JPH0476483B2 - - Google Patents
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- JPH0476483B2 JPH0476483B2 JP60208328A JP20832885A JPH0476483B2 JP H0476483 B2 JPH0476483 B2 JP H0476483B2 JP 60208328 A JP60208328 A JP 60208328A JP 20832885 A JP20832885 A JP 20832885A JP H0476483 B2 JPH0476483 B2 JP H0476483B2
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- magnetic
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- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
- C21D1/04—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering with simultaneous application of supersonic waves, magnetic or electric fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15316—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals based on Co
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
- H01F41/0213—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s)
- H01F41/0226—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s) from amorphous ribbons
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Description
産業上の利用分野
本発明は、スイツチング電源等に用いられてい
る可飽和リアクトル等に使用される経時変化が小
さく、特に高周波の制御磁化特性に優れた制御用
アモルフアス磁心の製造方法に関するものであ
る。 従来の技術 従来、制御用磁心としては50％Niパーマロイ
や80％Niパーマロイ巻磁心が主に使用されてい
たが、近年、高周波磁気特性に優れたアモルフア
ス巻磁心が望まれている。 制御用磁心に適したアモルフアス磁心として
は、たとえば特公昭60−19125に開示されている
（Fe−Ni−Co）90〜70−（Si、Ｂ、Ｐ、Ｃ）30〜10材、
（Feの含有量が３〜13％）や特公昭58−1183に開
示されているFe−Ni0.1〜40Si3〜16B5〜24材料等が知
られている。これらの材料の熱処理は、磁場中冷
却熱処理や急冷（空冷）熱処理等が行なわれてお
り、冷却途中で温度を一定に保持し、再び冷却す
るような多段の熱処理は行なわれていなかつた。 発明が解決しようとする問題点 前記従来の材料を使用し、冷却中に温度を一定
に保持せず１段階に熱処理して製造した磁心は、
制御用磁心として重要な特性である制御磁化特性
が高周波、特に50kHz以上で十分でない。すなわ
ち50kHz以上の高周波で駆動しているスイツチン
グ電源用可飽和リアクトル等に使用した場合、コ
アゲインが十分でなく、さらに温度上昇が激しい
という問題点を有する。このためリセツト電流の
増加や信頼性が低下するという問題点があつた。 そこで本発明は、材料および熱処理方法を各種
試験することにより、高周波の制御磁化特性に優
れたアモルフアス磁心の製造方法を提供すること
を目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は片ロール法等の液体急冷法により作成
した組成式：（Co1-a-b-cFeaMnbMoc）100-x-ySixBy
で表わされ、 ０≦ａ≦0.05、0.03≦ｂ≦0.08、0.01≦ｃ≦
0.04、0.04≦ｂ＋ｃ≦0.10、 13≦ｘ≦16、7.5≦Ｙ≦9.5（at％） の関係を有する組成のアモルフアス合金からなる
磁心素材をキユーリ温度以上で保持後、磁路方向
に0.10e以上の交流あるいは直流の磁界を印加し
ながら、ステツプ状に温度を150℃以下にまで下
げ、多段熱処理を行ない制御磁化特性に優れた
Co基アモルフアス磁心を製造するものである。 本発明においてMnおよびMoは必須の元素で
あり、制御磁化特性および経時変化改善に大きな
硬化を有する。この硬化は磁心をキユリー温度以
上で保持後、磁路方向に0.10e以上の交流あるい
は直流の磁界を印加しながら、ステツプ状に温度
を150℃以下まで下げ、大段熱処理を行なつた場
合に最も顕著となる。また磁界の強さは、少なく
とも0.10e以上である必要があるが、これは磁界
が0.10e未満の場合に制御磁化特性改善の効果が
小さいためである。 ここで上記手段の熱処理を従来の熱処理と比較
して説明する。第１図は本発明による制御磁化特
性に優れたアモルフアス磁心の熱処理パターン(a)
と、従来の熱処理パターン(b)、(c)を比較した図面
である。 本発明による熱処理パターンはまず磁心をキユ
リー温度以上に保持し、次に磁路方向に磁場をか
けながら冷却し、キユリー温度以下になつた時点
からステツプ状に温度を下げていくパターンであ
る。 磁界はキユリー温度以上の温度であればどの時
点から印加しても良く、ステツプ状に温度を下げ
始めるのはキユリー温度以上からでも同様の効果
が得られ、本発明とは一とみなせる。 (b)はキユリー温度以上の温度で保持後急冷する
従来の熱処理パターンであり、角形性が悪く制御
磁化特性が劣るだけでなく経時変化が大きいため
実用的でない。 (c)は磁場をかけながらある温度で保持後一定速
度で冷却する従来のパターンであり、直流Ｂ−Ｈ
カーブの角形性は上昇し、直流のＢ−Ｈカーブの
保磁力は小さくなるが、高周波の制御磁化特性が
悪く好ましくない。 次に本発明の制御用磁心を評価するのに適した
測定回路を第２図により説明する。なお第３図は
任意の直流の制御電流Icが制御回路に流れている
場合の磁心の動作模式図である。第２図に示すよ
うに、試料の磁心にNL、Nc、Nvの３種類の巻
線を設ける。NLは磁気増幅器の出力巻線に相当
し、抵抗Ｒおよび、整流器Ｄを介し、周波数ｆ
（周期Tp）の交流電源Egに接続されている。Eg
の値はゲート半周期Tgにおいて印加電圧の正弦
波電圧の90°以内の位相角で磁心が飽和に達する
ように大きな値に設定する。 Ncは制御巻線で、制御回路よりみた磁心イン
ダクタンスに比較し、十分大きな値のインダクタ
ンスLcを通して直電源Ecに接続し、拘束磁化条
件の直流起磁力を与えている。Nvは制御入力に
対応するリセツト磁束量Δφcm測定用巻線で、平
均値整流方式の交流電圧径Ｖに接続されている。
第４図に本測定回路により測定して得られる制御
磁化曲線の模式図を示す。 Hrmを逆数でわしβ0とおくとβ0＝１／Hrm制
御用磁心としてはβ0大（Hr小）のほど制御電流
小となり特性が良いことになる。一方磁心の磁化
特性の角形の程度を示すパラメータをα0と置く。
α0＝１−ΔBd／ΔBm 制御用磁心としてはα0大（ΔBd／ΔBm小）の
ほど制御不能磁束密度が小さく特性が良いことに
なる。 α0とβ0の積をGoで表わし、specific core gain
と呼ぶがGo＝α0・β0 が大きいほど総合的にみて制御用磁心としてすぐ
れていると判断できる。 第４図においてゲート磁界の最大値 Hm＝Nl・iL（max）／le ……(1) le；試料の平均磁路長 に対応する磁束密度の最大値Bmと制御磁界 Hrm＝Nc・Ic／le ……(2) によつて決まる磁束密度のBcとの差の磁束密度
量をΔBcmとし、周期とTpとすれば、Nv回路の
磁束電圧計Ｖの読みは Ev∝ｆ・Nv・Ａ・Ｂcm ……(3) Ａ；磁心の有効断面積 実際の制御用磁心においては磁界Ｈが正の領域
の特性、Hm−ΔBd特性と、磁界Ｈが負の領域の
特性、Hr−ΔB特性を把握することが必要であ
る。 ΔBd＝Bm−Br ……(4) であり Ev∝ｆ・Nv・Ａ・Bd ……(5) である。 一方 ΔB＝Ｂcm−ΔBd ……(6) である。 制御用磁心としては第４図に示す第１象限の曲
線が下側にある方がよく、また第２象限の曲線が
右側にありかつ傾斜が急なものが良い。 実施例 実施例 １ MnとMoとを含む６種類のCo基アモルフアス
磁心をキユリー温度以上に保持した後、磁路方向
に10eの交流の電界を印加しながら冷却し、キユ
リー温度以下から、２段階のステツプ状に温度を
150℃以下まで熱処理した。このようにして製造
した磁心の50kHzのspecific core gain Goを第１
表に示した。なお比較のため、従来の材料を使用
した磁心を１段階に熱処理し、その従来例のGo
を示した。 本発明のCo基アモルフアス合金中のSiは、合
金の鉄損を低減するのに効果があるが、過多に含
有されると合金のキユリー温度（Tc）を下げ、
角形比（Br／Bs）を著しく低下させる。以上の
様なことから、Si含有量は合金に望ましい特性を
付与するために13〜16原子％が望ましい。またＢ
含有量については7.5原子％より少ないと合金を
アモルフアス状態にすることがむずかしく、逆に
9.5原子％より多いと飽和磁束密度（Bs）の低下
をもたらすので、7.5〜9.5原子％が望ましくこの
範囲内で実施した。
る可飽和リアクトル等に使用される経時変化が小
さく、特に高周波の制御磁化特性に優れた制御用
アモルフアス磁心の製造方法に関するものであ
る。 従来の技術 従来、制御用磁心としては50％Niパーマロイ
や80％Niパーマロイ巻磁心が主に使用されてい
たが、近年、高周波磁気特性に優れたアモルフア
ス巻磁心が望まれている。 制御用磁心に適したアモルフアス磁心として
は、たとえば特公昭60−19125に開示されている
（Fe−Ni−Co）90〜70−（Si、Ｂ、Ｐ、Ｃ）30〜10材、
（Feの含有量が３〜13％）や特公昭58−1183に開
示されているFe−Ni0.1〜40Si3〜16B5〜24材料等が知
られている。これらの材料の熱処理は、磁場中冷
却熱処理や急冷（空冷）熱処理等が行なわれてお
り、冷却途中で温度を一定に保持し、再び冷却す
るような多段の熱処理は行なわれていなかつた。 発明が解決しようとする問題点 前記従来の材料を使用し、冷却中に温度を一定
に保持せず１段階に熱処理して製造した磁心は、
制御用磁心として重要な特性である制御磁化特性
が高周波、特に50kHz以上で十分でない。すなわ
ち50kHz以上の高周波で駆動しているスイツチン
グ電源用可飽和リアクトル等に使用した場合、コ
アゲインが十分でなく、さらに温度上昇が激しい
という問題点を有する。このためリセツト電流の
増加や信頼性が低下するという問題点があつた。 そこで本発明は、材料および熱処理方法を各種
試験することにより、高周波の制御磁化特性に優
れたアモルフアス磁心の製造方法を提供すること
を目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は片ロール法等の液体急冷法により作成
した組成式：（Co1-a-b-cFeaMnbMoc）100-x-ySixBy
で表わされ、 ０≦ａ≦0.05、0.03≦ｂ≦0.08、0.01≦ｃ≦
0.04、0.04≦ｂ＋ｃ≦0.10、 13≦ｘ≦16、7.5≦Ｙ≦9.5（at％） の関係を有する組成のアモルフアス合金からなる
磁心素材をキユーリ温度以上で保持後、磁路方向
に0.10e以上の交流あるいは直流の磁界を印加し
ながら、ステツプ状に温度を150℃以下にまで下
げ、多段熱処理を行ない制御磁化特性に優れた
Co基アモルフアス磁心を製造するものである。 本発明においてMnおよびMoは必須の元素で
あり、制御磁化特性および経時変化改善に大きな
硬化を有する。この硬化は磁心をキユリー温度以
上で保持後、磁路方向に0.10e以上の交流あるい
は直流の磁界を印加しながら、ステツプ状に温度
を150℃以下まで下げ、大段熱処理を行なつた場
合に最も顕著となる。また磁界の強さは、少なく
とも0.10e以上である必要があるが、これは磁界
が0.10e未満の場合に制御磁化特性改善の効果が
小さいためである。 ここで上記手段の熱処理を従来の熱処理と比較
して説明する。第１図は本発明による制御磁化特
性に優れたアモルフアス磁心の熱処理パターン(a)
と、従来の熱処理パターン(b)、(c)を比較した図面
である。 本発明による熱処理パターンはまず磁心をキユ
リー温度以上に保持し、次に磁路方向に磁場をか
けながら冷却し、キユリー温度以下になつた時点
からステツプ状に温度を下げていくパターンであ
る。 磁界はキユリー温度以上の温度であればどの時
点から印加しても良く、ステツプ状に温度を下げ
始めるのはキユリー温度以上からでも同様の効果
が得られ、本発明とは一とみなせる。 (b)はキユリー温度以上の温度で保持後急冷する
従来の熱処理パターンであり、角形性が悪く制御
磁化特性が劣るだけでなく経時変化が大きいため
実用的でない。 (c)は磁場をかけながらある温度で保持後一定速
度で冷却する従来のパターンであり、直流Ｂ−Ｈ
カーブの角形性は上昇し、直流のＢ−Ｈカーブの
保磁力は小さくなるが、高周波の制御磁化特性が
悪く好ましくない。 次に本発明の制御用磁心を評価するのに適した
測定回路を第２図により説明する。なお第３図は
任意の直流の制御電流Icが制御回路に流れている
場合の磁心の動作模式図である。第２図に示すよ
うに、試料の磁心にNL、Nc、Nvの３種類の巻
線を設ける。NLは磁気増幅器の出力巻線に相当
し、抵抗Ｒおよび、整流器Ｄを介し、周波数ｆ
（周期Tp）の交流電源Egに接続されている。Eg
の値はゲート半周期Tgにおいて印加電圧の正弦
波電圧の90°以内の位相角で磁心が飽和に達する
ように大きな値に設定する。 Ncは制御巻線で、制御回路よりみた磁心イン
ダクタンスに比較し、十分大きな値のインダクタ
ンスLcを通して直電源Ecに接続し、拘束磁化条
件の直流起磁力を与えている。Nvは制御入力に
対応するリセツト磁束量Δφcm測定用巻線で、平
均値整流方式の交流電圧径Ｖに接続されている。
第４図に本測定回路により測定して得られる制御
磁化曲線の模式図を示す。 Hrmを逆数でわしβ0とおくとβ0＝１／Hrm制
御用磁心としてはβ0大（Hr小）のほど制御電流
小となり特性が良いことになる。一方磁心の磁化
特性の角形の程度を示すパラメータをα0と置く。
α0＝１−ΔBd／ΔBm 制御用磁心としてはα0大（ΔBd／ΔBm小）の
ほど制御不能磁束密度が小さく特性が良いことに
なる。 α0とβ0の積をGoで表わし、specific core gain
と呼ぶがGo＝α0・β0 が大きいほど総合的にみて制御用磁心としてすぐ
れていると判断できる。 第４図においてゲート磁界の最大値 Hm＝Nl・iL（max）／le ……(1) le；試料の平均磁路長 に対応する磁束密度の最大値Bmと制御磁界 Hrm＝Nc・Ic／le ……(2) によつて決まる磁束密度のBcとの差の磁束密度
量をΔBcmとし、周期とTpとすれば、Nv回路の
磁束電圧計Ｖの読みは Ev∝ｆ・Nv・Ａ・Ｂcm ……(3) Ａ；磁心の有効断面積 実際の制御用磁心においては磁界Ｈが正の領域
の特性、Hm−ΔBd特性と、磁界Ｈが負の領域の
特性、Hr−ΔB特性を把握することが必要であ
る。 ΔBd＝Bm−Br ……(4) であり Ev∝ｆ・Nv・Ａ・Bd ……(5) である。 一方 ΔB＝Ｂcm−ΔBd ……(6) である。 制御用磁心としては第４図に示す第１象限の曲
線が下側にある方がよく、また第２象限の曲線が
右側にありかつ傾斜が急なものが良い。 実施例 実施例 １ MnとMoとを含む６種類のCo基アモルフアス
磁心をキユリー温度以上に保持した後、磁路方向
に10eの交流の電界を印加しながら冷却し、キユ
リー温度以下から、２段階のステツプ状に温度を
150℃以下まで熱処理した。このようにして製造
した磁心の50kHzのspecific core gain Goを第１
表に示した。なお比較のため、従来の材料を使用
した磁心を１段階に熱処理し、その従来例のGo
を示した。 本発明のCo基アモルフアス合金中のSiは、合
金の鉄損を低減するのに効果があるが、過多に含
有されると合金のキユリー温度（Tc）を下げ、
角形比（Br／Bs）を著しく低下させる。以上の
様なことから、Si含有量は合金に望ましい特性を
付与するために13〜16原子％が望ましい。またＢ
含有量については7.5原子％より少ないと合金を
アモルフアス状態にすることがむずかしく、逆に
9.5原子％より多いと飽和磁束密度（Bs）の低下
をもたらすので、7.5〜9.5原子％が望ましくこの
範囲内で実施した。
【表】
【表】
実施例 ２
本発明の材料を使用した５種類の磁心を、第１
実施例のようにステツプ状に熱処理し、さらに同
組成の磁心を従来のように１段階に熱処理して、
熱処理の影響を調べた。できあがつた磁心の50k
HzでのCoを測定し、第２表に示す。
実施例のようにステツプ状に熱処理し、さらに同
組成の磁心を従来のように１段階に熱処理して、
熱処理の影響を調べた。できあがつた磁心の50k
HzでのCoを測定し、第２表に示す。
【表】
【表】
本発明の磁心の組成では、従来熱処理でもGo
が従来材より大きいが、本発明の熱処理を行なう
ことにより更にGoが改善されており、本発明で
行なつている熱処理が非常に有効であることがわ
かる。 実施例 ３ Mn量ｂを変化させた（Co0.942-bFe0.025Mnb
Mo0.03）76Si15B9アモルフアス磁心に対して本発明
に用いる磁場中の３段階の熱処理を行ない、さら
に従来の磁場中熱処理を行なつた。できた磁心の
50kHzのspecific core gain GoのMn量ｂ依存性
を第５図に示す。図中、Ａは本発明の熱処理によ
るものであり、Ｂは従来熱処理によるものであ
る。 第５図からわかるようにMn量ｂが0.03を越え
るとGoが急激に大きくなり、制御用磁心として
好ましくなる。時に本発明に用いる多段の熱処理
を行なつた方(A)が、Goが大きく優れている。た
だしｂが0.08を越えるとリボンは、製造の際脆化
してしまい好ましくない。 実施例 ４ Mo量ｃを変化させた（Co0.918-CFe0.005Mn0.077
MoC）76Si15B9アモルフアス磁心に対して、本発
明に用いる磁場中の３段階の熱処理を行なつた。
できた磁心の50kHzのspecific core gain Goの
Mn量ｃ依存性を第６図に示す。 第６図からわかるようにMo量ｃが0.01を越え
ると急激にGoが大きくなり、制御用磁心として
好ましい傾向になる。ただしｃが0.04を越える
と、飽和磁束密度がフエライト並以下になり好ま
しくない。 上記でCo基アモルフアス合金中のMn量ｂと
Mo量ｃとの適正量について説明したが、Fe量ａ
については次のことがいえる。Co基アモルフア
ス合金においては、Coの一部をFeおよびMnで置
換することにより、磁束λsが小さい磁心材料と
することができ、Coの一部をFeで置換すること
により、飽和磁束密度Bsを増大させことができ
るが、Fe量ａが0.05を越えると経時変化が大きく
なるためａは0.05以下が望ましい。 実施例 ５ （Co0.93Fe0.03Mn0.04）72Mo3Si15B9アモルフアス
を材料にし、多段熱処理回数を変えて６個の磁心
を製造した。できた磁心の50kHzにおけるspecifc
core gain Goを測定し、第３表に示す。
が従来材より大きいが、本発明の熱処理を行なう
ことにより更にGoが改善されており、本発明で
行なつている熱処理が非常に有効であることがわ
かる。 実施例 ３ Mn量ｂを変化させた（Co0.942-bFe0.025Mnb
Mo0.03）76Si15B9アモルフアス磁心に対して本発明
に用いる磁場中の３段階の熱処理を行ない、さら
に従来の磁場中熱処理を行なつた。できた磁心の
50kHzのspecific core gain GoのMn量ｂ依存性
を第５図に示す。図中、Ａは本発明の熱処理によ
るものであり、Ｂは従来熱処理によるものであ
る。 第５図からわかるようにMn量ｂが0.03を越え
るとGoが急激に大きくなり、制御用磁心として
好ましくなる。時に本発明に用いる多段の熱処理
を行なつた方(A)が、Goが大きく優れている。た
だしｂが0.08を越えるとリボンは、製造の際脆化
してしまい好ましくない。 実施例 ４ Mo量ｃを変化させた（Co0.918-CFe0.005Mn0.077
MoC）76Si15B9アモルフアス磁心に対して、本発
明に用いる磁場中の３段階の熱処理を行なつた。
できた磁心の50kHzのspecific core gain Goの
Mn量ｃ依存性を第６図に示す。 第６図からわかるようにMo量ｃが0.01を越え
ると急激にGoが大きくなり、制御用磁心として
好ましい傾向になる。ただしｃが0.04を越える
と、飽和磁束密度がフエライト並以下になり好ま
しくない。 上記でCo基アモルフアス合金中のMn量ｂと
Mo量ｃとの適正量について説明したが、Fe量ａ
については次のことがいえる。Co基アモルフア
ス合金においては、Coの一部をFeおよびMnで置
換することにより、磁束λsが小さい磁心材料と
することができ、Coの一部をFeで置換すること
により、飽和磁束密度Bsを増大させことができ
るが、Fe量ａが0.05を越えると経時変化が大きく
なるためａは0.05以下が望ましい。 実施例 ５ （Co0.93Fe0.03Mn0.04）72Mo3Si15B9アモルフアス
を材料にし、多段熱処理回数を変えて６個の磁心
を製造した。できた磁心の50kHzにおけるspecifc
core gain Goを測定し、第３表に示す。
【表】
第３表からわかるように、多段熱処理の回数が
３回以上になると、Goが特に大きくなり制御用
磁心として好ましくなる。 実施例 ６ 本発明の４種類の組成の材料を使用し、３段熱
処理の角ステツプの保持時間を低い温度になるほ
ど長くなるようにして磁心を製造した。この場合
の保持時間は温度の高いほうから順次10分、60
分、240分とした。また比較のため同一組成の材
料を使用し、３段熱処理の各ステツプの時間を一
定（10分）にして磁心を製造した。このように製
造したアモルフアス磁心の120℃の経時変化率
ΔGoを測定し、第４表に示した。 ここでΔGoは（Go10000−Go0）／Go0×100と
表わす。Go0；初期値 Go10000；10000時間後の
値
３回以上になると、Goが特に大きくなり制御用
磁心として好ましくなる。 実施例 ６ 本発明の４種類の組成の材料を使用し、３段熱
処理の角ステツプの保持時間を低い温度になるほ
ど長くなるようにして磁心を製造した。この場合
の保持時間は温度の高いほうから順次10分、60
分、240分とした。また比較のため同一組成の材
料を使用し、３段熱処理の各ステツプの時間を一
定（10分）にして磁心を製造した。このように製
造したアモルフアス磁心の120℃の経時変化率
ΔGoを測定し、第４表に示した。 ここでΔGoは（Go10000−Go0）／Go0×100と
表わす。Go0；初期値 Go10000；10000時間後の
値
【表】
第４表から明らかなように、低い温度になるほ
ど保持時間が長くなるように多段熱処理したほう
が、経時変化が改善されより好ましい。 実施例 ７ 本発明の磁心と、従来の磁心との制御磁化特性
（ΔB−Hr特性、ΔBd−Hm特性）を比較するた
め、次の磁心を製造してその制御磁化曲線を第７
図に示した。本発明の磁心Ｃは、（Co0.87Fe0.04
Mn0.05Mo0.04）76Si15B9を材料とし、３段熱処理と
した。また従来の磁心Ｄ、Ｅは、それぞれ材料を
Co70.3Fe5.4Mb1.6Si8.0B14.7アモルフアス、Co69.5
Fe4.5Mo1Si15B10アモルフアスとし、１段階の熱
処理とした。 第７図からわかるように、本発明の磁心Ｃの
ΔB−Hr特性の曲線は磁心Ｄ、Ｅより右側によつ
ており、制御電流が小さく従来の磁心より優れて
いる。 一方、本発明の磁心ＣのΔBd−Hm特性の曲線
は、磁心Ｄ、Ｅより下側に位置しており、角形性
が従来のものに比べて同等以上となつており、制
御用磁心として優れている。 発明の効果 本発明によれば、従来不十分であつたCo基ア
モルフアス磁心の制御磁心特性が大幅に改善でき
るため、高周波駆動のスイツチング電源の可飽和
リアクトルに使用した場合に、制御電流を小さく
でき、磁心の温度上昇も低くできる。また角形性
も良いので制御性も良く経時変化も小さくでき
る。このため、磁気制御型スイツチング電源を高
周波化し、小型化することが可能となり、その効
果は著しいものである。
ど保持時間が長くなるように多段熱処理したほう
が、経時変化が改善されより好ましい。 実施例 ７ 本発明の磁心と、従来の磁心との制御磁化特性
（ΔB−Hr特性、ΔBd−Hm特性）を比較するた
め、次の磁心を製造してその制御磁化曲線を第７
図に示した。本発明の磁心Ｃは、（Co0.87Fe0.04
Mn0.05Mo0.04）76Si15B9を材料とし、３段熱処理と
した。また従来の磁心Ｄ、Ｅは、それぞれ材料を
Co70.3Fe5.4Mb1.6Si8.0B14.7アモルフアス、Co69.5
Fe4.5Mo1Si15B10アモルフアスとし、１段階の熱
処理とした。 第７図からわかるように、本発明の磁心Ｃの
ΔB−Hr特性の曲線は磁心Ｄ、Ｅより右側によつ
ており、制御電流が小さく従来の磁心より優れて
いる。 一方、本発明の磁心ＣのΔBd−Hm特性の曲線
は、磁心Ｄ、Ｅより下側に位置しており、角形性
が従来のものに比べて同等以上となつており、制
御用磁心として優れている。 発明の効果 本発明によれば、従来不十分であつたCo基ア
モルフアス磁心の制御磁心特性が大幅に改善でき
るため、高周波駆動のスイツチング電源の可飽和
リアクトルに使用した場合に、制御電流を小さく
でき、磁心の温度上昇も低くできる。また角形性
も良いので制御性も良く経時変化も小さくでき
る。このため、磁気制御型スイツチング電源を高
周波化し、小型化することが可能となり、その効
果は著しいものである。
第１図ａ，ｂ，ｃは本発明のアモルフアス磁心
の熱処理パターンと従来のアモルフアス磁心の熱
処理パターンの比較した図、第２図は制御磁化特
性測定回路を示した図、第３図は制御する際のＢ
−Ｈカーブを模式的に示した図、第４図は制御磁
化特性のカーブを模式的に示した図、第５図は
（Co0.942-bFe0.025MnbMo0.03）76Si15B9アモルフア
ス磁心の50kHzにおけるspecific core gain Goの
Mn量ｂ依存性を示した図、第６図は（Co0.918-C
Fe0.005Mn0.077MoC）76Si15B9アモルフアス磁心の
50kHzのspecific core gain GoのMo量ｃ依存性
を示した図、第７図は本発明による磁心（Co0.87
Fe0.04Mn0.05Mo0.04）76Si15B9アモルフアス磁心の
制御磁化曲線を従来の熱処理を行なつたアモルフ
アス磁心の制御磁化曲線と比較した図である。
の熱処理パターンと従来のアモルフアス磁心の熱
処理パターンの比較した図、第２図は制御磁化特
性測定回路を示した図、第３図は制御する際のＢ
−Ｈカーブを模式的に示した図、第４図は制御磁
化特性のカーブを模式的に示した図、第５図は
（Co0.942-bFe0.025MnbMo0.03）76Si15B9アモルフア
ス磁心の50kHzにおけるspecific core gain Goの
Mn量ｂ依存性を示した図、第６図は（Co0.918-C
Fe0.005Mn0.077MoC）76Si15B9アモルフアス磁心の
50kHzのspecific core gain GoのMo量ｃ依存性
を示した図、第７図は本発明による磁心（Co0.87
Fe0.04Mn0.05Mo0.04）76Si15B9アモルフアス磁心の
制御磁化曲線を従来の熱処理を行なつたアモルフ
アス磁心の制御磁化曲線と比較した図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 組成式（Co1-a-b-cFeaMnbMoc）100-X-YSiXBY
で表わされ、 ０≦ａ≦0.05、0.03≦ｂ≦0.08、 0.01≦ｃ≦0.04、0.04≦ｂ＋ｃ≦0.10、13≦ｘ
≦16、 7.5≦Ｙ≦9.5（at.％） の関係を有する組成のアモルフアス合金からなる
磁心素材に、キユリー温度以上で保持後、磁路方
向に0.10e以上の交流あるいは直流の磁界を印加
しながら冷却し、キユリー温度以下から、ステツ
プ状に温度を150℃以下まで下げる多段熱処理を
施すことを特徴とするCo基アモルフアス磁心の
製造方法。 ２ 多段熱処理を少なくとも３段以上行なうこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のCo基
アモルフアス磁心の製造方法。 ３ 多段熱処理の各ステツプの保持時間を低い温
度になるほど長くしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項又は２項記載のCo基アモルフアス
磁心の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60208328A JPS6267802A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | Ｃｏ基アモルファス磁心の製造方法 |
| US07/085,405 US4769091A (en) | 1985-08-20 | 1987-08-10 | Magnetic core |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60208328A JPS6267802A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | Ｃｏ基アモルファス磁心の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267802A JPS6267802A (ja) | 1987-03-27 |
| JPH0476483B2 true JPH0476483B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=16554445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60208328A Granted JPS6267802A (ja) | 1985-08-20 | 1985-09-20 | Ｃｏ基アモルファス磁心の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267802A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100736646B1 (ko) | 2006-02-02 | 2007-07-09 | 한양대학교 산학협력단 | 코발트계 비정질 합금을 이용한 자기센서소자 및 이의제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE7511398L (sv) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Western Electric Co | Magnetisk anordning |
| JPS5929644B2 (ja) * | 1974-12-24 | 1984-07-21 | 東北大学金属材料研究所長 | 高透磁率アモルフアス合金の磁気特性改質方法 |
| JPS59147415A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-23 | Hitachi Metals Ltd | 巻鉄心 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP60208328A patent/JPS6267802A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6267802A (ja) | 1987-03-27 |
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