JPH0476838A - 光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク原盤の製造方法Info
- Publication number
- JPH0476838A JPH0476838A JP2191653A JP19165390A JPH0476838A JP H0476838 A JPH0476838 A JP H0476838A JP 2191653 A JP2191653 A JP 2191653A JP 19165390 A JP19165390 A JP 19165390A JP H0476838 A JPH0476838 A JP H0476838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- photoresist layer
- guide groove
- film
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表面に案内溝と、これと高さの異なるビットと
の二重螺旋を備えた光ディスクを得るための原盤を製造
する方法に関する。
の二重螺旋を備えた光ディスクを得るための原盤を製造
する方法に関する。
第２図は従来における光ディスク原盤の製造方法の主要
過程を示す工程図であり、先ず第２図（ａ）に示す如き
ガラス基板ｌｌ上に、第２図ｆｂ） ４こ示ず如くフォ
トレジスト層１２を積層形成し、第２図（Ｃ）に示す如
くフォトレジスト層１２の表面から、レーザビーム１５
ａを用いてガラス基板１１の表面に達スる深さと、レー
ザビーム１５ｂ、 １５ｃを用いてフォトレジスト層１
２の中間部に達する深さとの２種類の深さに露光し、こ
れを現像して第２図ｆｄｌに示す如くガラス基板１１０
表面が露出する１１２ａ及びフォトレジスト層１２の厚
さの略中程に達する深さの溝１２ｂ１２ｃを形成する。
過程を示す工程図であり、先ず第２図（ａ）に示す如き
ガラス基板ｌｌ上に、第２図ｆｂ） ４こ示ず如くフォ
トレジスト層１２を積層形成し、第２図（Ｃ）に示す如
くフォトレジスト層１２の表面から、レーザビーム１５
ａを用いてガラス基板１１の表面に達スる深さと、レー
ザビーム１５ｂ、 １５ｃを用いてフォトレジスト層１
２の中間部に達する深さとの２種類の深さに露光し、こ
れを現像して第２図ｆｄｌに示す如くガラス基板１１０
表面が露出する１１２ａ及びフォトレジスト層１２の厚
さの略中程に達する深さの溝１２ｂ１２ｃを形成する。
次にフォトレジスト層１２の上面及び溝１２ａの底部Ｃ
二露出するガラス基板１１の表面に、第２図ｆｅ）に示
す如く蒸着又はスパッタリングによって所定厚さに二・
ッケル（Ｎｉ）膜１３を形成し、このニッケル膜１３の
全面に第２図（ｆ）に示す如く所定厚さに二、ケルメッ
キを施してメッキ層１４を形成した後、ガラス基板１１
、フォトレジスト層１２をメッキ層１４、ニッケル膜１
３から分離して、第２図（ｇｌに示す如くビット形成部
１３ａ、案内溝形成部１３ｂ、１３Ｃを備え、表面をニ
ッケル膜１３にて覆われた原盤１Ｇを得る。
二露出するガラス基板１１の表面に、第２図ｆｅ）に示
す如く蒸着又はスパッタリングによって所定厚さに二・
ッケル（Ｎｉ）膜１３を形成し、このニッケル膜１３の
全面に第２図（ｆ）に示す如く所定厚さに二、ケルメッ
キを施してメッキ層１４を形成した後、ガラス基板１１
、フォトレジスト層１２をメッキ層１４、ニッケル膜１
３から分離して、第２図（ｇｌに示す如くビット形成部
１３ａ、案内溝形成部１３ｂ、１３Ｃを備え、表面をニ
ッケル膜１３にて覆われた原盤１Ｇを得る。
ところでこのような方法で製造される光ディスク原盤に
おいては案内溝形成部１３ｂ、 １３ｃの高さがばらつ
くという問題があった。
おいては案内溝形成部１３ｂ、 １３ｃの高さがばらつ
くという問題があった。
これは第２図（Ｃ）に示す工程でレーザビームを用いて
フォトレジスト層１２に対する露光を行う際、溝１２ａ
を形成するだめの露光量はガラス基板】１の表面で規制
される結果、その深さはフォトレジスト層１２の肉厚で
規定されて一様となるのに対し、溝１２ｂ、１．２ｃは
フォトレジスト層１２の肉厚の略中程迄露光させること
により形成するため、フォトレジスト層１２の材質のば
らつき、或いはレーザ発振器とフォトレジスト層１２と
の間の距離のばらつきによる光強度の変化等に起因して
露光量が変化し、溝１２ｂ、 １２ｃの深さが安定しな
いことに依る。
フォトレジスト層１２に対する露光を行う際、溝１２ａ
を形成するだめの露光量はガラス基板】１の表面で規制
される結果、その深さはフォトレジスト層１２の肉厚で
規定されて一様となるのに対し、溝１２ｂ、１．２ｃは
フォトレジスト層１２の肉厚の略中程迄露光させること
により形成するため、フォトレジスト層１２の材質のば
らつき、或いはレーザ発振器とフォトレジスト層１２と
の間の距離のばらつきによる光強度の変化等に起因して
露光量が変化し、溝１２ｂ、 １２ｃの深さが安定しな
いことに依る。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところはビット形成部、案内溝形成部の高さ
のばらつきを防止し得るようにした光ディスク原盤の製
造方法を提供するにある。
目的とするところはビット形成部、案内溝形成部の高さ
のばらつきを防止し得るようにした光ディスク原盤の製
造方法を提供するにある。
（課題を解決するための手段）
本発明に係る光ディスク原盤の製造方法は、基板上のレ
ジスト膜に溝を形成し、このレジスト膜上にエツチング
可能な金属薄膜を形成し、更に該金属薄膜を導電膜とし
てエツチングされない金属のメッキ層を形成し、前記基
板及びレジスト膜を除去した後、メッキ層上の工・ッチ
ング可能な金属膜ムこピット形成部を形成する。
ジスト膜に溝を形成し、このレジスト膜上にエツチング
可能な金属薄膜を形成し、更に該金属薄膜を導電膜とし
てエツチングされない金属のメッキ層を形成し、前記基
板及びレジスト膜を除去した後、メッキ層上の工・ッチ
ング可能な金属膜ムこピット形成部を形成する。
本発明にあってはこれによって、案内溝形成部の深さは
レジスト層の肉厚によって、またピット形成部の深さは
エツチング可能な金属膜の肉厚によって夫々規制され、
案内溝形成部、ピット形成部の形状のばらつきが低減さ
れる。
レジスト層の肉厚によって、またピット形成部の深さは
エツチング可能な金属膜の肉厚によって夫々規制され、
案内溝形成部、ピット形成部の形状のばらつきが低減さ
れる。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。
明する。
第１図は本発明に係る光ディスク原盤の製造方法の主要
工程を示す工程図である。先ず第１図ＴＢ）に示す如く
、ガラス基板１上に所定厚さにフォトレジスト層２を積
層形成し、このフォトレジスト層２をレーザビームを用
いてガラス基板１の表面に達する深さに露光した後、現
像して第１図（ｂ）に示す如く所定の間隔を隔てて夫々
ガラス基板１の表面が露出する溝部２ｂ、２ｃをパター
ニングし、溝部２ｂ、 ２ｃの底部に覗くガラス基板１
の表面及びフォトレジスト層２の全面に対し、第１図（
Ｃ）に示す如くスパッタリング、又は蒸着法によってエ
ツチング可能な金属、例えばクロム膜３を形成し、更に
このクロム膜３の全面にわたって第１図（ｄｌに示す如
く所定の厚さにエツチングされない金属膜、例えばニッ
ケルのメッキ層４を施す。
工程を示す工程図である。先ず第１図ＴＢ）に示す如く
、ガラス基板１上に所定厚さにフォトレジスト層２を積
層形成し、このフォトレジスト層２をレーザビームを用
いてガラス基板１の表面に達する深さに露光した後、現
像して第１図（ｂ）に示す如く所定の間隔を隔てて夫々
ガラス基板１の表面が露出する溝部２ｂ、２ｃをパター
ニングし、溝部２ｂ、 ２ｃの底部に覗くガラス基板１
の表面及びフォトレジスト層２の全面に対し、第１図（
Ｃ）に示す如くスパッタリング、又は蒸着法によってエ
ツチング可能な金属、例えばクロム膜３を形成し、更に
このクロム膜３の全面にわたって第１図（ｄｌに示す如
く所定の厚さにエツチングされない金属膜、例えばニッ
ケルのメッキ層４を施す。
第１図（ｅｌに示す如くガラス基板ｌ及びフォトレジス
ト層２を剥離巳、所定の間隔を隔てて案内溝形成部４ｂ
、４ｃを備え、表面をクロム膜３で覆われたメッキ層４
を得る。
ト層２を剥離巳、所定の間隔を隔てて案内溝形成部４ｂ
、４ｃを備え、表面をクロム膜３で覆われたメッキ層４
を得る。
次に第１図Ｉｎに示す如くクロム膜３の表面にポジ型の
フォトレジスト層５を所定厚さに形成し、両案内溝形成
部４ｂ、 ４ｃ間の中央と対応する位置に露光、現像を
施して第１図（ｇ）に示す如く底部にクロム膜３が露出
する溝５ａをパターニングした後、第１図（ｈ）に示す
如くフォトレジスト層５０表面側からＣＣ１，＋Ｏ□を
用いたドライエツチングを施し、溝底に露出するクロム
膜３をエツチングして底部にメッキ層４の表面が露出す
る溝３ａを形成する。
フォトレジスト層５を所定厚さに形成し、両案内溝形成
部４ｂ、 ４ｃ間の中央と対応する位置に露光、現像を
施して第１図（ｇ）に示す如く底部にクロム膜３が露出
する溝５ａをパターニングした後、第１図（ｈ）に示す
如くフォトレジスト層５０表面側からＣＣ１，＋Ｏ□を
用いたドライエツチングを施し、溝底に露出するクロム
膜３をエツチングして底部にメッキ層４の表面が露出す
る溝３ａを形成する。
なおこの間フォトレジスト層５もエツチングされて薄肉
化する。
化する。
フォトレジスト層５を除去すれば第１図ｆｉ）に示す如
くビット形成部である溝３ａと、案内溝形成部４ｂ、
４ｃを有する原盤６が作成される。
くビット形成部である溝３ａと、案内溝形成部４ｂ、
４ｃを有する原盤６が作成される。
上述の実施例は原盤６を形成する場合について説明した
が、原盤用の原盤を形成する場合にも適用し得ることは
勿論である。
が、原盤用の原盤を形成する場合にも適用し得ることは
勿論である。
以上の如く本発明方法にあっては案内溝形成部とピ・ッ
ト形成部とを夫々独立に形成するためマスクリング装置
の簡略化が図れる外、案内溝形成部ビット形成部の形成
高さを感光量に依らずに設定し得るため、感光量のばら
つき等によって案内溝形成部、ピット形成部の寸法のば
らつきが大幅に低減され、原盤の品質の向上を図れる優
れた効果を奏するものである。
ト形成部とを夫々独立に形成するためマスクリング装置
の簡略化が図れる外、案内溝形成部ビット形成部の形成
高さを感光量に依らずに設定し得るため、感光量のばら
つき等によって案内溝形成部、ピット形成部の寸法のば
らつきが大幅に低減され、原盤の品質の向上を図れる優
れた効果を奏するものである。
第１図は本発明方法による主要工程を示す断面構造図、
第２図は従来方法による主要工程を示す断面構造図であ
る。 １・・・ガラス基板 ２・・・フォトレジスト層 ３・
・・クロム膜３ａ・・・溝（ピット形成部）４・・・メ
ッキ層 ４ｂ、４ｃ・・・案内溝形成部 ５・・・フ
ォトレジスト層 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄第 図
第２図は従来方法による主要工程を示す断面構造図であ
る。 １・・・ガラス基板 ２・・・フォトレジスト層 ３・
・・クロム膜３ａ・・・溝（ピット形成部）４・・・メ
ッキ層 ４ｂ、４ｃ・・・案内溝形成部 ５・・・フ
ォトレジスト層 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄第 図
Claims (1)
- （１）表面に案内溝形成部及びこれと高さの異なるピッ
ト形成部を備えた光ディスク用原盤を製造する方法にお
いて、 基板上にレジスト層を形成する工程と、該レジスト層に
溝を形成する工程と、該溝を形成したレジスト層上にエ
ッチング可能な金属薄膜を形成する工程と、該エッチン
グ可能な金属薄膜を導電膜としてこの表面にエッチング
されない金属のメッキ層を形成する工程と、前記基板及
びレジスト層を除去して表面に案内溝形成部を備え、表
面をエッチング可能な金属薄膜で覆われたメッキ層を得
る工程と、エッチング可能な金属薄膜表面にエッチング
によりピット形成部を形成する工程とを有することを特
徴とする光ディスク原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2191653A JPH0476838A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2191653A JPH0476838A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476838A true JPH0476838A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16278235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2191653A Pending JPH0476838A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476838A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110117502A1 (en) * | 2000-10-03 | 2011-05-19 | Panasonic Corporation | Method for producing multi-layer optical disk |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP2191653A patent/JPH0476838A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110117502A1 (en) * | 2000-10-03 | 2011-05-19 | Panasonic Corporation | Method for producing multi-layer optical disk |
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