JPH0476103B2

JPH0476103B2 -

Info

Publication number: JPH0476103B2
Application number: JP21025885A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Honda; Keiichi Murai; Kyosuke Ogawa; Atsushi Koike
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-09-25
Filing date: 1985-09-25
Publication date: 1992-12-02
Also published as: JPS6271964A

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の属する技術分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可
視光線、赤外線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電
磁波に感受性のある光受容部材に関する。さらに
詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。〔従来技術の説明〕デジタル画像情報を画像として記録する方法と
して、デジタル画像情報に応じて変調したレーザ
ー光で光受容部材を光学的に走査することにより
静電潜像を形成し、次いで該潜像を現像するか、
更に必要に応じて転写、定着などの処理を行な
う、画像を記録する方法が知られており、中でも
電子写真法による画像形成法では、レーザーとし
て、小型で安価なHe−Neレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は650〜820nmの発光波長を有
する）を使用して像記録を行なうのが一般であ
る。ところで、半導体レーザーを用いる場合に適し
た電子写真用の光受容部材としては、その光感度
領域の整合性が他の種類の光受容部材と比べて優
れているのに加えて、ビツカース硬度が高く、公
害の問題が少ない等の点から評価され、例えば特
開昭54−86341号公報や特開昭56−83746号公報に
みられるようなシリコン原子を含む非晶質材料
（以後「ａ−Si」と略記する）から成る光受容部
材が注目されている。しかしながら、前記光受容部材については、光
受容層を単層構成のａ−Si層とすると、その高光
感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
10¹²Ωcm以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子、或いはこれ等に加えてボロン原
子とを特定の量範囲で層中に制御された形で構造
的に含有させる必要性があり、ために層形成に当
つて各種条件を厳密にコントロールすることが要
求される等、光受容部材の設計についての許容度
に可成りの制約がある。そしてそうした設計上の
許容度の問題をある程度低暗抵抗であつても、そ
の高光感度を有効に利用出来る様にする等して改
善する提案がなされている。即ち、例えば、特開
昭54−121743号公報、特開昭57−4053号公報、特
開昭57−4172号公報にみられるように光受容層を
伝導特性の異なる層を積層した二層以上の層構成
として、光受容層内部に空乏層を形成したり、或
いは特開昭57−52178号、同52179号、同52180号、
同58159号、同58160号、同58161号の各公報にみ
られるように支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造と
したりして、見掛け上の暗抵抗を高めた光受容部
材が提案されている。ところがそうした光受容層が多層構造を有する
光受容部材は、各層の層厚にばらつきがあり、こ
れを用いてレーザー記録を行う場合、レーザー光
が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層
及び支持体と光受容層との層界面（以後、この自
由表面及び層界面の両者を併せた意味で「界面」
と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。この干渉現象は、形成される可視画像に於い
て、所謂、干渉縞模様となつて現われ、画像不良
の原因となる。殊に階調性の高い中間調の画像を
形成する場合にあつては、識別性の著しく劣つた
阻画像を与えるところとなる。また重要な点として、使用する半導体レーザー
光の波長領域が長波長になるにつれ光受容層に於
ける該レーザー光の吸収が減少してくるので、前
記の干渉現象が顕著になるという問題がある。即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）
構成のものであるものにおいては、それらの各層
について干渉効果が起り、それぞれの干渉が相乗
的に作用し合つて干渉縞模様を呈するところとな
り、それがそのまゝ転写部材に影響し、該部材上
に前記干渉縞模様に対応した干渉縞が転写、定着
され可視画像に現出して不良画像をもたらしてし
まうといつた問題がある。こうした問題を解消する策として、(a)支持体表
面をダイヤモンド切削して、±500Å〜±10000Å
の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば
特開昭58−162975号公報参照）、(b)アルミニウム
支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或い
は、樹脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散し
たりして光吸収層を設ける方法（例えば特開昭57
−165845号公報参照）、(c)アルミニウム支持体表
面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブラ
ストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支
持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例え
ば特開昭57−16554号公報参照）等が提案されて
はいる。これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすも
のの、画像上に現出する干渉縞模様を完全に解消
するに十分なものではない。即ち、(a)の方法については、支持体表面に特定
ｔの凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効
果による干渉縞模様の現出が一応それなりに防止
はされるものの、光散乱としては依然として正反
射光成分が残存するため、該正反射光による干渉
縞模様が残存してしまうことに加えて、支持体表
面での光散乱効果により照射スポツトに拡がりが
生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。 (b)の方法については、黒色アルマイト処理で
は、完全吸収は不可能であり、支持体表面での反
射光は残存してしまう。また、着色顔料分散樹脂
層を設ける場合は、ａ−Si層を形成する際、樹脂
層より脱気現象が生じ、形成される光受容層の層
品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−Si層形
成の際のプラズマによつてダメージを受けて、本
来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のａ−Si層の形成に悪影響を与え
ること等の問題点を有する。 (c)の方法については、例えば入射光についてみ
れば光受容層の表面でその一部が反射されて反射
光となり、残りは、光受容層の内部に進入して透
過光となる。透過光は、支持体の表面に於いて、
その一部は、光散乱されて拡散光となり、残りが
正反射されて反射光となり、その一部が出射光と
なつて外部に出ては行くが、出射光は、反射光と
干渉する成分であつて、いずれにしろ残留するた
め依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。ところで、この場合の干渉を防止するについ
て、光受容層内部での多重反射が起らないよう
に、支持体の表面の拡散性を増加させる試みもあ
るが、そうしたところでかえつて光受容層内部で
光が拡散してハレーシヨンを生じてしまい、結局
は解像度が低下してしまう。特に、多層構成の光受容部材においては、支持
体表面を不規則的に荒しても、第１層での表面で
の反射光、第２層での反射光、支持体表面での正
反射光の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚に
したがつた干渉縞模様が生じる。従つて、多層構
成の光受容部材においては、支持体表面を不規則
に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。又、サンドブラスト等の方法によつて支持体表
面を不規則に荒す場合は、その粗面度がロツト間
に於いてバラツキが多く、且つ同一ロツトに於い
ても粗面度に不均一があつて、製造管理上問題が
ある。加えて、比較的大きな突起がランダムに形
成される機会が多く、斯かる大きな突起が光受容
層の局所的ブレークダウンをもたらしてしまう。又、支持体表面を単に規則的に荒したところ
で、通常、支持体の表面の凹凸形状に沿つて、光
受容層が堆積するため、支持体表面の凹凸の傾斜
面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行になり、そ
の部分では入射光は、明部、暗部をもたらすとこ
ろとなり、又、光受容層全体では光受容層の層厚
の不均一性があるため明暗の縞模様が現われてし
まう。従つて、支持体表面を規則的に荒しただけ
では、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはでき
ない。又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成
の光受容層を堆積させた場合にも、支持体表面で
の正反射光と、光受容層表面での反射光との干渉
の他に、各層間の界面での反射光による干渉が加
わるため、一層構成の光受容部材の干渉縞模様発
現度合より一層複雑となる。〔発明の目的〕本発明は、主としてａ−Siで構成された光受容
層を有する光受容部材について、上述の諸問題を
排除し、各種要求を満たすものにすることを目的
とするものである。すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光
学的、光導電的特性が使用環境に殆んど依存する
ことなく実質的に常時安定しており、耐光疲労に
優れ、繰返し使用に際しても劣化現象を起こさず
耐久性、耐湿性に優れ、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されなく、製造管理が容易である、ａ−Si
で構成された光受容層を有する光受容部材を提供
することにある。本発明の別の目的は、全可視光域において光感
度が高く、とくに半導体レーザーとのマツチング
性に優れ、且つ光応答の速い、ａ−Siで構成され
た光受容層を有する光受容部材を提供することに
ある。本発明の更に別の目的は、高光感度性、高SN
比特性及び高電気的耐圧性を有する、ａ−Siで構
成された光受容層を有する光受容部材を提供する
ことにある。本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に厳密で安定的であ
り、層品質の高い、ａ−Siで構成された光受容層
を有する光受容部材を提供することにある。本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用
いる画像形成に適し、長期の繰り返し使用にあつ
ても、干渉縞模様と反転現像時の斑点の現出がな
く、且つ画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度
が高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の
高い、高品質画像を得ることのできる、ａ−Siで
構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。〔発明の構成〕本発明者らは、従来の光受容部材についての前
述の諸問題を克服して、上述の目的を達成すべく
鋭意研究を重ねた結果、下述する知見を得、該知
見に基づいて本発明を完成するに至つた。即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子
と、ゲルマニウム原子又はスズ原子の少なくとも
いずれか一方とを含有する非晶質材料で構成され
た層と、シリコン原子を含有し、ゲルマニウム原
子及びスズ原子のいずれも含有しない非晶質材料
で構成された層とを支持体側から順に有する多層
構成の光受容層を備えた光受容部材であつて、前
記支持体の表面が、複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状を有してなることを骨子とする光受容部材
に関する。ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果
得た知見は、概要、支持体上に複数の層を有する
光受容部材において、前記支持体表面に、複数の
球状痕跡窪みによる凹凸を設けることにより、画
像形成時に現われる干渉縞模様の問題が解消され
るというものである。この知見は、本発明者らが試みた各種の実験に
より得た事実関係に基づくものである。このところを、理解を容易にするため、図面を
用いて以下に説明する。第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層
構成を示す模式図であり、微小な複数の球状痕跡
窪みによる凹凸形状を有する支持体１０１上に、
その凹凸の傾斜面に沿つて、シリコン原子と、ゲ
ルマニウム原子又はスズ原子の少なくともいずれ
か一方を含有する層１０２′、及びシリコン原子
を含有し、ゲルマニウム原子及びスズ原子のいず
れも含有しない層１０２″とからなる光受容層１
０２を備えた光受容部材を示している。第２及び３図は、本発明の光受容部材において
干渉縞模様の問題が解消されるところを説明する
ための図である。第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、
多層構成の光受容層を堆積させた従来の光受容部
材の一部を拡大して示した図である。該図におい
て、３０１は第一の層、３０２は第二の層、３０
３は自由表面、３０４は第一の層と第二の層の界
面をそれぞれ示している。第３図に示すごとく、
支持体表面を切削加工等の手段により単に規則的
に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹
凸形状に沿つて光受容層が形成されるため、支持
体表面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行関係をなすところとなる。このことが原因で、例えば、光受容層が第一の
層３０１と、第二の層３０２との２つの層からな
る多層構成のものである光受容部材においては、
例えば次のような問題が定常的に惹起される。即
ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由
表面３０３とが平行関係にあるため、界面３０４
での反射光R₁と自由表面での反射光R₂とは方向
が一致し、第二の層の層厚に応じた干渉縞が生じ
る。第２図は、第１図の一部を拡大した図であつ
て、第２図に示すごとく、本発明の光受容部材は
支持体表面に複数の微小な球状痕跡窪みによる凹
凸形状が形成されており、その上の光受容層は、
該凹凸形状に沿つて堆積するため、例えば光受容
層が第一の層２０１と第二の層２０２との二層か
らなる多層構成の光受容部材にあつては、第一の
層２０１と第二の層２０２との界面２０４、及び
自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹凸
形状に沿つて、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形
成される。界面２０４に形成される球状痕跡窪み
の曲率をR₁、自由表面に形成される球状痕跡窪
みの曲率をR₂とすると、R₁とR₂とはR₁≠R₂とな
るため、界面２０４での反射光と、自由表面２０
３での反射光とは、各々異なる反射角度を有し、
即ち、第２図におけるθ₁，θ₂がθ₁≠θ₂であつて、
方向が異なるうえ、第２図に示す₁，₂，₃
を用いて₁＋₂−₃で表わされるところの波
長のずれも一定とはならずに変化するため、いわ
ゆるニユートンリング現象に相当するシエアリン
グ干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されると
ころとなる。これにより、こうした光受容部材を
介して現出される画像は、ミクロ的には干渉縞が
仮に現出されていたとしても、それらは視覚には
とらえられない程度のものとなる。即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用
は、その上に多層構成の光受容層を形成してなる
光受容部材にあつて、該光受容層を通過した光
が、層界面及び支持体表面で反射し、それらが干
渉することにより、形成される画像が縞模様とな
ることを効率的に防止し、優れた画像を形成しう
る光受容部材を得ることにつながる。ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の
球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び幅Ｄ
は、こうした本発明の光受容部材における干渉縞
の発生を防止する作用効果を効率的に達成するた
めには重要な要因である。本発明者らは、各種実
験を重ねた結果以下のところを究明した。即ち、曲率Ｒ及び幅Ｄが次式：Ｄ／Ｒ≧0.035 を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシエア
リング干渉によるニユートンリングが0.5本以上
存在することとなる。さらに次式：Ｄ／Ｒ≧0.055 を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシエア
リング干渉によるニユートンリングが１本以上存
在することとなる。こうしたことから、光受容部材の全体に発生す
る干渉縞を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光
受容部材における干渉縞の発生を防止するために
は、前記Ｄ／Ｒを0.035、好ましくは0.055以上とすることが望ましい。また、痕跡窪みによる凹凸の幅Ｄは、大きくと
も500μm程度、好ましくは200μm以下、より好ま
しくは100μm以下とするのが望ましい。本発明は、上記の究明した事実に基くものであ
り、本発明により提供される光受容部材は、下述
する構成を骨子とするものである。即ち、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニ
ウム原子またはスズ原子の少なくともいずれか一
方とを含有する非晶質材料で構成された層イと、
シリコン原子を含有し、ゲルマニウム原子及びス
ズ原子のいずれも含有しない非晶質材料で構成さ
れた層ロとを支持体側から順に有する多層構成の
光受容層を備えた光受容部材であつて、前記支持
体の表面が、窪みの幅Ｄが500μm以下で窪みの曲
率半径Ｒと幅Ｄとが0.035≦Ｄ／Ｒとされた複数
の球状痕跡窪みによる凹凸を有することを特徴と
する光受容部材である。上記構成の本発明の光受容部材における支持体
の表面の前記複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、
同一の曲率半径のものであつても、或いは、ほぼ
同一の曲率半径及び幅の窪みにより形成されたも
のであつてもよい。上記構成の本発明の光受容部材における光受容
層は、周期律表第族または第族に属する原子
を含有してもよい。この場合、光受容層に含有さ
れる周期律表第族または第族に属する原子に
ついて、それら原子の分布濃度が支持体側で比較
的高濃度であり、表面側でかなり低いかあるいは
実質的にゼロに近い濃度であるように層厚方向に
不均一に分布するようにすることができる。上記構成の本発明の光受容部材においては、前
記層イに含有されるゲルマニウム原子又はスズ原
子について、それら原子の分布濃度が支持体側で
比較的高濃度とされ、前記層ロ（即ち、ゲルマニ
ウム原子及びスズ原子のいずれも含有しない層）
側で支持体側に較べかなり低い濃度で層厚方向に
不均一に分布するようにすることができる。上記構成の本発明の光受容部材における光受容
層は、周期律表第族または第族に属する原子
を含有する電荷注入防止層を構成層の１つとして
有することができる。上記構成の本発明の光受容部材における光受容
層は、構成層の１つとして障壁層を有することが
できる。本発明の光受容部材の光受容層の作成について
は、本発明の前述の目的を効率的に達成するため
に、その層厚を光学的レベルで正確に制御する必
要があることから、グロー放電法、スパツタリン
グ法、イオンプレーテイング法等の真空堆積法が
通常使用されるが、これらの他、光CVD法、熱
CVD法等を採用することもできる。以下、第１図に示した本発明の光受容部材の具
体的構成について詳しく説明する。第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明
するために模式的に示した図であり、図中、１０
０は光受容部材、１０１は支持体、１０２は光受
容層、１０３は自由表面を示している。支持体本発明の光受容部材における支持体１０１は、
その表面が光受容部材に要求される解像力よりも
微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は複数の球状痕
跡窪みによるものである。以下、該支持体表面の形状およびその好ましい
製造方法の例を、第４及び５図により詳しく説明
するが、本発明の光受容部材における支持体の形
状及びその製造方法は、これらによつて限定され
るものではない。第４図は、本発明の光受容部材における支持体
表面の形状の典型的１例を、その凹凸形状の１部
を部分的に拡大して模式的に示すものである。第４図において、４０１は支持体、４０２は支
持体表面、４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡
窪みを示している。さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに
好ましい製造方法の１例をも示すものでもある。
即ち、剛体真球４０３を、支持体表面４０２より
所定高さの位置より自然落下させて支持体表面４
０２に衝突させることにより、球状窪み４０４を
形成しうることを示している。そして、ほぼ同一
径R′の剛体真球４０３を複数個用い、それらを
同一の高さｈより、同時あるいは逐時、落下させ
ることにより、支持体表面４０２に、ほぼ同一曲
率Ｒ及び同一幅Ｄを有する複数の球状痕跡窪み４
０４を形成することができる。第５図は、前述のごとくして、表面の複数の球
状痕跡窪みによる凹凸形状の形成された支持体
の、いくつかの典型例を示すものである。第５Ａ図に示す例では、支持体５０１の表面５
０２の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体
５０３，５０３，……をほぼ同一の高さより規則
的に落下させてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅
の複数の痕跡窪み５０４，５０４，……を互いに
重複し合うように密に生じせしめて規則的に凹凸
形状を形成したものである。なおこの場合、互い
に重複する窪み５０４，５０４，……を形成する
には、球体５０３の支持体表面５０２への衝突時
期が、互いにずれるように球体５０３，５０３，
……を自然落下せしめる必要のあることはいうま
でもない。また、第５Ｂ図に示す例では、異なる径を有す
る二種類の球体５０３，５０３′……をほぼ同一
の高さ又は異なる高さから落下させて、支持体５
０１の表面５０２に、二種の曲率及び二種の幅の
複数の窪み５０４，５０４′……を互いに重複し
合うように密に生じせしめて、表面の凹凸の高さ
が不規則な凹凸を形成したものである。更に、第５Ｃ図（支持体表面の正面図及び断面
図）に示す例では、支持体５０１の表面５０２
に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３，５０３′，
……をほぼ同一の高さより不規則に落下させ、ほ
ぼ同一の曲率及び複数種の幅を有する複数の窪み
５０４，５０４，……を互いに重複し合うように
生じせしめて、不規則な凹凸を形成したものであ
る。以上のように、剛体真球を支持体表面に落下さ
せることにより、球状痕跡窪みによる凹凸形状を
形成することができるが、この場合、剛体真球の
径、落下させる高さ、剛体真球と支持体表面の硬
度、あるいは、落下させる球体の量等の諸条件を
適宜選択することにより、支持体表面に所望の曲
率及び幅を有する複数の球状痕跡窪みを、所定の
密度で形成することができる。即ち、上記諸条件
を選択することにより、支持体表面に形成される
凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピツチを、目的に
応じて自在に調整でき、表面に所望の凹凸形状を
有する支持体を得ることができる。そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面の
ものにするについて、旋盤、フライス盤等を用い
たダイヤモンドバイトにより切削加工して作成す
る方法の提案がなされていてそれなりに有効な方
法ではあるが、該方法にあつては切削油の使用、
切削により不可避的に生ずる切粉の除去、切削面
に残存してしまう切削油の除去が不可欠であり、
結局は加工処理が煩雑であつて効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあつては、支持体
の凹凸表面形状を前述したように球状痕跡窪みに
より形成することから上述の問題は全くなくして
所望の凹凸形状表面の支持体を効率的且つ簡便に
作成できる。本発明に用いる支持体１０１は、導電性のもの
であつても、また電気絶縁性のものであつてもよ
い。導電性支持体としては、例えば、NiCr、ス
テンレス、Ａ，Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，
Ti，Pt，Pb等の金属又はこれらの合金が挙げら
れる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が挙げられる。これ等の電気絶縁性
支持体は、好適には少なくともその一方の表面を
導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Ａ，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，
Pt，Pd，In₂O₃，SnO₂，ITO（In₂O₃＋SnO₂）等
から成る薄膜を設けることによつて導電性を付与
し、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Ａ，Ag，Pb，Zn，
Ni，Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ｔ，Pt
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パツタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導
電性を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベル
ト状、板状等任意の形状であることができるが、
用途、所望によつて、その形状は適宜に決めるこ
とのできるものである。例えば、第１図の光受容
部材１００を電子写真用像形成部材として使用す
るのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に
適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が充分発揮
される範囲内で可能な限り薄くすることができ
る。しかしながら、支持体の製造上及び取扱い
上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以上と
される。次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受
容部材として用いる場合について、その支持体表
面の製造装置の１例を第６Ａ図及び第６Ｂ図を用
いて説明するが、本発明はこれによつて限定され
るものではない。電子写真用光受容部材の支持体としては、アル
ミニウム合金等に通常の押出加工を施して、ボー
トホール管あるいはマンドレル管とし、更に引抜
加工して得られる引抜管に、必要に応じて熱処理
や調質等の処理を施した円筒状（シリンダー状）
基体を用い、該円筒状基体に第６Ａ，Ｂ図に示し
た製造装置を用いて、支持体表面に凹凸形状を形
成せしめる。支持体表面に前述のような凹凸形状を形成する
について用いる球体としては、例えばステンレ
ス、アルミニウム、鋼鉄、ニツケル、真鈴等の金
属、セラミツク、プラスチツク等の各種剛体球を
挙げることができ、とりわけ耐久性及び低コスト
化等の理由により、ステンレス及び鋼鉄の剛体球
が好ましい。そしてそうした球体の硬度は、支持
体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよい
が、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬
度よりも高いものであることが望ましい。第６Ａ、第６Ｂ図は製造装置全体の断面略図で
あり、６０１は支持体作成用のアルミニウムシリ
ンダーであり、該シリンダー６０１は、予め表面
を適宜の平滑度に仕上げられていてもよい。シリ
ンダー６０１は、回転軸６０２によつて軸支され
ており、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆
動され、ほぼ軸芯のまわりで回転可能にされてい
る。回転速度は、形成する球状痕跡窪みの密度及
び剛体真球の供給量等を考慮して、適宜に決定さ
れ、制御される。６０４は、剛体真球６０５を自然落下させるた
めの落下装置であり、剛体真球６０５を貯留し、
落下させるためのボールフイーダー６０６、フイ
ーダー６０６から剛体真球６０５が落下しやすい
ように揺動させる振動機６０７、シリンダーに衝
突して落下する剛体真球６０５を回収するための
回収槽６０８、回収槽６０８で回収された剛体真
球６０５をフイーダー６０６まで管輸送するため
のボール送り装置６０９、送り装置６０９の途中
で剛体真球を液洗浄するための洗浄装置６１０、
洗浄装置６１０にノズル等を介して洗浄液（溶剤
等）を供給する液だめ６１１、洗浄に用いた液を
回収する回収槽６１２などで構成されている。フイーダー６０６から自然落下する剛体真球の
量は、落下口６１３の開閉度、振動機６０７によ
る揺動の程度等により適宜調節される。光受容層本発明の光受容部材においては、光受容層１０
２は前述の支持体１０１上に設けられ、該光受容
層は、支持体１０１側より、ゲルマニウム原子
Ge又はスズ原子Snの少なくともいずれか一方と、
好ましくはさらに水素原子及びハロゲン原子の少
なくともいずれか一方を含有するａ−Si〔以下、
「ａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）」と表記する。〕で構
成された層１０２′と、必要に応じて水素原子及
びハロゲン原子の少なくともいずれか一方を含有
するａ−Si〔以下、「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」と表記す
る。〕で構成された層１０２″とが順に積層された
多層構造を有する。そして該光受容層１０２に
は、さらに必要に応じて伝導性を制御する物質を
含有せしめることができる。光受容層中に含有せしめるハロゲン原子Ｘとし
ては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が
挙げられ、特にフツ素、塩素を好適なものとして
挙げることができる。そして光受容層１０２中に
含有せしめる水素原子Ｈの量又はハロゲン原子Ｘ
の量、あるいは水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜40atomic％、好ましくは
５〜30atomic％とするのが望ましい。また、本発明の光受容部材において、光受容層
の層厚は、本発明の目的を効率的に達成するには
重要な要因の１つであつて、光受容部材に所望の
特性が与えられるように、光受容部材の設計の際
には充分な注意を払う必要があり、通常は１〜
100μとするが、好ましくは１〜80μ、より好まし
くは２〜50μとする。ところで、本発明の光受容部材の光受容層にゲ
ルマニウム原子及び／又はスズ原子を含有せしめ
る目的は、主として該光受容部材の長波長側にお
ける吸収スペクトル特性を向上せしめることにあ
る。即ち、前記光受容層中にゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子を含有せしめることにより、本
発明の光受容部材は、各種の優れた特性を示すと
ころのものとなるが、中でも特に可視光領域をふ
くむ比較的短波長から比較的長波長迄の全領域の
波長の光に対して光感度が優れ光応答性の速いも
のとなる。そしてこのことは、半導体レーザーを
光線とした場合に特に顕著である。本発明の光受容部材における光受容層において
は、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子は、支
持体１０１に接する層１０２′中に均一な分布状
態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態
で含有せしめるものである。（ここで均一な分布
状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
の分布濃度が、層１０２′の支持体表面と平行な
面方向において均一であり、層１０２′の層厚方
向にも均一であることをいい、又、不均一な分布
状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
の分布濃度が、層１０２′の支持体表面と平行な
面方行には均一であるが、層１０２′の層厚方向
には不均一であることをいう。）そして本発明の層１０２′においては、特に、
ゲルマニウム原子及び／又はスズ原子は、層１０
２″側よりも支持体側の方に多く分布した状態と
なるように含有せしめることが望ましく、こうし
た場合、支持体側の端部においてゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子の分布濃度を極端に大きく
することにより、半導体レーザー等の長波長の光
源を用いた場合に、層１０２″においては殆んど
吸収しきれない長波長の光を、層１０２′におい
て実質的に完全に吸収することができ、支持体表
面からの反射光による干渉が防止されるようにな
る。また、本発明の光受容部材においては、層１０
２′と層１０２″とを構成する非晶質材料が各々、
シリコン原子という共通の構成要素を有している
ので積層界面において化学的な安定性が充分確保
されている。以下、層１０２′に含有されるゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子の層１０２′の層厚方向の
分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウ
ム原子を例として第７乃至１５図により説明す
る。第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、層１０２′の
層厚を示し、t_Bは支持体側の層１０２′の端部の
位置を、t_Tは支持体側とは反対側の層１０２″側
の端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の
含有される層１０２′はt_B側よりもt_T側に向つて
層形成がなされる。尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はその
ままの値で示すと各々の図の違いが明確でなくな
る為、極端な形で図示しており、これらの図はあ
くまでも理解を容易にするための説明のための模
式的なものである。第７図には、層１０２′中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例
が示される。第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される層１０２′が形成される支持体表面と
層１０２′とが接する界面位置t_Bよりt₁の位置ま
では、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが濃度C₁
なる一定の値を取り乍らゲルマニウム原子が層１
０２′に含有され、位置t₁よりは濃度C₂より界面
位置t_Tに至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。界面位置t_Tにおいてはゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは実質的にゼロとされる。（ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場
合である。）第８図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_T
に至るまで濃度C₃から徐々に連続的に減少して
位置t_Tにおいて濃度C₄となる分布状態を形成して
いる。第９図の場合には、位置t_Bより位置t_Tまでは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C₅と一定
位置とされ、位置t₂と位置t_Tとの間において、
徐々に連続的に減少され、位置t_Tにおいて、分布
濃度Ｃは実質的にゼロとされている。第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで、濃度C₆よ
り初め連続的に徐々に減少され、位置t₃よりは急
速に連続的に減少されて位置t_Tにおいて実質的に
ゼロとされている。第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置t_Bと位置t₄間においては、
濃度C₇と一定値であり、位置t_Tに於ては分布濃度
Ｃは零とされる。位置t₄と位置t_Tとの間では、分
布濃度Ｃは一次関数的に位置t₄より位置t_Tに至る
まで減少されている。第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃ
は位置t_Bより位置t₅までは濃度C₈の一定値を取
り、位置t₅より位置t_Tまでは濃度C₉より濃度C₁₀
まで一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。第１３図に示す例においては、位置t_Bより位置
t_Tに至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
濃度C₁₁より一次関数的に減少されて、ゼロに至
つている。第１４図においては、位置t_Bより位置t₆に至る
まではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度
C₁₂より濃度C₁₃まで一次関数的に減少され、位置
t₆と位置t_Tとの間においては、濃度C₁₃の一定値と
された例が示されている。第１５図に示される例において、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃは、位置t_Bにおいて濃度C₁₄で
あり、位置t₇に至るまではこの濃度C₁₄より初め
はゆつくりと減少され、t₇の位置付近において
は、急激に減少されて位置t₇では濃度C₁₅とされ
る。位置t₇と位置t₈との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t₈で濃度C₁₆となり、位置t₈と位置t₉との間
では、徐々に減少されて位置t₉において、濃度
C₁₇に至る。位置t₉と位置t_Tとの間においては濃度
C₁₇より実質的にゼロになる様に図に示す如き形
状の曲線に従つて減少されている。以上、第７図乃至第１５図により、層１０２′
中に含有されるゲルマニウム原子又は／及びスズ
原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを説
明した様に、本発明の光受容部材においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面t_T側
においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比べて
かなり低くされた部分を有するゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子の分布状態が構成層１０２′
に設けられているのが望ましい。即ち、本発明における光受容部材を構成する層
１０２′は、好ましくは、上述した様に支持体側
の方にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子が比
較的高濃度で含有されている局在領域を有するの
が望ましい。本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第
７図乃至第１５図に示す記号を用いて説明すれ
ば、界面位置t_Bより5μ以内に設けられるのが望ま
しい。そして、上記局在領域は、界面位置t_Bより5μ厚
までの全層領域とされる場合もあるし、又、該層
領域の一部とされる場合もある。局在領域を層１０２′の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特
性に従つて適宜決められる。局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の層厚方向の分布状態とし
てゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃
度の最大値Cmaxがシリコン原子に対して、好ま
しくは1000atomic ppm以上、より好適には
5000atomic ppm以上、最適には１×10⁴atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。即ち、本発明の光受容部材において、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子の含有される層１０
２′は、支持体側からの層厚で5μ以内（t_Bから5μ
層の層領域）に分布濃度の最大値Cmaxが存在す
る様に形成されるのが好ましいものである。本発明の光受容部材において、層１０２′中に
含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子の含有量は、本発明の目的を効率的に達成しう
る様に所望に従つて適宜決める必要があり、通常
は１〜６×10⁵atomic ppmとするが、好ましく
は10〜３×10⁵atomic ppm、より好ましくは１
×10²〜２×10⁵atomic ppmとする。本発明の光受容部材においては光受容層に伝導
性を制御する物質を、全層領域又は一部の層領域
に均一又は不均一な分布状態で含有せしめること
ができる。前記伝導性を制御する物質としては、半導体分
野においていういわゆる不純物を挙げることがで
き、Ｐ型伝導性を与える周期律表第族に属する
原子（以下単に「第族原子」と称す。）、又は、
ｎ型伝導性を与える周期律表第族に属する原子
（以下単に「第族原子」と称す。）が使用され
る。具体的には、第族原子としては、Ｂ（硼
素）、Ａ（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In
（インジウム）、Ｔ（タリウム）等を挙げること
ができるが、特に好ましいものは、Ｂ，Gaであ
る。また第族原子としてはＰ（燐）、As（砒素）、
Sb（アンチモン）、Bi（ビスマン）等を挙げること
ができるが、特に好ましいものは、Ｐ，Sbであ
る。本発明の光受容部材の光受容層に伝導性を制御
する物質である第族原子又は第族原子を含有
せしめる場合、全層領域に含有せしめるか、ある
いは一部の層領域に含有せしめるかは、後述する
ように目的とするところ乃至期待する作用効果に
よつて異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。すなわち、光受容層の伝導型又は／及び伝導率
を制御することを主たる目的にする場合には、光
受容層の全層領域中に含有せしめ、この場合、第
族原子又は第族原子の含有量は比較的わずか
でよく、通常は１×10^-3〜１×10³atomic ppmで
あり、好ましくは５×10^-2〜５×10²atomic
ppm、最適には１×10^-1〜２×10²atomic ppmで
ある。また、支持体と接する一部の層領域に第族原
子又は第族原子を均一な分布状態で含有せしめ
るか、あるいは層厚方向における第族原子又は
第族原子の分布濃度が、支持体と接する側にお
いて高濃度となるように含有せしめる場合には、
こうした第族原子又は第族原子を含有する構
成層あるいは第族原子又は第族原子を高濃度
に含有する層領域は、電荷注入阻止層として機能
するところとなる。即ち、第族原子を含有せし
めた場合には、光受容層の自由表面が極性に荷
電処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ
注入される電子の移動をより効率的に阻止するこ
とができ、又、第族原子を含有せしめた場合に
は、光受容層の自由表面が極性に帯電処理を受
けた際に、支持体側から光受容層中へ注入される
正孔の移動をより効率的に阻止することができ
る。そして、こうした場合の含有量は比較的多量
であつて、具体的には、30〜５×10⁴atomic
ppm、好ましくは50〜１×10⁴atomic ppm、最
適には１×10²〜５×10³atomic ppmとする。さ
らに、該電荷注入阻止層としての効果を効率的に
奏するためには、第族原子又は第族原子を含
有する支持体側の端部に設けられる層又は層領域
の層厚をｔとし、光受容層の層厚をＴとした場
合、ｔ／Ｔ≦0.4の関係が成立することが望まし
く、より好ましくは該関係式の値が0.35以下、最
適には0.3以下となるようにするのが望ましい。
また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３
×10^-3〜10μとするが、好ましくは４×10^-3〜8μ、
最適には５×10^-3〜5μとするのが望ましい。次に光受容層に含有せしめる第族原子又は第
族原子の量が、支持体側においては比較的多量
であつて、支持体側から自由表面側に向つて減少
し、光受容層の自由表面側の端部付近において
は、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロに
近くなるように第族原子又は第族原子を分布
させる場合の典型的例のいくつかを、第１６図乃
至第２４図によつて説明するが、本発明はこれら
の例によつて限定されるものではない。各図にお
いて、横軸は第族原子又は第族原子の分布濃
度Ｃを、縦軸は光受容層の層厚を示し、t_Bは支持
体と光受容層との界面位置を、t_Tは光受容層の自
由表面の位置を示す。第１６図は、光受容層中に含有せしめる第族
原子又は第族原子の層厚方向の分布状態の第一
の典型例を示している。該例では、第族原子又
は第族原子を含有する光受容層と支持体表面と
が接する界面位置t_Bより位置t₁までは、第族原
子又は第族原子の分布濃度ＣがC₁なる一定値
をとり、位置t₁より自由表面位置t_Tまでは、第
族原子又は第族原子の分布濃度Ｃが濃度C₂か
ら連続的に減少し、位置t_Tにおいては第族原子
又は第族原子の分布濃度ＣがC₃となる。第１７図は、他の典型例の１つを示している。
該例では、光受容層に含有せしめる第族原子又
は第族原子の分布濃度Ｃは、位置t_Bから位置t_T
にいたるまで、濃度C₄から連続的に減少し、位
置t_Tにおいて濃度₅となる。第１８図に示す例では、位置t_Bから位置t₂まで
は第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃが濃度
C₆なる一定値を保ち、位置t₂から位置t_Tにいたる
までは、第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃ
は濃度C₇から徐々に連続的に減少して位置t_Tにお
いては第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃは
実質的にゼロとなる。但し、ここで実質的にゼロ
とは、検出限界量未満の場合をいう。第１９図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tにいたるま
で、濃度C₈から連続的に徐々に減少し、位置t_Tに
おいては第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃ
は実質的にゼロとなる。第２０図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは、位置t_Bより位置t₃の間にお
いては濃度C₉の一定値にあり、位置t₃から位置t_T
の間においては、濃度C₉から濃度C₁₀となるまで、
一次関数的に減少する。第２１図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは、位置t_Bより位置t₄にいたる
までは濃度C₁₁の一定値にあり、位置t₄より位置t_T
までは濃度C₁₂から濃度C₁₃となるまで一次関数的
に減少する。第２２図に示す例においては、第族原子又は
第族原子の分布濃度Ｃは、位置t_Bから位置t_Tに
いたるまで、濃度C₁₄から実質的にゼロとなるま
で一次関数的に減少する。第２３図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは、位置t_Bから位置t₅にいたる
まで濃度C₁₅から濃度C₁₆となるまで一次関数的に
減少し、位置t₅から位置t_Tまでは濃度C₁₆の一定値
を保つ。最後に、第２４図に示す例では、第族原子又
は第族原子の分布濃度Ｃは、位置t_Bにおいて濃
度C₁₇であり、位置t_Bから位置t₆までは濃度C₁₇か
らはじめはゆつくり減少して、位置t₆付近では急
激に減少し、位置t₆では濃度C₁₈となる。次に、
位置t₆から位置t₇までははじめのうちは急激に減
少し、その後は緩かに徐々に減少し、位置t₇にお
いては濃度C₁₉となる。更に位置t₇と位置t₈の間で
は極めてゆつくりと徐々に減少し、位置t₈におい
て濃度C₂₀となる。また更に、位置t₈から位置t_Tに
いたるまでは、濃度C₂₀から実質的にゼロとなる
まで徐徐に減少する。第１６図乃至第２４図に示した例のごとく、光
受容層の支持体側に近い側に第族原子又は第
族原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、光受容層
の自由表面に近い側においては、該分布濃度Ｃが
かなり低い濃度の部分あるいは実質的にゼロに近
い濃度の部分を有する場合にあつては、支持体側
に近い部分に第族原子又は第族原子の分布濃
度が比較的高濃度である局在領域を設けること、
好ましくは該局在領域を支持体表面と接触する界
面位置から5μ以内に設けることにより、第族
原子又は第族原子の分布濃度が高濃度である層
領域が電荷注入阻止層を形成するという前述の作
用効果がより一層効率的に奏される。以上、第族原子又は第族原子の分布状態に
ついて、個々に各々の作用効果を記述したが、所
望の目的を達成しうる特性を有する光受容部材を
得るについては、これらの第族原子又は第族
原子の分布状態および光受容層に含有せしめる第
族原子又は第族原子の量を、必要に応じて適
宜組み合わせて用いるものであることは、いうま
でもない。例えば、光受容層の支持体側の端部
に、電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止
層以外の光受容層中に、電荷注入阻止層に含有せ
しめた伝導性を制御する物質の極性とは別の極性
の伝導性を制御する物質を含有せしめてもよく、
あるいは、同極性の伝導性を制御する物質を、電
荷注入阻止層に含有される量よりも一段と少ない
量にして含有せしめてもよい。さらに、本発明の光受容部材においては、支持
体側の端部に設ける構成層として、電荷注入阻止
層の代わりに、電気絶縁性材料から成るいわゆる
障壁層を設けることもでき、あるいは、該障壁層
と電荷注入阻止層との両方を構成層とすることも
できる。こうした障壁層を構成する材料として
は、Ａ₂O₃，SiO₂，Si₃N₄等の無機電気絶縁材
料やポリカーボネート等の有機電気絶縁材料を挙
げることができる。本発明の光受容部材は前記のごとき層構成とし
たことにより、前記したアモルフアスシリコンで
構成された光受容層を有する光受容部材の諸問題
の総てを解決でき、特に、可干渉性の単色光であ
るレーザー光を光源として用いた場合にも、干渉
現象による形成画像における干渉縞模様の現出を
顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を形成す
ることができる。また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、また、特に長波長側の光感度
特性に優れているため殊に半導体レーザーとのマ
ツチングに優れ、且つ光応答が速く、さらに極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的
耐圧性及び使用環境特性を示す。殊に、電子写真用光受容部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。次に本発明の光受容層の形成方法について説明
する。本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいず
れもグロー放電法、スパツタリング法、或いはイ
オンプレーテイング法等の放電現象を利用する真
空堆積法によつて行われる。これ等の製造法は、
製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、
作製される光受容部材に所望される特性等の要因
によつて適宜選択されて採用されるが、所望の特
性を有する光受容部材を製造するに当つての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に
炭素原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等
のことからして、グロー放電法或いはスパツタリ
ング法が好適である。そして、グロー放電法とス
パツタリング法とを同一装置系内で併用して形成
してもよい。例えば、グロー放電法によつて、ａ−Si（Ｈ，
Ｘ）で構成される層を形成するには、基本的には
シリコン原子Siを供給し得るSi供給用の原料ガス
と共に、水素原子Ｈ導入用の又は／及びハロゲン
原子Ｘ導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置した所定の支持体
表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。前記Si供給用の原料ガスとしては、SiH₄，Si₂
H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等のガス状態の又はガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、
層形成作業のし易さ、Si供給効率の良さ等の点
で、SiH₄，Hi₂H₆が好ましい。また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
ては、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス
状態の又はガス化しうるハロゲン化合物が好まし
い。具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲンガス、BrF，ＣＦ，ＣF₃，BrF₅，
BrF₃、IF₇，IC、IBr等のハロゲン間化合物、
およびSiF₄，Si₂F₆，SiC₄，SiBr₄等のハロゲン
化硅素等が挙げられる。上述のごときハロゲン化
硅素のガス状態の又はガス化しうるものを用いる
ことなくして、ハロゲン原子を含有するａ−Siで
構成された層が形成できるので、特に有効であ
る。また、前記水素原子供給用の原料ガスとして
は、水素ガス、HF，HC，HBr、Hi等のハロ
ゲン化物、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等の水
素化硅素、あるいはSiH₂F₂，SiH₂I₂，SiH₂Ｃ
_２，SiHC₃，SiH₂Br₂，SiHBr₃等のハロゲン置
換水素化硅素等のガス状態の又はガス化しうるも
のを用いることができ、これらの原料ガスを用い
た場合には、電気的あるいは光電的特性の制御と
いう点で極めて有効であるところの水素原子Ｈの
含有量の制御を容易に行うことができるため、有
効である。そして、前記ハロゲン化水素又は前記
ハロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロゲ
ン原子の導入と同時に水素原子Ｈも導入されるの
で、特に有効である。反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパツタリング法の場合に
は、ハロゲン原子を導入するについては、前記の
ハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれ
ばよい。例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH₂ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
ことによつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から
成る層を形成する。グロー放電法によつてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、シリコン原子Siを供
給しうるSi供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原
子Geを供給しうるGe供給用の原料ガスと、水素
原子Ｈ又は／及びハロゲン原子Ｘを供給しうる水
素原子Ｈ又は／及びハロゲン原子Ｘ供給用の原料
ガスを、内部を減圧しうる堆積室内に所望のガス
圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起
せしめて、予め所定位置に設置してある所定の支
持体表面上に、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される
層を形成する。 Si供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原
料ガス、及び水素原子供給用の原料ガスとなりう
る物質としては、前述のａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成する場合に用いたものがそのまま
用いられる。また、前記Ge供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈，Ge₄H₁₀，
Ge₅H₁₂，Ge₆H₁₄，Ge₇H₁₆、Ge₈H₁₈，Ge₉H₂₀等
のガス状態の又はガス化しうる水素化ゲルマニウ
ムを用いることができる。特に、層作成作業時の
取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点から、
GeH₄，Ge₂H₆、およびGe₃H₈が好ましい。スパツタリング法によつてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、シリコンから成
るターゲツトと、ゲルマニウムから成るターゲツ
トとの二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウ
ムからなるターゲツトを用い、これ等を所望のガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて行
なう。イオンプレーテイング法を用いてａ−SiGe
（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する場合には、
例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多
結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを
夫々蒸発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発
源を抵抗加熱法あるいはエレクトロンビーム法
（E.B.法）等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物
を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過せしめるこ
とで行ない得る。スパツタリング法およびイオンプレーテイング
法のいずれの場合にも、形成する層中にハロゲン
原子を含有せしめるには、前述のハロゲン化物又
はハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室
中に導入し、該ガスのプラズマ雰囲気を形成すれ
ばよい。又、水素原子を導入する場合には、水素
原子供給用の原料ガス、例えばH₂あるいは前記
した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパツタリング用の堆積室内に導
入してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成す
ればよい。さらにハロゲン用原子供給用の原料ガ
スとしては、前記のハロゲン化物或いはハロゲン
を含む硅素化合物が有効なものとして挙げられる
が、その他に、HF，HC，HBr，HI等のハロ
ゲン化水素、SiH₂F₂，SiH₂I₂，SiH₂Ｃ₂，
SiHC₃，SiH₂Br₂，SiHBr₃等のハロゲン置換
水素化硅素、およびGeHF₃，GeH₂F₂，GeH₃Ｆ，
GeHC₃，GeH₂Ｃ₂，GeH₃Ｃ，GeHBr₃，
GeH₂Br₂，GeH₃Br，GeHI₃，GeH₂I₂，GeH₃Ｉ
等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等、GeF₄，
GeC₄，GeBr₄，GeI₄，GeF₂，GeC₂，
GeBr₂，GeI₂等のハロゲン化ゲルマニウム等々の
ガス状態の又はガス化しうる物質も有効な出発物
質として使用できる。グロー放電法、スパツタリング法あるいはイオ
ンプレーテイング法を用いて、スズ原子を含有す
るアモルフアスシリコン（以下、「ａ−SiSn（Ｈ，
Ｘ）」と表記する。）で構成される光受容層を形成
するには、上述のａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層の形成の際に、ゲルマニウム原子供給用の出
発物質を、スズ原子Sn供給用の出発物質にかえ
て使用し、形成する層中へのその量を制御しなが
ら含有せしめることによつて行なう。前記スズ原子Sn供給用の原料ガスとなりうる
物質としては、水素化スズSnH₄やSnF₂，SnF₄，
SnC₂，SnC₄，SnBr₂，SnBr₄，SnI₂，SnI₄等
のハロゲン化スズ等のガス状態の又はガス化しう
るものを用いることができ、ハロゲン化スズを用
いる場合には、所定の支持体上にハロゲン原子を
含有するａ−Siで構成される層を形成することが
できるので、特に有効である。なかでも、層作成作業時の取扱い易さ、Sn供給
効率の良さ等の点から、SnC₄が好ましい。そして、SnC₄をスズ原子Sn供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固
体状のSnC₄を加熱するとともに、Ar，He等の
不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバ
ブリングするのが望ましく、こうして生成したガ
スを、内部を減圧にした堆積室内に所望のガス圧
状態で導入する。グロー放電法、スパツタリング法、あるいはイ
オンプレーテイング法を用いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
又はａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）にさらに第族
原子又は第族原子を含有せしめた非晶質材料で
構成された層を形成するには、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
又はａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際
に、第族原子又は第族原子導入用の出発物質
を、前述したａ−Si（Ｈ，Ｘ）又はａ−Si（Ge，
Sn）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用し
て、形成する層中へのそれらの量を制御しながら
含有せしめてやることによつて行なう。第族原子導入用の出発物質として具体的には
硼素原子導入用としては、B₂H₆，B₄H₁₀，B₅
H₉，B₅H₁₁，B₆H₁₀，B₆H₁₂，B₆H₁₄等の水素化
硼素、BF₃，BC₃，BBr₃等のハロゲン化硼素等
が挙げられる。この他、ＡＣ₃，GaC₃，
Ga（CH₃）₂，InC₃，ＴＣ₃等も挙げること
ができる。第族原子導入用の出発物質として、具体的に
は燐素原子導入用としてはPH₃，P₂H₄等の水素
化燐、PH₄Ｉ，PF₃，PF₅，PC₃，PC₅，
PBr₃，PBr₅，PI₃等のハロゲン化燐が挙げられ
る。この他、AsH₃，AsF₃，AsC₃，AsBr₃，
AsF₅，SbH₃，SbF₃，SbF₅，SbC₃，SbC₅，
BiH₃，BiC₃，BiBr₅等も第族原子導入用の
出発物質の有効なものとして挙げることができ
る。以上記述したように、本発明の光受容部材の光
受容層は、グロー放電法、スパツタリング法等を
用いて形成するが、光受容層に含有せしめるゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子、第族原子又
は第族原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流
入する、各々の原子供給用出発物質のガス流量あ
るいは各々の原子供給用出発物質間のガス流量比
を制御することにより行われる。また、本発明の光受容層形成時の支持体温度、
堆積室内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望
の特性を有する光受容部材を得るためには重要な
要因であり、形成する層の機能に考慮をはらつて
適宜選択されるものである。さらに、これらの層
形成条件は、光受容層に含有せしめる上記の各原
子の種類及び量によつても異なることもあること
から、含有せしめる原子の種類あるいはその量等
にも考慮をはらつて決定する必要もある。具体的にはａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層、ある
いは第族原子又は第族原子を含有せしめたａ
−Si（Ｈ，Ｘ）からなる光受容層を形成する場合
には、支持体温度は、通常50〜350℃とするが、
特に好ましくは50〜250℃とする。堆積室内のガ
ス圧は、通常0.01〜1Torrとするが、特に好まし
くは0.1〜0.5Torrとする。また、放電パワーは
0.005〜50W／cm²とするのが通常であるが、より
好ましくは0.01〜30W／cm²、特に好ましくは0.01
〜20W／cm²とする。ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する場
合、あるいは第族原子又は第族原子を含有せ
しめたａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する
場合については、支持体温度は、通常50〜350℃
とするが、より好ましくは50〜300℃、特に好ま
しくは100〜300℃とする。そして、堆積室内のガ
ス圧は、通常0.01〜5Torrとするが、好ましく
は、0.001〜3Torrとし、特に好ましくは0.1〜
1Torrとする。また、放電パワーは0.005〜
50W／cm²とするのが通常であるが、好ましくは
0.01〜30W／cm²とし、特に好ましくは0.01〜
20W／cm²とする。しかし、これらの、層形成を行うについての支
持体温度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体
的条件は、通常には個々に独立しては容易には決
め難いものである。したがつて、所望の特性の非
晶質材料層を形成すべく、相互的且つ有機的関連
性に基づいて、層形成の至適条件を決めるのが望
ましい。ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲ
ルマニウム原子又は／及びスズ原子、第族原子
又は第族原子、あるいは水素原子又は／及びハ
ロゲン原子の分布状態を均一とするためには、感
光層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に
保つことが必要である。また、本発明において、光受容層の形成の際
に、該層中に含有せしめるゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子、あるいは第族原子又は第
族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望の
層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、
グロー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、あるいは第族原子
又は第族原子導入用の出発物質のガスの堆積室
内に導入する際のガス流量を、所望変化率に従つ
て適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ
形成する。そして、ガス流量を変化させるには、
具体的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ
等の通常用いられている何らかの方法により、ガ
ス流路系の途中に設けられた所定のニードルバル
ブの開口を漸次変化させる操作を行えばよい。こ
のとき、流量の変化率は線型である必要はなく、
例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計され
た変化率曲線に従つて流量を制御し、所望の含有
率曲線を得ることもできる。また、光受容層をスパツタリング法を用いて形
成する場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、あ
るいは第族原子又は第族原子の層厚方向の分
布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の
分布状態を形成するには、グロー放電法を用いた
場合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、
あるいは第族原子又は第族原子導入用の出発
物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導
入する際のガス流量を所望の変化率に従つて変化
させる。〔実施例〕以下、本発明を実施例１乃至11に従つて、より
詳細に説明するが、本発明はこれ等によつて限定
されるものではない。各実施例においては、光受容層をグロー放電法
を用いて形成した。第２５図はグロー放電法によ
る本発明の光受容部材の製造装置である。図中の２５０２，２５０３，２５０４，２５０
５，２５０６のガスボンベには、本発明の夫々の
層を形成するための原料ガスが密封されており、
その１例として、たとえば、２５０２はSiF₄ガス
（純度99.999％）ボンベ、２５０３はH₂で稀釈さ
れたB₂H₄ガス（純度99.999％、以下B₂H₄／H₂と
略す。）ボンベ、２５０４はSiH₄ガス（純度
99.999％）ボンベ、２５０５はGeF₄ガス（純度
99.999％）ボンベ、２５０６は不活性ガスHeボ
ンベである。そして、２５０６′はSnC₄が入つ
た密閉容器である。これらのガスを反応室２５０１に流入させるに
はガスボンベ２５０２〜２５０６のバルブ２５２
２〜２５２６、リークバルブ２５３５が閉じられ
ていることを確認し又、流入バルブ２５１２〜２
５１６、流出バルブ２５１７〜２５２１、補助バ
ルブ２５３２，３５３３が開かれていることを確
認して、先ずメインバルブ２５３４を開いて反応
室２５０１、ガス配管内を排気する。次に真空Ａ
シリンダー２５３７上に光受容層を形成する場
合の１例を以下に記載する。まず、ガスボンベ２５０２よりSiF₄ガス、ガス
ボンベ２５０３よりB₂H₆／H₂ガス、ガスボンベ
２５０５よりGeF₄ガスの夫々をバルブ２５２２，
２５２３，２５２５を開いて出口圧ゲージ２５２
７，２５２８，２５３０の圧を１Kg／cm²に調整
し、流入バルブ２５１２，２５１３，２５１５を
徐々に開けて、マスフロコントローラ、２５０
７，２５０８，２５１０内に流入させる。引き続
いて流出バルブ２５１７，２５１８，２５２０補
助バルブ２５３２を徐々に開いてガスを反応室２
５０１内に流入させる。このときのSiF₄ガス流
量、GeF₄ガス流量、B₂H₆／H₂ガス流量の比が所
望の値になるように流出バルブ２５１７，２５１
８，２５２０を調整し、又、反応室２５０１内の
圧力が所望の値になるように真空計２５３６の読
みを見ながらメインバルブ２５３４の開口を調整
する。そして基体シリンダー２５３７の温度が加
熱ヒーター２５３８により50〜400℃の範囲の温
度に設定されていることを確認された後、電源２
５４０を所望の電力に設定して反応室２５０１内
にグロー放電を生起せしめるとともに、マイクロ
コンピユーター（図示せず）を用いて、あらかじ
め設計された流量変化率線に従つて、SiF₄ガス、
GeF₄ガス及びB₂H₆／H₂ガスのガス流量を制御し
ながら、基体シリンダー２５３７上に先ず、シリ
コン原子、ゲルマニウム原子及び硼素原子を含有
する層１０２′を形成する。所望の層厚に層１０
２′が形成された段階において、流出バルブ２５
１８，２５２０を完全に閉じ、必要に応じて放電
条件をかえる以外は同様の手順に従つてグロー放
電を続けることにより層１０２′の上に、ゲルマ
ニウム原子を実質的に含有しない層１０２″を形
成することができる。夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室２５０１内、流出バルブ２
５１７〜２５２１から反応室２５０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２５１７〜２５２１を閉じ補助バルブ２５３
２，２５３３を開いてメインバルブ２５３４を全
開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に
応じて行う。また、光受容層中にスズ原子を含有せしめる場
合にあつて、原料ガスとしてSnC₄を出発物質
としてガスを用いる場合には、２５０６′に入れ
られた固体状SnC₄を加熱手段（図示せず）を
用いて加熱するとともに、該SnC₄中にAr，He
等の不活性ガスボンベ２５０６よりAr，He等の
不活性ガスを吹き込み、バブリングする。発生し
たSnC₄のガスは、前述のSiF₄ガス、GeF₄ガス
及びB₂H₆／H₂ガス等と同様の手順により反応室
内に流入させる。試験例径２mmのSUSステンレス製剛体真球を用い、
前述の第６図に示した装置を用い、アルミニウム
合金製シリンダー（径60mm、長さ298mm）の表面
を処理し、凹凸を形成させた。真球の径R′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ、
幅Ｄとの関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒ
と幅Ｄとは、真球の径R′と落下高さｈ等の条件
により決められることが確認された。また、痕跡
窪みのピツチ（痕跡窪みの密度、また凹凸のピツ
チ）は、シリンダーの回転速度、回転数乃至は剛
体真球の落下量等を制御して所望のピツチに調整
することができることが確認された。実施例１試験例と同様にアルミニウム合金製シリンダー
の表面を処理し、第1A表上欄に示すＤ、及びＤ／Ｒを有するシリンダー状Ａ支持体（シリンダーNo.
101〜106）を得た。次に該Ａ支持体（シリンダーNo.101〜106）上
に、以下の第1B表に示す条件で、第２５図に示
した製造装置により光受容層を形成した。これらの光受容部材について、第２６図に示す
画像露光装置を用い、波長780nm、スポツト径
80μmのレーザー光を照射して画像露光を行ない、
現象、転写を行なつて画像を得た。得られた画像
の干渉縞の発生状況は第1A表下欄に示すとおり
であつた。なお、第２６Ａ図は露光装置の全体を模式的に
示す平面略図であり、第２６Ｂ図は露光装置の全
体を模式的に示す側面略図である。図中、２６０
１は光受容部材、２６０２は半導体レーザー、２
６０３はfθレンズ、２６０４はポリゴンミラーを
示している。次に、比較として、従来のダイヤモンドバイト
により表面処理されたアルミニウム合金製シリン
ダー（径60mm、長さ298mm、凹凸ピツチ100μm、
凹凸の深さ3μm）を用いて、前述と同様にして光
受容部材を作製した。得られた光受容部材を電子
顕微鏡で観察したところ、支持体表面と光受容層
の層界面及び光受容層の表面とは平行をなしてい
た。この光受容部材を用いて、前述と同様にして
画像形成をおこない、得られた画像について前述
と同様の評価を行なつた。その結果は、第1A表
下欄に示すとおりであつた。

【表】 ×…実用不能 ○…実用性良好
△…実用上可 ◎…実用性特に良好

【表】実施例２第2B表に示す層形成条件に従つて光受容層を
形成した以外はすべて実施例１と同様にして、Ａ
支持体（シリンダーNo.101〜107）上に光受容層
を形成した。なお、光受容層形成時におけるSiF₄
ガス及びGeF₄ガスのガス流量は第２７図に示す
流量変化線に従つて、マイクロコンピユーター制
御により、自動的に調整した。得られた光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、得られた画像にお
ける干渉縞の発生状況は、第2A表下欄に示すと
おりであつた。

【表】実施例３〜11 第３〜11表に示す層形成条件に従つて光受容層
を形成した以外はすべて実施例１と反様にして、
Ａ支持体（試料No.103〜106）上に光受容層を形
成した。この際各実施例において光受容層形成時
における使用ガスのガス流量は、各々第２８〜３
６図に示す流量変化線に従つて、マイクロコンピ
ユーター制御により自動的に調整した。また、実
施例５〜11において、光受容層に含有せしめる硼
素原子は、該層全層中に約200ppmとなるべく導
入した。これらの光受容部材について、実施例１と同様
の方法で画像形成を行なつたところ、得られた画
像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、極め
て良質のものであつた。

【表】

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成とし
たことにより、前記したアモルフアスシリコンで
構成された光受容層を有する光受容部材の諸問題
の総てを解決でき、特に、可干渉性の単色光であ
るレーザー光を光源として用いた場合にも、干渉
現象による形成画像における干渉縞模様の現出を
顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を形成す
ることができる。また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、また、特に長波長側の光感度
特性に優れているため殊に半導体レーザーとのマ
ツチングに優れ、且つ光応答が速く、さらに極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的
耐圧性及び使用環境特性を示す。殊に、電子写真用光受容部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に
示した図であり、第２及び３図は、本発明の光受
容部材における干渉縞の発生の防止の原理を説明
するための部分拡大図であり、第２図は、支持体
表面に球状痕跡窪みによる凹凸が形成された光受
容部材において、干渉縞の発生が防止しうること
を示す図、第３図は、従来の表面を規則的に荒し
た支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。
第４及び５図は、本発明の光受容部材の支持体表
面の凹凸形状及び該凹凸形状を作製する方法を説
明するための模式図である。第６図は、本発明の
光受容部材の支持体に設けられる凹凸形状を形成
するのに好適な装置の一構成例を模式的に示す図
であつて、第６Ａ図は正面図、第６Ｂ図は縦断面
図である。第７〜１５図は、本発明の光受容層に
おけるゲルマニウム原子又はスズ原子の層厚方向
の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４図
は、本発明の光受容層における第族原子又は第
族原子の層厚方向の分布状態を表わす図であ
り、各図において、縦軸は光受容層の層厚を示
し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第
２５図は、本発明の光受容部材の光受容層を製造
するための装置の１例で、グロー放電法による製
造装置の模式的説明図である。第２６図はレーザ
ー光による画像露光装置を説明する図である。第
２７乃至３６図は、本発明の光受容層形成におけ
るガス流量比の変化状態を示す図であり、縦軸は
光受容層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量を示
している。第１乃至第３図について、１００……光受容部
材、１０１……支持体、１０２……光受容層、１
０２′……ゲルマニウム原子又はスズ原子の少な
くともいずれか一方を含有する層、１０２″……
ゲルマニウム原子及びスズ原子のいずれも含有し
ない層、２０１，３０１……第一の層、２０２，
３０２……第二の層、１０３，２０３，３０３…
…自由表面、２０４，３０４……第一の層と第二
の層との界面。第４，５図について、４０１，５０１……支持
体、４０２，５０２……支持体表面、４０３，５
０３，５０３′……剛体真球、４０４，５０４…
…球状窪み。第６図について、６０１……シリンダー、６０
２……回転軸、６０３……駆動手段、６０４……
落下装置、６０５……剛体真球、６０６……ボー
ルフイーダー、６０７……振動機、６０８……回
収槽、６０９……ボール送り装置、６１０……洗
浄装置、６１１……洗浄液だめ、６１２……洗浄
液回収槽、６１３……落下口。第２５図について、２５０１……反応室、２５
０２〜２５０６……ガスボンベ、２５０６′……
SnC₄用密閉容器、２５０７〜２５１１……マ
スフロコントローラ、２５１２〜２５１６……流
入バルブ、２５１７〜２５２１……流出バルブ、
２５２２〜２５２６……バルブ、２５２７〜２５
３１……圧力調整器、２５３２，２５３３……補
助バルブ、２５３４……メインバルブ、２５３５
……リークバルブ、２５３６……真空計、２５３
７……基体シリンダー、２５３８……加熱ヒータ
ー、２５３９……モーター、２５４０……高周波
電源。第２６図について、２６０１……光受容部材、
２６０２……半導体レーザー、２６０３……fθレ
ンズ、２６０４……ポリゴンミラー。

Claims

【特許請求の範囲】１支持体上に、シリコン原子とゲルマニウム原
子またはスズ原子の少なくともいずれか一方とを
含有する非晶質材料で構成された層イと、シリコ
ン原子を含有し、ゲルマニウム原子及びスズ原子
のいずれも含有しない非晶質材料で構成された層
ロとを支持体側から順に有する多層構成の光受容
層を備えた光受容部材であつて、前記支持体の表
面が、窪みの幅Ｄが500μm以下で窪みの曲率半径
Ｒと幅Ｄとが0.035≦Ｄ／Ｒとされた複数の球状
痕跡窪みによる凹凸を有することを特徴とする光
受容部材。２前記光受容層が、周期律表第族または第
族に属する原子を含有している、特許請求の範囲
第１項に記載の光受容部材。３前記光受容層が、周期律表第族または第
族に属する原子を含有する電荷注入防止層を構成
層の１つとして有する、特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。４前記光受容層が、構成層の１つとして障壁層
を有する、特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。５前記球状痕跡窪みによる凹凸が同一の曲率半
径である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
材。６前記球状痕跡窪みによる凹凸がほぼ同一の曲
率半径及び幅の窪みにより形成されている特許請
求の範囲第１項に記載の光受容部材。７前記支持体が、金属体である特許請求の範囲
第１項に記載の光受容部材。８前記光受容層に含有される周期律表第族ま
たは第族に属する原子の分布濃度が支持体側で
比較的高濃度とされ、表面側でかなり低いかある
いは実質的にゼロに近い濃度で層厚方向に不均一
に分布されている特許請求の範囲第２項に記載の
光受容部材。９前記層イに含有されるゲルマニウム原子又は
スズ原子の分布濃度が支持体側で比較的高濃度と
され、前記ゲルマニウム原子及びスズ原子のいず
れも含有しない層ロ側で支持体側に較べかなり低
い濃度で層厚方向に不均一に分布されている特許
請求の範囲第１項に記載の光受容部材。