JPH0476221B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0476221B2 JPH0476221B2 JP59152070A JP15207084A JPH0476221B2 JP H0476221 B2 JPH0476221 B2 JP H0476221B2 JP 59152070 A JP59152070 A JP 59152070A JP 15207084 A JP15207084 A JP 15207084A JP H0476221 B2 JPH0476221 B2 JP H0476221B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoelectric conversion
- recess
- light
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
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- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はフオトセンサに係り、特に実装構成の
簡略化を企図してフオトセンサに関する。
簡略化を企図してフオトセンサに関する。
［従来技術］
第１図は従来のフオトセンサの実装構成を示す
概略的断面図である。
概略的断面図である。
同図において、受光するための開口ａを有する
基板１上には、センサ基板２およびマトリクス基
板３が固定されている。
基板１上には、センサ基板２およびマトリクス基
板３が固定されている。
センサ基板２には光電変換素子Ｃが形成され、
さらに光電変換素子Ｃを覆う保護膜４が形成され
ている。また、光電変換素子Ｃには開口ａからの
光のみが照射されるように、保護膜４上に樹脂の
遮光膜５が設けられている。
さらに光電変換素子Ｃを覆う保護膜４が形成され
ている。また、光電変換素子Ｃには開口ａからの
光のみが照射されるように、保護膜４上に樹脂の
遮光膜５が設けられている。
マトリクス基板３には、光電変換素子Ｃのアレ
イを順次駆動して光電流を読み取るためのマトリ
クス配線が形成され、各光電変換素子Ｃとワイヤ
ボンデイングによる導線６で接続されている。ま
た、導線６は樹脂の保護膜７で覆われている。
イを順次駆動して光電流を読み取るためのマトリ
クス配線が形成され、各光電変換素子Ｃとワイヤ
ボンデイングによる導線６で接続されている。ま
た、導線６は樹脂の保護膜７で覆われている。
ここで、保護膜４はスクリーン印刷によつて形
成され、遮光膜５および保護膜７はデイスペンサ
によつて塗布される。
成され、遮光膜５および保護膜７はデイスペンサ
によつて塗布される。
このように、従来のフオトセンサは、光電変換
素子Ｃの保護膜４がスクリーン印刷によつて、遮
光膜５および導線６の保護膜７がデイスペンサに
よつてそれぞれ形成されるために、製造工程が複
雑になるという問題点を有していた。
素子Ｃの保護膜４がスクリーン印刷によつて、遮
光膜５および導線６の保護膜７がデイスペンサに
よつてそれぞれ形成されるために、製造工程が複
雑になるという問題点を有していた。
また、使用される樹脂の硬化時間を必要とする
ために、製造に要する時間の短縮が困難となり、
それだけ歩留りを下げていた。
ために、製造に要する時間の短縮が困難となり、
それだけ歩留りを下げていた。
さらに、ワイヤボンデイングの導線６を樹脂
（保護膜７）で封じ込めているために、金属イオ
ンの影響や熱膨張によるボンデイングの断線等が
発生しやすくなり、フオトセンサの信頼性を低下
させる原因ともなつていた。
（保護膜７）で封じ込めているために、金属イオ
ンの影響や熱膨張によるボンデイングの断線等が
発生しやすくなり、フオトセンサの信頼性を低下
させる原因ともなつていた。
［発明の目的］
本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたもの
であり、その目的は、高い信頼性を有するととも
に、製造が容易で量産性を有するフオトセンサを
提供することにある。
であり、その目的は、高い信頼性を有するととも
に、製造が容易で量産性を有するフオトセンサを
提供することにある。
［発明の概要］
上記目的を達成するために、本発明によるフオ
トセンサは、凹部を有する第３の基板を設け、こ
の凹部にセンサ基板とマトリクス基板とを固定
し、凹部を蓋で閉じたことを特徴とする。
トセンサは、凹部を有する第３の基板を設け、こ
の凹部にセンサ基板とマトリクス基板とを固定
し、凹部を蓋で閉じたことを特徴とする。
［発明の実施例］
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
第２図は本発明によるフオトセンサの一実施例
の実装構成を示す概略的断面図、第３図は本実施
例の斜視図である。
の実装構成を示す概略的断面図、第３図は本実施
例の斜視図である。
両図において、基板１１は凹部１２を有し、凹
部１２の底にセンサ基板２およびマトリクス基板
３が固定されている。
部１２の底にセンサ基板２およびマトリクス基板
３が固定されている。
また、凹部１２は、図に示されるように、その
底部に、センサ基板（第１の基板）２よりも小さ
な開口ａを有する。
底部に、センサ基板（第１の基板）２よりも小さ
な開口ａを有する。
センサ基板２上には光電変換素子Ｃが設けら
れ、基板１１に設けられた開口ａから光を受け
る。また、マトリクス基板３上には、第３図に示
されるように、マトリクス配線が形成されてい
る。
れ、基板１１に設けられた開口ａから光を受け
る。また、マトリクス基板３上には、第３図に示
されるように、マトリクス配線が形成されてい
る。
センサ基板２の各光電変換素子Ｃは、マトリク
ス基板３のマトリクス配線に導線６によつて接続
されている。
ス基板３のマトリクス配線に導線６によつて接続
されている。
基板１１の凹部１２を覆う蓋１３は、その内側
に集積回路素子１４を有する。集積回路素子１４
は、光電変換素子Ｃを駆動する駆動回路、スイツ
チング回路および増幅回路等を含み、各光電変換
素子Ｃの共通端子とはフレキシブル配線基板１５
によつて、またマトリクス基板３の個別端子とは
フレキシブル配線基板１６によつて、各々接続さ
れている。
に集積回路素子１４を有する。集積回路素子１４
は、光電変換素子Ｃを駆動する駆動回路、スイツ
チング回路および増幅回路等を含み、各光電変換
素子Ｃの共通端子とはフレキシブル配線基板１５
によつて、またマトリクス基板３の個別端子とは
フレキシブル配線基板１６によつて、各々接続さ
れている。
蓋１３は基板１１に完全に接着されるために、
蓋１３を閉じた状態で凹部１２に光は入射しな
い。したがつて、光電変換素子Ｃには開口ａを通
してのみ光が入射し、従来のように遮光膜を必要
としない。換言すれば、本実施例では、明らかに
蓋１３と、基板（第３の基板）１１は遮光性の部
材であり、センサ基板（第１の基板）２の少なく
とも光電変換素子Ｃの配置してある部分は、遮光
性の部材で構成されているのである。さらに、蓋
１３が光電変換素子Ｃおよび導線６を完全に保護
するために、保護膜等も不必要となる。
蓋１３を閉じた状態で凹部１２に光は入射しな
い。したがつて、光電変換素子Ｃには開口ａを通
してのみ光が入射し、従来のように遮光膜を必要
としない。換言すれば、本実施例では、明らかに
蓋１３と、基板（第３の基板）１１は遮光性の部
材であり、センサ基板（第１の基板）２の少なく
とも光電変換素子Ｃの配置してある部分は、遮光
性の部材で構成されているのである。さらに、蓋
１３が光電変換素子Ｃおよび導線６を完全に保護
するために、保護膜等も不必要となる。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明によるフオ
トセンサは、センサ基板とマトリクス配線基板と
を箱内に封じ込めたために、光電変換素子の保護
膜および遮光膜、さらにワイヤボンデイングの保
護膜も不必要となる。
トセンサは、センサ基板とマトリクス配線基板と
を箱内に封じ込めたために、光電変換素子の保護
膜および遮光膜、さらにワイヤボンデイングの保
護膜も不必要となる。
そのために、上記保護膜および遮光膜の形成工
程を省略することができ、製造工程を簡略化する
ことができる。さらに、上記保護膜および遮光膜
の材料である樹脂を硬化させる必要がないため
に、製造時間を短縮することができる。
程を省略することができ、製造工程を簡略化する
ことができる。さらに、上記保護膜および遮光膜
の材料である樹脂を硬化させる必要がないため
に、製造時間を短縮することができる。
また、ボンデイング箇所に樹脂を用いないため
に、金属イオンや熱膨張等の影響による断線等が
なくなり、信頼性が向上する。
に、金属イオンや熱膨張等の影響による断線等が
なくなり、信頼性が向上する。
更にまた、上述した本発明の構成から、以下の
効果も、当然、生じる。
効果も、当然、生じる。
受光のための開口部を、凹部の光電変換素子を
形成した第１の基板を配する下に、第１の基板よ
り小さな開口として設けることにより、第１の基
板によつて、光電変換素子に入る光以外の光（迷
光）を防ぐことができる。
形成した第１の基板を配する下に、第１の基板よ
り小さな開口として設けることにより、第１の基
板によつて、光電変換素子に入る光以外の光（迷
光）を防ぐことができる。
また、光電変換素子の受光面が開口部により外
部に開放されているため、集積回路の動作／非動
作状態に基づく温度差による結露が生じにくいと
う効果も得られる。
部に開放されているため、集積回路の動作／非動
作状態に基づく温度差による結露が生じにくいと
う効果も得られる。
また、駆動回路や増幅回路を含むため熱を発生
しやすい集積回路を蓋部材に設け、凹部の底部に
配置された光電変換素子から離間した位置に配置
するため、熱による悪影響を受けにくくなるとと
もに、立体的に配置するため、小型化を計ること
ができるという効果が得られる。
しやすい集積回路を蓋部材に設け、凹部の底部に
配置された光電変換素子から離間した位置に配置
するため、熱による悪影響を受けにくくなるとと
もに、立体的に配置するため、小型化を計ること
ができるという効果が得られる。
第１図は従来のフオトセンサの実装構成を示す
概略的断面図、第２図は本発明によるフオトセン
サの一実施例の実装構成を示す概略的断面図、第
３図は本実施例の斜視図である。 ２……センサ基板、３……マトリクス基板、１
１……基板、１２……凹部、１３……蓋。
概略的断面図、第２図は本発明によるフオトセン
サの一実施例の実装構成を示す概略的断面図、第
３図は本実施例の斜視図である。 ２……センサ基板、３……マトリクス基板、１
１……基板、１２……凹部、１３……蓋。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光電変換素子が形成された透光性の第１の基
板と、前記光電変換素子を駆動するためのマトリ
クス配線が形成された第２の基板とが設けられ、
前記第１の基板の前記光電変換素子と前記第２の
基板の前記マトリクス配線とが導線で接続されて
いるフオトセンサにおいて、 凹部を有し、該凹部の底部に、前記第１の基板
より小さな受光用の開口部が設けられた遮光性の
基体と、 前記凹部を閉じる遮光性の蓋部材と、 前記光電変換素子を駆動するための駆動回路と
スイツチング回路と信号を増幅するための増幅回
路とを含む集積回路素子と、を有し、 前記第１の基板は、前記凹部における前記開口
部からの入射光が前記光電変換素子に入射する位
置に、該開口部を閉じるように固定され、 前記第２の基板は、前記第１の基板に並置して
前記凹部内に固定され、 前記集積回路素子は、前記蓋部材の前記凹部側
の面に設けられており、 前記集積回路素子と前記光電変換素子とが、離
間して配置されているとともに、前記第２の基板
のマトリクス配線を介して電気的に接続されてい
ることを特徴とするフオトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15207084A JPS6132480A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | フォトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15207084A JPS6132480A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | フォトセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132480A JPS6132480A (ja) | 1986-02-15 |
| JPH0476221B2 true JPH0476221B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=15532395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15207084A Granted JPS6132480A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | フォトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132480A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027196B2 (ja) * | 1980-08-08 | 1985-06-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP15207084A patent/JPS6132480A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6132480A (ja) | 1986-02-15 |
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