JPS6290663A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する、〔従来技術の説明〕 デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
９、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザー委るいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるような７リコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉ」と略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２Ωｍ以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で１−中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めに層形成に当って各種条件を厳密にコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３１
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異
なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内
部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７
８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９
号、同５８１６０依同５ＥＮ６１号の各公報にみられる
ように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上
部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛は
上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５００＾−＋１００００大の
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム支
持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報
参照）　、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のア
ルマイト処理したシ、サンドブ２ストにより砂目状の微
細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参
照）等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然と−して正反射光成分が残存するた
め、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうこと
に加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポッ
トに拡がシが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしま
う。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−Ｓｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ　−Ｓｉ層形成の際のプラズマによってダメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のａ−３ｉｌｌの形成に悪影響
を与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となシ、
残シは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光とな９、残プが正反射されて反射光とな９、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層表面での反射光、第２層で
の反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉して、光
受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。従
って、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗部を
もたらすところとなり、また、光受容層全体では光受容
層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる
。従って、支持体表面を規則的に荒しただけでは、干渉
縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各１間の界面
での反射光による干渉が加わるため、−ｍ構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

更にまた、こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題は、その表面層に関係するとこ
ろも犬である。即ち、上述したところからして明らかな
ように、表面層の層厚が均一でないと、核層とそれに接
している感光層との界面での反射光による干渉現象が起
きて、光受容部材の機能に障害を与えてしまう。

ところで、表面層の層厚が不均一である状態は、表面層
の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時にお
ける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。そ
して特に後者の場合、上述したように、干渉模様の現出
を招く他、光受容部材全体の感度変化、感度むら等をも
たらすところとなる。

こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてしま
うことの他、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい、そうした表面層を有する光受容部材は、その形
成時読に感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を
具有するわけであり、それを使用したとなれば初期画像
から採用に価しないものを与えてしまう。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ　−Ｓｉで構成された光受容層を
有する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各
種要求を満たすものにすることを目的とするものである
。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８１で構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ　−Ｓｉで構成された光受容層を有す
る光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各鳩間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に厳密で安定的であシ、１品質の高い、ａ　
−Ｓｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供
することにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ　−Ｓｉで構成された光受容１を有する光受容部
材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された感光層と、表面層とを有
する光受容層を備えた光受容部材であって、前記表面層
は最外殻に耐摩耗層と、内部に反射防止層を少なくとも
有する多層構成であり、前記支持体表面が、複数の球状
痕跡窪みによる凹凸形状を有してなることを骨子とする
光受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果書た知見
は、概要、以下に記述するところである。

即ち、支持体上に感光層と表面層とを有する光受容層を
備えた光受容部材にあっては、表面層を、最外殻に耐摩
耗層と、内部に反射防止層を少なくとも有する多層構成
とした場合、表面層と感光層との界面における入射光の
反射が防止され、表面層の形成時における層厚むら又は
／及び表面層の摩耗による層厚むらによってもたらされ
るところの干渉模様や感度むらの問題が解消されるとい
うものである。

また、支持体上に複数の層を有する光受容部材において
、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹凸を
設゛けることにより、画像形成時に現われる干渉縞模様
の問題が解消されるというものである。

ところで、後者の知見は、本発明者らが試みた各種の実
験により得た事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層構成を示
す模式図であシ、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の傾斜面に沿
って、感光層１０２と表面層１０６とを備えた光受容部
材を示している。

第２及び３図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。該図において、５０１は感光層、
３０２は表面層、６０６は自由表面、６０４は感光層と
表面層の界面をそれぞれ示している。第３図に示すごと
く、支持体表面を切削加工等の手段により単に規則的に
荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹凸形状て
沿って光受容層が形成されるため、支持体表面の凹凸の
傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関係をなすと
ころとなる。

このことが原因で、例えば、光受容層が感光層３０１と
、表面層３０２との２つの層からなる多層構成のもので
ある光受容部材においては、例えば次のような問題が定
常的に惹起される。即ち、感光層と表面層との界面３０
４及び自由表面３０３とが平行関係にあるため、界面３
０４での反射光Ｒ１と自由表面での反射光Ｒ２とは方向
が一致し、表面層の層厚に応じた干渉縞が生じる。

第２図は、第１図の一部を拡大した図であって、第２図
に示すごとく、本発明の光受容部材は支持体表面に複数
の微小な球状痕跡窪みによる凹凸形状が形成されておυ
、その上の光受容層は、該凹凸形状に沿って堆積するた
め、例えば光受容層が感光層２０１と表面層２０２との
二層からなる多層構成の光受容部材にあっては、感光層
２０１と表面層２０２との界面２０４、及び自由表面２
０６は、各々、前記支持体表面の凹凸形状に沿って、球
状痕跡窪みによる凹凸形状に形成される。界面２０４に
形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ１、自由表面２０３
に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ２とすると、Ｒ１
とＲ２とはＲ１＼Ｒ２となるため、界面２０４での反射
光と、自由表面２０３での反射光とは、各々異なる反射
角度を有し、即ち第２図におけるｅｌ、ｅ２がθ１＼θ
２であって、方向が異なるうえ、第２図に示すｔｌ、Ｌ
２ｔ３を用いて！、１＋　ｔ２−　Ａｓで表わされると
ころの波長のずれも一定とはならずに変化するため、い
わゆるニュートンリング現象に相当するシェアリング干
渉が生起し、干渉縞は温み内で分散されるところとなる
。これにより、こうした光受容部材を介して現出される
画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現出されていたとし
ても、それらは視覚にはとられられない程度のものとな
る。

即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多塘構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することにより、形成される
画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。

ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の球状痕跡
窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び幅りは、こうした本発
明の光受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効
果を効率的に達成するためには重要な要因である。本発
明者らは、各種実験を重ねた結果以下のところを究明し
た。

即ち、曲率Ｒ及び幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記且を０．０３
５、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは
１００μｍ以下とするのが望ましい。

上述のごとき特定の表面形状を有する支持体上に設ける
本発明の光受容部材の光受容層は、感光層と表面層とか
らなり、該感光層は、シリコン原子と、ゲルマニウム原
子又はスズ原子の少なくともいずれか一方とを含有する
アモルファス材料で構成され、特に望ましくはシリコン
原子（Ｓｌ）と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又はスズ原
子（Ｓｎ）の少なくともいずれか一方と、水素原子（９
）はハロゲン原子（３）の少なくともいずれか一方とを
含有するアモルファス材料〔以下、ｒａ−３ｉ（＋ｏｅ
、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕、あるいは、酸素
原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子（９）の中か
ら選ばれる少なくとも一種を含有するａ−８ｉ　（Ｃ）
ｅ　、　５ｎ）（Ｈ，Ｘ）　Ｃ以下、ｒａ−８１（Ｇｅ
、５ｎ）（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で
構成され、さらに必要に応じて伝導性を制御する物質を
含有せしめることができる。そして、該層は、多層構造
を有することもあり、特に好ましくは、伝導性を制御す
る物質を含有する電荷注入阻止層を構成層の１つとして
有するか、または／及び、障壁層を構成層の１つとして
有するものである。

また、前記表面層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種と、好
ましくはさらに水素原子又はハロゲン原子の少なくとも
いずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒ
ａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕
で構成されるか、あるいは無機弗化物、無機酸化物及び
無機硫化物の中から選ばれる少なくとも一種で構成され
ておシ、該表面層は、最外殻に耐摩耗層と、内部に反射
防止層を少なくとも有する多層構成とされている。

本発明の感光層及び表面層の作成については、本発明の
前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を光学
的レベルで正確に制御する必要があることから、グロー
放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等
の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光ＣＶ
Ｄ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明するが、本発明はこれによって限定さ
れるものではない。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は感光層、１０３は表面層、
１０４は自由表面を示す。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸は複数の球状痕跡窪みによるものであ
る。

以下、該支持体表面の形状およびその好ましい製造方法
の例を、第４及び５図によシ詳しく説明するが、本発明
の光受容部材における支持体の形状及びその製造方法は
、これらによって限定されるものではない。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体表面の形
状の典型的１例を、その凹凸形状の１部を部分的に拡大
して模式的に示すものである。第４図において、４０１
は支持体、４０２は支持体表面、４０６は剛体真球、４
０４は球状痕跡窪みを示している。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもある。即ち、剛体真球
４０３を、支持体表面４０２より所定高さの位置より自
然落下させて支持体表面４０２に衝突させることにより
、球状窪み４０４を形成しうろことを示している。そし
て、ほぼ同一径Ｒ′の剛体真球４０３を複数個用い、そ
れらを同一の高さｈよシ、同時あるいは逐次、落下させ
ることによシ、支持体表面４０２に、ほぼ同一曲率Ｒ及
び同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み４０４を形成す
ることができる。

第５図は、前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体の、いくつかの典
型例を示すものである。

第５（ト）図に示す例では、支持体５０１の表面５０２
の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３　、
５０３　、・・・をほぼ同一の高さより規則的に落下さ
せてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み
６０４　、６０４．・・・を互いに重複し合うように密
に生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したものである
。なおこの場合、互いに重複する窪み５０４　、５０４
　、・・・を形成するには、球体５０６の支持体表面５
０２への衝突時期が、互いにずれるように球体５０３．
５０３．・・・を自然落下せしめる必要のあることはい
うまでもない。

また、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３．５０５’・・・をほぼ同一の高さ又
は異なる高さから落下させて、支持体５０１の表面５０
２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５０４．５
０４’・・・を互いに重複し合うように密に生じせしめ
て、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成したもので
ある。

更に、第５（ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３．５０３．・・・をほぼ同一
の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び複数
種の幅を有する複数の窪み５０４、５０４．・・・を互
いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸を形
成したものである。

以上のように、剛体真球を支持体表面に落下させること
により、球状痕跡窪みによる凹凸形状を形成することが
できるが、この場合、剛体真球の径、落下させる高さ、
剛体真球と支持体表面の硬度、あるいは、落下させる球
体の量等の諸条件を適宜選択することにより、支持体表
面に所望の曲率及び幅を有する複数の球状痕跡窪みを、
所定の密度で形成することができる。

即ち、上記諸条件を選択することにより、支持体表面に
形成される凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチを、目
的に応じて自在に調贅でき、表面に所望の凹凸形状を有
する支持体を得ることができる。

そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。４を性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ　。

ステンレス、ＡＡ、ＣｒＳＭｏ、Ａｕ５Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ
、Ｔ１、ｐｔ　、　ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ホリエチレ
ン、ホリカーホネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一万の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ　。

ｋＬ、Ｃｒ　、Ｍｏ　ＳＡｕ　１１ｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ
　、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ、Ｐｄ。

ｒｎ２０ｓ　、５ｎ０２　、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５
ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによって導電性を
付与し、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ　、Ａｔ、Ａｇ５Ｐｂ、Ｚｎ　
、Ｎｉ　、Ａｕ。

Ｃｒ　、Ｍｏ　、　ｒｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ　ＳＶ、　Ｔ
Ｚ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性を付与
する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状であることができるが、用途、所望によって、そ
の形状は適宜に決めることのできるものである。例えば
、第１図の光受容部材１００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば、連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚
さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜決定
するが、光受容部材として可撥性が要求される場合には
、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可能な
限り薄くすることができる。しかしながら、支持体の製
造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、１
０μ以上とされる。

次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６Ａ図及び第６（Ｂ）図を用いて説明するが、
本発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウム
合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール管ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６（
ト）、０）図に示した製造装置を用いて、支持体表面に
凹凸形状を形成せしめる。

支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、真鍮等の金属、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が好ましい。そしそそうした球体の硬度は、
支持体の硬度よシも高くても、あるいは低くてもよいが
、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度よりも
高いものであることが望ましい。

第（ＳＡ、第６Ｂ図は製造装置全体の断面略図であり、
６０１は支持体作成用のアルミニウムシリンダ−であシ
、該シリンダー６０１は、予め表面を適宜の平滑度に仕
上げられていてもよい。

シリンダー６０１は、回転軸６０２によって軸支されて
おシ、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、
ほぼ軸芯のまわりで回転可能にされている。回転速度は
、形成する球状痕跡窪みの密度及び剛体真球の供給量等
を考慮して、適宜に決定され、制御される。

６０４は、剛体真球６０５を自然落下させるための落下
装置であり、剛体真球６０５を貯留し、落下させるため
のボールフィーダー６０６、フィーダー６０６から剛体
真球６０５が落下しやすいように揺動させる振動機６０
７、シリンダーに衝突して落下する剛体真球６０５を回
収するための回収槽６０８、回収槽６０８で回収された
剛体真球６０５をフィーダー６０６まで管輸送するため
のボール送シ装置６０９、送り装置６０９の途中で剛体
真球を液洗浄するための洗浄装置６１０、洗浄装置６１
０にノズル等を介して洗浄液（溶剤等）を供給する液だ
め６１１、洗浄に用いた液を回収する回収槽６１２など
で構成されている。

フィーダー６０６から自然落下する１剛体真球の量は、
落下口６１３の開閉度、振動機６０７による揺動の程度
等により適宜調節される。

感光層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、感光層１０２が設けられており、該感光層は、ａ　
−Ｓｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）又はａ−６ｉ（Ｇ
ｅ。

ｓｎ）　（○、Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成されており、
好ましくは、さらに伝導性を制御する物質を含有せしめ
ることができる。

感光層中に含有せしめるノ・ロゲン原子■とじては、具
体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、特に
フッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる。

そして、感光層１０２中に含有される水素原子（６）の
量又はノ１０ゲン原子■の量又は水素原子とノ１０ゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は通常の場合１〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、好適には５〜５０　ａｔｏｍｉｃ％とされ
るのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要があ
り、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８０
μ、より好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の感光層にゲルマニウム
原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主とし
て該光受容部材の長波長側における吸収スはクトル特性
を向上せしめることにある。

即ち、前記感光層中にゲルマニウム原子又は／及びスズ
原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材は
、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中で
も特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波
長屋の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答性
の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザー
を光線とした場合に特に顕著である。

本発明における感光層においては、ゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子は、その全層領域に含有せしめても、
あるいは、支持体と接する一部の層領域に含有せしめて
もよい。後者の場合、感光層は、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子を含有する構成層と、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子のいずれも含有しない構成層が支持
体側の端部よりこの順に積層された層構成を有するもの
となる。そして、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
を全層領域に含有せしめる場合および一部の層領域にの
み含有せしめる場合のいずれの場合も、ゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子を該層中または層領域中に、均一
な分布状態で含有せしめてもよく、あるいは不均一な分
布状態で含有せしめてもよい。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、感光層の支持体表面と平行
な面方向において均一であり、感光層の層厚方向にも均
一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、ゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、感光層
の支特休表面と平行な面方向には均一であるが、感光層
の層厚方向には不均一であることをいう。）そして本発
明の感光層においては、特に、支持体側の端部にゲルマ
ニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多量に均一な分
布状態で含有する層を設けるか、あるいは自由表面側よ
りも支持体側の方に多く分布した状態となる様にゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子を含有せしめることが望
ましく、こうした場合、支持体側の端部においてゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度を極端に大き
くすることによシ、半導体レーザー等の長波長の光源を
用いた場合に、光受容層の自由表面側に近い構成層又は
層領域においては殆んど吸収しきれない長波長の光を、
光受容層の支持体と接する構成層又は層領域において実
質的に完全に吸収されるため、支持体表面からの反射光
による干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の感光層においては、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子を全層中又は一部の構成層中
に均一に分布せしめることもでき、あるいは、全層又は
一部の構成層の層厚方向に連続的かつ不均一に分布せし
めることもできるが、以下、層厚方向に連続的かつ不均
一な分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム
原子を例として、第７乃至１５図によシ説明する。

第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、感光層全層又は支持体と接す
る一部の構成層の層厚を示し、ガは支持体側の感光層の
端面の位置を、ｔＴは支持体側とは反対側の表面層側の
端面、又はゲルマニウム原子を含有する構成層とゲルマ
ニウムを含有しない構成層との界面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有される感光層はｔＢ側よ
りｔＴ側に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するた灼の説明のための模式的なものである。

第７図には、感光層中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る感光層が形成される支持体表面と該層とが接する界面
位置ｔＢよりｔでの位置までは、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃが濃度ｃ１なる一定の値を取シ乍らゲルマニウ
ム原子が感光層に含有され、位置ｔ１よりは、濃度ｃ２
より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されて
いる。界面位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは実質的にゼロとされる。

（ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
。） 第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃ＫＣ４となる様な分布状態を形成している。

第９図の場合には、位置ｔＢより位置ｔＴまでは、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ｃ５と一定位置とされ
、位置ｔ２と位置１．との間において、徐々に連続的に
減少され、位置１Ｔにおいて、分布濃度Ｃは実質的にゼ
ロとされている。

第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６よシ初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よシは急速に連続的に
減少されて位置ｔＴにおいて実質的にゼロとされている
。

第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃはゼロとさ
れる。位置ｔ４と位置切との間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４より位置ｔＴに至るまで減少されてい
る。

第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂよシ位置ｔ５まＳは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度Ｃ１０まで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１３図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＮよ
り一次関数的に減少されて、ゼロに至っている。

第１４図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２より濃
度Ｃ１３まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度Ｃ１３の一定値とされた例が
示されている。

第１５図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であり、位置
ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくりと
減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ７では濃度Ｃ１５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ１６とな９、位置ｔ８と位置ｔ９との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１７に至る
。位置ｔ９と位置ｔＴとの間においては濃度Ｃ１７より
実質的にゼロに　・なる様に図に示す如き形状の曲線に
従って減少されている。

以上、第７図乃至第１５図により、感光層中に含有され
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の１厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の光受
容部材においては、支持体側において、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べてかな９低くされた部分を有するゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子の分布状態が感光層に設けられている
のが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する感光層は、
好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢ
より５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢよシ５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値ｃｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ　ｐ
ｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成さ
れるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される感光層は、支持体側
からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ層の層領域）に分
布濃度の最大値ｃｍａｘが存在する様に形成されるのが
好ましいものである。

本発明の光受容部材において、感光海中に含有せしめる
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本発
明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜決
める必要があり、通常は１〜６　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　Ｘ　１０５
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より好ましくはＩ　Ｘ　１０
２〜２　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。

本発明の光受容部材の感光層に、酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめ
る目的は、主として該光受容部材の高光感度化と高暗抵
抗化、そして支持体と感光層との間の密着性の向上にあ
る。

本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる場
合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは、
前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によって
異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合感光１に含有せしめる炭素原子、
酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の
量は、比較的少量でよい。

また、支持体と感光層との密着性の向上を目的とする場
合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に均一に
含有せしめるか、あるいは、感光層の支持体側端部にお
いて、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分布状態
で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる酸素原
子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種の量は、支持体との密着性の向上を確実に図るため
に、比較的多量にされる。　　・ 本発明の光受容部材において、感光層に含有せしめる酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くと
も一種の量は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
のであり、通常は０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、
好ましくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適
には０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ　％とする。ところ
で、感光層の全層領域に含有せしめるか、あるいは、含
有せしめる一部の層領域の層厚の感光層の層厚中に占め
る割合が大きい場合には、前述の含有せしめる量の上限
を少なめにされる。すなわち、その場合、例えば、含有
せしめる層領域の層厚が、感光層の層厚の％となるよう
な場合には、含有せしめる量は通常３０　ａｔｏｍｉｃ
％以下、好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃチ以下、最適に
は１０　ａｔｏｍｉｃ％以下にされる。

次に本発明の感光層に含有せしめる酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量が、支
持体側においては比較的多量であり、支持体側の端部か
ら表面層側の端部に向かって減少し、感光層の表面層側
の端部付近においては、比較的少量となるか、あるいは
実質的にゼロに近くなるように分布せしめる場合の典型
的な例のいくつかを、第１６図乃至第２４図によって説
明する。しかし、本発明はこれらの例によって限定され
るものではない。以下、炭素原子、酸素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０，Ｃ，Ｎ
）　Ｊと表記する。

第１６乃至２４図において、横軸は原子（０゜Ｃ，Ｎ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は感光層の層厚を示し、ｔＢは支
持体と感光層との界面位置を、ｔＴは感光層の表面層と
の界面の位置を示す。

第１６図は、感光層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ
）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している。

該例では、原子（ｏ　、ｃ　、Ｎ）を含有する感光層と
支持体との界面位置ｔＢよシ位置ｔ１までは、原子（０
、Ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃが０１なる一定値をとシ、位置
ｔ１よｆ）表面層との界面位置ｔＴまでは原子（０，Ｃ
，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、位
［１Ｔにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が０３
となる。

第１７図に示す他の典型例の１つでは、感光層に含有せ
しめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢか
ら位置ｔｙにいたるまで、濃度Ｃ４から連続的に減少し
、位置ｔＴにおいて濃度Ｃ５となる。

第１８図に示す例では、位ｔｔＢから位置ｔ２までは原
子（ｏ　、　ｃ　、Ｎ）の分布濃度Ｃが襄度Ｃ６なる一
定値を保ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、原
子（ｏ、Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に連
続的に減少して位置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ）
の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１９図に示す例では、ぶ子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０，
Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２０図に示す例では、原子（○、Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ９の
一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔｙの間においては、
濃度Ｃ９から濃度Ｃ１０となるまで、−次間数的に減少
する。

第２１図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＥより位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ１１
の一定値にあり、位置ｔ４より位置ｔＴにいたるまでは
濃度Ｃ１２から濃度Ｃｌ１Ｓとなるまで一次関数的に減
少する。

第２２図に示す例においては、原子（○、Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔｌにいたるまで、濃度
Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少す
る。

第２３図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃ１５か
ら濃度ＣＩ／ｉとなるまで一次関数的に減少し、位置ｔ
５から位置１Ｔまでは濃度Ｃ１６の一定値を保つ。

最後に、第２４図に示す例では、原子（０、Ｃ、Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位ｔｔＢにおいて濃度Ｃ１７であシ、位
置ｔ５から位置ｔ６までは、濃度Ｃ１７からはじめはゆ
っくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置
ｔでは濃度Ｃ１８となる。次に、位置ｔ６から位置ｔ７
までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩かに徐
々に減少し、位置ｔ７においては濃度Ｃ１９となる。更
に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆっくりと徐々に
減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２０となる。また更に
、位置ｔ８から位置ｔｌにいたるまでは、濃度Ｃ２０か
ら実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第１６図〜第２４図に示した例のごとく、感光層の支持
体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部
分を有し、感光層の表面層側の端部においては、該分布
濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光層
の支持体側の端部に原子（○、Ｃ，Ｎ）の分布濃度が比
較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは該
局在領域を支持体表面と感光層との界面位置痴から５μ
以円に設けることによシ、支持体と感光層との密着性の
向上をより一層効率的に達成することができる。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる感
光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても、
あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形成
される感光層に要求される荷性に従って適宜法める。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（○、Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの最大値が５００　ａｔ
ｏｍｉｃｐｐｎ＋以上、好ましくは８００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。

本発明の光受容部材においては感光層に伝導性を制御す
る物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均一
な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第ｍ族原子としては、
Ｂ（硼素）　、ｐｗ　（アルミニウム）　、（）ａ　（
ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｔ（タリウム）等
を挙げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、　
Ｇａである。また第Ｖ族原子としてはＰ（燐）、Ａｓ　
（砒素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン）等
を挙げることができるが、特に好ましいものは、ｐ、　
ｓｂである。

本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第■族原
子又は第■族原子を含有せしめる場合、全層領域に含有
せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるかは
、後述するように目的とするところ乃至期待する作用効
果によって異なり、含有せしめる量も異なるところとな
る。

すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全層領域中
に含有せしめ、この場合、第■族Ｊ子又は第Ｖ族原子の
含有量は比較的わずかでよく、通常は１×１０″″５〜
Ｉ　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、好ましくは
５Ｘ１０−２〜５Ｘ１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最
適にはＩ　Ｘ　１０−１〜２　ｘ　１０２ａｔｏ１０２
ａｔｏである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有する構成層あるいは第１族原子又は第Ｖ族原子を
高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層として機能
するところとなる。即ち、第瓜族原子を含有せしめ九場
合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から光受容層中へ注入される電子の移
動をより効率的に阻止することができ、又、第Ｖ族原子
を含有せしめた場合には、光受容層の自由表面がｅ極性
に帯電処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注
入される正孔の移動をより効率的に阻止することができ
る。そして、こうした場合の含有量は比較的多量であっ
て、具体的には、３０〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ、最適には１Ｘ１０２〜５　Ｘ　１０５ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。さらに、該電荷注入阻止層
としての効果を効率的に奏するためには、第■族原子又
は第Ｖ族原子を含有する支持体側の端部に設けられる層
又は層領域の層厚をｔとし、光受容層の層厚をＴとした
場合、ｔ／Ｔ≦０．４の関係が成立することが望ましく
、より好ましくは該関係式の恒が０．６５以下、最適に
は０．３以下となるようにするのが望ましい。

また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３×１０
４〜１０μとするが、好ましくは４×１０４〜８μ、最
適には５Ｘ１０−３〜５μとするのが望ましい。

次に感光層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の
量が、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から表面層側に向って減少し、表面層との界面付近に
おいては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロに
近くなるように第■族原子又は第Ｖ族原子を分布させる
場合の典を的例は前述の感光層に酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せし
める場合に例示した、第１６図乃至２４図の例と同様の
例によって説明することができる。しかし、本発明は、
これらの例によって限定されるものではない。

第１６図〜第２４図に示した例のごとく、感光層の支持
体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、表面層との界面側においては、該分
布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは実質的にゼロ
に近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体側に
近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が比較
的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは該局
在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ以内に
設けることにより、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃
度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形成すると
いう前述の作用効果がより一層効率的に奏される。

以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および感光層
に含有せしゆる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必要
に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、い
うまでもない。例えば、感光層の支持体側の端部に電荷
注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の感光層
中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御する
物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質を含有
せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制御する
物質を、電荷注入阻止層に含有される量よりも一段と少
ない量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わシに、
電気絶縁性材料から成りいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料とシテは、Ａｔ２０３．５ｉ０２　、Ｓｉ３Ｎ４　
　等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電
気絶縁材料を挙げることができる。

表面層 本発明の光受容部材の表面層１０３は、前述の感光層１
０２の上に設けられ、自由表面１０４を有している。

該表面層１０６は、光受容部材の自由表面１０４におけ
る入射光の反射をへらし、透過率を増加させるとともに
、光受容部材の耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐
圧性、使用環境特性および耐久性等の諸特性を向上せし
める目的で、感光層１０２の上に形成せしめるものであ
る。そして、第二の層の形成材料は、それをもってして
構成される層が優れた反射防止機能を奏するとともに、
前述の諸特性を向上せしめる機能を奏するという条件の
他に、光受容部材の光導電性に悪影響を与えないこと、
電子写真特性、例えば、ある程度以上の抵抗を有するこ
と、液体現像法を採用する場合には耐溶剤性にすぐれて
いること、すでに形成されている感光層の諸特性を低下
させないこと等の条件が要求されるものであって、こう
した諸条件を満たし、有効に使用しうるものとしては、
シリコン原子（Ｓｉ）と、酸素原子（０）、炭素原子（
Ｃ）及び窒素原子（社）の中から選ばれる少くとも一種
と、好ましくはさらに水素原子（ロ）又はハロゲン原子
（イ）の少なくともいずれか一方を含有するアモルファ
ス材料〔以下、ｒａ−８１（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）
Ｊと表記する。〕あるいは、ＭｇＦ２　、ｋｔ２０３　
、ＺｎＳ　ｓ　’ｒｉｏ２　、ＺｒＯ２、Ｃｅ１２、Ｃ
ｅＦＳ　％ＡＬＦ３、ＮａＦ等の無機弗化物、無機酸化
物及び無機硫化物の中から選ばれる少くとも一種が挙げ
られる。

そして、本発明の光受容部材にあっては、該表面層の層
厚むらによって生じる干渉模様や感度むらの問題を解消
するため、表面層の構成を、最外殻に耐摩耗層、内部に
反射防止層を少なくとも有する多層構成とするものであ
る。即ち、表面層を多層構成とする本発明の光受容部材
にあっては、表面層内に複数の界面が生じ、各界面での
反射が互いに打ち消し合うことによシ、表面層と感光層
との界面における反射を減少せしめることができるため
、従来の表面層の層厚むらによる反射率の変化という問
題が解消され゛ることとなる。

本発明の表面層を構成する耐摩耗層（最外部層）および
反射防止層（内部層）は、それ等に要求される特性を満
足する様に形成されるものであれば、各々、一層構成の
みならず、二層以上の多層構成としてもよいことはいう
までもない。

表面層をこうした多層構成とするには、耐摩耗層（最外
部Ｊ＃　）と反射防止層（内部層）を構成する層の光学
的バンドギャップ（Ｅｏｐｔ　）が異なるように形成す
る。具体的には、耐摩耗層（最外部層）の屈折率と反射
防止層（内部層）の屈折率と、表面層が直接設けられる
感光層の屈折率を各々異なるように形成せしめる。

そして、感光層の屈折率をｎ１表面層を構成する耐摩耗
層の屈折率をｎ２、反射防止層の屈折率をＱＳ、反射防
止層の厚さを４１人射光の波長をλとした場合、次式： ％式％） ２　ｎ５ｄ＝　（−＋ｍ　）λ（ｍは整数を表わす。）
ｐ関係を満足するようにすることにより、感光層と表面
層の界面における反射をゼロとすることができる。

上記の例ではｎｌ＜ｎ３＜ｎ２としたが、該別は１例で
あって、これに限定される必要はなく、例えば、表面層
をシリコン原子と、酸素原子、炭素原子又は窒素原子の
中から選ばれる少くとも一種を含有するアモルファス材
料で構成する場合、表面層中に含有せしめる酸素原子、
炭素原子又は窒素原子の量を耐摩耗層と反射防止層とで
異ならしめることにより、屈折率を異ならしめる。具体
的には、感光層をａ−８ｉｎで構成し、表面層をａ　−
５ｉＣＨで構成する場合であれば、耐摩耗層中に含有せ
しめる炭素原子の量を、反射防止層中に含有せしめる炭
素原子の量よシも多くし、感光層の屈折率ｎ１反射防止
層の屈折率ｎ３、耐摩耗層の屈折率ｎ２、耐摩耗層の層
厚ｄの各々をｎ１ｚ２．０、ｎ２２５．５、ｎ５２２．
６５、ｄ＝７５５又とする。また、表面層中に含有せし
める酸素原子、炭素原子又は窒素原子を、耐摩耗層と反
射防止層とで異ならしめることにより、各々の耐摩耗層
をａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で形成せしめ、反射防止層をａ
−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）又Ｆ１ａ−８ｉ○（Ｈ、Ｘ）で形成
せしめることができる。

表面層を構成する耐摩耗層及び反射防止層中には、酸素
原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、こ
れらの原子の含有せしめる量の増加に伴い、前述の緒特
性は向上する。しかし、多すぎると、層品質が低下し、
電気的及び機械的特性も低下する。こうしたことから、
表面層中に含有せしめるこれらの原子の量は、通常０．
００１〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、好ましくは１〜９０
　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｉｃ
％とする。さらに該表面層にも水素原子又はハロゲン原
子の少なくともいずれか一方を含有せしめることが望ま
しく、表面層に含有せしめる水素原子（９）の量、又は
ハロゲン原子■の量、あるいは水素原子とハロゲン原子
の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、
好ましくは５〜５０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には５〜
２５　ａｔｏｍｉｃ％とする。

また更に、表面層を無機弗化物、無機酸化物、及び無機
硫化物の中から選ばれる少くとも一種で構成する場合に
は、以下に例示する各々の無機化合物及びその混合物の
屈折率を考慮して、感光層、耐摩耗層および反射防止層
の各々の屈折率が異なり、前述した条件を満たすべく選
択して用いる。無機化合物及びその混合物の屈折率はカ
ッコ書きで示す。Ｚｒ０２（２，００）、Ｔｉ０２（２
，２６）、ＺｒＯ２／’ｒｉｏ２＝　６／１　（２，０
９）、Ｔｉ０ｚ／Ｚｒ０３＝３／１　（２，２０）、Ｇ
ｅ０２（２，２３）、ＺｎＳ　（２，２４）、Ａｔ２０
５（１，６５）、ＣＩＢＦ’３　（１，６０）、Ａｊ２
０ｓ／Ｚｒ０２＝　１／１　（１，６８）、ＭｇＦ２　
（１，３８）。なお、これ等の屈折率については、作成
する層の種類、条件等により、多少変動するものである
ことはいうまでもない。

また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン原
子、水素原子の量、あるいは表面層に要求される特性に
応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要があ
る。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点にお
いても考慮する必要もある。

こうしたことから、表面層の層厚は通常は３Ｘ１０−５
〜３０μとするが、より好ましくは４×１０″′５〜２
０μ、特に好ましくは５Ｘ１０−５〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定してお夛高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、ａ−ｓ　ｚ　（ＨＩ　
Ｘ）で構成される層を形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ１供給用の原料ガスと共
に、水素原子（６）導入用の又は／及びハロゲン原子（
３）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｉ　（
Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

前記Ｓ１供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４，８１２
Ｈ６，５ｉｓＨｓ　、５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に
、層形成作業のし易さ、８１供給効率の良さ等の点で、
９ｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ４が好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例エバハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうるノ曳ロ
ゲン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、臭素
、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　、　ＣＬＦ　、　Ｃ
ｌＦ５　、ＢｒＦ５、ＢｒＦ５　、ＩＦ７　、工Ｃ１、
ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、およびＳｉＦ４．５ｉｚ
Ｆ６、Ｂ１Ｃ１ａ　、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等
が挙げられる。上述のごときノ）ロゲン化硅素のガス状
態の又はガス化しうるものを用いる場合には、Ｓ１供給
用の原料ガスを別途使用することなくして、ノ為ロゲン
原子を含有するａ−８ｉで構成された層が形成できるの
で、特に有効である。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ　、　ＨＣＬ、　ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲ
ンガス、ＳｉＨ４、Ｂ１２Ｈｓ　、８ｉ３Ｈａ　、８１
４Ｈ１ｏ等の水素化硅素、あるいはＳｉＨ２Ｆ２．５ｉ
Ｈ２Ｉ２．８１ＨｚＣ２２、Ｆ３ｉＨＣＬｓ　、５ｉＨ
２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ５等の／”１０ゲン置換水素化硅
素等のガス状態の又はガス化しうるものを用いることが
でき、これらの原料ガスを用いた場仕には、電気的ある
いは光電的特性の制御という点で極めて有効であるとこ
ろの水素原子（６）の含有量の制御を容易に行うことが
できるため、有効である。そして、前記ノ１０ゲン化水
素又は前記ハロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハ
ロゲン原子の導入と同時に水素原子（６）も導入される
ので、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｂ２或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉター
ゲットをスパッタリングすることによって、支持体上に
ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる層を形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）を供給し
うるＳ１供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ
）を供給しうるＧｅ供給４用の原料ガスと、水素原子（
６）又は／及びハロゲン原子■を供給しうる水素原子（
６）又は／及びハロゲン原子（３）供給用の原料ガスを
、内部を減圧しうる堆積室内に所望のガス圧状態で導入
し、該堆積室内にグロー放電を生起゛せしめて、予め所
定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ−８ｉ
Ｇｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する。

Ｓｉ供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなシうる物質として
は、前述のａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成
する場合に用いたものがそのまま用いられる。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、ＧｅｇＨｓ　、Ｇｅ４Ｈ１
ｏ　。

Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ１６、Ｇｅ８Ｈ
Ｎ３　、Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態の又はガス化しうる
水素化ゲルマニウムを用いることができる。特に、層作
成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点から
、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、およびＧｅ３Ｈ８が好ましい
。

スパッタリング法によってａ−８１Ｇｅ　（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、シリコンから成るターゲ
ットと、ゲルマニウムから成ルターゲットとの二枚を、
あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲット
を用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行なう。

イオンブレーティング法を用いてａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，
Ｘ）で構成される層を形成する場合には、例えば、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボート
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレクトロ
ンビーム法（Ｅ。

Ｂ、法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望の
ガスプラズマ雰囲気中を通過せしめることで行ない得る
。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のｈず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＦ２あるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入して
これ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。さ
らにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記のハ
ロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効なも
のとして挙げられるが、その他に、ＨＦ。

ＨＣＬ　５ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓｉ
Ｈ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃ２２、ＢｌＨＣＬ
ｓ　、５ｉＨ２Ｂｒ２．８１ＨＢｒ３等のハロゲン置換
水素化硅素、および０ｅＨＦ５、ＧｅＦ２Ｆ２　、Ｇｅ
Ｈ３Ｆ　５ＣｋｅＨＣＬｓ　、ＣｋｅＨ２ＣＬ２、Ｇｅ
ＨＢｒ３゜ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＦ２Ｂｒ２、Ｃ）ｅＨ３
Ｂｒ　、　ＧｅＨＩ３、Ｇ１３Ｈ２Ｉ２、ＧｅＨ５Ｉ等
の水素化ハロゲン化ゲルマニウＡ％、ＧｅＦ４　、Ｃｈ
ｅＣ１４、ＧｅＢｒ４　、ＧｅＩａ　、ＧｅＦ２、Ｇｅ
Ｃ１２、ＧｅＢｒ２、Ｇｅ工２等のハロゲン化ゲルマニ
ウム等々のガス状態の又はガス化しうる物質も有効な出
発物質として使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいｆ１４オンブレ
ーティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファ
スシリコン（以下、ｒａ−８ｉｇｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記
する。）で構成される光受容層を形成するには、上述の
ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、
ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（Ｓｎ
　）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中へ
のその量を制御しながら含有せしめることによって行な
う。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなシうる物質
としては、水素化スズ（ｓｎＨ４）やＳｎＦ２．８ｎＦ
４．８ｎＣＬ２．８ｎＣＬ４、ＳｎＢｒ２　、ＳｎＢｒ
４　、ＳｎＩ２、ＳｎＩ４等のハロゲン化スズ等のガス
状態の又はガス化しうるものを用いることができ、ハロ
ゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハロゲ
ン原子を含有するａ−８ｉで構成される層を形成するこ
とができるので、特に有効である。

なかでも、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の
良さ等の点から、５ｎＣｔ４が好ましい。

そして、５ｎＣ４４をスズ原子（８ｎ　）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するには、固体状
の５ｎＣ２４を加熱するとともに、Ａｒ。

Ｈｅ、等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用い
てバブリングするのが望ましく、こうして生成したガス
を、内部を減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導
入する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−８ｉ（Ｈ＊Ｘ）又はａ−８
ｉ　（（）ｅ　、　ａｎ）　（Ｈ，Ｘ）にさらに第■族
原子又は第Ｖ族原子、窒素原子、酸素原子あるいは炭素
原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形成す
るには、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ　（Ｇｅ　
、　５ｎ）（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に、第■族原子又
は第■族原子導入用の出発物質、窒素原子導入用の出発
物質、酸素原子導入用の出発物質、あるいは炭素原子導
入用の出発物質を、前述したａ　−５ｉ（Ｈ、ｘ）又は
ａ−８ｉ　（（）ｅ　、　Ｓｎ）　（Ｈ＋Ｘ）形成用の
出発物質と共に使用して、形成する層中へのそれらの量
を制御しながら含有せしめてやることによって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，Ｃ，Ｎ）を
含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又１’を原
子（０，Ｃ，Ｎ）を含有するａ−８ｉ（Ｇｅ、５ｎ）（
Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成するには、前述のａ−８
１（Ｈ，Ｘ）で構成される膚又はａ−８ｉ　（Ｇｅ　、
　Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する際に、
原子（０、Ｃ、Ｎ）導入用の出発物質を、ａ−８ｉ　（
Ｈ，Ｘ）形成用又はａ−８ｉ　（Ｇｅ　、Ｓｎ）　（Ｈ
＋Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して形成する層中
へのそれらの量を制御しながら含有せしめることによっ
て行なう。

このような原子（０、Ｃ、Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどのも
のが使用できる。

具体的には、酸素原子導入用の出発物質として、例えば
、酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（Ｎｏ）
、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）
、四二酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５
）１．−三酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）
と酸素原子（０）と水素原子（６）とを構成原子とする
、例えばジシロキサン（ＨｘＳｉ０８ｉＨ３）、トリシ
ロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ＋０８ｉＨ３）等の低級シ
ロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用の出発物
質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）　１、エタン（
Ｃ２ＨＩＳ　）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（
ｎ−Ｃ４Ｈ１ｏ）、はブタン（ＣｓＨ１２）等の炭素数
１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピ
レン（ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈａ）、ブテン−
２（Ｃ４Ｈ８）、イソブチレン（Ｃａｂｓ）、ペンテ７
　（Ｃ５Ｈ１０）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水
素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（ｃ　
３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセ
チレン系炭化水素等が挙げられ、室累原子斡）導入用の
出発物質としては、例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア
（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素
（ＨＮ５Ｎ）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３χ三弗
化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等が挙げられ
る。

例えば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第■族原子又は第■族原
子を含有するａ−８１（Ｈ＋Ｘ）又はａ−８ｉ　（Ｇｅ
　、　Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は層領域を
形成するには、上述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ　−５
ｉ（ｏｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際
に、第ｍ族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、ａ
−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−ｓｉ（Ｇｅ、５ｎ）（ｕ、ｘ
）形成用の出発物質とともに使用して、形成する層中へ
のそれらの量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０、Ｂ５Ｈ９、Ｂ
５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ１０、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の水
素化硼素、ＢＦ３、ＢＣ！５　、ＢＢｒ３等のハロゲン
化硼素等が挙げられる。この他、Ａｔｃｔｓ　、Ｇａｃ
ｔｓ、Ｇａ（ＣＨ３）２　、工ｎＣｔ３、ＴｔＣ１３等
も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐酸原
子導入用としてはＰＨ４、Ｂ２Ｈ６等の水素比隣、ＰＨ
４Ｉ　、ＰＦ３　、ＰＦｓ　、ＰＣ２３、ＰＣｌ３　、
ＰＢｒｓ、ＰＢｒｓ　、ＰＩ３等のハロゲン比隣が挙げ
られる。この他、ＡｓＨｓ　、ＡＳＦ３　、ＡｓＣｔｇ
　、ＡｓＢｒ５　、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３，５ｂＦｓ　、
ＳｂＦ５　、Ｆ３ｂＣ１３，５ｂＣ２ｓ　、ＢｉＨ３、
ＢｉＣｌ３、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほと
んどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（６）又は／及びハロゲン原子（３）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子り）及び水素原子（６）を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（ｓｉ　）　、酸素原子
（０）及び水素原子斡）の６つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（ロ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（Ｎｏ　２　）、−二酸
化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０　ｓ　）、四
二酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、
三酸化窒素（Ｎｏｉ、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子
（０）と水素原子に）とを構成原子とする、例えば、ジ
シロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨｇ）、トリシロキサン（
Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等
を挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又は５１０２ウエーハー、又はＳｌとＳｉＯ２が
混合されて含有されているウェーハーをターゲットとし
て、これ等をオ重々のガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｌと８１０２とは別々のターゲットとし
て、又は８１と５ｉ０２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（６）又は
／及びハロゲン原子（３）を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成でき
る。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロ
ー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原
料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして
使用できる。

また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子戸）又は／及びハロゲン原子（３）を構成原子
とする原料ガスとを所望の混゛合比で混合して使用する
か、又はシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（６）を構成原子と
する原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか
、或いはシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガ
スと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）及び水素
原子（６）を構成原子とする原料ガスを混合するか、更
にまた、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（６）を構成
原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とするＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，８ｉ３
Ｈｓ　、５ｉ４Ｈ１ｏ等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類等
の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン
系炭化水素、炭素数２〜乙のアセチレン系炭化水素等が
挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（０３Ｈ８）、ｎ−ブ
タｙ　（ｎ−ｃ４Ｈ１ｏ）、はメタン（ＣｓＨ１２）、
エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、
プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブ
テン−２（Ｃ４Ｈ８χイソブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペン
テン（ＣｓＨ１ｏχアセチレン系炭化水素としては、ア
セチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）
、ブテン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ｃＨ３）４．５ｉ（Ｃ２Ｈｓ）ａ等のケイ化アルキ
ルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ導
入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

スパッタリング法によってａ−８１Ｃ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウエ
ーハー又はＣ（グラファイト）ウェーノー−１又はＳｌ
とＣが混合されているウェーノー−をターゲットとして
、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリングするこ
とによって行う。

例えば８１ウエーノ・−をターゲットとして使用する場
合には、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ、
Ｈｅ等の稀釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積
室内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して
Ｓ１ウエーハーをスパッタリングすればよい。

又、ＳｌとＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びノーロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて
稀釈ガスで稀釈゛して、スパッタリング用の堆積室内に
導入し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすれば
よい。該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原
料ガスとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガス
がその１１使用できる。

窒素原子を含有する層または層領域を形成するのにグロ
ー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物質の中から所望に従つて選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導入用
の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であればほとん
どのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（９）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（６）又は／及びノ翫ロゲン原子（３
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子
とする原料ガスと、窒素原子（財）及び水素原子（６）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（６）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素原子（９）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（
ＮＨ５）、アジ化アンモニクム（ＮＨ４Ｎ５）等のガス
状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒
素化合物を挙げることができる。この他に、窒素原子（
転）の導入に加えて、ハロゲン原子（３）の導入も行え
るという点から、三弗化窒素（ＦｓＮ）、四弗化窒素（
Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることがで
きる。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウエ
ーノ１−又は８ｉ３Ｎａウエーノ１−１又はＳｌと８ｉ
ｘＮａが混合されて含有されているウェーハーをターゲ
ットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行えばよい。

例えば、Ｓｉウエーノ１−をターゲットとして使用すれ
ば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓ１ウエーハー
をスパッタリングすればよい。

又、別には、ＳｌとＳｉ３Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又［Ｓｉと５ｉｘＮ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（６）
又は／及びハロゲン原子凶を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成でき
る。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロ
ー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原
料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして
使用できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することによ
り行われる。

また、感光層および表面層形成時の支持体温度、堆積室
内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性を有す
る光受容部材を得るためには重要な要因であり、形成す
る膚の機能に考慮をはらって適宜選択されるものである
。さらに、これらの層形成条件は、感光層および表面層
に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によっても異
なることもあることから、含有せしめる原子の種類ある
いはその量等にも考意をはらって決定する必要もある。

具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる光受容層を形成する場
合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とするが、
特に好ましくは５０〜２５０　Ｃとする。堆積室内のガ
ス圧は、通常０．０１〜１Ｔｏｒｒとするが、特に好ま
しくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。また、放電パ
ワーは０．００５〜５０　Ｗ１５１２とするのが通常で
あるが、よシ好ましくは０．０１〜５０　Ｗ／ｃｍ”、
特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／α２とする。

ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる感光層を形成する場合
、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめたａ
−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる感光層を形成する場合
については、支持体温度は、通常５０〜６５０℃とする
が、よシ好ましくは５０〜３００　ＣＳ特に好ましくは
１００〜３００Ｃとする。そして、堆積室内のガス圧は
、通常０．０１〜５Ｔｏｒｒとするが、好ましくは、０
．００１〜３Ｔｏｒｒとし、特に好ましくは０．１〜ｊ
　Ｔｏｒｒとする。また、放電パワーは０．００５〜５
０　ｙ／、２とするのが通常であるが、好ましくは０．
０１〜３０Ｗ／６Ｒ２とし、特に好ましくは０．０１〜
２０Ｗ／傷２とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

ところで、本発明の感光層に含有せしめるゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子又
は／及びハロゲン原子の分布状態を均一とするためには
、感光層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保
つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子、
酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第■族原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望
の層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、グロ
ー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あ
るいＦｉ第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質の
ガスの堆積室内に導入する際のガス流量を、所望変化率
に従って適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ
形成する。そして、ガス流量を変化させるには、具体的
には、例えば手動あるいは外部駆動そ一タ等の通常用い
られている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設
けられた所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる
操作を行えばよい。このとき、流量の変化率は線型であ
る必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ
設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含
有率曲線を得ることもできる。

また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子、炭素原
子又は窒素原子あるいは第ｍ族原子又は第Ｖ族原子の層
厚方向の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方
向の分布状態を形成するには、グロー放電法を用いた場
合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子
、炭素原子又は窒素原子あるいは第■族原子又／ｆｉ第
Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガス
を堆積室内へ導入する際のガス流量を所望の変化率に従
って変化させる。

また、本発明の表面層を、無機弗化物、無機酸化物、無
機硫化物の中から選ばれる少なくとも一種で構成する場
合、こうした表面層を形成するについても、その層厚を
光学的レベルで制御する必要があることから、蒸着法、
スパッタリング法、プラズマ気相法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法等が使用される。これらの形成方法に、表面層の
形成材料の種類、製造条件、設備資本投下の負荷程度、
製造規模等の要因を考慮して適宜選択されて使用される
ことはいうまでもない。

ところで、操作の容易さ、条件設定の容易さ等の観点か
らして、表面層を形成するについて、前述の無機化合物
が使用される場合スパッタリング法を採用するのがよい
。即ち、表面層形成用の無機化合物をターゲットとして
用い、スパッタリングガスとしてはＭガスを用い、無機
化合物をスパッタリングして、表面層を堆積する。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至２６に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、感光層はグロー放電法を用い、表
面層はグロー放電法又はスパッタリング法を用いて形成
した。第２５図はグロー放電法による本発明の光受容部
材の製造装置である。

図中の２５０２．２５０３．２５０４．２５０５．２５
０６　のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成する
ための原料ガスが密封されており、その−例として、た
とえば、２５０２は８ｉＦ４ガス（純度９９．９９９％
）ボンへ、２５０６はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（
純度９９．９９９％、以下８２　Ｈ６／Ｈ２と略す。）
ボンベ、２５０４はＣＨ４ガス（純度９９．９９９％）
ボンベ、２５０５はＧｅＦ４ガス（純度９９．９９９％
）ボンベ、２５０６はＨｅガス（純度９９．９９９％）
ボンベである。そして２５０６’は５ｎＣ４４が入った
密閉容器である。

これらのガスを反応室２５０１に流入させるにはガスボ
ンベ２５０２〜２５０６のバルブ２５２２〜２５２６、
リークバルブ２５３５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ２５１２〜２５１（Ｓ　、流出バルブ２５
１７〜２５２１　、補助バルブ２５３２．２５３３が開
かれていることを確認して、先ずメインバルブ２５３４
を開いて反応室２５０１　、ガス配管内を排気する。

次に真空Ａｔシリンダー２５３７上に第一の層及び第二
の膚を形成する場合の一例を以下に記載する。

まず、ガスボンベ２５０２より　ＳｉＦ４ガス、ガスボ
ンベ２５０６よりＢ２Ｈ６ハ２ガス、ガスボンベ２５０
５よりＧｅＦａガスの夫々をバルブ２５２２．２５２３
．２５２５を開いて出口圧ゲージ２５２７．２５２８．
２５３０の圧をＩ　Ｋｐ／ｍ２に調整し、流入バルブ２
５１２．２５１３．２５１５　ヲ徐々に開けて、マスフ
ロコントローラ２５０７．２５０８．２５１０内に流入
させる。引き綬いて流出バルブ２５１７．２５１８．２
５２０　、補助バルブ２５３２を徐々に開いてガスを反
応室２５０１内に流入させる。このときの５ｉＦａガス
流量、ＧｅＦ４ガス流量、Ｂ２Ｈ６ハ２ガス流量の比が
所望の値になるように流出バルブ２５１７．２５１８．
２５２０を調整し、又、反応室２５０１内の圧力が所望
の値になるように真空計２５３６の読みを見ながらメイ
ンバルブ２５６４の開口を調整する。そして基体シリン
ダー２５３７の温度が加熱ヒーター２５３８により５０
〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認さ
れた後、電源２５４０を所望の電力に設定して反応室２
５０１内にクロー放電を生起せしめるとともに、マイク
ロコンピュータ−（図示せず）を用いて、あらかじめ設
計された流量変化率線に従って、ＳｉＦ４ガス、（）ｅ
Ｆ　ａガス及びＢ　２　Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流量を制
御しながら、基体シリンダー　２５５７上に先ず、シリ
コン原子、ゲルマニウム原子及び硼素原子を含有する第
一の層を形成する。

上記と同様の操作により、第一の層上に第二の層を形成
するには、例えばＳｉＦ４ガス、及びＣＨ４ガスの夫々
を、必要に応じてＨｅ　−、Ａｒ　１Ｈ２等の稀釈ガス
で稀釈して、所望のガス流量で反応室２５０１内に流入
し、所望の条件に従って、グロー放電を生起せしめるこ
とによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２５ｏ１内、流出バルブ２５１７〜２５２１から反応室
２５ｏ１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ２５１７〜２５２１を閉じ補助バルブ
２５３２．２５３３を開いてメインバルブ２５３４を全
開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて
行う。

また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣＬ４を出発物質としたガスを
用いる場合には、２５０６’に入れられた固体状５ｎＣ
１ａを加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとともに
、該５ｎｃｔ４中にＡｒ５Ｈｅ等の不活性ガスボンベ２
５ｏ６よりＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、バブ
リングする。発生した５ｎＣ２４のガスは、前述のＳｉ
Ｆ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス等と同
様の手順により反応室内に流入させる。

また、感光層をグロー放電法により形成し念のち、表面
層をスパッタリング法により形成する場合は、感光層を
形成するのに用いた各原料ガス及び稀釈ガスのバルブを
閉じたのち、リークバルブ２．５３５を徐々に開いて堆
積装置内を大気圧に戻し、次にアルゴンガスを用いて堆
積室内を清掃する。

次にカソード電極（図示せず）上に、表面層形成用の無
機化合物からなるターゲットを一面に張り、感光層を形
成せしめた支持体を堆積装置内に設置し、リークバルブ
２５３５を閉じて堆積装置内を減圧した後、アルゴンガ
スな堆積装置内が０．０１５〜０．０２　Ｔｏｒｒ程度
になるまで導入する。こうしたところに高周波′電力（
１５０〜１７０Ｗ程度）でクロー放電を生起せしめ、無
慎化付物をスパッタリングして、すでに形成されている
感光層上に表面層を堆積する。

試験例 径２Ｉ＋ＩＩＩＩのＳＵＳステンレス製剛体真球を用い
、前述の第６図に示した装置を用い、アルミニウム合金
製シリンダー（径６０＋ｍ、長さ２９８Ｍ）の表面を処
理し、凹凸を形成させた。

真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅りと
の関係を調べたところ、痕跡鵠みの曲率Ｒと幅りとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められるこ
とが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの
密度、また凹凸のピッチ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下型等を制御して所望のピッ
チに調整することができることが確認された。

実施例　１ 試験例と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面を
処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ１及Ａ１０１〜１０６）
を得た。

次に、該Ｍ支持体（シリンダー＆１０１〜１ｏ６）上に
、以下のＡ表及びＢＨに示す条件で、第２５図に示した
製造装置により元受容層を形成した。

これらの光受容部材について、第２６図に示す画像露光
装置を用い、波長７８０　ｎｍ　、スボット径８０μｍ
のレーザーを照射して画像露光を行ない、現像、転写を
行なって画像を得た。得られた画像の干渉縞の発生状況
は、第１表下欄に示すとおりであった。

なお、第２６（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第２６０）図は露光装置の全体を模式
的に示す側面略図である。図中、２６０１は光受容部材
、２６０２は半導体レーザー、２６０３はｆθレンズ、
２６０４はポリゴンミラーを示している。

次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（Ａ１０７
）（径６０１１長さ２９８譚、凹凸ピッチ１００μｍ１
凹凸の深さ３μｍ）を用いて、前述と同様にして光受容
部材を作製した。得られた光受容部材を電子顕微鏡で観
察したところ、支持体表面と光受容ノーの層界面及び光
受容層の表面とは平行をなしていた。この光受容部材を
用いて、前述と同様にして画像形成をおこない、得られ
た画像について前述と同様の評価を行なつた。その結果
は、第１Ａ表下楠に示すとおりであった。

実施例　２ 実施例１において用いたＭ支持体（シリンダーＡ　Ｉ　
０１〜１０７）上に、Ａ表及び８表に示す条件で実施例
１と同様にして光受容層を形成した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例３〜２６ Ａ表及びＢ表に示す層作成条件により、実施例１に用い
たＭ支持体（シリンダー＆１０６〜１０６）上に光受容
層を形成した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、得られた画像はいずれも干
渉縞の発生が観察されず、極めて良質のものであった。

Ａ表 但し、表中の数字は、Ｂ表の虐應を表わす。

Ａ　表　（続き） 但し、表中の数字はＢ表の層煮を表わす。

Ｂ表 Ｂ　表　（続き１） Ｂ　表　（続き２） Ｂ　表　（続き６） Ｂ　表　（続き４） 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーｆ　−とのマツチングに優れ、且
つ光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、
光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、＃度が高く
、ノ・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するだめの部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例を
模式的に示す図であって、第６（Ａ）区は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発明の
感光層中におけるダルマニウム原子又はスズ原子の層厚
方向の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４図は、
本発明の感光層中における酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、あるいは第■族原子又は第■族原子の層厚方向の
分布状態を表わす図であり、各図において、縦軸は感光
層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表わしてい
る。第２５図は、本発明の光受容部材の感光層及び表面
層を製造するための装置の例で、グロー放電法による製
造装置の模式的説明図である。第２６図はレーザー光に
よる画像露光装置を説明する図である。 第１乃至６図について、 １００・・・光受容部材、１０１・・・支持体、１０２
，２０１゜６０１・・・感光層、１０３，２０２．３０
２・・・表面層、１０４゜２０３　、３０３・・・自由
表面、２０４．３０４・・・感光層と表面層との界面 第４．５図について、 ４０１　、５０１・・・支持体、４０２，５０２・・・
支持体表面、４０３．５０３．５０３’・・・剛体真球
、４０４．５０４・・・球状窪み第６図について、 ６０１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸、６０３
・・・駆動手段、６０４・・・落下装置、６０５・・・
剛体真球、６０６・・・ポールフィーダー、６０７・・
・振動機、６０８・・・回収槽、６０９・・・ボール送
り装置、６１０・・・洗浄装置、６１１・・・洗浄液だ
め、６１２・・・洗浄液回収槽、６１３・・・落下口 第２５図について、 ２５０１・・・反応室、２５０２〜２５０６・・・ガス
ボンベ、２５０６’　＝−５ｎＣ４４槽、２５０７〜２
５１１　・・・マスフロコントローラ、２５１２〜２５
１６・・・流入バルブ、２５１７〜２５２１・・・流出
バルブ、２５２２〜２５２６・・・バルブ、２５２７〜
２５６１・・・圧力調整器、２５３２．２５３３・・・
補助バルブ、２５３４・・・メインバルブ、２５３５・
・・リークバルブ、２５３６・・・真空計、２５３７・
・・基体シリンダー、２５３８・・・加熱ヒーター、２
５６９・・・モーター、２５４０・・・高周波電源 第２６図について、 ２６０１・・・光受容部材、２６０２・・・半導体レー
ザー、２６０３・・・ｆθレンズ、２６０４・・・ポリ
ゴンミラー。 図面の逢占（内容に１更なし） 第６（Ａ）図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 □Ｃ 第１３図 第１４図 第１５図 □Ｃ 第１６図 第１７図 し □Ｃ 第２２図 −Ｃ 第２６図 手　　続　　補　　正　　書　（方　式）％式％ １、事件の表示 昭和６０年特許願第２３００１０号 ２、発明の名称 光　　受　　容　　部　　材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ６　補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし） 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   またはスズ原子の少くともいずれか一方を含有する非晶
   質材料で構成された感光層と、表面層とを有する光受容
   層を備えた光受容部材であつて、前記表面層は最外殻に
   耐摩耗層と、内部に反射防止層を少なくとも有する多層
   構成であり、前記支持体表面が、複数の球状痕跡窪みに
   よる凹凸形状を有してなることを特徴とする光受容部材
   。 （２）表面層が、シリコン原子と、酸素原子、炭素原子
   及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを含有す
   る非晶質材料で構成されたものである特許請求の範囲第
   （１）項に記載の光受容部材。 （３）表面層が、無機弗化物、無機酸化物及び無機硫化
   物の中から選ばれる少くとも一種で構成されたものであ
   る特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （４）感光層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
   から選ばれる少なくとも一種を含有している特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （５）感光層が伝導性を制御する物質を含有している特
   許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （６）感光層が多層構成である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。 （７）感光層が、伝導性を制御する物質を含有する電荷
   注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の範
   囲第（４）項に記載の光受容部材。 （８）感光層が、構成層の１つとして障壁層を有する、
   特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。 （１０）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、
   同一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請
   求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （１１）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、
   同一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状
   である特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （１２）支持体の表面の凹凸形状が、支持体の表面に複
   数の剛体真球を自然落下させて得られた前記剛体真球の
   痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。 （１３）支持体表面の凹凸形状が、ほぼ同一径の剛体真
   球をほぼ同一の高さから落下させて得られた剛体真球の
   痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。 （１４）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．
   ０３５≦Ｄ／Ｒ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１５）球状痕跡窪みの幅が、５００μｍ以下である特
   許請求の範囲第（１４）項に記載の光受容部材。 （１６）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。