JPH0476057U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0476057U JPH0476057U JP11857490U JP11857490U JPH0476057U JP H0476057 U JPH0476057 U JP H0476057U JP 11857490 U JP11857490 U JP 11857490U JP 11857490 U JP11857490 U JP 11857490U JP H0476057 U JPH0476057 U JP H0476057U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- coil
- circuit
- diffusion layer
- built
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
第１図、第２図はコイルとコイルの直線近似モ
デルを示す図、第３図は半導体基板上に設けたコ
イルの鳥観図、第４図は半導体基板上に設けたコ
イルの断面図、第５図は半導体基板上に設けたコ
イルの上面図、第６図はその断面図である。 １……半導体基板、２……層間膜１、３……第
１の金属配線層、４……スルーホール、５……第
２の金属配線層、６……層間膜２、７……第３の
金属配線層。
デルを示す図、第３図は半導体基板上に設けたコ
イルの鳥観図、第４図は半導体基板上に設けたコ
イルの断面図、第５図は半導体基板上に設けたコ
イルの上面図、第６図はその断面図である。 １……半導体基板、２……層間膜１、３……第
１の金属配線層、４……スルーホール、５……第
２の金属配線層、６……層間膜２、７……第３の
金属配線層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 半導体基板上に拡散層を設け、当該拡児層を
電気的に接続する金属配線層を２層以上で形成し
た半導体装置において、当該金属配線層によりコ
イルを形成し自己インダクタンスを内蔵したこと
を特徴とする半導体装置。 ２ 請求項１記載の半導体装置において、当該自
己インダクタンスと拡散層の接合容量或いは、酸
化膜を用いた容量とを直列に接続したＬ−Ｃ発振
回路を内蔵したことを特徴とする半導体装置。 ３ 半導体基板上に拡散層を設け、当該拡散層を
電気的に接続する金属線層を３層以上で形成した
半導体装置において、当該金属配線層によりコイ
ルを形成し、かつ、コイルを発生した磁束を導く
金属配線をコイル内を通る閉じた環状に形成する
ことにより形成される無端ソレノイドを内蔵する
ことを特徴とする半導体装置。 ４ 請求項３記載の無端ソレノイドにおいてコイ
ルを２個以上設けることにより形成された相互イ
ンダクタンスを内蔵することを特徴とする半導体
装置。 ５ 請求項４記載の相互インダクタンスを内蔵す
る半導体装置において１方のコイルにＭＯＳ回路
などのデジタル回路を接続し、他方のコイルにト
ランジスタなどのリニア回路を接続し、半導体装
置内部のデジタル信号処理結果をリニア回路の電
流出力として外部に出力出来る様にしたことを特
徴とする半導体装置。 ６ 請求項１記載の自己インダクタンスにアンプ
を接続した回路を内蔵し、コイル内の磁束変化を
内部信号として処理出来ることを特徴とする半導
体装置。 ７ 請求項１記載の半導体装置において、当該自
己インダクスタスと拡散層、或いは多結晶シリコ
ン等により形成された抵抗とを直列に接続するこ
とにより形成される平滑りアクトルを内蔵するこ
とを特徴とする半導体装置。 ８ 請求項７記載の相互インダクタンスを外部信
号端子と内部回路間に挿入することにより、外部
からの突入電流による内部回路の劣化を防止する
構造としたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11857490U JPH0476057U (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11857490U JPH0476057U (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476057U true JPH0476057U (ja) | 1992-07-02 |
Family
ID=31866519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11857490U Pending JPH0476057U (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476057U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7167073B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-01-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP11857490U patent/JPH0476057U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7167073B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-01-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
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