JPH047585B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH047585B2 JPH047585B2 JP60159841A JP15984185A JPH047585B2 JP H047585 B2 JPH047585 B2 JP H047585B2 JP 60159841 A JP60159841 A JP 60159841A JP 15984185 A JP15984185 A JP 15984185A JP H047585 B2 JPH047585 B2 JP H047585B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflector
- electron beam
- rectangular
- sub
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
本発明は電子ビーム露光装置の特に可変面積型
の電子ビーム露光装置において、フオーカスずれ
を補正するために設けたリフオーカスレンズ及び
リフオーカスコイルの取付誤差等で電子ビームの
大小面積差で生ずる横ずれを更に補正するため
に、サブフイールドのシヨツト毎に異なるリフオ
ーカスフライバツク計数を与えるようにした電子
ビーム露光装置を提供するものである。
の電子ビーム露光装置において、フオーカスずれ
を補正するために設けたリフオーカスレンズ及び
リフオーカスコイルの取付誤差等で電子ビームの
大小面積差で生ずる横ずれを更に補正するため
に、サブフイールドのシヨツト毎に異なるリフオ
ーカスフライバツク計数を与えるようにした電子
ビーム露光装置を提供するものである。
本発明は面積可変性の例えば、矩形可変型電子
ビーム露光装置に係り、特にリフオーカスレンズ
を設けた電子ビーム露光装置の改良に関する。
ビーム露光装置に係り、特にリフオーカスレンズ
を設けた電子ビーム露光装置の改良に関する。
電子ビーム露光装置の１方式としてラスタース
キヤン方式と呼ばれ、電子ビームを一定速度で直
線状に走査し、ステージを走査方向と直交する方
向に移動させて試料上のパターンを露光する電子
ビーム露光装置が提案されているが露光時間が多
くかかるために電子ビーム断面の大きさ、又は形
状と大きさを可変させるようにした面積可変型の
電子ビーム露光装置が多用されている。この構成
の原理は第２図に示す如きものでビーム源１から
放出された電子ビーム２は第１の集束レンズ３に
よつて例えば矩形状の第１の通過孔４を有する第
１のマスク５に照射され、この第１の通過孔を通
過して矩形状に整形されたビームを第２の集束レ
ンズ６とデフレクタ７により第２のマスク９上に
集束する。このように第２のマスク９上に偏位し
て集束するためにデフレクタ７に電子計算機から
シヨツトサイズデータが与えられる。その結果第
２のマスク９の通過孔８からは第１の通過孔３と
第２の通過孔８との重ね合せ部１０に相当する所
望の大きさの矩形状ビームが取り出され、第３の
集束レンズ１１とデフレクタ１２を介して試料１
４上に露光パターン、ビーム１３が縮小投影さ
れ、電子計算機で制御されるデフレクタ１２によ
つてデイジタル的に走査される。この電子ビーム
露光装置では露光すべきパターンに応じてビーム
断面形状を変えられて、露光時間を大巾に短縮出
来る。この面積可変型の電子ビーム露光装置では
電子ビームの露光はウエハー上に露光され、第３
図ａに示すように１チツプの例えば10mm×10mmを
複数のＷ、Ｘ、YZ…等で示すように、メインフ
イールドを分割し、これをさらに分割してサブフ
イールドに分割する。即ち第３図ｂに示すように
矩形電子ビームを照射し、ビームの断面形状ａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅの変化に応じて照射量を変える
か、ビーム断面の辺の長さに応じてビーム照射量
を変えていた。このようにシヨツトサイズを可変
させたときのシヨツト電流を第４図に示すように
横軸にとり縦軸にボケ量をとると矩形断面の可変
面積が大きくなればボケ量は直線１５で示すよう
に増大していつた。この原因は電子間の反撥効果
によるものでパターン周辺部が不明確なパターン
となる。このようにボケはビーム電流を小さくし
たり、ビーム加速電圧を高くしたりすることであ
る程度解決されていた。
キヤン方式と呼ばれ、電子ビームを一定速度で直
線状に走査し、ステージを走査方向と直交する方
向に移動させて試料上のパターンを露光する電子
ビーム露光装置が提案されているが露光時間が多
くかかるために電子ビーム断面の大きさ、又は形
状と大きさを可変させるようにした面積可変型の
電子ビーム露光装置が多用されている。この構成
の原理は第２図に示す如きものでビーム源１から
放出された電子ビーム２は第１の集束レンズ３に
よつて例えば矩形状の第１の通過孔４を有する第
１のマスク５に照射され、この第１の通過孔を通
過して矩形状に整形されたビームを第２の集束レ
ンズ６とデフレクタ７により第２のマスク９上に
集束する。このように第２のマスク９上に偏位し
て集束するためにデフレクタ７に電子計算機から
シヨツトサイズデータが与えられる。その結果第
２のマスク９の通過孔８からは第１の通過孔３と
第２の通過孔８との重ね合せ部１０に相当する所
望の大きさの矩形状ビームが取り出され、第３の
集束レンズ１１とデフレクタ１２を介して試料１
４上に露光パターン、ビーム１３が縮小投影さ
れ、電子計算機で制御されるデフレクタ１２によ
つてデイジタル的に走査される。この電子ビーム
露光装置では露光すべきパターンに応じてビーム
断面形状を変えられて、露光時間を大巾に短縮出
来る。この面積可変型の電子ビーム露光装置では
電子ビームの露光はウエハー上に露光され、第３
図ａに示すように１チツプの例えば10mm×10mmを
複数のＷ、Ｘ、YZ…等で示すように、メインフ
イールドを分割し、これをさらに分割してサブフ
イールドに分割する。即ち第３図ｂに示すように
矩形電子ビームを照射し、ビームの断面形状ａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅの変化に応じて照射量を変える
か、ビーム断面の辺の長さに応じてビーム照射量
を変えていた。このようにシヨツトサイズを可変
させたときのシヨツト電流を第４図に示すように
横軸にとり縦軸にボケ量をとると矩形断面の可変
面積が大きくなればボケ量は直線１５で示すよう
に増大していつた。この原因は電子間の反撥効果
によるものでパターン周辺部が不明確なパターン
となる。このようにボケはビーム電流を小さくし
たり、ビーム加速電圧を高くしたりすることであ
る程度解決されていた。
上記した面積可変型電子ビーム露光装置による
ボケの他の解決装置として、本出願人は先にリフ
オーカス用のコイルを第２のマスクと試料間に配
設してフオーカスのボケを補正する方法を提案し
た。この構成は第５図に示すように構成されてい
る。今、第２図に示す第２のマスク９で得られた
重ね合せ部１０の矩形パターンビームを集束レン
ズ１７、絞り用アパーチヤー１８を介して光束駆
動するために１シヨツト毎に極めてインダクタン
スの小さいフオーカスコイル１９で構成される。
リフオーカスレンズ２０に加え、更に集束レンズ
２５との間にステツパーコイル２１、ダイナミツ
クフオーカスコイル２２、メインデフレクタ２
３、サブデフレクタ２４が配されている。上記リ
フオーカスコイル１９にはＩ＝α＋β lx・lyの
電流を第３図ｂのａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ…で示す１
シヨツト毎に流していた。上式でα及びβは定数
で事前に測定して最もボケが少なくなるようにし
た値でありlx・lyは矩形ビームのｘ及びｙ軸方向
の寸法でありlx・lyは１シヨツト毎に可変される
矩形面積を表すことになり、これらのデータは第
２図に示すデフレクタ７に電子計算機から与えら
れている。このようなリフオーカスコイル２０を
配設することで第４図に示す直線１５は直線１６
で示すように可変面積が16μm2（50A／cm2の電子
ビーム時）で0.3μ程度のボケに補正することが可
能となる。然し、リフオーカスコイル１９に流す
電流の大小、即ち可変される矩形面積が大きくな
る時と小さくなる時ではリフオーカスコイルの機
械的精度によりメインフイールドでの中央部と四
隅とでは最高0.2μｍ程度の差異が生じるこれらの
位置ズレはメインフイールド内のすべての点で異
なる欠点があつた。
ボケの他の解決装置として、本出願人は先にリフ
オーカス用のコイルを第２のマスクと試料間に配
設してフオーカスのボケを補正する方法を提案し
た。この構成は第５図に示すように構成されてい
る。今、第２図に示す第２のマスク９で得られた
重ね合せ部１０の矩形パターンビームを集束レン
ズ１７、絞り用アパーチヤー１８を介して光束駆
動するために１シヨツト毎に極めてインダクタン
スの小さいフオーカスコイル１９で構成される。
リフオーカスレンズ２０に加え、更に集束レンズ
２５との間にステツパーコイル２１、ダイナミツ
クフオーカスコイル２２、メインデフレクタ２
３、サブデフレクタ２４が配されている。上記リ
フオーカスコイル１９にはＩ＝α＋β lx・lyの
電流を第３図ｂのａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ…で示す１
シヨツト毎に流していた。上式でα及びβは定数
で事前に測定して最もボケが少なくなるようにし
た値でありlx・lyは矩形ビームのｘ及びｙ軸方向
の寸法でありlx・lyは１シヨツト毎に可変される
矩形面積を表すことになり、これらのデータは第
２図に示すデフレクタ７に電子計算機から与えら
れている。このようなリフオーカスコイル２０を
配設することで第４図に示す直線１５は直線１６
で示すように可変面積が16μm2（50A／cm2の電子
ビーム時）で0.3μ程度のボケに補正することが可
能となる。然し、リフオーカスコイル１９に流す
電流の大小、即ち可変される矩形面積が大きくな
る時と小さくなる時ではリフオーカスコイルの機
械的精度によりメインフイールドでの中央部と四
隅とでは最高0.2μｍ程度の差異が生じるこれらの
位置ズレはメインフイールド内のすべての点で異
なる欠点があつた。
本発明は上記欠点に鑑みなされたものであり、
その目的とすることろはフイールド内での１シヨ
ツト毎に矩形可変ビームの面積が大面積と小面積
と変化しても位置ずれが生じないようにした電子
ビーム露光装置を得るにあり、その手段は矩形可
変型電子ビーム露光装置に於て、矩形通過孔を有
する第２のマスクと、メインデフレクタ間に配し
たリフオーカスコイルに与えるシヨツトサイズデ
ータと同一のデータをサブデフレクタに与えて、 上記リフオーカスコイルの取付誤差等で生ずる
大面積矩形ビームと小面積矩形ビーム照射時の横
ずれをサブフイールドシヨツト毎に補正してなる
ことを特徴とする電子ビーム露光装置によつてな
される。
その目的とすることろはフイールド内での１シヨ
ツト毎に矩形可変ビームの面積が大面積と小面積
と変化しても位置ずれが生じないようにした電子
ビーム露光装置を得るにあり、その手段は矩形可
変型電子ビーム露光装置に於て、矩形通過孔を有
する第２のマスクと、メインデフレクタ間に配し
たリフオーカスコイルに与えるシヨツトサイズデ
ータと同一のデータをサブデフレクタに与えて、 上記リフオーカスコイルの取付誤差等で生ずる
大面積矩形ビームと小面積矩形ビーム照射時の横
ずれをサブフイールドシヨツト毎に補正してなる
ことを特徴とする電子ビーム露光装置によつてな
される。
以下、発明の一実施例を第１図について説明す
る。第１図は本発明の補正方法を示す系統図であ
る。
る。第１図は本発明の補正方法を示す系統図であ
る。
本発明は上記したようにメインフイールド内で
生ずる横ずれを振り戻すためにサブデフレクタ２
４に加えられるデータに上記したリフオーカスコ
イルに加えたlx・lyのサイズデータを加えるよう
にしたものである。即ち第１図に於て２６はフイ
ールド補正メモリ、２７はパターンメモリ、２８
は演算回路、２７Ｘ，２７ＹはＸ及びＹ軸用デイ
ジタル−アナログ変換器、２４Ｘ，２４Ｙは第５
図に示したサブデフレクタ２４のＸ及びＹ軸用の
サブデフレクタであり計算機内のパターンメモリ
２７からはメインデフレクタ２３のXY軸に加え
られるメインデフレクタデータＸ，Ｙが取り出さ
れ、又、サブデフレクタ２４Ｘ，２４Ｙに加える
データｘ、ｙもパターンメモリ２７にメモリされ
ている。更に、前記したリフオーカスコイル１９
に加えられるシヨツトサイズデータlx、lyも同様
にメモリされていて、該サブデフレクタデータ
ｘ、ｙとシヨツトサイズデータlx、lyは演算回路
に与えられ、該シヨツトサイズデータlx、lyは第
２図の第２のマスクを偏向するデフレクタ７にも
与えられている。ハターンメモリ２７からのメモ
リデータをアドレスセツト信号として、フイール
ド補正メモリ２６をアクセスすることでフイール
ド補正メモリ２６からはメインフイールド内でサ
ブデフレクタ２３に加える電圧を調整するための
Ｘ、及びＹ軸での定数gx、gyと、サブデフレク
タ２３の調整位置ずれに基づく回転角を調整する
ためのＸ及びＹ軸での定数rx、ryと、更に上記
したリフオーカスコイル１９の設置誤差等で生ず
る横ずれの成分であり、該リフオーカスコイル１
９に与えられるスポツトサイズデータlx、lyの量
を補正するＸ及び、Ｙ軸の定数hx、hyが取り出
されて、演算回路２８に加えられる。演算回路で
はフイールド補正メモリ２６とパターンメモリ２
７で与えられた定数とデータに基づいて、の
補正値を次式に従つて計算する。
生ずる横ずれを振り戻すためにサブデフレクタ２
４に加えられるデータに上記したリフオーカスコ
イルに加えたlx・lyのサイズデータを加えるよう
にしたものである。即ち第１図に於て２６はフイ
ールド補正メモリ、２７はパターンメモリ、２８
は演算回路、２７Ｘ，２７ＹはＸ及びＹ軸用デイ
ジタル−アナログ変換器、２４Ｘ，２４Ｙは第５
図に示したサブデフレクタ２４のＸ及びＹ軸用の
サブデフレクタであり計算機内のパターンメモリ
２７からはメインデフレクタ２３のXY軸に加え
られるメインデフレクタデータＸ，Ｙが取り出さ
れ、又、サブデフレクタ２４Ｘ，２４Ｙに加える
データｘ、ｙもパターンメモリ２７にメモリされ
ている。更に、前記したリフオーカスコイル１９
に加えられるシヨツトサイズデータlx、lyも同様
にメモリされていて、該サブデフレクタデータ
ｘ、ｙとシヨツトサイズデータlx、lyは演算回路
に与えられ、該シヨツトサイズデータlx、lyは第
２図の第２のマスクを偏向するデフレクタ７にも
与えられている。ハターンメモリ２７からのメモ
リデータをアドレスセツト信号として、フイール
ド補正メモリ２６をアクセスすることでフイール
ド補正メモリ２６からはメインフイールド内でサ
ブデフレクタ２３に加える電圧を調整するための
Ｘ、及びＹ軸での定数gx、gyと、サブデフレク
タ２３の調整位置ずれに基づく回転角を調整する
ためのＸ及びＹ軸での定数rx、ryと、更に上記
したリフオーカスコイル１９の設置誤差等で生ず
る横ずれの成分であり、該リフオーカスコイル１
９に与えられるスポツトサイズデータlx、lyの量
を補正するＸ及び、Ｙ軸の定数hx、hyが取り出
されて、演算回路２８に加えられる。演算回路で
はフイールド補正メモリ２６とパターンメモリ２
７で与えられた定数とデータに基づいて、の
補正値を次式に従つて計算する。
＝gxX＋rxY＋hx・lx・ly ……(1)
＝ryX＋gyY＋hy・lx・ly ……(2)
このようにして演算回路２８で得られた、
の補正値はＸ及びＹ軸用のデイジタル−アナログ
変換回路２７Ｘ，２７Ｙに供給されて増巾後にＸ
及びＹ軸のサブデフレクタ２４Ｘ、２４Ｙに加え
られて補正がなされる。即ちリフオーカスコイル
１９に加えたと同じ量の補正されたサイズデータ
hxlxlyとhylxlyがサブデフレクタ２４Ｘ，２４Ｙ
に与えられてリフオーカスコイルの取付誤差に基
づく横ずれが振り戻される。
の補正値はＸ及びＹ軸用のデイジタル−アナログ
変換回路２７Ｘ，２７Ｙに供給されて増巾後にＸ
及びＹ軸のサブデフレクタ２４Ｘ、２４Ｙに加え
られて補正がなされる。即ちリフオーカスコイル
１９に加えたと同じ量の補正されたサイズデータ
hxlxlyとhylxlyがサブデフレクタ２４Ｘ，２４Ｙ
に与えられてリフオーカスコイルの取付誤差に基
づく横ずれが振り戻される。
即ち、本発明の上記構成ではメインフイールド
の各位置に対応するメモリを持ち、メインデフレ
クタに加えるデータによつてメインフイールド位
置が変るたびに対応するメモリからの読み出しが
行なわれる。一般には上記した定数gx、gy、rx、
ry、hx、hyは同一のサブフイールド内では同じ
値で書き込みが行なわれるがシヨツトサイズlxly
とサブデフレクタデータはサブフイールド内で順
次変化していくことは明らかである。
の各位置に対応するメモリを持ち、メインデフレ
クタに加えるデータによつてメインフイールド位
置が変るたびに対応するメモリからの読み出しが
行なわれる。一般には上記した定数gx、gy、rx、
ry、hx、hyは同一のサブフイールド内では同じ
値で書き込みが行なわれるがシヨツトサイズlxly
とサブデフレクタデータはサブフイールド内で順
次変化していくことは明らかである。
本発明は叙上の如く構成されているのでリフオ
ーカスコイルによつてボケが0.3μ以下に押えられ
るだけでなく、リフオーカスコイルの電子ビーム
軸に対する偏芯等で生ずる水平方向の磁界で生ず
る横ずれ成分に対応するサイズデータをサブデフ
レクタに加えることで電子ビームが振り戻されて
大面積ビームと小面積ビーム時に生ずる横ずれを
キヤンセルすることが可能となる特徴を有する。
ーカスコイルによつてボケが0.3μ以下に押えられ
るだけでなく、リフオーカスコイルの電子ビーム
軸に対する偏芯等で生ずる水平方向の磁界で生ず
る横ずれ成分に対応するサイズデータをサブデフ
レクタに加えることで電子ビームが振り戻されて
大面積ビームと小面積ビーム時に生ずる横ずれを
キヤンセルすることが可能となる特徴を有する。
第１図は本発明の電子ビーム露光装置の系統
図、第２図は従来の面積可変型電子ビーム露光装
置の光学系を示す模式図、第３図ａは１チツプ内
の露光状態を説明するためのチツプ平面図、第３
図ｂは第３図ａのサブフイールド内の露光状態を
示す平面図、第４図は可変面積とボケの関係を示
す特性図、第５図は従来のリフオーカスコイルを
有する面積可変型電子ビーム露光装置の一部光学
系を示す模式図である。 １……ビーム源、２……電子ビーム、３……第
１の集束レンズ、４……第１の通過孔、５……第
１のマスク、６……第２の集束レンズ、７，１２
……デフレクタ、８……第２の通過孔、９……第
２のマスク、１０……重ね合せ部、１１……第３
の集束レンズ、１４……試料、１７……集束レン
ズ、１８……絞りアパーチャー、１９……リフオ
ーカスコイル、２０……リフオーカスレンズ、２
３……メインデフレクタ、２４……サブデフレク
タ、２５……集束レンズ、２６……フイールド補
正メモリ、２７……パターンメモリ、２８……演
算回路、２７Ｘ，２７Ｙ……デイジタル−アナロ
グ変換回路。
図、第２図は従来の面積可変型電子ビーム露光装
置の光学系を示す模式図、第３図ａは１チツプ内
の露光状態を説明するためのチツプ平面図、第３
図ｂは第３図ａのサブフイールド内の露光状態を
示す平面図、第４図は可変面積とボケの関係を示
す特性図、第５図は従来のリフオーカスコイルを
有する面積可変型電子ビーム露光装置の一部光学
系を示す模式図である。 １……ビーム源、２……電子ビーム、３……第
１の集束レンズ、４……第１の通過孔、５……第
１のマスク、６……第２の集束レンズ、７，１２
……デフレクタ、８……第２の通過孔、９……第
２のマスク、１０……重ね合せ部、１１……第３
の集束レンズ、１４……試料、１７……集束レン
ズ、１８……絞りアパーチャー、１９……リフオ
ーカスコイル、２０……リフオーカスレンズ、２
３……メインデフレクタ、２４……サブデフレク
タ、２５……集束レンズ、２６……フイールド補
正メモリ、２７……パターンメモリ、２８……演
算回路、２７Ｘ，２７Ｙ……デイジタル−アナロ
グ変換回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 矩形可変型電子ビーム露光装置に於て、矩形
通過孔を有する第２のマスクと、メインデフレク
タ間に配したリフオーカスコイルに与えるシヨツ
トサイズデータと同一のデータをサブデフレクタ
に与えて、 上記リフオーカスコイルの取付誤差等で生ずる
大面積矩形ビームと小面積矩形ビーム照射時の横
ずれをサブフイールドシヨツト毎に補正してなる
ことを特徴とする電子ビーム露光装置。 ２ 前記サブデフレクタに与えられるシヨツトサ
イズデータはメモリ内に記憶されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159841A JPS6221216A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159841A JPS6221216A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6221216A JPS6221216A (ja) | 1987-01-29 |
| JPH047585B2 true JPH047585B2 (ja) | 1992-02-12 |
Family
ID=15702404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60159841A Granted JPS6221216A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6221216A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5283440A (en) * | 1990-10-05 | 1994-02-01 | Hitachi, Ltd. | Electron beam writing system used in a cell projection method |
| US6031326A (en) | 1997-04-01 | 2000-02-29 | Hitachi, Ltd. | Electron gun with electrode supports |
| JP2002008557A (ja) | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 陰極線管装置 |
| JP2003045359A (ja) | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Hitachi Ltd | 陰極線管 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60159841A patent/JPS6221216A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6221216A (ja) | 1987-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5929454A (en) | Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them | |
| US4213053A (en) | Electron beam system with character projection capability | |
| US4362942A (en) | Electron beam exposure system and an apparatus for carrying out the same | |
| US4467211A (en) | Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system | |
| US6057907A (en) | Method of and system for exposing pattern on object by charged particle beam | |
| JPH0336299B2 (ja) | ||
| JPH05206017A (ja) | リソグラフイ露光システム及びその方法 | |
| US5674413A (en) | Scattering reticle for electron beam systems | |
| KR100327009B1 (ko) | 전자빔 노출 방법 및 전자빔 노출 장치 | |
| US4859857A (en) | Ion-projection apparatus and method of operating same | |
| JPH047087B2 (ja) | ||
| JPH047585B2 (ja) | ||
| US5850083A (en) | Charged particle beam lithograph apparatus | |
| US4424450A (en) | Hybrid moving stage and rastered electron beam lithography system employing approximate correction circuit | |
| JP3173162B2 (ja) | 透過マスク板 | |
| US5543256A (en) | Method for exposing a pattern plate having an alignment pattern and a pattern plate exposed by said method | |
| JP3101100B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JP3247700B2 (ja) | 走査形投影電子線描画装置および方法 | |
| JPH0414490B2 (ja) | ||
| JP3511548B2 (ja) | 電子ビーム露光方法及び装置 | |
| JP2502704B2 (ja) | 電子ビ―ム描画方法 | |
| JP3157968B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH05160009A (ja) | 荷電ビーム描画装置および荷電ビームによるパターン形成方法 | |
| JPH07312338A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| JP3340595B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 |