンに配列しTABテー
プに転写するには、先ず排気部20を作動させて排気管16
を介して、吸引部14内を減圧状態にする。すると、貫通
穴13の表側には吸引力が発生する。このとき、第１図に
示すように配列部10を多数のバンプ２が載っているバン
プ供給部８の近くに寄せて、イオンガン30によってイオ
ンビームを基板12やバンプ供給部８の周辺に照射しなが
ら、バンプ２を貫通穴13に吸引する。
プに転写するには、先ず排気部20を作動させて排気管16
を介して、吸引部14内を減圧状態にする。すると、貫通
穴13の表側には吸引力が発生する。このとき、第１図に
示すように配列部10を多数のバンプ２が載っているバン
プ供給部８の近くに寄せて、イオンガン30によってイオ
ンビームを基板12やバンプ供給部８の周辺に照射しなが
ら、バンプ２を貫通穴13に吸引する。
また、例えば配列部10を基板12が上側になるように設置
し、その基板12の周辺の雰囲気をイオンガン30によって
イオン化しながら、基板12上にバンプをふりかけること
により、バンプ２を貫通穴13に吸引するようにしてもよ
い。
し、その基板12の周辺の雰囲気をイオンガン30によって
イオン化しながら、基板12上にバンプをふりかけること
により、バンプ２を貫通穴13に吸引するようにしてもよ
い。
ところで、バンプを吸引する際にバンプの周辺にイオン
ビームを照射しない（すなわち、バンプの周辺の気体を
イオン化しない）場合には、摩擦等により帯電したバン
プが互いに凝集し、これらのバンプが一つの貫通穴に集
まったり、基板12の貫通穴13以外の位置に付着したりす
ることがある。このようなバンプの凝集が生ずると、バ
ンプをTABテープのリード先端部に転写する際に、当
然、歩留りが著しく低下する。
ビームを照射しない（すなわち、バンプの周辺の気体を
イオン化しない）場合には、摩擦等により帯電したバン
プが互いに凝集し、これらのバンプが一つの貫通穴に集
まったり、基板12の貫通穴13以外の位置に付着したりす
ることがある。このようなバンプの凝集が生ずると、バ
ンプをTABテープのリード先端部に転写する際に、当
然、歩留りが著しく低下する。
本実施例の微細金属球の配列方法において、イオンガン
30によってイオンビームを照射することにより、イオン
化された雰囲気中で基板12にバンプ２を吸引するので、
帯電し凝集していたバンプはイオン化した気体との間に
電荷の授受を行い電気的に中性になる。また、吸引中に
他のバンプ２との摩擦等により帯電したバンプ２も中性
になる。したがって、各バンプ間には静電気が働かなく
なり、バンプが凝集しなくなるので、容易に各貫通穴13
に一つずつバンプ２を配置することができる。
30によってイオンビームを照射することにより、イオン
化された雰囲気中で基板12にバンプ２を吸引するので、
帯電し凝集していたバンプはイオン化した気体との間に
電荷の授受を行い電気的に中性になる。また、吸引中に
他のバンプ２との摩擦等により帯電したバンプ２も中性
になる。したがって、各バンプ間には静電気が働かなく
なり、バンプが凝集しなくなるので、容易に各貫通穴13
に一つずつバンプ２を配置することができる。
バンプ２を吸引して配列した後は、バンプ配列装置４の
基板12はボンディング受け部の役割を果たすことにな
る。先ず、ポリイミド等の絶縁物からなるフィルムキャ
リア24上にリード26が形成されたTABテープ22と基板12
との間の位置を、図示しない位置合わせ調整機構部を用
いて調整する。バンプ配列装置４の位置が決まったら、
適当な温度に加熱されているボンディングツール６によ
り一定の荷電を作用させることにより、貫通穴13に吸引
されていたバンプ２をTABテープの望まれたリード26の
先端部に転写・接合する。
基板12はボンディング受け部の役割を果たすことにな
る。先ず、ポリイミド等の絶縁物からなるフィルムキャ
リア24上にリード26が形成されたTABテープ22と基板12
との間の位置を、図示しない位置合わせ調整機構部を用
いて調整する。バンプ配列装置４の位置が決まったら、
適当な温度に加熱されているボンディングツール６によ
り一定の荷電を作用させることにより、貫通穴13に吸引
されていたバンプ２をTABテープの望まれたリード26の
先端部に転写・接合する。
バンプ２を写し取られたバンプ配列装置４は再びバンプ
を配列する工程に戻り、同時にTABテープ22が一コマ分
送られて新たなフレームが転写位置に送られ、上記と同
様にバンプ配列装置４の位置を調整した後、次のバンプ
２がTABテープ22のリード26の先端部に転写・接合され
る。
を配列する工程に戻り、同時にTABテープ22が一コマ分
送られて新たなフレームが転写位置に送られ、上記と同
様にバンプ配列装置４の位置を調整した後、次のバンプ
２がTABテープ22のリード26の先端部に転写・接合され
る。
このように、本実施例の微細金属球の配列方法において
は、静電気除去対策を施すことにより、バンプを所定の
配列位置に確実に一つずつ配列することができるので、
バンプをTABテープのリード先端部に転写する際の歩留
りを著しく向上させることができる。
は、静電気除去対策を施すことにより、バンプを所定の
配列位置に確実に一つずつ配列することができるので、
バンプをTABテープのリード先端部に転写する際の歩留
りを著しく向上させることができる。
次に、本発明の第２実施例を第４図及び第５図を用いて
説明する。第４図は本発明の第２実施例である微細金属
球の配列方法を説明する図、第５図（ａ）はその微細金
属球の配列方法において使用するバンプ配列装置の基板
の概略斜視図、同図（ｂ）はその基板の概略断面図であ
る。尚、使用するバンプの大きさは第１実施例における
ものと同一である。
説明する。第４図は本発明の第２実施例である微細金属
球の配列方法を説明する図、第５図（ａ）はその微細金
属球の配列方法において使用するバンプ配列装置の基板
の概略斜視図、同図（ｂ）はその基板の概略断面図であ
る。尚、使用するバンプの大きさは第１実施例における
ものと同一である。
第４図に示すバンプ配列装置は、バンプ供給部80と、基
板120と、イオン発生装置としてのイオンブロワ（シム
コジャパン株式会社製、A300型）300とを有する。基板1
20には配列パターンに対応する位置にバンプ２より少し
大きい直径100μｍの穴130が設けられている。穴130の
深さは60μｍである。イオンブロワ300はインオ化した
気体を緩やかに吹き出す装置である。
板120と、イオン発生装置としてのイオンブロワ（シム
コジャパン株式会社製、A300型）300とを有する。基板1
20には配列パターンに対応する位置にバンプ２より少し
大きい直径100μｍの穴130が設けられている。穴130の
深さは60μｍである。イオンブロワ300はインオ化した
気体を緩やかに吹き出す装置である。
上記のバンプ配列装置を用いてバンプを所定パターンに
配列するには、先ず基板120を傾斜させて、基板120の上
部からバンプ供給部80のバンプ２を基板120上に転が
す。このとき、基板120上を転がり落ちるバンプ２の周
辺にイオンブロワ300でイオン化した気体を吹きつけな
がら、バンプ２を穴130に落として、バンプを所定位置
に配置する。
配列するには、先ず基板120を傾斜させて、基板120の上
部からバンプ供給部80のバンプ２を基板120上に転が
す。このとき、基板120上を転がり落ちるバンプ２の周
辺にイオンブロワ300でイオン化した気体を吹きつけな
がら、バンプ２を穴130に落として、バンプを所定位置
に配置する。
本実施例の微細金属球の配列方法においても、イオン化
した気体を基板120やバンプ２に吹きつけることによ
り、基板120の周辺をイオン化した雰囲気で包み、帯電
しているバンプをイオン化した気体により電気的に中性
化する。また、基板上を転がる際に基板や他のバンプと
の摩擦によりバンプが帯電した場合もバンプの中性化を
図ることができる。したがって、バンプ間には静電気が
働かなくなるので、容易に各穴130に一つずつバンプを
配列することができる。
した気体を基板120やバンプ２に吹きつけることによ
り、基板120の周辺をイオン化した雰囲気で包み、帯電
しているバンプをイオン化した気体により電気的に中性
化する。また、基板上を転がる際に基板や他のバンプと
の摩擦によりバンプが帯電した場合もバンプの中性化を
図ることができる。したがって、バンプ間には静電気が
働かなくなるので、容易に各穴130に一つずつバンプを
配列することができる。
バンプ２を所定の位置に配置した後は、基板120をボン
ディング受け部として第１実施例と同様に使用すること
によりバンプをTABテープのリード先端部に転写・接合
することができる。その他の作用・効果は第１の実施例
と同様である。
ディング受け部として第１実施例と同様に使用すること
によりバンプをTABテープのリード先端部に転写・接合
することができる。その他の作用・効果は第１の実施例
と同様である。
尚、上記の第１実施例には、イオン発生装置としてイオ
ンガンを使用した場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、第２実施例において使用
したイオンブロワを使用してもよい。上記の第２実施例
においても、同様である。
ンガンを使用した場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、第２実施例において使用
したイオンブロワを使用してもよい。上記の第２実施例
においても、同様である。
以上説明したように本発明によれば、帯電している微細
金属球や配列するときに帯電した微細金属球等を電気的
に中性にすることにより、微細金属球の凝集を防止し、
微細金属球を一つずつ確実に所定の位置に配列すること
が可能になり、したがって微細金属球をTABテープのリ
ード部に転写する際の歩留りを著しく向上させることが
できる微細金属球の配列方法を提供することができる。
金属球や配列するときに帯電した微細金属球等を電気的
に中性にすることにより、微細金属球の凝集を防止し、
微細金属球を一つずつ確実に所定の位置に配列すること
が可能になり、したがって微細金属球をTABテープのリ
ード部に転写する際の歩留りを著しく向上させることが
できる微細金属球の配列方法を提供することができる。
第１図は本発明の第１実施例である微細金属球の配列方
法を説明する図、第２図（ａ）はその微細金属球の配列
方法において使用するバンプ配列装置の配列部の概略斜
視図、同図（ｂ）はその配列部の概略断面図、第３図は
そのバンプ配列装置を用いたバンプ転写装置の概略構成
図、第４図は本発明の第２実施例である微細金属球の配
列方法を説明する図、第５図（ａ）はその微細金属球の
配列方法において使用するバンプ配列装置の基板の概略
斜視図、同図（ｂ）はその基板の概略断面図である。 ２……バンプ、４……バンプ配列装置、６……ボンディ
ングツール、8,80……バンプ供給部、10……配列部、1
2,120……基板、13,130……穴、14……吸引部、15……
開口部、16……排気管、20……排気部、22……TABテー
プ、24……フィルムキャリア、26……リード、30……イ
オンガン、300……イオンブロワ。
法を説明する図、第２図（ａ）はその微細金属球の配列
方法において使用するバンプ配列装置の配列部の概略斜
視図、同図（ｂ）はその配列部の概略断面図、第３図は
そのバンプ配列装置を用いたバンプ転写装置の概略構成
図、第４図は本発明の第２実施例である微細金属球の配
列方法を説明する図、第５図（ａ）はその微細金属球の
配列方法において使用するバンプ配列装置の基板の概略
斜視図、同図（ｂ）はその基板の概略断面図である。 ２……バンプ、４……バンプ配列装置、６……ボンディ
ングツール、8,80……バンプ供給部、10……配列部、1
2,120……基板、13,130……穴、14……吸引部、15……
開口部、16……排気管、20……排気部、22……TABテー
プ、24……フィルムキャリア、26……リード、30……イ
オンガン、300……イオンブロワ。
Claims (1)
- 【請求項１】イオン化された雰囲気中で、基板上に微細
金属球を配列することを特徴とする微細金属球の配列方
法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2189637A JPH0719798B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 微細金属球の配列方法 |
| EP91302037A EP0447170B1 (en) | 1990-03-14 | 1991-03-12 | Method of bonding bumps to leads of tab tape and an apparatus for arranging bumps used for the same |
| MYPI91000398A MY106135A (en) | 1990-03-14 | 1991-03-12 | Method of bonding bumps to leads of tab tape and an apparatus for arranging bumps used for the same. |
| DE69132891T DE69132891T2 (de) | 1990-03-14 | 1991-03-12 | Verfahren zum Verbinden von Höckern auf TAB-Trägerleitern und ein Apparat zum Anordnen von Höckern |
| US07/669,189 US5114878A (en) | 1989-09-11 | 1991-03-13 | Method of bonding bumps to leads of tab tape and an apparatus for arranging bumps used for the same |
| KR1019910004083A KR940004247B1 (ko) | 1990-03-14 | 1991-03-14 | 범프를 tab 테이프의 리드에 접합하는 방법 및 이에 사용하는 범프 배열장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2189637A JPH0719798B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 微細金属球の配列方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475357A JPH0475357A (ja) | 1992-03-10 |
| JPH0719798B2 true JPH0719798B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=16244637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2189637A Expired - Lifetime JPH0719798B2 (ja) | 1989-09-11 | 1990-07-18 | 微細金属球の配列方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719798B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4309769A1 (de) * | 1993-03-25 | 1994-09-29 | Wacker Chemitronic | Verfahren und Vorrichtung zur Verringerung des Sauerstoffeinbaus in einen Einkristall aus Silicium |
| JP2933065B2 (ja) * | 1997-06-18 | 1999-08-09 | 日本電気株式会社 | 微小金属ボールの配列方法 |
| US6107181A (en) * | 1997-09-08 | 2000-08-22 | Fujitsu Limited | Method of forming bumps and template used for forming bumps |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP2189637A patent/JPH0719798B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0475357A (ja) | 1992-03-10 |
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