JPH0475458B2 - - Google Patents
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- JPH0475458B2 JPH0475458B2 JP60189128A JP18912885A JPH0475458B2 JP H0475458 B2 JPH0475458 B2 JP H0475458B2 JP 60189128 A JP60189128 A JP 60189128A JP 18912885 A JP18912885 A JP 18912885A JP H0475458 B2 JPH0475458 B2 JP H0475458B2
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- signal
- ray
- pulse
- base level
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＸ線マイクロアナライザに関し、更に
詳しくは、波高分析器の分析条件設定の改良に関
する。
詳しくは、波高分析器の分析条件設定の改良に関
する。
（従来の技術）
Ｘ線マイクロアナライザは、極めて細く絞つた
電子線束を試料表面に照射し、その部分から放射
される特性Ｘ線の波長と強度をＸ線分光器で測定
してその微小部分に含まれている元素を定性又は
定量する分析機器であり、試料を非破壊的に分析
できることから各種の分野での組成・材料研究に
広く用いられている。
電子線束を試料表面に照射し、その部分から放射
される特性Ｘ線の波長と強度をＸ線分光器で測定
してその微小部分に含まれている元素を定性又は
定量する分析機器であり、試料を非破壊的に分析
できることから各種の分野での組成・材料研究に
広く用いられている。
このようなＸ線マイクロアナライザの一種に、
波長に従つてＸ線を分散させる分光結晶を駆動パ
ルスに応じて試料上のＸ線発生点を通る直線上を
移動させるように構成された結晶直進型Ｘ線分光
器と、該分光器の検出信号の波高値を分析する波
高分析器（PHA、pulse height analyzer）とを
具備したものがある。
波長に従つてＸ線を分散させる分光結晶を駆動パ
ルスに応じて試料上のＸ線発生点を通る直線上を
移動させるように構成された結晶直進型Ｘ線分光
器と、該分光器の検出信号の波高値を分析する波
高分析器（PHA、pulse height analyzer）とを
具備したものがある。
ここで、波高分析器は、供給されるパルスの波
高値を、ベースレベルＶとベースレベルＶからウ
インドウ幅ΔVだけ大きいレベルＶ＋ΔVと比較
し、前記波高値がこれら両レベルの間の値を有す
る場合のみこのパルスを計数するもので、増幅器
から供給されるパルスの波高値がベースレベルＶ
より大きい場合にその期間の幅に等しいパルス幅
のパルスを発生する第１の回路と、増幅器から供
給されるパルスの波高値が前記レベルＶ＋ΔVよ
り大きい場合にその期間の幅に等しいパルス幅の
パルスを発生する第２回路と、第１の回路よりパ
ルスが送られ且つ第２の回路よりパルスが送られ
ない場合のみ第１の回路の出力パルスを計数する
反同時計数回路とから成る。この波高分析器を用
いる理由は次の通りである。即ち、エネルギーの
違いに基づき、２次以上の高次線の検出パルスの
波高は１次線の検出パルスの波高と明確に異なる
ので、波高分析器の上記機能を用いて、１次線の
検出パルスを計数し、２次以上の検出パルスは計
数しないようにすれば、スペクトル分析の精度を
向上させることができるからである。
高値を、ベースレベルＶとベースレベルＶからウ
インドウ幅ΔVだけ大きいレベルＶ＋ΔVと比較
し、前記波高値がこれら両レベルの間の値を有す
る場合のみこのパルスを計数するもので、増幅器
から供給されるパルスの波高値がベースレベルＶ
より大きい場合にその期間の幅に等しいパルス幅
のパルスを発生する第１の回路と、増幅器から供
給されるパルスの波高値が前記レベルＶ＋ΔVよ
り大きい場合にその期間の幅に等しいパルス幅の
パルスを発生する第２回路と、第１の回路よりパ
ルスが送られ且つ第２の回路よりパルスが送られ
ない場合のみ第１の回路の出力パルスを計数する
反同時計数回路とから成る。この波高分析器を用
いる理由は次の通りである。即ち、エネルギーの
違いに基づき、２次以上の高次線の検出パルスの
波高は１次線の検出パルスの波高と明確に異なる
ので、波高分析器の上記機能を用いて、１次線の
検出パルスを計数し、２次以上の検出パルスは計
数しないようにすれば、スペクトル分析の精度を
向上させることができるからである。
ところで、このような波高分析器の分析条件と
なるベースレベル及びウインドウ幅は、分光結晶
と分光角度、即ち特性Ｘ線のエネルギーに対応し
て決まるものであり、通常、分析する元素の標準
試料を用いて各々の特性Ｘ線毎に決定される。
なるベースレベル及びウインドウ幅は、分光結晶
と分光角度、即ち特性Ｘ線のエネルギーに対応し
て決まるものであり、通常、分析する元素の標準
試料を用いて各々の特性Ｘ線毎に決定される。
例えば、コンピユータにより制御するように構
成された装置では、各々の特性Ｘ線毎に予めベー
スレベル及びウインドウ幅を調べて個別にそのベ
ースレベル及びウインドウ幅を記憶させておき、
該当する元素を分析する時にそのベースレベル及
びウインドウ幅をコンピユータにより設定するこ
とができる。
成された装置では、各々の特性Ｘ線毎に予めベー
スレベル及びウインドウ幅を調べて個別にそのベ
ースレベル及びウインドウ幅を記憶させておき、
該当する元素を分析する時にそのベースレベル及
びウインドウ幅をコンピユータにより設定するこ
とができる。
又、予め１つ乃至２つの基準となる元素の特性
Ｘ線を用いて求めておいた近似式から分析対象元
素の特性Ｘ線のベースレベル及びウインドウ幅を
計算し、その値をコンピユータにより設定するこ
ともできる。
Ｘ線を用いて求めておいた近似式から分析対象元
素の特性Ｘ線のベースレベル及びウインドウ幅を
計算し、その値をコンピユータにより設定するこ
ともできる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、このようにコンピユータにより制御さ
れる装置において、各特性Ｘ線毎に標準試料を用
いてベースレベル及びウインドウ幅を求めるため
には多大な作業工数を要する。又、分光結晶を移
動させる毎に波高分析器のベースレベル及びウイ
ンドウ幅を計算して設定させるためにはプログラ
ムの作成に多大の工数を要することになり、プロ
グラム容量が増大することになる。
れる装置において、各特性Ｘ線毎に標準試料を用
いてベースレベル及びウインドウ幅を求めるため
には多大な作業工数を要する。又、分光結晶を移
動させる毎に波高分析器のベースレベル及びウイ
ンドウ幅を計算して設定させるためにはプログラ
ムの作成に多大の工数を要することになり、プロ
グラム容量が増大することになる。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、任意の分光位置における波高分析器の
ベースレベル及びウインドウ幅がプログラムの計
算結果によることなく自動的に設定でき、ベース
レベル及びウインドウ幅を求めるために多大な作
業工数を要したり、プログラム容量が増大したり
することのないＸ線マイクロアナライザを実現す
ることにある。
の目的は、任意の分光位置における波高分析器の
ベースレベル及びウインドウ幅がプログラムの計
算結果によることなく自動的に設定でき、ベース
レベル及びウインドウ幅を求めるために多大な作
業工数を要したり、プログラム容量が増大したり
することのないＸ線マイクロアナライザを実現す
ることにある。
（問題点を解決するための手段）
前記した問題点を解決する本発明は、分光結晶
が駆動パルスに応じて試料上のＸ線発生点を通る
直線上を移動するように構成された結晶直進型Ｘ
線分光器と、該分光器の検出信号の波高値を分析
する波高分析器とを具備したＸ線マイクロアナラ
イザにおいて、前記分光結晶とＸ線発生点との距
離を表わす信号を発生するための信号発生回路
と、該信号発生回路の出力信号をその信号値の逆
数に対応した信号に変換するための第１の演算器
と、前記信号発生回路の出力信号をその信号値の
平方根の逆数に対応した信号に変換するための第
２の演算器と、前記第１及び第２の演算器の出力
信号に基づいて前記波高分析器のベースレベルを
設定するためのベースレベル設定器と、前記第２
の演算器の出力信号に基づいて前記波高分析器の
ウインドウ幅を設定するためのウインドウ幅設定
器と、を設けたことを特徴とするものである。
が駆動パルスに応じて試料上のＸ線発生点を通る
直線上を移動するように構成された結晶直進型Ｘ
線分光器と、該分光器の検出信号の波高値を分析
する波高分析器とを具備したＸ線マイクロアナラ
イザにおいて、前記分光結晶とＸ線発生点との距
離を表わす信号を発生するための信号発生回路
と、該信号発生回路の出力信号をその信号値の逆
数に対応した信号に変換するための第１の演算器
と、前記信号発生回路の出力信号をその信号値の
平方根の逆数に対応した信号に変換するための第
２の演算器と、前記第１及び第２の演算器の出力
信号に基づいて前記波高分析器のベースレベルを
設定するためのベースレベル設定器と、前記第２
の演算器の出力信号に基づいて前記波高分析器の
ウインドウ幅を設定するためのウインドウ幅設定
器と、を設けたことを特徴とするものである。
（実施例）
以下、図面を参照し本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す構成ブロツ
ク図である。第１図において、１は電子線２が照
射されることによりＸ線３を放射するＸ線源（試
料）、４は該Ｘ線源１から放射されるＸ線３を分
散させる分光結晶、５は該分光結晶４で分散反射
されたＸ線６を検出するＸ線検出器XDのスリツ
トであり、これらＸ線源１、分光結晶４及びスリ
ツト５はローランド円と呼ばれる円周７上に位置
していてＸ線分光器を構成している。尚、該Ｘ線
分光器において、分光結晶４はＸ線源１を通る直
線８上を駆動パルス源９から出力される駆動パル
スに応じて移動するように構成されている。従つ
て、ローランド円７の中心１０とスリツト５も移
動することになり、このようなＸ線分光器は結晶
直進型と呼ばれている。１１は分光結晶４を移動
させるために駆動パルス源９から出力される駆動
パルスを回転量に変換するパルスモータ、１２は
該パルスモータ１１の回転をポテンシヨメータ１
３の回転に変換するためのギヤである。これによ
り、分光結晶４の移動量はポテンシヨメータ１３
の抵抗値の変化に変換されることになる。１４は
該ポテンシヨメータ１３の抵抗値変化を電圧変化
に変換する抵抗電圧変換器、１５は該抵抗電圧変
換器１４で変換された電圧の逆数を演算する第１
の演算器、１６は抵抗電圧変換器１４で変換され
た電圧の平方根の逆数を演算する第２の演算器で
ある。これら各演算器１５，１６の出力信号は、
それぞれ入出力比を調整する較正器１７，１８を
介して自動手動切換器１９に加えられている。該
自動手動切換器１９には手動設定器２０，２１か
らそれぞれ演算器１５，１６に対応した設定信号
が加えられている。そして、該自動手動切換器１
９から切換状態に応じてこれら演算器１５，１６
の出力信号又は手動設定器２０，２１の設定信号
が選択的に波高分析器２２のベースレベル設定器
２３及びウインドウ幅設定器２４に出力されるこ
とになる。これにより、増幅器２５を介して加え
られるＸ線検出器XDの検出信号は所定のベース
レベル及びウインドウ幅以内のもののみ波高分析
器２２で選択されることになる。
ク図である。第１図において、１は電子線２が照
射されることによりＸ線３を放射するＸ線源（試
料）、４は該Ｘ線源１から放射されるＸ線３を分
散させる分光結晶、５は該分光結晶４で分散反射
されたＸ線６を検出するＸ線検出器XDのスリツ
トであり、これらＸ線源１、分光結晶４及びスリ
ツト５はローランド円と呼ばれる円周７上に位置
していてＸ線分光器を構成している。尚、該Ｘ線
分光器において、分光結晶４はＸ線源１を通る直
線８上を駆動パルス源９から出力される駆動パル
スに応じて移動するように構成されている。従つ
て、ローランド円７の中心１０とスリツト５も移
動することになり、このようなＸ線分光器は結晶
直進型と呼ばれている。１１は分光結晶４を移動
させるために駆動パルス源９から出力される駆動
パルスを回転量に変換するパルスモータ、１２は
該パルスモータ１１の回転をポテンシヨメータ１
３の回転に変換するためのギヤである。これによ
り、分光結晶４の移動量はポテンシヨメータ１３
の抵抗値の変化に変換されることになる。１４は
該ポテンシヨメータ１３の抵抗値変化を電圧変化
に変換する抵抗電圧変換器、１５は該抵抗電圧変
換器１４で変換された電圧の逆数を演算する第１
の演算器、１６は抵抗電圧変換器１４で変換され
た電圧の平方根の逆数を演算する第２の演算器で
ある。これら各演算器１５，１６の出力信号は、
それぞれ入出力比を調整する較正器１７，１８を
介して自動手動切換器１９に加えられている。該
自動手動切換器１９には手動設定器２０，２１か
らそれぞれ演算器１５，１６に対応した設定信号
が加えられている。そして、該自動手動切換器１
９から切換状態に応じてこれら演算器１５，１６
の出力信号又は手動設定器２０，２１の設定信号
が選択的に波高分析器２２のベースレベル設定器
２３及びウインドウ幅設定器２４に出力されるこ
とになる。これにより、増幅器２５を介して加え
られるＸ線検出器XDの検出信号は所定のベース
レベル及びウインドウ幅以内のもののみ波高分析
器２２で選択されることになる。
このように構成された装置の動作について説明
する。
する。
波長λÅの特性Ｘ線が第１図の０点からＣ点ま
での距離ｌmmで検出されるとすると、 ｌ＝（2R／2d）nλ ……(1) Ｒ；ローランド円７の半径 ｄ；分光結晶４の面間隔 ｎ；整数（１、２、…） の関係が成立する。該特性Ｘ線のエネルギーを
EkeVとすると、 λE＝12.4 ……(2) となることから、(1)式、(2)式より ｌ＝ｎ・12.4（2R／2d）（１／Ｅ） ……(3) が得られる。
での距離ｌmmで検出されるとすると、 ｌ＝（2R／2d）nλ ……(1) Ｒ；ローランド円７の半径 ｄ；分光結晶４の面間隔 ｎ；整数（１、２、…） の関係が成立する。該特性Ｘ線のエネルギーを
EkeVとすると、 λE＝12.4 ……(2) となることから、(1)式、(2)式より ｌ＝ｎ・12.4（2R／2d）（１／Ｅ） ……(3) が得られる。
一方、Ｘ線検出器XDから出力される検出信号
の１次パルスの高さは入射Ｘ線のエネルギーに比
例する。そして、増幅器２５を介して波高分析器
２２に加えられるパルスの高さ（Ｈ）とエネルギ
ー(E)の比例係数をｋとすると、 Ｈ＝ｋ・Ｅ ……(4) の関係が成立することから、波高分析器２２に加
えられるパルスの波高値は、 Ｈ＝ｋ・ｎ・12.4（2R／2d）（１／ｌ） ……(5) となる。又、波高分析器２２の適当なウインドウ
幅Ｗは、Ｘ線検出器XD内で作られるイオン対の
統計的ゆらぎを考慮すると、Ｗ∝√であること
から、 Ｗ＝ｈ・√１ ……(6) ｈ；比例係数 と表わせる。
の１次パルスの高さは入射Ｘ線のエネルギーに比
例する。そして、増幅器２５を介して波高分析器
２２に加えられるパルスの高さ（Ｈ）とエネルギ
ー(E)の比例係数をｋとすると、 Ｈ＝ｋ・Ｅ ……(4) の関係が成立することから、波高分析器２２に加
えられるパルスの波高値は、 Ｈ＝ｋ・ｎ・12.4（2R／2d）（１／ｌ） ……(5) となる。又、波高分析器２２の適当なウインドウ
幅Ｗは、Ｘ線検出器XD内で作られるイオン対の
統計的ゆらぎを考慮すると、Ｗ∝√であること
から、 Ｗ＝ｈ・√１ ……(6) ｈ；比例係数 と表わせる。
尚、(5)式における比例係数ｋ及び(6)式における
比例係数ｈは増幅器２５のゲインや使用する分光
結晶の面間隔ｄに応じて変わるものである。
比例係数ｈは増幅器２５のゲインや使用する分光
結晶の面間隔ｄに応じて変わるものである。
第２図は、パルス波高値Ｈと距離ｌとの対応関
係を示す説明図である。第２図から明らかなよう
に、比例係数ｋ、ｈを適当に設定することによ
り、距離ｌがL1からL2に変わる（L1＜L2）とき
に曲線を任意の適当な高さにシフトさせることが
できる。
係を示す説明図である。第２図から明らかなよう
に、比例係数ｋ、ｈを適当に設定することによ
り、距離ｌがL1からL2に変わる（L1＜L2）とき
に曲線を任意の適当な高さにシフトさせることが
できる。
即ち、分光結晶４をL1からL2まで移動させる
のに必要な駆動パルス数をｐとすると、分光結晶
４がｎパルス駆動されたときの距離ｌの変化分
Δlは、 Δl＝（ｎ／ｐ）（L2−L1） ……(7) になる。ここで、予めｌ＝l0で分光される特性Ｘ
線のパルス波高値がHoとなり、このパルス波高
値Hoを中心レベルとするウインドウ幅がWoにな
るように（ベースレベルはウインドウ幅の下限レ
ベルであるから、この時のベースレベルはパルス
波高値HoよりもWo／２だけ低い値になる）、前
述の比例係数ｋ、ｈを設定しておくと、l0からΔl
離れたｌ位置で分光される特性Ｘ線のパルス波高
値Ｈは、 Ｈ＝H0＋ΔH＝const・１／（l0＋Δl） ……(8) で与えられ、同じくウインドウ幅Ｗは、 Ｗ＝W0＋ΔW＝const・１／（√0＋） ……(9) で与えられる。
のに必要な駆動パルス数をｐとすると、分光結晶
４がｎパルス駆動されたときの距離ｌの変化分
Δlは、 Δl＝（ｎ／ｐ）（L2−L1） ……(7) になる。ここで、予めｌ＝l0で分光される特性Ｘ
線のパルス波高値がHoとなり、このパルス波高
値Hoを中心レベルとするウインドウ幅がWoにな
るように（ベースレベルはウインドウ幅の下限レ
ベルであるから、この時のベースレベルはパルス
波高値HoよりもWo／２だけ低い値になる）、前
述の比例係数ｋ、ｈを設定しておくと、l0からΔl
離れたｌ位置で分光される特性Ｘ線のパルス波高
値Ｈは、 Ｈ＝H0＋ΔH＝const・１／（l0＋Δl） ……(8) で与えられ、同じくウインドウ幅Ｗは、 Ｗ＝W0＋ΔW＝const・１／（√0＋） ……(9) で与えられる。
従つて、第１図に示すように、分光結晶４の駆
動に同期したパルスをパルスモータ１１、ギヤ１
２を介してポテンシヨメータ１３に伝えることに
よりｌの値に応じて抵抗値を変えることができ、
該抵抗値を抵抗電圧変換器１４で電圧に変換する
ことによりｌの値に比例した電圧を得ることがで
きる。従つて、パルスモータ１１、ギヤ１２、ポ
テンシヨメータ１３及び抵抗電圧変換器１４は、
分光結晶４とＸ線発生点との距離を表わす信号を
発生するための信号発生回路を構成していること
になる。そして、この信号発生回路の出力信号、
即ち、抵抗電圧変換器１４の出力電圧を演算器１
５に加えることにより(5)式を満足するようなパル
スの波高値Ｈに比例した電圧が得られ、演算器１
６に加えることにより(6)式を満足するようなウイ
ンドウ幅Ｗに関連した電圧が得られる。尚、較正
器１７，１８により、l0に対する適当なパルス波
高値H0及びウインドウ幅W0を決めるために比例
係数ｋ、ｈを変えるようにする。
動に同期したパルスをパルスモータ１１、ギヤ１
２を介してポテンシヨメータ１３に伝えることに
よりｌの値に応じて抵抗値を変えることができ、
該抵抗値を抵抗電圧変換器１４で電圧に変換する
ことによりｌの値に比例した電圧を得ることがで
きる。従つて、パルスモータ１１、ギヤ１２、ポ
テンシヨメータ１３及び抵抗電圧変換器１４は、
分光結晶４とＸ線発生点との距離を表わす信号を
発生するための信号発生回路を構成していること
になる。そして、この信号発生回路の出力信号、
即ち、抵抗電圧変換器１４の出力電圧を演算器１
５に加えることにより(5)式を満足するようなパル
スの波高値Ｈに比例した電圧が得られ、演算器１
６に加えることにより(6)式を満足するようなウイ
ンドウ幅Ｗに関連した電圧が得られる。尚、較正
器１７，１８により、l0に対する適当なパルス波
高値H0及びウインドウ幅W0を決めるために比例
係数ｋ、ｈを変えるようにする。
自動手動切換器１９には上記演算器１５，１６
の出力信号が較正器１７，１８を介して与えら
れ、自動手動切換器１９の切換状態が自動の場合
に、これら信号は波高分析器２２のウインドウ幅
設定器２４及びベースレベル設定器２３に出力さ
れる。これにより、ベースレベル設定器２３、ウ
インドウ幅設定器２４から、それぞれ、ｌに対応
したウインドウ幅Ｗ、ベースレベル（ベースレベ
ルはウインドウ幅Ｗの下限レベルであるから、パ
ルス波高値ＨよりもＷ／２だけ低い値であり、演
算器１５，１６の双方の出力信号を受けるベース
レベル設定器２３によつて算出される）の各設定
値が波高分析器２２に与えられ、増幅器２５を介
して加えられるＸ線検出器XDの検出信号は、所
定のベースレベル及びウインドウ幅以内のものの
み波高分析器２２で選択される。これらから明ら
かなように、任意のｌ値に対応する波高分析器２
２のベースレベル設定値とウインドウ幅設定値が
分光結晶４の移動に連動して自動的に設定され
る。
の出力信号が較正器１７，１８を介して与えら
れ、自動手動切換器１９の切換状態が自動の場合
に、これら信号は波高分析器２２のウインドウ幅
設定器２４及びベースレベル設定器２３に出力さ
れる。これにより、ベースレベル設定器２３、ウ
インドウ幅設定器２４から、それぞれ、ｌに対応
したウインドウ幅Ｗ、ベースレベル（ベースレベ
ルはウインドウ幅Ｗの下限レベルであるから、パ
ルス波高値ＨよりもＷ／２だけ低い値であり、演
算器１５，１６の双方の出力信号を受けるベース
レベル設定器２３によつて算出される）の各設定
値が波高分析器２２に与えられ、増幅器２５を介
して加えられるＸ線検出器XDの検出信号は、所
定のベースレベル及びウインドウ幅以内のものの
み波高分析器２２で選択される。これらから明ら
かなように、任意のｌ値に対応する波高分析器２
２のベースレベル設定値とウインドウ幅設定値が
分光結晶４の移動に連動して自動的に設定され
る。
このように構成することにより、各特性Ｘ線毎
に標準試料を用いてベースレベル及びウインドウ
幅を求めるといつた多大な作業工数を要する作業
は不要になり、又、ベースレベル及びウインドウ
幅を設定するための命令をメモリに格納する必要
がなくなり、分析プログラムの容量を減らすこと
ができ、プログラム作成の工数も大幅に削減でき
る。
に標準試料を用いてベースレベル及びウインドウ
幅を求めるといつた多大な作業工数を要する作業
は不要になり、又、ベースレベル及びウインドウ
幅を設定するための命令をメモリに格納する必要
がなくなり、分析プログラムの容量を減らすこと
ができ、プログラム作成の工数も大幅に削減でき
る。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、任意の
分光位置における波高分析器のベースレベル及び
ウインドウ幅がプログラムの計算結果によること
なく自動的に設定でき、ベースレベル及びウイン
ドウ幅を求めるために多大な作業工数を要した
り、プログラム容量が増大したりすることのない
Ｘ線マイクロアナライザが実現できる。
分光位置における波高分析器のベースレベル及び
ウインドウ幅がプログラムの計算結果によること
なく自動的に設定でき、ベースレベル及びウイン
ドウ幅を求めるために多大な作業工数を要した
り、プログラム容量が増大したりすることのない
Ｘ線マイクロアナライザが実現できる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成ブロツク
図、第２図はパルス波高値Ｈと距離ｌとの対応関
係を示す説明図である。 １……Ｘ線源（試料）、４……分光結晶、５…
…スリツト、９……パルス源、１１……パルスモ
ータ、１２……ギヤ、１３……ポテンシヨメー
タ、１４……抵抗電圧変換器、１５，１６……演
算器、１７，１８……較正器、１９……自動手動
回路、２０，２１……手動設定器、２２……波高
分析器、２３……ベースレベル設定器、２４……
ウインドウ幅設定器、２５……増幅器、XD……
Ｘ線検出器。
図、第２図はパルス波高値Ｈと距離ｌとの対応関
係を示す説明図である。 １……Ｘ線源（試料）、４……分光結晶、５…
…スリツト、９……パルス源、１１……パルスモ
ータ、１２……ギヤ、１３……ポテンシヨメー
タ、１４……抵抗電圧変換器、１５，１６……演
算器、１７，１８……較正器、１９……自動手動
回路、２０，２１……手動設定器、２２……波高
分析器、２３……ベースレベル設定器、２４……
ウインドウ幅設定器、２５……増幅器、XD……
Ｘ線検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 分光結晶が駆動パルスに応じて試料上のＸ線
発生点を通る直線上を移動するように構成された
結晶直進型Ｘ線分光器と、該分光器の検出信号の
波高値を分析する波高分析器とを具備したＸ線マ
イクロアナライザにおいて、 前記分光結晶とＸ線発生点との距離を表わす信
号を発生するための信号発生回路と、 該信号発生回路の出力信号をその信号値の逆数
に対応した信号に変換するための第１の演算器
と、 前記信号発生回路の出力信号をその信号値の平
方根の逆数に対応した信号に変換するための第２
の演算器と、 前記第１及び第２の演算器の出力信号に基づい
て前記波高分析器のベースレベルを設定するため
のベースレベル設定器と、 前記第２の演算器の出力信号に基づいて前記波
高分析器のウインドウ幅を設定するためのウイン
ドウ幅設定器と、 を設けたことを特徴とするＸ線マイクロアナライ
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60189128A JPS6249247A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | Ｘ線マイクロアナライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60189128A JPS6249247A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | Ｘ線マイクロアナライザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6249247A JPS6249247A (ja) | 1987-03-03 |
| JPH0475458B2 true JPH0475458B2 (ja) | 1992-11-30 |
Family
ID=16235863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60189128A Granted JPS6249247A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | Ｘ線マイクロアナライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6249247A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07229859A (ja) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Aloka Co Ltd | 広域ｘ線吸収微細構造測定装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06102609B2 (ja) * | 1990-04-24 | 1994-12-14 | 花王株式会社 | 化粧料 |
| US5340569A (en) * | 1992-09-10 | 1994-08-23 | Elizabeth Arden Co., Division Of Conopco, Inc. | Color cosmetic composition |
| US5766577A (en) * | 1992-09-10 | 1998-06-16 | Elizabeth Arden Co., Division Of Conopco, Inc. | Color cosmetic composition |
| US5283062A (en) * | 1992-09-10 | 1994-02-01 | Elizabeth Arden Company, Division Of Conopco, Inc. | Color cosmetic composition |
| US9040094B2 (en) | 2007-02-13 | 2015-05-26 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Flaky particle and cosmetic |
| FR2986166B1 (fr) | 2012-01-31 | 2014-03-14 | Univ Claude Bernard Lyon | Procede de preparation de particules de nitrure de bore hexagonal sur lesquelles sont fixees, selon des liaisons stables, des nanoparticules metalliques |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP60189128A patent/JPS6249247A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07229859A (ja) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Aloka Co Ltd | 広域ｘ線吸収微細構造測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6249247A (ja) | 1987-03-03 |
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