JPS62175941A - 光記録読み取り方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体の光記録読み取り方法に関し、特に光書き込み手段
として８００〜９００ｎｍの赤外線レーザーを、光記録
読み取り手段として５５０〜７５０ｎｍの可視光を用い
た光記録読み取り方法に関する。

（従来の技術） 最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よく実力り
できる。この光デイスク用の記録媒体としては、各種の
ものが検討されているが、価格、製造の容易さから有機
材料を用いたものが注目されている。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々の“レーザーを用いてこのジアセチ
レン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、
アルゴンレーザー等の大型かつ高出力のし−ザーを用い
れば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の
半導体レーザー（波長８００〜９００ｎｍ）を使用した
場合にはレーザー記録が実７ｉ′６できないことを確認
した。しかし、光ディスク等の実用的な記録媒体として
は、小型で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが
可能でかつ読み取りについても発光ダイオードや小型レ
ーザーで実施可能なことが要請される。

一方、特開昭５９−４０６４８号、同４０６４９号およ
び同４０６５０号には、熱安定性のよい特定構造のポリ
メチレン化合物を含有する有機被膜が開示され、これら
の有機被膜が半導体レーザーの輻射波長領域の輻射線を
吸収し発熱するので、レーザーエネルギーによりピット
を形成するいわゆるヒートモード記録が実施できること
を開示している。しかし、記録媒体の表面に物理的なピ
ットを形成して記録を実施する場合には、初期の記録媒
体表面が十分に平滑であると同時に記録後においても記
録媒体の表面に傷を付けないよう十分な注意が必要とな
るとともに、特に、高密度、高感度で高速の光書き込み
を実施し、かつその書き込まれた記録を粒度良く読み取
ることは比較的困難であった。

また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいはジエン化合物の塩がバインダ
ー中に分散してなるものであり、記録層内はおけるこれ
ら化合物の配向はランダムであり、そのため場所によフ
て光の吸収率や反射率が異ったり、化学反応の程度が相
違したりする現象が生じ、高密度の記録には必ずしも適
しているとはいえなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能で、かつ小型軽量な可視光
発光体の光照射により読み取りが可能な光記録読み取り
方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録が可能
で、かつ高速、高積度な読み取りが可能な光記録読み取
り方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高晶質な光記
録画像を得ることのできる光記録読み取り方法を提供す
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録読み取り方法は、少なくとも
親水性部位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘
導体化合物の単分子膜またはその累積膜と、下記一般式
（１）または（２）で表わされる化合物の一種以上とを
含有してなる記録層を有する光記録媒体に、紫外線を照
射し、次いで８００〜９００ｎｍの赤外線を記録情報に
応じて照射し、記録層の照射部を変色させる工程と、該
記録層の変色部に５５０〜７５０ｎｍの可視光を照射し
て記録情報を読み取る工程とを有することを特徴とする
。

一般式（１） 一般式（２） へ Ｒ１性−Ｇｌｌ＝ＣＩｌ−Ｒ４−ＣＩＩＪ：ｌｌ−Ｒ３
（２）（式中、Ｈｌ、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立して
置換基を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ４および
Ｒ５は、隣接した二つの−（：ｌｌ＝［ｌ；ＩＩ−基と
共役二重結合系を形成する置換基を有してもよいアリー
レン基を表わし、Ｒ６は、水素または置換基を有しても
よいアリール基を表わし、　八はアニオン残基を表わす
。） 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有される親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物（以下、ＤＡ化合物と略称する）とは、隣接する分子
中のＣ：に−ＣＥＣ官能基間において１．４−付加重合
反応が可能な化合物であり、代表的には下記一般式 ％式％） （式中、Ｘは、親水性部位を形成する親水性基であり、
ｍ、ｎは整数を表わす。） で表わされる化合物が挙げられる。

上記りへ化合物における親水性基Ｘとしては、例えばカ
ルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル基、
チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフィ
ニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げられる。

疎水性部位を形成する＋１（ＣＨ２）「表わされるアル
キル基としては炭素原子数が１〜３０の長鎖アルキル基
が好ましい。また、ｍ＋ｎとしては３０以下の整数が好
ましい。

一方、本発明で用いる前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物（以下、ポリメチレン化合物と略称す
る）は、７５０ｒ＋ｍ以上の波長域に吸収ピークを有し
、この波長の赤外光により発熱する化合物である。

このポリメチレン化合物塩につきより具体的に説明する
と、一般式（１）および（２）中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ
３はそれぞれ独立して置換基を有してもよいフェニル基
、ナフチル基等のアリール基を表わす。

ここで置換基としてはジメチルアミノ、ジエチルアミノ
、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジフェニルアミ
ノ、フェニルベンジルアミノ、フェニルエチルアミノ等
の置換アミノ基、モルホリノ。

ピペリジニル、ピロリジノ等の環状アミノ基、メトキシ
、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基があげられる。

Ｒ４およびＲ５はｐ−フェ０レン・　ｌ・４−ナフチレ
ン等の隣接した二つの一〇Ｈ＝ＣＨ−基と共役二重結合
系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
す、ここで置換基としては塩素、臭素、ヨウ素等のハロ
ゲン原子、メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、
ニドキシ等のアルコキシ基があげられる　Ｒ６は水素ま
たは置換基を有してもよいフェニル基、ナフチル基等の
７リール基を表わす、置換基としてはＲ１ないしＲ３で
例示したものと同様なものが挙げられる。鶴±７ニオン
残基で、例えばＢＦ？、ｃ＋ｏｐ　ｃｐ３ｃｏ？、　Ｐ
Ｆ？、Ｃ實Ｂ’ＲＩ♀等のハロゲン原子、　ｃｔｓ机、
　ＣＨ，ＳＯ，Ｆ。

ｅ　　　　　　　　　　ｅｅ　　　　　　ｅＣ２Ｈ１Ｓ
０３、Ｃ３）（７ＳＯ３，Ｃ４ＨｇＳＯ３、Ｃ５Ｈｌ、
　ＳＯ３、Ｃ６Ｈ１３ＳＯ３、ＩＣＨ２ＳＯ？などのア
ルキルスルホン斂化合物、ぐＥ＞−ＣＨ２Ｓｏｐ　　Ｃ
＋（司＋Ｈ２ＳＯ９’ｌ−どのベンゼンスルホン酸化合
物、％３ＳＣＨ２ＳＯ９、％３５ＣＨ２ＣＨ２５０！　
。

鵠５（ＣＨ２）６５鵠、　。０３ＳＣＨ２Ｃ）１２−０
−ＩＨ２ＣＨ２ＳＯｐ、などのアルキルジスルホン酸化
合物、 このポリメチレン化合物の具体例を以下に例示する。

８　　　　　　　　　　貴　　　　　　　　　　ＱＣ３
づ　　　　　　　　　　　ｄ ｌ）工 　　Ｑ 〆一 ６５′９　　　　　　　　　　　　　３ζプ　　　　　
　　　　　　　　　づ　　　　　　　　　　　　　　　
之プＳｆ”　　　　　　　　　　　　　の づ　　　　　　　　　　ｘ３　　　　　　　　　　　　
　　ｅ’８ｇ３ ５　　　　　　　　　　　　ら　　　　　　　　　　　
　　き心　　　　　　　　＆　　　　　　　　９６さ　
　　　　　　　　　　でＢ　　　　　　　　　　　６　
　　　　　　　　　　ロら　　　　　　　　　　ら　　
　　　　　　　　０　　　　　　　　　　リ０　　　　
　　　８　　　　　　　　守２フ 本発明に用いる光記録媒体は、１）ｒ「記りへ化合物と
前記ポリメチレン化合物とを含有し、かつ該りへ化合物
が単独でまたはポリメチレン化合物との混合状態で単分
子１反またはその累積１漠を形成している記録層を有し
てなるものであるが、該光記録媒体の具体的な構成とし
ては、以下に示すような態様がある。

（１）　Ｄ式化合物１６とポリメチレン化合物１７との
混合単分子膜またはその累積１１Ｑからなる記録層を有
するもの（第２図に模式断面図を示す）。

（２）　Ｄ式化合物１６の単分子１摸またはその累積膜
からなる層と、ポリメチレン化合物１７を含有する輻射
線吸収層１８との二層からなる記録層を有するもの（二
層分離系、第３図に模式断面図を示す）。

（３）　Ｄ式化合物１６の単分子膜またはその累積膜か
らなるＡ層１９の一層以上と、ポリメチレン化合物１７
を含有する単分子膜またはその累積膜からなる８層２０
との一層以上とが積層されてなる記録層を有するもの（
ペテロ累積膜系、第４図に模式断面図を示す）。

なお、゛二層分離系およびペテロ累積Ｄｉ系においては
、ＤＡ化合物の単分子膜またはその累積膜からなる層と
、ポリメチレン化合物を含有する輻射線吸収層１８もし
くは８層２０との積層順序はいずれが記録層の表面側に
位置してもよく、また、必要に応じてこのように構成さ
れる記録層の上に各種の保護層を設けてもよい。

本発明に用いる光記録媒体の基板１５としては、ガラス
、アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等の
プラスチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が
使用できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施
する場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するもの
を用いる。

基板上あるいはポリメチレン化合物を含有する層上にＤ
式化合物の単分子膜または単分子累積膜を形成するには
、例えば１．Ｌａｎｇｍｕｉｒらの開発したラングミュ
ア・プロジェット法（以下、ＬＢ法と略）が用いられる
。ＬＢ法は、分子内に親木基と疎水基を有する構造の分
子において、両者のバランス（両親媒性のバランス）が
適度に保たれてしするとき、この分子は水面上で親木基
を下に向けた単分子の層になることを利用して単分子膜
または単分子層の累積した膜を作成する方法である。水
面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ。分子がまばら
に散開しているときは、一分子当り面積Ａと表面圧■と
の間に二次元理想気体の式、■Ａ＝ｋＴ が成り立ち、°“気体膜゛°となる。ここに、ｋはボル
ツマン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれ
ば分子間相互作用が強まり二次元固体の”凝縮膜（また
は固体膜）”になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面
へ一層ずつ移すことができる。

この方法を用いて、Ｄ式化合物の単分子膜または単分子
累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずＤ式
化合物をクロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相上
に展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を形
成する。次にこの展開層が水相上を自由に拡散して拡が
りすぎないように仕切板（または浮子）を設けて展開層
の面積を制限してＤ晶化合物の集合状態を制御し、その
集合状態に比例した表面圧■を得る。この仕切板を動か
し、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御し、表
面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧■
を設定することができる。この表面圧を維持しながら静
かに清浄な基板あるいは表面にポリメチレン化合物を含
有する層が形成された基板を垂直に上下させることによ
り、ＤＡ晶化合物単分子膜が基板上あるいはポリメチレ
ン化合物を含有する層上に移しとられる。単分子膜はこ
のようにして製造されるが、単分子層累積膜は、前記の
操作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累積
膜が形成される。

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引き上げると、一層目はＤΔ晶化合物親
木基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。

基板を上下させると、各行程ごとに一層ずつ単分子膜が
積層されていく。成１漠分子の向きが引上げ行程と浸漬
行程で逆になるので、この方法によると、各層間は親木
基と親木基、疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜が形成
される。

これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、Ｄ晶化合物の疎水基が基板側に向
いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しても、晶化合物の分子の向きの交代はなく全ての層
において、疎水基が基板側に向いたＸ型膜が形成される
。反対に全ての層において親木基が基板側に向いた累積
膜はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。

単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法なども採り得る。

また、前述した親水基、疎水基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。

これらの単分子膜の移し取り操作の詳細については既に
公知であり、例えば「新実験化学講座１８界面とコロイ
ド」４９８〜５０７頁、丸善刊、に記載されている。

また、二以上の化合物からなるいわゆる混合単分子膜ま
たは混合単分子累積膜も上述と同様の方法により得られ
る。このとき、混合単分子膜または混合単分子膜Ｍ膜を
構成する二以上の化合物のうち少なくともその一つが親
水性部位と疎水性部位とを併有するものであればよく、
必ずしも全ての化合物に親水性部位と疎水性部疎水基と
の併存が要求されるものではない。すなわち、少なくと
も一つの化合物において両親媒性のバランスが保たれて
いれば、水面上に単分子層が形成され、他の化合物は両
親媒性の化合物に挟持され、結局全体として分子秩序性
のある単分子層が形成される。

したがって、Ｄ晶化合物とポリメチレン化合物との混合
単分子膜または混合単分子累積１１ｑからなる記録層は
、ＤＡ晶化合物ポリメチレン化合物とをクロロホルム等
の溶剤に溶解し、これを水相上に展開し、これら化合物
を膜状に展開させた展開層を形成して先と同様にしてＬ
Ｂ法により形成することができる。

一方、ポリメチレン化合物を含有する層を形成するには
、代表的にはポリメチレン化合物を適当な揮発性溶媒に
溶解して塗布液を作成し、これを塗布する方法が採用で
きる。塗布液には、基板やＤ晶化合物の単分子膜または
その累積膜からなる層との密着性を向上させるために、
適宜天然若しくは合成高分子からなる各種バインダーを
添加してもよい。また、この層の安定性、品質向上を計
るために各種の添加剤を加えてもよい。

好適なバインターとしては、広範な樹脂から選択するこ
とができる。具体的には、ニトロセルロース、リン酸セ
ルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオ
ン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロ
ース、バルミチン酸セルロース、酢酸プロピオン酸セル
ロース、酢酸酪酸セルロースなどのセルロースエステル
類；メチルセルロース、エチルセルロース、プロピルセ
ルロース、ブチルセルロースなどのセルロースエーテル
類；ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビ
ニ・ルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル
樹脂類：スチレン−ブタジェンコポリマー、スチレン−
アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジェン−
アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニル
コポリマーなどの共重合樹脂類；ポリメチルメタクリレ
ート、ポリメチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリ
メタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクソロニト
リルなどのアクリル樹脂類；ポリエチレンテレフタレー
トなどのポリエステル類；ポリ（４，４’−イソブロピ
リデンジフエニレンーコー１．４−シクロヘキシレンジ
メチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３
，３′−フエニレンチオカーボ゛ネート）、ポリ（４，
４’−イソプロピリデンジフエニレンカーポネートーコ
ーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロピリデ
ンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’−５ｅ
ｃ　−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（
４，４′−イソプロビリデンジフエニレンカーポネート
ーブロツクーオキシエチレン）などのボリアリレート樹
脂類；ポリアミド類：ポリイミド類；エポキシ樹脂類；
フェノール樹脂類；およびポリエチレン、ポリプロピレ
ン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを
用いることができる。

ポリメチレン化合物の好適な溶媒としては、メタノール
、エタノール、インプロパツール等のアルコール類：ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン類ニアセトニトリル等の脂肪族ニトリル類；クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素
、トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類
−等が挙げられ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に
好適である。

このようにして得た塗布液の塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ピ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブ
レードコーティング法、ローラーコーチインク法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。

また、ポリメチレン化合物を含有する層は、ＤＡ化合物
の単分子膜またはその累積膜からなる層と同様に単分子
膜またはその累積膜であってもよい。しかし、ポリメチ
レン化合物は両親媒性物質ではないので、単独ではＬＢ
法によっては単分子膜を形成することはできない。とこ
ろが、例えばステアリン酸、アラギジン酸などの高級脂
肪酸のような両親媒性のバランスの適度に保たれた有機
高分子を担体分子として任意の比率で混合使用してＬＢ
法を適用すれば、ポリメチレン化合物を含有する混合単
分子膜または混合単分子累積膜が形成できる。

記録層がＤ式化合物とポリメチレン化合物との混合単分
子膜またはその累積膜からなるものである場合には、そ
の膜厚としては、累積度が４ｅｃ程度までのものが実用
上好ましい。

また、二層分離系の場合は、晶化合物の単分子膜または
その累積膜の膜厚としては、累積度が４ｅｃ程度までの
ものが好ましく、ポリメチレン化合物含有層の膜厚とし
ては、単分子膜またはその累積膜として形成されている
場合には、累積度が２ｅｃ程度までのものが、非単分子
膜として形成されている場合には、　１００人〜ｌｐ程
度、特に２００〜５０００人の範囲が好ましい。

ヘテロ累積膜系の場合は、Ａ層１９と８層２０との接合
面が二以上存在し、Ａ層１９と８層２０とを併せた単分
子膜の累積度が４ｅｃ程度までのものが実用上好ましい
。

本発明の光記録読み取り方法においては、記録、再生に
供される上記のように溝成された記録媒体は、先ず記録
層中のＤ式化合物を重合させる。

すなわち、Ｄ式化合物は、初期にはほぼ無色透明である
が、記録層全体に紫外線を照射すると重合し、ポリジア
セチレン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外線
の照射等によって起り、単に熱エネルギーを加えるだけ
では生じない。この重合の結果、記録層は６２０〜６６
０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗
色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆
変化であり、一度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色
透明膜へとは戻らない。このようにして、先ず、記録層
中のＤＡ化合物を重合させ、ポリジアセチレン誘導体化
合物へと変化させ、記録層全体を青色乃至暗色化させる
。

この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０℃以上に加熱すると今度は約５４０ｎｍ
に最大吸収波長を存するようになり、赤色へと変化する
。この変化も不可逆変化である。

本発明の光記録読み取り方法は、このようなポリジアセ
チレン誘導体化合物の変色特性を利用して光書き込みお
よび光記録読み取りを実施するものであり、以下、この
本発明の光記録読み取り方法につき詳述する。

第１図は、本発明の光記録読み取り方法を実施するのに
用いる光記録再生装置の一例を示す模式図である。この
光記録再生装置は、光記録媒体１を所定位置にセットす
るための不図示の光記録媒体載置手段と、光記録媒体へ
情報を古き込むための情報書き込み手段と、光記録媒体
に書き込まれた記録情報を読み取るための情報読み取り
手段から構成されている。情報書き込み手段は、８００
〜９００ｎｍの範囲内の波長の紫外線を放射する半導体
レーザー２、人力情報に応じて半導体レーザー２の発振
を制御する制御回路３および光学系（コリメートレンズ
４、ダイクロイックミラー５、反射板６、波長板７およ
び対物レンズ８）から構成されている。半導体レーザー
２としては、出力波長８ｚＯ〜８４Ｑｔ＋ｎ＋のＧａＡ
ｓの接合レーザー、例えばＩＩＬＰ−１５００（商品名
、日立製作新製、出力波長８：ｌＯｎｍ、最大出力ｔｏ
ｍｂ）を使用するのが好適である。

一方、情報読み取り手段は、駆動回路９により制御され
、５５０〜７５０ｎｍの範囲の波長の可視光を放射する
半導体レーザーまたは発光ダイオード１０、出力回路１
１に接続するフォトディテクター１ｚおよび光ピツクア
ップ光学系（光学系の大部分は、情報書き込み手段用の
光学系と共用しているが、独自のものとしてコリメート
レンズ１３、偏光ビームスプリッタ１４を有している）
から構成されている。

半導体レーザー１０としては、　６５０〜７５０ｎｍ範
囲の波長の可視光を放射するもの、例えばＧａＡｌ八ｓ
のへＮ接合レーザーを使用するのが好適であり、発光ダ
イオード１０としては、　５５０〜７５０ｎｍ範囲の波
長の可視光を放射するもの、例えばＧａＡＩＰ　、　Ｇ
ａＰ、ＧａＡｌ八Ｓ等へ接合ダイオードを使用するのが
好適である。

入力情報は、制御回路３を経て半導体レーザー２により
光信号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記
録媒体載置手段上に載置され、同期回転している青色乃
至暗色の記録層を有する光記録媒体の所定の位置に結像
される。結像位置は光記録媒体が一層混合系の場合は記
録層であり、二層分＃系の場合はポリメチレン化合物を
含有する輻射線吸収層である。結像点く部位）に存在す
るポリアセチレン誘導体化合物はこの波長のレーザービ
ームを吸収しないが、ポリメチレン化合物はこのレーザ
ービームを吸収し発熱する。このポリメチレン化合物の
発熱が隣接するポリアセチレン誘導体化合物に伝わり、
ポリジアセチレン誘導体化合物が赤色へと変色する。か
くして人力悄、報に応じて記録層上の記録部位の色変化
による光書き込みが実施される。

一方、光記録読み取りは、５５０〜７５Ｑｎ＋ｎの範囲
の波長の可視光を放射する半導体レーザーまたは発光ダ
イオードＩＯから放射される低出力の連続発振光を使用
して実施する。この読み取り光は低出力である上、波長
が赤外域から外れているので、ポリメチレン化合物を発
熱させない。したがって、この読み取り光によって読み
取り中に記録が実施されることはない。読み取り光は、
光記録媒体１の記録層表面に結像し、反射されるが、こ
の読み取り光の反射率は、記録部位（変色部位）とそう
でない箇所とでは異るので、この反射光を光ピツクアッ
プ光学系を通してフォトディテクター１２の受光面にあ
てることにより、電気信号に変換し、出力回路１１を介
して記録の再生読み取りが行われる。

光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびポリメチレン化合物を含有する記録層を支
持する基板の種類により、光テープ、光カード等も使用
できる。

（発明の効果） 本発明の光記録読み取り方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層が８００〜９００ｎｍの範囲内の波長の赤
外線を吸収するポリメチレン化合物を含有しているので
、８００〜９０００Ｉの赤外線を放射する小型軽量の半
導体レーザーを用いて光書き込みが実施でき、また５５
０〜７５０ｎｍの範囲の波長の可視光を放射する小型軽
量の半導体レーザーや発光ダイオードにより読み取りが
可能である。

（２）光記録媒体として、少なくとも記録層中のＤ式化
合物が、（混合）単分子膜またはその累積膜として形成
された高密度で高度な秩序性を有したものを用いるので
、高密度で均質な光書き込みおよび光読み取りが実施で
きる。

（３）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
、再生方法なので、高速、高密度、高感度な光書き込み
が実施でき、また高速、高粒度な光読み取りが実施でき
る。

（４）特に、それぞれ単分子膜またはその累積膜として
形成されたＯＡ化合物からなる感熱変色層とポリメチレ
ン化合物を有してなる射線吸収層との接合面を二以上有
するペテロ膜として形成された光記録媒体を用いた場合
には、光記録媒体内での伝熱効率が極めて高いので、高
感度な光書き込みが実施できである。

（実施例） 以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式Ｃｌ２Ｈ２Ｓ−Ｃミｃ−ｃ＝ｃ−ｃ８Ｈ，６−ｃ
ｏｏＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物１重量部
と前記の化合物Ａ１４で表わされるポリメチレン化合物
１重量部とをクロロホルムに１Ｘ１０＝モル／ｌの濃度
で溶解した溶液を、ｐ′＃１が６．５で塩化カドミニウ
ム濃度が１ｘｌＯ−３モル／１の水相上に展開した。溶
媒のクロロホルムを蒸発除去した後、表面圧を２０ｄｙ
ｎｅ／ｃｍまで高め、一定に保ちながら、十分に洗浄し
清浄で表面が親水性となっているガラス基板を、水面を
横切る方向に上下速度１．０ｃｍ／分で静かに上下させ
、Ｄ式化合物とポリメチレン化合物との混合単分子膜を
基板上に移しとり、混合単分子膜ならびに２１層、４１
層および８１層に累積した混合単分子累積膜を基板上に
形成した光記録媒体を作成した。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＤ式化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、第１図に示した記録装置を用い、人力
情報にしたがい以下の記録条件により記録書き込みを実
施した。

半導体レーザー（ＩＩＬＰ−１５００、日立製作断裂）
レーザー波長；　　８３０ｎｍ レーザービーム径：　ｌ鱗 レーザー出カニ　　３ｍＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射すると照
射部は赤色に変色し、記録書き込みが行われた。記録の
読み取りには、波長６８０ｎｍ、出力１ｍＷの半導体レ
ーザーを読み取り光源として使用し、その反射光をフォ
トディテクター（ＰＮ接合フォトダイオード）で受光し
た。

記録書き込みの評価は次のようにして実施した。記録濃
度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ−を測
定した。解像度および感度は、記録画像とレーザービー
ム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常に良好
なものを◎、良好なものをＯ１記録ができないあるいは
対応の劣悪なものを×とした。また、記録読み取りは、
搬送波雑音比（ＧｌＮ比）を測定して評価した。評価結
果を第１表に示した。

実施例２ 実施例１で作成した三種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、人力情報にしたがい、記録に用いるレーザーを変更し
、下記の記録条件により記録を実施し、実施例１と同様
にして記録の読み取りを実施した。

半導体レーザー（ＮＬＰ−７８０２、日立製作新製）レ
ーザー波長：　　８００ｎｍ レーザービーム径：　１戸 レーザー出カニ　　３ｍＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 記録の評価は、実ｈ’ｆｓ例１と同様な基準により実施
し、その評価結果を第１表に示した。

実施例３、比較例１．２ 記録に用いるレーザーをそれぞれ下記のものに変更した
ことを除いては実施例１と同様な条件で記録の書き込み
および読み取りを実施し、その評価結果を第１表に示し
た。

実施例３：半導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーサー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　８９０ｎｍ 比較例１：半導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーザー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　９５０ｎｍ 比較例２：キセノンガスレーザー、レーザー波長：　７
５２ｒ＋ｍ 比較例３ ポリメチレン化合物を使用しない以外は、実施例１と同
様の方法により光記録媒体を作成した。

この光記録媒体の記録層を青色膜にした後、実施例１お
よび比較例１．２の条件でそれぞれ記録の書き込みおよ
び読み取りを実施した。記録の評価は、実施例１と同様
にして行い、その結果を第１表に示した。

実施例４ 一般式に１２　Ｈ２，、−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ８）１１
６−ｃｏ叶で表わされるＤへ化合物化合物に代え、一般
式ｃ８Ｈ，，−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−Ｃ２Ｈ４−ＣＯＯＨで
表わされるＤへ化合物を用いたことを除いては実施例１
と同様の方法により単分子膜の累積度２１の記録媒体を
作成した。この記録媒体に対して実施例１と同様な条件
で記録の書き込みおよび読み取りを実施した。その評価
結果を第２表に示した。

実施例５〜８ 化合物層１４で表わされるポリメチレン化合物に代え、
化合物Ｊ／Ｌｌ、　５．１８および２６で表わされるポ
リメチレン化合物をそれぞれ用いたことを除いては実施
例４と同様にして光記録媒体を作成した。これらの光記
録媒体に対して実施例１と同様な条件でそれぞれ記録の
書き込みおよび読み取りを実施した。その評価結果を第
２表に示した。

第　　２　表 実施例９ 化合物／Ｌ１４で表わされるポリメチレン化合物１重量
部を塩化メチレン４重量部中に溶解して得た塗布液を、
スピナー塗布機に装着したガラス製のディスク基板（厚
さ１．５ｍｍ、直径２００ｍｍ）の中央部に少量滴下し
た後、所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させ塗
布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが３
００人および３０００人のものをそれぞれ多数準備した
。

次に、一般式Ｃ，２Ｈ７，，−Ｃミ（ニーＣＥ（ニーＣ
８Ｈ，６−Ｃ０ＯＨで表わされるＤへ化合物の単分子膜
Ｍ４ｎＱを実施例１と同様な方法により、基板上のポリ
メチレン化合物層上に移しとり、　７層、４１層、　１
層層および２０１層に累積した単分子累積膜を形成した
光記録媒体をそれぞれ作成した。これらの光記録媒体の
記録層を青色膜にした後、実施例１と同様な条件で記録
の書き込みおよび読み取りを実施した。記録の評価は、
実施例１と同様にして行い、その結果を第３表に示した
。

第　　３　　表 実ｈ’ｓ例１〇 一般弐Ｃ，２Ｈ２Ｓ−（、：　ｃ−ｃ＝　ｃ−ｃ８Ｈ，
６−ＧＯＯＩ＋で表わされるＤ式化合物をクロロホルム
に　１×１０−：′１モル／１の濃度で溶解した溶液を
、ｐｌ＋が６．５で塩化カドミニウム濃度がｌＸｌ０−
３モル／！の水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを
除去した後、表面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め、一
定に保ちながら、十分に清浄し、表面が親水性となって
いるガラス基板（既にポリメチレン化合物類を含有する
単分子膜から構成される累積膜等が形成されている場合
を含む）を、水面を横切る方向に上下速度１．０ｃｍ７
分で静かに所定の回数上下させ（途中、乾燥工程を実施
する）、Ｄ式化合物の単分子膜を基板上に移しとり、単
分子膜または単分子累積１摸を形成した。

化合物遂１４で表わされるポリメチレン化合物１Ｉｆｆ
ｉ部とアラキシン酸２重量部をクロロホルムにｌＸ１Ｏ
−３モル／１の濃度で溶解した溶液を、ｐｌ＋が６．５
で塩化カドミニウム濃度が１×ｌ０−３モル／！の水相
上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後、表面
圧を２０ｄｙｎｃ／ｃｍまで高め一定に保ちながら、十
分に清浄し、表面が親水性となっているガラス基板（既
にＯＡ化合物の単分子膜から構成される累積膜等が形成
されている場合を含む）を、水面を横切る方向に上下速
度１．０ｃｍ／分で静かに所定の回数上下させ（途中、
乾燥工程を実施する）、ポリメチレン化合物を含有する
単分子膜を基板上に移しとり、単分子膜または単分子累
積膜を形成した。

上記した、Ｄへ化合物単分子膜およびポリメチレン化合
物を含有する単分子膜の作製プロセスを基本として、こ
れらの操作を適宜組合せて実施することにより　８種の
へテロ累積膜をガラス基板上に作製した。このようにし
て作製したベテロ累積膜（光記録媒体）を第４表に示し
た。なお、光記録媒体の記録層の構成を示す記号、番号
の意味を下記に例示する。

■Ｇ／２０ＰＭ／６００八／２０ＰＭ ガラス基板（Ｇ）上に、累積度２ｏのポリメチレン化合
物類を含有する単分子累積膜→累積度６０のＤ式化合物
の単分子累積１摸→累積度２０のポリメチレン化合物類
を含有する単分子累積膜、の順で積層して構成された記
録媒体。

■Ｇ　／　ｌＯｘ　（２ＰＭ／　６ＤＡ）ガラス基板（
Ｇ）上に、累積度２のポリメチレン化合物類を含有する
単分子累積膜と累積度６のＤΔ化合物の単分子累積膜と
の積層の組合せが、１０回繰り返され積層して構成され
た記録媒体。

これらの光記録媒体の記録層を青色膜にした後、実施例
１と同様な条件で記録の書き込みおよび読み取りを実施
した。記録の評価は、実施例１と同様にして行い、その
結果を第４表に示した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録読み取り方法に用いる記録装
置の一例を示す模式図である。 第２図ないしは第４図は、本発明の方法に用いる光記録
媒体の構成を例示する模式断面図である。 に光記録媒体　　　２：半導体レーザー３：制御回路　
　　　４：コリメートレンズ５：ダイクロイックミラー ６：反射板　　　　　７：波長板 ８：対物レンズ　　　９：駆動回路 ｌＯ：半導体レーザーまたは発光ダイオード１１：出力
回路　　　　１２：フォトディテクター１３：コリメー
トレンズ １４：偏光ビームスプリッタ− １５：基板 １６：ジアセチレン誘導体化合物 １７：ポリメチレン化合物 ■８：ポリメチレン化合物含有層 １９：Ａ層　　　　　２０：Ｂ層 ２１：有機担体分子

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜またはその累積膜
   と、下記一般式（１）または（２）で表わされる化合物
   の一種以上とを含有してなる記録層を有する光記録媒体
   に、紫外線を照射し、次いで８００〜９００ｎｍの赤外
   線を記録情報に応じて照射し、記録層の照射部を変色さ
   せる工程と、該記録層の変色部に５５０〜７５０ｎｍの
   可視光を照射して記録情報を読み取る工程とを有するこ
   とを特徴とする光記録読み取り方法。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、それぞれ独立して
   置換基を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ＾４およ
   びＲ＾５は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二
   重結合系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基
   を表わし、Ｒ＾６は、水素または置換基を有してもよい
   アリール基を表わし、Ａはアニオン残基を表わす。）