JPH0475702B2

JPH0475702B2 -

Info

Publication number: JPH0475702B2
Application number: JP58123374A
Authority: JP
Inventors: Jinichi Hongo; Yoshifumi Pponma; Shoichi Ito; Kimio Tateno
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1983-07-08
Filing date: 1983-07-08
Publication date: 1992-12-01
Also published as: EP0134472A2; EP0134472B1; EP0134472A3; KR850001424A; KR930005973B1; US4612555A; DE3483384D1; JPS6016058A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は、記録装置や読み取り装置等に使用す
る光ビーム走査装置に関するものである。

〔発明の背景〕

光ビーム走査装置を用いた記録装置として、特
公昭55−71060号公報に示されているような電子
写真方式のレーザービームプリンタがある。

このレーザービームプリンタで正規現像方式を
用いると、画像の白い部分に微細な黒い線（以下
ひげという）が発生したり、文字細り文字太り現
象が発生することがわかつた。発明者は、これら
の現象が以下に述べる事が原因となつている事を
解明した。

電子写真方式のレーザービームプリンタで正規
現像方式を用いたものの画像記録は、次のように
行なわれる。すなわち、感光ドラムを一様に帯電
し、帯電された感光ドラムの表面にレーザービー
ムを照射して形成したスポツトで走査露光して電
荷潜像を形成する。その後、この電荷潜像の電荷
が残つている領域にトナーを付着させて画像を印
字するものである。このような電子写真方式のレ
ーザービームプリンタにおける反射ビーム光によ
つて感光ドラムの表面に形成される光ビームスポ
ツトのうちで感光ドラムを感光し得る領域のサイ
ズ、すなわち有効スポツトサイズと印字品質の関
係を第１図を用いて説明する。

第１図Ａは感光ドラム１の被走査面上に結像し
た光ビームスポツトの光強度分布を示す。通常、
レーザー光の光量分布は、ガウス分布に従う。光
ビームスポツトサイズは一定にされているので光
強度分布は光ビームの総光量に比例して変動す
る。第１図Ａのは光強度強、は光強度中、
は光強度弱の場合を示し、TLは感光体の感光レ
ベルを示す。

第１図Ｂは、感光体が感光する有効スポツトサ
イズを表わし、Ａ−１は光強度が「強」の時の有
効スポツトサイズを表わし、Ａ−２は光強度が
「中」の時の有効スポツトサイズ、Ａ−３は光強
度が「弱」の時の有効スポツトサイズである。

従つて第１図Ａ，Ｂからわかるように感光体の
感光レベルTLが一定であるならば、印字に有効
なスポツトサイズは、第１図Ｂに示すように光強
度の強弱に比例して変化する。

その関係は光強度を、有効スポツトサイズを
ｄとすれば、光強度変化量Δに対し、有効スポ
ツトサイズ変化量Δdは、大略、Δd∝√の関
係にある。従つて、例えば光強度が９％変化する
ことにより印字に有効なスポツトサイズは３％変
化することになる。

次に走査光学系を用いて印字する際の適切な有
効スポツトサイズについて、第１図Ｃ〜Ｅを用い
て説明する。第１回走査をイとする。第１図Ｃで
はＣ−イ、第１図Ｄでは、Ｄ−イ、第１図Ｅでは
Ｅ−イとする。同様にして第２回走査をロ、第３
回走査をハ、第４回走査をニとする。

正規現像方式の電子写真記録の場合、感光ドラ
ム上に光を照射した部分（図でONで表示の領
域）が白になり、非照射部分（図でOFF表示の
領域）が黒になる。

光強度が「強」の場合は、第１図Ｃに示すよう
に、有効スポツトサイズＣ３が走査線ピツチＣ１
よりも大きくなり、黒線部の幅Ｃ２（斜線領域Ｃ
２＝2C１−Ｃ３）は細くなつてしまう。この為、
文字細り減少が生じてしまう。

光強度が「中」、つまり光強度が適度な場合、
第１図Ｄに示すように、有効スポツトサイズＤ３
と走査線ピツチＤ１が等しくなる。従つて文字細
り及び後述する文字太り現象やひげの発生はな
い。

光強度が「弱」の場合は、第２図Ｅに示すよう
に有効スポツトサイズＥ３が走査線ピツチＥ１よ
り小さくなつて黒線部分の幅Ｅ２（斜線領域Ｅ２
＝2E１−Ｅ３）が太くなつたり走査線間にひげ
（Ｅ４＝Ｅ２−Ｅ１）が発生する。

このような事から光強度が変化して有効スポツ
トサイズが変化すると文字細り、文字太り現象
や、ひげが生じ印字品質が劣化する。

このような現象は、読み取り装置の場合には、
読み取り走査領域が一部重複して読み取り過多と
なつたり、あるいは読み取り領域にすきまができ
て読み取り不足となつて、書画を正確に読み取れ
ないことを意味する。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、走査面上を一定強度の光ビー
ムで正確に走査できる光ビーム走査装置を提供す
ることにある。

〔発明の概要〕

本発明は、レーザー光源への駆動電流を、偏向
器への光ビームの入射角変化に応じて変化する反
射ビーム光量を補償するように、偏向器への光ビ
ームの入射角に応じて制御する構成としたもので
ある。このようにして偏向器を高反射率を有する
領域で使用することを可能にすると同時に走査面
に一定強度の光ビームスポツトを得られるように
した。

〔発明の実施例〕

以下本発明の一実施例を第２図〜第６図を用い
て説明する。

第２図は、レーザービームプリンタの概略構成
を示す斜視図である。第２図において、最初に結
像光学系の説明をする。第２図において、１１は
光源となるレーザーダイオードユニツトである。
このレーザーダイオードユニツト１１から得られ
る光出力の強度は、変調器１００によつてレーザ
ーダイオードに流す駆動電流の大きさで制御す
る。レーザーダイオードユニツト１１から射出さ
れたレーザー光は、コリメータレンズ１３によつ
て平行なレーザービームとなり、光整形器群１５
によつて所定の断面形状に整形される。

次に整形後のレーザービームは、回転多面鏡５
０で偏向される。本実施例では、偏向器に回転多
面鏡を用いたが、ガルバノミラーでも実施でき
る。

そして、レーザービームは、F〓レンズ１７によ
つて絞られ、シリンドリカルレンズ１９により面
倒れ補正をされ、感光ドラム１上に微小な光ビー
ムスポツトを形成する。レーザービームの偏向角
度は、回転多面鏡５０がスキヤナモータ６０によ
つて矢印９１の方向に回転させられるのに対応し
て変化し、光ビームスポツトは感光ドラム１上を
矢印９３の方向に動く。

可視画像記録系として、次のようなものを設置
する。矢印９５の方向に回転する感光ドラム１の
周囲に電子写真プロセスに必要な帯電器３、現像
器５、転写器７等を配置し、帯電→露光（静電潜
像形成）→現像（トナーによる潜像の可視化）→
転写のプロセスを経て、記録紙９上に可視像を配
録する。

さらに制御系として、回転多面鏡５０と変調器
１００の同期をとるために、ビーム位置検出用反
射鏡２００、光検出器３００、同期信号発生器４
００、印字信号制御器５００、スキヤナモータ制
御器６００を設ける。スキヤナモータ制御器６０
０はスキヤナモータ５１を定速回転させてレーザ
ービームをくり返し偏向する。反射鏡２００はレ
ーザービームが偏向開始基準位置に達したときに
このレーザービームを光検出器３００に反射す
る。同期信号発生器４００はレーザービームが光
検出器３００に入射されたときに同期信号を発生
する。印字信号制御器５００は同期信号に基づい
て記録情報信号を変調器１００に与える。

回転多面鏡５０の回転によつてレーザービーム
スポツトで１本の走査線を記録する場合の偏向走
査挙動について第３図を用い説明する。第３図Ａ
は走査開始位置にあるときの回転多面鏡５０によ
るレーザービーム偏向状態を示す。第３図Ｂは走
査終了位置での回転多面鏡５０によるレーザービ
ーム偏向状態を示す。

即ち回転多面鏡５０が１面で１本の走査線を記
録するようにレーザービームを偏向走査する場
合、偏向走査の中心軸Ｚに対して偏向走査角度は
θ₀〜θ₁であり、その場合回転多面鏡５０に対する
光ビームの入射角は、反射面に垂直な面に対し
₀〜₀′まで変化する。例えば、回転多面鏡５０
を８面体、その内接円径を60mm、入射するレーザ
ービーム径を５mmとした場合、θ₀＝θ₁≒30°、₀
＝30°、₀′＝60°程度となる。即ち、回転多面鏡
５０に対するレーザービームの入射角度は30°〜
60°まで連続的に変化する。

ところで、回転多面鏡５０の反射率は、反射面
に対するレーザービームの入射角によつて変動す
る。つまり、走査位置に応じて反射率が変化する
ので、第１図で述べた光強度が変化し、有効スポ
ツトサイズもそれに応じて変化することになり、
印字品質に悪影響を与える。

以下第３図Ｃ及び第４図によつて反射率変化の
内容を記述する。回転多面鏡５０は、基材５３そ
のものを鏡面化し、あるいは基材上に鏡面体を設
け、更にその上を保護膜５１で覆つたものであ
る。本実施例ではAl基材を鏡面加工し、保護膜
としてSiO₂を用いた回転多面鏡５０について述
べる。第３図Ｃは、基材５３と保護膜５１を拡大
して、レーザービームに対する反射率を解析する
ものである。

空気１０００と保護膜５１の境界面に空気中か
ら入射角₀で入射されたレーザービームは、₁
に屈折される。しかし、レーザービームは完全に
は屈折されず、その一部は境界面で反射される。
これによりレーザービームの光強度は落ちる。境
界面での反射率は、入射角₀により変化する。

保護膜５１と基材５３の境界面に、保護膜５１
から入射角₁で入射されたレーザービームは、
反射角₁で反射される。しかし、レーザービー
ムは、完全に反射されるのではない。レーザービ
ームの一部は、境界面を通過して基材５３内に入
射される。これによりレーザービームの光強度は
更に落ちる。この境界面での反射率も入射角に応
じて変化する。

保護膜５１と空気１０００の境界面に、保護膜
５１から入射角₁で入射されたレーザービーム
は、屈折角₂に屈折される。このレーザービー
ムの一部は、この境界面でも反射され、レーザー
ビームの光強度は更に減少する。この反射率も入
射角に応じて変化する。

上述のように、回転多面鏡５０によるレーザー
ビームの反射率は、入射角により変化する。保護
膜５１の屈折率をn₁、基材の屈折率をn₂、保護膜
の厚さをd₁とすると、回転多面鏡の反射率Ｒは、
Ｒ＝ｆ（n₁，n₂，₀，d₁）となる。n₁，n₂は、使
用する材質により決まるので、反射率Ｒは、入射
角₀と保護膜厚さd₁の関数となる。これを第４図
に示す。

第４図は、保護膜材質をSiO₂、基材材質をAl
とし、SiO₂の屈折率を1.46、Alの屈折率を1.08−
i5.08、レーザー波長λを7800Å、SiO₂の透過率
を1.0、入射角を30°，45°，60°と変化させた場合
の例である。

第４図によれば、 (1) 反射率Ｒは、n₁d₁＝λ／２近傍で極大値をとるが、₀の変化に伴う反射率の変化も極大値を
とる。

(2) ₀の変化による反射率Ｒの変化は、d₁＝2100
Å近傍で極小値をとるが、d₁の変化による反射
率の変化は、この近傍でかなり大きいことが分
かる。

従つて入射角の変化に伴う反射率の変化による
有効スポツトサイズの変化を極小にして印字品質
を保つには、d₁＝2100Åの膜厚を選べば良い。し
かし、その場合、回転多面鏡５０の反射率Ｒは、
極大値をとれず、尚かつ製作誤差による保護膜d₁
の不均一によつて反射率が大きく変化するという
問題がある。

(1) 回転多面鏡５０の反射率が高い点、 (2) 回転多面鏡５０の保護膜厚d₁の変動に対して
反射率の変化が小さい点、 (3) 回転多面鏡５０に対するレーザービームの入
射角の変化に関係なく反射率が一致する点、があれば、入射角に関わらず走査方向の各位置に
おいて均一な有効スポツトサイズを得ることがで
き、また、回転多面鏡５０を高反射率で使用する
ことができる光ビーム走査装置を提供することが
できる。

膜厚d₁を2100Åにすると、比較的高い反射率
で、しかも入射角の変化に対応する反射率の差を
最小にすることができる。しかし、前述のように
膜厚変化に伴う回転多面鏡５０の反射率の変化が
大き過ぎる。この為この膜厚で使用することは、
保護膜を形成する際に誤差が生じた場合、影響が
大き過ぎる為好ましくない。

そこで本実施例では、保護膜形成時に厚さの誤
差があつても、回転多面鏡５０の反射率Ｒが安定
し、しかも反射率が高い最初の極大点付近の膜厚
を用いるようにする。本実施例では、3000Å程度
の膜厚にする。極大点は、他にも何箇所かある
が、第４図のように膜厚がレーザー波長λに対
し、λ／２をこえた領域では、各入射角の反射率変化特性が共通している極大点を見つける事は困難
である。又、実際にはSiO₂の保護膜５１の透過
率は1.0とはならないので、保護膜５１内を通過
中にレーザービームは減衰する。このため反射率
は膜厚d₁が増すにつれて徐々に低くなると考えら
れる。これらの理由により、膜厚d₁は最初の極大
点となる3000Å程度にするのが望ましい。

そして回転多面鏡５０に対するレーザービーム
の入射角₀が変化することによつて反射率Ｒが
変化することにより、レーザービームの光強度が
減衰する量が変化するのを補償するために、変調
器１００によつて半導体レーザーダイオードに流
す駆動電流、すなわち光出力を補正制御する。

変調器１００の構成及びその動作特性を第５図
及び第６図を用いて説明する。

第５図は変調器１００のブロツク図、第６図は
変調に関る信号を示したものである。

バイアス電流制御回路１０１は、バイアス用電
流源１０３の電流容量を制御してバイアス電流I₁
を適正値に制御する。この適正値制御は、回転多
面鏡５０に対するレーザービームの入射角変化に
応じて変化する感光ドラム上の有効スポツトサイ
ズの変化を補償するように半導体レーザーダイオ
ードLDへのバイアス電流I₁を制御するものであ
る。

光出力制御回路１０５は、受光素子PDによつ
て光電変換される半導体レーザーダイオードLD
の発行量を検出し、この発行量に基づき、定電流
源１０７の定電流源電流I₂を制御して発光時の半
導体レーザーダイオードLDの光出力を一定値に
保持する機能を持つ。

スイツチングトランジスタ１０９，１１１は、
半導体レーザーダイオードLDの駆動電流を記録
情報信号に従いパルス変調する為に設けられる。
両トランジスタは差動的にオン・オフし、トラン
ジスタ１０９がオンのときトランジスタ１１１は
オフとなる。記録情報信号は、トナーを付着させ
る位置では、トランジスタ１１１をオフして半導
体レーザーダイオードLDの発光を停止する。ト
ナーを付着させない位置では、スイツチングトラ
ンジスタ１１１がオンする。このときにスイツチ
ングトランジスタ１１１に流れる電流I₂は、光出
力制御回路１０５によつて定電流源１０７に設定
された値となる。

従つて半導体レーザーダイオードLDには、電
流I₁，I₂が重畳した駆動電流が流れ、これにより
半導体レーザーダイオードLDの発光は、パルス
変調と強度補正制御される。

この駆動電流を制御する上記回路は、以下に述
べる事から、バイアス制御回路１０１と光出力制
御回路１０５に分けてそれぞれの電流I₁，I₂を独
立に制御することができる。

半導体レーザーダイオードLDの発光強度は、
駆動電流に比例するが、ある駆動電流（スレツシ
ヨルド電流）以下では発光しない。半導体レーザ
ーダイオードLDのこのスレツシヨルド電流は、
40〜100mA程度である。これに対し、バイアス
電流I₁の最大値をI_Bmax＝10mA程度に設定する
とその範囲内で30％以上の光出力補正を得ること
ができる。これにより駆動電流をバイアス電流I₁
とパルス変調電流I₂とに分けて無関係に流したと
しても、バイアス電流I₁は、スレツシヨルド電流
以下ですむから光出力のパルス変調には悪影響を
与えない。従つて半導体レーザーダイオードLD
の光出力補正のための駆動電流制御は、バイアス
電流I₁とパルス変調電流I₂を独立に制御すること
ができる。

第６図に示すように一走査周期はＴであり、こ
の間において回転多面鏡５０によるレーザービー
ム反射率は86％から93％まで変化する。

半導体レーザーダイオードLDを駆動するバイ
アス電流I₁を適正値に制御する為に、バイアス電
流制御回路１０１の出力回路にバイアス用電流源
１０３が接続される。

このバイアス電流制御回路１０１はプリセツタ
プルアツプダウンカウンタとＤ／Ａ変換器を備
え、印字信号発生器５００からのリセツト信号に
より、バイアス電流I₁が基準値になるようにこの
アツプダウンカウンタがリセツトされる。レーザ
ー変調信号S₁のビーム位置検出用レーザー点灯期
間をτ_Bとすると、このτ_Bの開始時と同時に、前記
リセツト信号が入る。そして、同期信号S₂が入る
までバイアス電流I₁は、基準値に保たれる。同期
信号S₂が入ると同時に、アツプダウンカウンタは
ダウンモードとして減算を開始する。このカウン
タの値をＤ／Ａ変換器でアナログ量に変換してバ
イアス電流用電流源１０３の電流容量を制御し、
バイアス電流I₁を制御する。バイアス電流I₁は、
本実施例では第６図に示すように、反射ビームの
光の有効スポツトサイズの変化に対応して三角波
で近似して制御される。高精度を要する時は、反
射ビーム光の有効スポツトサイズ変化に、より精
確に対応させてバイアス電流I₁を制御すれば良
い。

光出力制御回路１０５は、コンパレータとアツ
プダウンカウンタと増幅器とＤ／Ａ変換器を内蔵
している。半導体レーザーダイオードLDの光出
力は、受光素子PDにより検出され、増幅器によ
り増幅され、コンパレータで基準値と比較され
る。その結果、光出力が不足であればアツプダウ
ンカウンタをアツプモードとして加算し、逆に出
力オーバーであればダウンモードとして減算す
る。このカウンタの値をＤ／Ａ変換器でアナログ
量に変換して定電流源１０７の電流容量を制御
し、定電流源電流I₂を制御する。この制御はビー
ム位置検出用レーザー点灯期間τ_Bと同時に開始さ
れ、同期信号発生器４００からの同期信号S₂が入
ると同時にそのときの内容が保持される。

同期信号発生器４００は、光検出器３００から
の信号をとりこみ、同期信号S₂をバイアス電流制
御回路１０１と印字信号発生器５００に送る。

印字信号発生器５００は、同期信号発生器４０
０からの同期信号S₂をもとに、その後の時間管理
によつて、記録期間τ_Dの間レーザー変調信号S₁ス
イツチングトランジスタ１０９に送り、また、期
間τ_Bの開始と同時にバイアス電流制御回路１０１
に前述のリセツト信号を送る。

以上を総合すると本実施例の動作は、次のよう
になる。光ビーム位置検出用レーザー点灯期間τ_B
の開始と同時にバイアス電流I₁は、最大値に設定
される。この状態で半導体レーザーダイオード
LDの光出力が所定値となるように、定電流源１
０７が、受光素子PDと光出力制御回路１０５に
よつてフイードバツク制御される。

そしてレーザービームが、光検出器３００に入
力されると同期信号S₂が発生し、これによつて前
記定電流源１０７のフイードバツク制御による定
電流源電流I₂が固定される。このとき回転多面鏡
５０に対する光ビームの入射角₀は30°であり、
反射率Ｒは、86％である。これと同時に、バイア
ス制御回路１０５のカウンタ減算を開始するの
で、バイアス電流I₁は、次第に減少し、これに伴
つて半導体レーザーダイオードLDの光出力も減
少する。しかし、これに反して回転多面鏡５０に
対する光ビームの入射角₀が大きくなつて反射
率Ｒが大きくなるので、回転多面鏡５０から反射
されるレーザービームの光強度は変化しない。従
つて感光ドラム１の表面に形成される光ビームス
ポツトの有効スポツトサイズは、走査位置によつ
て変化しない。

期間τ_D中、半導体レーザーダイオードLDの駆
動電流となるI₂は、スイツチングトランジスタ１
１１によつて情報記録信号に従つてオン・オフさ
れるが、オフの時に、駆動電流として流れるバイ
アス電流I₁は、前述のようにスレツシヨルド電流
以下であるので、画像記録の為の光出力のオン、
オフに影響はない。

以上のように本実施例によれば、走査位置に関
係なく均一な有効スポツトサイズで走査露光を行
なうことができ、印字品質が向上する。しかも半
導体レーザーダイオードへの駆動電流を制御する
制御回路を、発光強度補正用のバイアス電流を流
すバイアス制御回路と印字用の信号電流を流す光
出力制御回路とに分けて独立に電流を制御するよ
うにしたので、お互いに影響される事なくバイア
ス電流制御と印字信号電流を自由に制御する事が
できる。

そして回転多面鏡５０を最も反射率の高い領域
で用いることができるため、レーザービーム光量
の減少が少なく、半導体レーザーダイオードの負
担が軽減する。

また、回転多面鏡５０が極大反射率を得られる
保護膜厚の近傍では、保護膜厚変化による反射率
変化が緩やかで、多面鏡の製作の際、品質管理が
容易となる。

本実施例では、レーザービームの反射率変化の
補償を三角波のバイアス電流で近似的に行なつた
が、より高い精度が要求される場合には、バイア
ス電流波形の近似をより精確に行うことにより、
より良い印字品質を得ることができる。

上記実施例は、走査形の記録装置であるが、本
発明の光ビーム走査装置は走査形の画像読み取り
装置にも適用できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、偏向器への光ビームの入射角
度に関らず走査面上に均一な光強度の光ビームス
ポツトを得ることができるため、走査精度の高い
光ビーム走査装置が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂは、光強度と有効スポツトの関係
を示すもので、Ａは被走査面上に結像した光ビー
ムスポツトの光強度分布、Ｂは感光体が感光する
有効スポツト形状の平面図である。第１図Ｃ〜Ｅ
は、有効スポツトサイズと走査線ピツチと印字状
態の関係を示すもので、Ｃは光強度が「強」の場
合、Ｄは光強度が「中」の場合、Ｅは光強度が
「弱」の場合を示す。第２図は、レーザービーム
プリンタの概略構成を示す斜視図である。第３図
は、回転多面鏡５０による偏向走査挙動を示すも
ので、Ａは走査開始位置での回転多面鏡５０によ
る光ビーム偏向状態を示し、Ｂは走査終了位置で
の回転多面鏡による光ビーム偏光状態を示し、Ｃ
はレーザービームの、保護膜と基材に対する入反
射状態を示す。第４図は、保護膜d₁と反射率Ｒの
関係を入射角毎に示す特性図である。第５図は変
調器１００のブロツク図、第６図は変調に関る信
号を示すタイミングチヤートである。１１……レーザーダイオードユニツト、LD…
…半導体レーザーダイオード、５０……回転多面
鏡、１００……変調器、１０１……バイアス電流
制御回路、１０３……バイアス電流用電流源、１
０５……光出力制御回路、１０７……定電流源。

Claims

【特許請求の範囲】１レーザー光源と、レーザー光源への供給電流を制御し光出力を制
御する電流制御回路と、レーザー光源から出力された光ビームを偏向さ
せる偏向器と、走査面上に光ビームスポツトを形成させる結像
光学系と、を備えた光ビーム走査装置において、前記電流制御回路は、偏向器への光ビームの入
射角変化に応じて変化する反射ビーム光量を補償
するようにレーザー光源への駆動電流を偏向器へ
の光ビームの入射角に対応して制御する制御回路
を備えることを特徴とする光ビーム走査装置。２特許請求の範囲第１項において、前記偏向器は、鏡面体を備え、その鏡面体には
反射率が極大値付近となるような厚さの保護膜を
形成したことを特徴とする光ビーム走査装置。３特許請求の範囲第１項において、前記電流制御回路は、レーザー光源に反射ビー
ム光量の変化を補償するためのバイアス電流を流
すバイアス制御回路と印字信号電流を流す光出力
制御回路を備え、前記バイアス制御回路と光出力
制御回路は、独立に前記電流を制御することを特
徴とする光ビーム走査装置。４特許請求の範囲第３項において、前記バイアス制御回路は、バイアス電流を三角
波で近似して反射ビーム光量の変化を補償するこ
とを特徴とする光ビーム走査装置。５特許請求の範囲第１項において、前記偏向器は、回転多面鏡からなることを特徴
とする光ビーム走査装置。６特許請求の範囲第１項において、前記偏向器は、ガルバノミラーからなることを
特徴とする光ビーム走査装置。