JPH0475838B2

JPH0475838B2 -

Info

Publication number: JPH0475838B2
Application number: JP60283993A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Matsuda; Takashi Nakagiri; Yoshinori Tomita; Kenji Saito; Toshihiko Myazaki; Toshiaki Kimura
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-12-17
Filing date: 1985-12-17
Publication date: 1992-12-01
Also published as: JPS62142688A

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］本発明は、光記録媒体を用いた光記録方法に関
し、特に１枚の光デイスクで変色記録とピツト記
録との併用、すなわち３値記録を可能とし、且つ
低出力の半導体レーザーを用いた場合でも、高密
度、光記録が可能であり、省エネルギーの面で有
利な光記録方法に関する。［従来の技術］最近、オフイスオートメーシヨンの中心的な存
在として光デイスク、光カード、光テープ（以
下、光デイスクと総称する）等の光記録媒体が注
目されている。例えば、光デイスクは、１枚のデイスク中に大
量の文書、文献等の整理、管理が効率良く実施で
きるという利点を有している。このような、光デイスク技術で用いる記録層
は、光学的に検出可能な小さなドツト（例えば
1μｍ程度）をらせん状又は円形トラツク形態に
して、高密度情報を記録することができる。この光デイスク技術に用いるデイスクとして
は、例えばレーザーに対して感応する材料からな
る記録層を基板上に設けた構成のものが代表的で
ある。この光デイスクに情報を書き込むには、レ
ーザー感応層（記録層に集束したレーザーを走査
し、このレーザー光線が照射された表面のみにド
ツトを形成させ、記録情報に応じてこのドツトを
らせん状又は円形トラツクの形態で形成する。す
なわちレーザー感応層は、レーザーエネルギーを
吸収して光学的に検出可能なドツトを形成でき
る。例えば、ヒートモード記録方式では、レーザ
ー感応層は熱エネルギーを吸収し、その箇所に蒸
発又は融解による小さな凹部（ピツト）からなる
ドツトを形成できる。また、別のヒートモード記録方式では、照射さ
れたレーザーエネルギーの吸収により、その箇所
に光学的に検出可能な変色部からなるドツトを形
成できる。この光デイスクに記録された情報は、レーザー
をトラツクに沿つて走査し、ドツトが形成された
部分と形成されなかつた部分の光学的変化を読み
取ることによつて検出される。例えば、基板の反
射面上に記録層を設けた構成のデイスクを用いた
場合には、レーザーがトラツクに沿つて走査さ
れ、デイスクによつて反射されたエネルギーがフ
オトデイテクターによつてモニターされる。その
際、ピツト記録の場合には、ピツトが形成されて
いないところでは、フオトデイテクターの出力は
低下し、一方ピツトが形成されているところで
は、レーザー光線は下層の反射面によつて充分に
反射されフオトデイテクターの出力は大きくな
る。このような光デイスクの記録層としては、従来
からアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマ
ス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト系非晶
質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものなど
各種のものが検討されてきたが、価格、製造の容
易さから有機材料を用いたものが注目されてい
る。一方、従来のヒートモード方式は、ドツトを形
成するかしないかの２値記録であるため、より高
密度な記録を実施する上で限界があつた。［発明が解決しようとする問題点］本発明は、かかる従来の問題点を解決するため
になされたものであり、本発明者らはアズレニウ
ム塩化合物とジアセチレン誘導体化合物とを組合
せて光記録媒体に記録層を形成することによつ
て、１枚の光デイスクで変色記録とピツト記録と
が可能であり、しかも低出力の半導体レーザーを
用いた場合でも変色記録とピツト記録とを同程度
の速さで行うことを見出し本発明を完成した。本発明の目的は、１枚の光デイスクで２種のド
ツトによる３値記録を可能とする光記録方法を提
供することにある。本発明の他の目的は、小型軽量で低出力の半導
体レーザーにより光書込みが可能であり、且つ高
速記録が可能な光記録方法を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、高密度、高感度、高解像
度での記録が可能な光記録方法を提供することに
ある。本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品
質な記録画像を得ることのできる光記録方法を提
供することにある。［問題点を解決するための手段］上記の目的は、以下の本発明によつて達成され
る。すなわち本発明は、少なくとも親水性と疏水性
部位を併有するジアセチレン誘導体化合物の単分
子膜又はその累積膜と、下記一般式（）で表わ
される骨格を有するアズレニウム塩化合物を含む
記録層を有して成る光記録媒体に、紫外線を照射
し、次いで記録情報に応じて露光量を制御した光
を照射し、露光量Q₁の光で変色を起こし、露光
量Q₂の光で凹部からなるピツトを形成する工程
（ただし、Q₁＜Q₂）を含むことを特徴とする光記
録方法である。（式中、R₁〜R₇は、水素原子、ハロゲン原子又
は１価の有機残基を表わす。）［作用］本発明の方法に用いる光記録媒体に含有される
親水性部位及び疏水性部位を併用するジアセチレ
ン誘導体化合物（以下、DA化合物と略称する）
とは、隣接する分子中のＣ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ官能基間
において１、４−負荷重合反応が可能な化合物、
代表的には下記一般式Ｈ（CH₂）_n−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（CH₂）_o−Ｘ（式中、Ｘは、親水性部位を形成する親水性基で
あり、ｍ、ｎは整数を表わす）で表わされる化合
物が含まれる。この場合における親水性基Ｘとしては、例えば
カルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニト
リル基、チオアルコール基、イミノ基、スルホン
酸基、スルフイニル基又はその金属もしくはアミ
ン塩が挙げられる。疎水性部位を形成するＨ
（CH₂）^- _nで表わされるアルキル基としては、炭素
原子数が10〜30の長鎖アルキル基が好ましい。ま
たｍ＋ｎは10〜30の整数が適当である。一方、本発明で用いる前記一般式（）で表わ
される骨格を有するアズレニウム塩化合物（以
下、AZ化合物と略称する）は、750nｍ以上の波
長域に吸収ピークを有し、この波長の赤外線によ
り発熱する化合物である。前記一般式（）を含むAZ化合物は、次の３
種に分類できる。（）〜（）に示す化合物において、R₁〜
R₇は、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機
残基を表わす。１価の有機残基としては、アルキル基、アルコ
キシ基、置換もしくは未置換アリール基、アシル
基、置換もしくは未置換アミノ基、ニトロ基、ヒ
ドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基又は置換
もしくは未置換アリールアゾ基を挙げることがで
きる。Ａは２種結合によつて結合した２価の有機残基
を表わし、以下に具体例を示す。Ｚは、パークロレート、フルオロボレート、
ｐ−トルエンスルホネート、パーアイオダイド、
クロライド、ブロマイド又はアイオダイドなどの
アニオン残基を表わす。本発明に用いるAZ化合物の具体例を以下に示
す。本発明に用いる光記録媒体は、前記DA化合物
の単分子膜又は単分子累積膜とAZ化合物とを含
有してなり、１層混合系、２層分離系又は多層積
層系のいずれの構成でも良い。ここで１層混合系とは、DA化合物とAZ化合
物との混合層からなるものを、２層分離系とは、
DA化合物を含む層とAZ化合物を含む層とが分
離積層されているものを、多層積層系とは、DA
化合物を含む層の１以上と、AZ化合物を含む層
の１以上とが、所定の層数積層された、上記２層
分離系を含まない構成のものをそれぞれいう。本発明に用いる光記録媒体の代表的な構成を第
１図ａ，ｂ、第２図ａ，ｂに示す。第１図ａ，ｂは、１層混合系の記録層１５が基
板１１上に設けられているものであり、１実施例
態様としては第４図ａ，ｂに示すように、DA化
合物１６−１とAZ化合物１６−２との混合単分
子膜が形成されたもの、又はDA化合物１６−１
とAZ化合物１６−２との混合単分子累積膜から
まるものである。一方、第２図ａ，ｂは、２層分離系、すなわち
DA化合物を含む層１５−１とAZ化合物を含む
層１５−２とからなる記録層１５が基板１１上に
設けられているものであり、１実施態様としては
第３図ａ，ｂに示すように、基板上にAZ化合物
を含む層２１を設け、さらにその上にDA化合物
の単分子膜が積層されたもの、あるいはAZ化合
物を含む層２１上にDA化合物の単分子累積膜が
積層されたものである。尚、AZ化合物を含む層２１は後述するように、
単分子膜又は単分子累積膜として形成しても良
い。本発明に用いる光記録媒体の基板１１として
は、ガラス、アクリル樹脂のプラスチツク板、ポ
リエステル等のプラスチツクフイルム、紙、金属
等の各種の材料が使用できるが、基板側から幅射
線を照射して記録を実施する場合には、特定波長
の記録用幅射線を透過するものを用いる。基板１１上にDA化合物とAZ化合物との混合
単分子膜又は混合単分子累積膜を形成する等の方
法によつて得ることができる。基板１上にこのような単分子膜又は単分子累積
膜からなる記録層２を形成するには、例えば、I.
ラングミユアらの開発したラングミユア・ブロジ
エツト法（単分子累積膜形成法、以下LB法とい
う）が用いられる。 LB法は、分子内に親水基と疎水性基を有する
構造の分子において、両者のバランス（両親媒性
のバランス）が適度に保たれているとき、分子は
水面上で親水基を下に向けて単分子膜または単分
子層の累積膜を作成する方法である。水面上の単
分子層は二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに
散開しているときは、一分子当りの面積Ａと表面
積Πとの間に二次元理想気体の式、 ΠA＝kT が成り立ち、“気体膜”となる。ここに、ｋはボ
ルツマン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを充分小
さくすれば分子間相互作用が強まり二次元固体の
“凝縮膜（または固体膜）”になる。凝縮膜はガラ
スなどの基板の表面へ一層ずつ移すことができ
る。また、２以上の化合物からなる、いわゆる混合
単分子膜または混合単分子累積膜も上述と同様の
方法により得られる。このとき、混合単分子膜ま
たは混合単分子累積膜を構成する２以上の化合物
のうち少なくともその１つが親水性部位と疎水性
部位とを併有するものであれば良く、必ずしもす
べての化合物に親水性部位と疎水性部位との併有
が要求されるものではない。すなわち、少なくと
も１つの化合物において両親媒性のバランスが保
たれていれば、水面上に単分子膜が形成され、他
の化合物は両親媒性の化合物に挟持され、結局全
体としての分子秩序性のある単分子層が形成され
る。この方法を用いて、本発明の記録層を構成する
DA化合物とAZ化合物との混合単分子膜または
混合単分子累積膜は例えば次のようにして製造さ
れる。まず、DA化合物とAZ化合物とをクロロホル
ム等の溶剤に溶解し、これらの化合物を膜状に展
開させた展開層を水面上に形成する。次にこの展
開層が水面上を自由に拡散して拡がりすぎないよ
うに仕切板（または浮子）を設けて展開面積を制
限して膜物質の集合状態を制御し、その集合状態
に比例した表面圧Πを得る。この仕切板を動か
し、展開面積を縮小して膜物質の集合状態を制御
し、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適
する表面圧Πを設定することができる。この表面
圧を維持しながら静かに清浄な基板を垂直に上下
させることにより、DA化合物とAZ化合物の混
合単分子膜が基板上に移しとられる。混合単分子
膜はこのようにして製造されるが、混合単分子累
積膜は、前記の操作を繰り返すことにより所望の
累積度の混合単分子累積が形成される。単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸
漬法の他、水平付着法、回転円筒法などの方法に
よる。水平付着法は基板を水平に接触させて移し
とる方法で、回転円筒法で、円筒型の基体を水面
上に回転させて単分子層を基体表面に移しとる方
法である。前述した垂直浸漬法では、水面を横切
る方向に基板を上げると一層めは親水基が基板側
に向いた単分子層が基板上に形成される。前述の
ように基板を上下させると、各工程ごとの１枚ず
つ単分子層が重なつていく。成膜分子の向きが引
上げ工程と浸漬工程で逆になるので、この方法に
よると、各層間は親水基と親水基、疎水基と疎水
基が向かい合うＹ型膜が形成される。それに対し、水平付着法は、基板を水面に水平
に接触させて移しとる方法で、疎水基が基板側に
向いた単分子膜が基板上に形成される。この方法
では、累積しても、成膜分子の向きの交代はなく
全ての層において、疎水基が基板側に向いたＸ型
膜が形成される。反対に全ての層において親水基
が基板側に向いた累積膜はＺ型膜と呼ばれる。回転円筒法は、円筒型の基体を水面上に回転さ
せて単分子膜を基体表面に移しとる方法である。
単分子膜を基板上に移す方法は、これらに限定さ
れるわけではなく、大面積基板を用いる時には、
基板ロールから水槽中に基板を押し出していく方
法などもとり得る。また、前述した親水基、疎水
基の基板への向きは原則であり、基板の表面処理
等によつて変えることのできる。これらの単分子膜の移し取り操作の詳細につい
ては既に公知であり、例えば「新実験科学講座18
界面とコロイド」（498〜507頁、丸善刊）に記載
されている。このようにして、基板上に形成される混合単分
子膜又は混合単分子累積膜は、高密度で高度の秩
序性を有しているので、場所による光吸収のバラ
ツキは極て小さい。従つて、このような膜によつ
て記録層を構成することにより、DA化合物と
AZ化合物との機能に応じて、光記録、熱的記録
が可能な高密度、高解像度の記録機能を有する記
録媒体が得られる。また、２層分離系もしくは多層積層系の記録層
１５を形成する場合には、DA化合物の単分子膜
又は単分子累積膜からなる層１３，１４の１以上
とAZ化合物を含む層２１の１以上とを基板上に
所定の層数及び順序で積層すれば良い。この場合におけるDA化合物の単分子膜又は単
分子累積膜からなる層１３，１４は、DA化合物
を含む展開用の溶液を調製して、上記LB法によ
り、基板１１上もしくは他の層上に形成できる。 AZ化合物を含む層２１は、AZ化合物を適当な
揮発性溶液に溶解して調製した塗布液を基板１１
上もしくは他の層上にしゆていに膜厚が得られる
ように塗布した後、これを乾燥させて形成でき
る。あるいはAZ化合物に、ステアリン酸、アラキ
ジン酸などの高分子脂肪酸のような両親媒性のバ
ランスに優れた有機高分子を担体分子として、任
意の比率で使用して、上記のLB法により単分子
膜又は単分子累積膜として形成することもでき
る。 AZ化合物を含む層を塗布法で形成する場合の
塗布溶液形成用に溶媒は、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等のアルコール類、アセト
ン、メチルエチルエトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、アセトニトリル等の脂肪族ニトリル
類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエチ
レン、四塩化炭素、トリクロロエチレン等の脂肪
族ハロゲン化炭化水素等が挙げられ、塩化メチレ
ン、アセトニトリルが特に好適である。尚、上記塗布液には、基板１１あるいは他の層
との密着性を向上させるために、適時天然もしく
は合成高分子からなるバインダを添加しても良
い。また、記録層１５の安定性、品質向上を計る
ために各種の添加剤を加えても良い。このような塗布液の基板１１上への塗工は、ス
ピンナー回転塗布法、浸漬コーテイング法、スプ
レーコーテイング法、ピードコーテイング法、ワ
イヤーバーコーテイング法、ブレードコーテイン
グ法、ローラーコーテイング法、カーテンコーテ
イング法等の手法が用いられる。記録層１５が１層混合系の場合は、その膜厚
は、200Å〜2μ程度が適しており、特に400〜
5000Åの範囲が好ましい。また２層分離系の場合
の各層の膜厚は、100Å〜1μ程度が適しており、
特に200〜5000Åの範囲が好ましい。更に、多層
積層系の場合には、個々のDA化合物を含む層の
膜厚の総和及び個々のAZ化合物を含む層の膜厚
の総和がともに、100Å〜1μ程度が適しており、
特に200〜5000Åの範囲が好ましい。記録層１１内でのDA化合物とAZ化合物との
混合比は１／15〜15／１程度が好ましく、最適に
は１／10〜10／１である。尚、必要に応じてこのように構成される記録層
の上に各種の保護層を設けても良い。また、２層分離系や多層積層系の場合の各層の
積層順序に関係なく、本発明は成立するものであ
る。尚、必要に応じてこのように構成される記録層
の上に各種の保護層を設けても良い。このようにして構成される記録媒体を用いて本
発明の光記録方法を実施することができる。この記録媒体においては、DA化合物に光を加
えることにより、記録層の吸収波長が変化して見
掛けの色が変化する。すなわち、DA化合物は、
初期にはほぼ無色透明であるが、紫外線を照射す
ると重合し、ポリジアセチレン誘導対化合物へと
変化する。この重合は紫外線照射によつてのみ起
こり、熱等の他の物理的エネルギーの印加によつ
ては生じない。この重合の結果、620〜66nｍに
最大吸収波長を有するようになり、青色ないし暗
色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は
不可逆変化であり、一度青色へ変化した記録層は
無色透明膜へとは戻らない。更に、この青色へと変化したポリジアセチレン
誘導体化合物とAZ化合物とを含有した記録層は、
照射された光の露光量に応じた温度で発熱する。
その際、記録層１５が溶融せず、且つポリジアセ
チレン誘導体化合物が約50℃以上に加熱された場
合には、記録層の露光部は約540nｍに最大吸収
波長を有することになり、赤色膜へと変化する。
尚、この赤色膜への変化も不可逆変化である。更に、露光量を上昇させ、露光量がある限度を
越えると記録層の露光部は溶融する。本発明の記録方法は、このようなDA化合物と
AZ化合物との組合せによつて得られる特性を利
用して記録を実施するものである。本発明の方法に用いる半導体レーザーとして
は、出力波長820〜840nｍのGa・As接合レーザ
ーを使用するのが特に好適である。本発明の方法を実施するに際して、光記録媒体
として化合物とAZ化合物とを含有させて構成し
た記録層を有するものを用いる場合には、先ず、
記録層全体に紫外線を照射する。この紫外線の照
射によつて、前述したように記録層中DA化合物
が重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物へ変化
し、記録層は青色の膜へと変色する。一方、入力情報は、制御回路を経て半導体レー
ザーにより光信号に変換される。この光信号は光
学系を経て、例えば光記録媒体載置手段上に載置
され、同期回転している記録媒体の所定の位置に
第１図ａに示すように結像される。結像位置は記
録媒体の記録層１５である。結像点（部位）１８−１，１８−２における露
光量は、変色記録のための、ポリジアセチレン誘
導体化合物が約50℃以上に加熱されるが、記録層
１５を溶融しない程度の温度にするのに充分な量
（Q₁）と、ピツト記録のための記録層１５を溶融
するのに充分な量（Q₂）とに制御される（但し、
Q₁＜Q₂）。このように結像点の露光量を変化させるには、
半導体レーザーの強度を変化させるか、レーザー
の照射時間を変化させる、もしくはこれらを併用
するなどの方法を用いればよい。尚、２種の露光
量の照射を実施するに際しては、１台の半導体レ
ーザーを用いて上記のような制御を行つても良い
し、異なる露光量の得られる複数の半導体レーザ
ーを用いても良い。結像点（部位）１８−１，１８−２に存在する
AZ化合物は、このレーザービーム１７−１，１
７−２を吸収し発熱する。ここで、前述したQ₁の露光量を受けた結像点
１８−１は、AZ化合物の発熱によりポリジアセ
チレン誘導体化合物が加熱されるので赤色に変化
して、未露光部の青色と識別可能な変色部からな
るドツト１９となる。尚、DA化合物のみからな
る記録層を有する光記録媒体では、ポリジアセチ
レン誘導体化合物がこの800〜850nｍの波長のレ
ーザーに対する感応性を有していないので、この
波長の半導体レーザーを用いた場合には、変色に
よる光記録は不可能である。一方、前述したQ₂の露光量を受けた結像点１
８−２は、AZ化合物の発熱によりその部分が溶
融し、第１図ｂに示すように凹部からなるピツト
が形成される。その際、本発明に用いる記録媒体の記録層１５
は、前述のようにAZ化合物にポリジアセチレン
誘導体化合物が組合わされて構成されているの
で、すなわちポリジアセチレン誘導体化合物が存
在することにより、記録層の溶融に要するエネル
ギーを著しく減少させることができ、AZ化合物
による上述のピツト形成が大幅に促進される。このようにして入力情報に応じて記録層１５に
変色部１９とピツト２０の２種の形態の異なるド
ツトによる光記録、すなわち３値記録が実施され
る。しかも、本発明に用いる光記録媒体は、変色
記録及びピツト記録双方に対し、高感度を有して
いるので、このような３値記録を高速で行うこと
ができる。以上、１層混合系の記録層を有する光記録媒体
も用いた場合について説明したが、第２図ａ，ｂ
に示したような２層分離系を用いた場合には、結
像点１８−１，１８−２は、第２図ａに示すよう
にAZ化合物を含む層１５−２とされる。このよ
うにレーザー１７−１，１７−２が照射される
と、記録情報に応じた結像点１８−１，１８−２
の露光量Q₁、Q₂に応じてAZ化合物が発熱し、第
２図ｂに示すように変色部からなるドツト１９又
は凹部からなるピツト２０が形成される。以上のようにして記録された２種のドツトは、
所望により、両者を一度にあるいは一方のみを読
取ることができる。尚、光記録媒体としては、上述の例では円盤上
のデイスク（光デイスク）が用いられたが、もち
ろん、DA化合物とAZ化合物を含有する記録層
を支持する基板の種類により、光テープ、光カー
ド等としても使用できる。［実施例］本発明を更に具体的に説明するために、以下に
実施例を挙げる。尚、単分子膜作成において第５
図に示す装置を用いた。実施例１ C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−COOHで表
わされるジアセチレン誘導体化合物１重量部と前
記の染料No.１で表わされるアズレニウム塩化合物
１重量部とをクロロホルムに３×10^-3モル／１の
濃度で溶解した溶液を、pHが6.5で塩化カドミウ
ム濃度が１／10モル／１の水槽上に展開した。溶
媒のクロロホルムを除去した後、表面圧を一定に
保ちながら、充分に洗浄し、表面が親水性となつ
ているガラス基板を、水面を横切る方向に上下速
度1.0cm／分で静かに上下させ、DA化合物とAZ
化合物との混合単分子膜を基板上に移し取り、混
合単分子膜ならびに21層41層及び81層に累積した
混合単分子累積膜を基板上に形成した記録媒体を
作成した。このようにして得た記録媒体のそれぞれに、ま
ず254nｍ波長の紫外線を均一かつ充分に照射し、
記録層を青色膜にした。次に、この青色膜化された記録層を有する記録
媒体に、そのレーザー出力を変化できる830nｍ
の波長の半導体レーザー（最大出力：10ｍＷ、レ
ーザービーム径：1μｍ、照射時間：200ns／１ビ
ツト）を入力情報に従い照射し、本発明の光記録
を実施した。尚、ピツト記録指令の時は、レーザ
ー出力を８ｍＷとし、変色記録指令の時は、レー
ザー出力を４ｍＷとした。この記録結果の評価を第１表に示す。評価はピツト及び変色の両方の記録における感
度、解像度、記録部と未記録部とのコントラスト
比（鮮明性）について総合的に評価し、特に良好
なものを◎、良好なものを○、記録ができないか
又は不良なものを×とした。実施例２ジアセチレン誘導体化合物の量を５重量部、ア
ズレニウム塩化合物の量を１重量部として使用し
たことを除き、実施例１と同様の方法により記録
媒体を得、これに記録を行い、評価した。その記
録結果を第１表に示す。実施例３ C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−COOHで表
わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、
C₈H₁₇−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₂H₄−COOHで示さ
れる化合物を用いたことを除いては実施例１と同
様の方法により記録媒体を得、これに光記録を行
い、その記録結果を評価した。この結果を第１表
に示す。実施例４染料No.１で表わされるアズレニウム塩化合物に
代え、染料No.６で表わされるアズレニウム塩化合
物を用いたことを除いて実施例１と同様の方法に
より記録媒体を得、これに光記録を行い、その記
録結果を評価した。この結果を第１表に示す。実施例５染料No.１で表わされるアズレニウム塩化合物を
ジクロロエチレン10重量部に溶解し、塗布液を調
製した。次に、ガラス製のデイスク基板（厚さ1.5mm、
直径200mm）をスピナー塗布機に装着し、前記塗
布液をデイスク基板の中央部に少量滴下した後、
所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させて
塗布し、常温で乾燥し、基板上に塗布液を塗布し
て、膜厚が200Åのアズレニウム塩化合物を含む
層を形成した。このようにしてアズレニウム塩化合物を含む層
を形成した後、C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆
−COOHで表わされるジアセチレン誘導体化合
物をクロロホルムに３×10^-3モル／１の濃度で溶
解した溶液を、pHが6.5で塩化カドミウム濃度が
１×10^-3モル／１の水槽上に展開した。溶媒のク
ロロホルムを除去した後、表面圧を一定に保ちな
がら、アズレニウム塩化合物を含む層を有するガ
ラス基板を、水面を横切る方向に上下速度1.0
cm／分で静かに上下させ、アズレニウム塩化合物
を含む層の表面にDA化合物の単分子膜を移し取
り、41層及び81層に累積した単分子累積膜を含む
記録媒体を作成した。このようにして得た記録媒体に、まず254nｍ
の紫外線を均一かつ充分に照射し、記録層を青色
膜にした。次に、この青色膜化された記録層を有
する記録媒体に、実施例１と同様にして光記録を
実施し、これを評価した。その結果を第１表に示
す。実施例６ C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−COOHで表
わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、
C₈H₁₇−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₂H₄−COOHで示さ
れる化合物を用いたことを除いては実施例５と同
様の方法により記録媒体を得、これに光記録を行
い、その記録結果を評価した。この結果を第１表
に示す。実施例７染料No.１で表わされるアズレニウム塩化合物に
代え、染料No.13で表わされるアズレニウム塩化合
物を用いたことを除いて実施例５と同様の方法に
より記録媒体を得、これに光記録を行い、その記
録結果を評価した。この結果を第１表に示す。

【表】＊２：ピツト記録
［発明の効果］本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。 (1) 記録層にアズレニウム塩化合物とポリジアセ
チレン誘導体化合物とが組合わされて含有され
いるので、小型軽量の半導体レーザーを用いて
１枚の記録媒体で変色記録とピツト記録とを所
望により行うことができる。すなわち、１枚の
記録媒体で３値記録による高密度記録が可能で
ある。しかも、記録層は、変色記録とピツト記
録のどちらにおいても高感度であり、高速記録
が可能である。 (2) 少なくともジアセチレン誘導体化合物が単分
子膜又はその累積膜となつて記録層を構成して
いるために、記録層の構成成分は高密度で高度
な秩序性を有し、記録層が均質かつ表面性良く
形成されているので、安定性に優れ高品質の光
記録が実施できる。 (3) 高度に均質な大面積の記録層を有する安価な
記録媒体を用いた光記録が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂ及び第２図ａ，ｂは、本発明の光
記録プロセスを例示する模式断面図、第３図ａ，
ｂは、本発明の方法に用いる光記録媒体の構成
（２層分離系）の一実施例態様を表わす概略図、
第４図ａ，ｂは、本発明の方法に用いる光記録媒
体の構成（１層混合系）の一実施態様を表わす概
略図、第５図ａ，ｂは、単分子膜又はその累積膜
を作成するための装置の概略図である。１１：基板、１５：記録層、１５−１：DA化
合物を含む層、１５−２，２１：AZ化合物を含
む層、１６−１：DA化合物、１６−２：AZ化
合物、１７−１：露光量Ｑのレーザービーム、１
７−２：露光量Ｑのレーザービーム、１８−１，
２：露光部（結像部）、１９：変色部、２０：ピ
ツト。

Claims

【特許請求の範囲】１少なくとも親水性部位と疎水性部位を併有す
るジアセチレン誘導体化合物の単分子膜又はその
累積膜と、下記一般式（）で表わされる骨格を
有するアズレニウム塩化合物を含む記録層を有し
て成る光記録媒体に、紫外線を照射し、次いで記
録情報に応じて露光量を制御した光を照射し、露
光量Q₁の光で変色を起こし、露光量Q₂の光で凹
部からなるピツトを形成する工程（ただし、Q₁
＜Q₂）を含むことを特徴とする光記録方法。（式中R₁〜R₇は、水素原子、ハロゲン原子又は
１価の有機残基を表わす。）