JPH0476841A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0476841A JPH0476841A JP18793990A JP18793990A JPH0476841A JP H0476841 A JPH0476841 A JP H0476841A JP 18793990 A JP18793990 A JP 18793990A JP 18793990 A JP18793990 A JP 18793990A JP H0476841 A JPH0476841 A JP H0476841A
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- Japan
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- optical recording
- metal
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱磁気的に記録および消去を行い、磁気光学的
に再生を行う光磁気記録媒体に関するものである。
に再生を行う光磁気記録媒体に関するものである。
近年、情報の大容量化、高密度化に対応可能な記録媒体
として光デイスクメモリーの開発が活発に行われている
。中でも、記録、消去、書換えが可能な光磁気記録媒体
は、実用性、用途の広さから最も注目されている。
として光デイスクメモリーの開発が活発に行われている
。中でも、記録、消去、書換えが可能な光磁気記録媒体
は、実用性、用途の広さから最も注目されている。
光磁気記録媒体の記録層は磁気光学特性に優れた非晶質
の希土類−遷移金属合金が最も多く使われているが、こ
の合金は水分等による腐食を起こし易く、不動態形成金
属等の添加により耐食性を向上させている。
の希土類−遷移金属合金が最も多く使われているが、こ
の合金は水分等による腐食を起こし易く、不動態形成金
属等の添加により耐食性を向上させている。
また、前述の記録層だけでは実用に充分な磁気光学特性
が得られないため、基板上に干渉層、記録層、反射層、
保護層を順次形成する層構成によりカー効果とファラデ
ー効果を併用させ、レーザー光照射時の記録、再生効率
の向上をはかっている。
が得られないため、基板上に干渉層、記録層、反射層、
保護層を順次形成する層構成によりカー効果とファラデ
ー効果を併用させ、レーザー光照射時の記録、再生効率
の向上をはかっている。
反射層が記録層に隣接して設けられた光磁気記録媒体に
おいて、反射層として一般的にはＡＩやＡ１合金の薄膜
が用いられている。しかしながら、ＡＩは局部腐食を起
こし易（、また、その高熱伝導性のため記録感度が大幅
に低下する。ＡＩは表面に不動態を形成するため全面腐
食については強固な耐食性を示すが、−度ピンホールが
生じた場合、ピンホール部分でアノード反応、それ以外
の部分でカソード反応が進行して腐食電池を形成し局所
的に深い礼状の侵食を生じる。また、光磁気記録媒体は
記録層の温度を上昇させて記録を行うのであるが、記録
層と反射層が隣接した該構造においては、反射層の熱伝
導性が高いと、記録層から反射層を通じて熱が逃げてし
まい、記録層の温度が十分に上がらず記録感度が低下し
てしまう。
おいて、反射層として一般的にはＡＩやＡ１合金の薄膜
が用いられている。しかしながら、ＡＩは局部腐食を起
こし易（、また、その高熱伝導性のため記録感度が大幅
に低下する。ＡＩは表面に不動態を形成するため全面腐
食については強固な耐食性を示すが、−度ピンホールが
生じた場合、ピンホール部分でアノード反応、それ以外
の部分でカソード反応が進行して腐食電池を形成し局所
的に深い礼状の侵食を生じる。また、光磁気記録媒体は
記録層の温度を上昇させて記録を行うのであるが、記録
層と反射層が隣接した該構造においては、反射層の熱伝
導性が高いと、記録層から反射層を通じて熱が逃げてし
まい、記録層の温度が十分に上がらず記録感度が低下し
てしまう。
一方、Ａ１合金を用いたものは記録感度の点においては
改善できるが、高い耐食性を示す組成では反射率が低い
ため、十分なＣ／Ｎ比が得られないという欠点を持って
いる。
改善できるが、高い耐食性を示す組成では反射率が低い
ため、十分なＣ／Ｎ比が得られないという欠点を持って
いる。
上記問題点に鑑み本発明の解決すべき課題は、高い記録
感度を有し、かつ十分なＣ／Ｎ比が得られる光磁気記録
媒体を提供することにある。
感度を有し、かつ十分なＣ／Ｎ比が得られる光磁気記録
媒体を提供することにある。
基板上に干渉層、記録層、反射層、保護層を順次形成し
てなる光磁気記録媒体において、該反射層をＴｉとＡｕ
Ｓ ＰｔＳ ＰｄＳ ＡｇＳ Ｃｕの不活性金属からな
る合金膜とすることにより、耐食性、記録感度、Ｃ／Ｎ
比の向上が達成できる。
てなる光磁気記録媒体において、該反射層をＴｉとＡｕ
Ｓ ＰｔＳ ＰｄＳ ＡｇＳ Ｃｕの不活性金属からな
る合金膜とすることにより、耐食性、記録感度、Ｃ／Ｎ
比の向上が達成できる。
本発明は、基板上に金属の酸化物或は窒化物或は酸窒化
物からなる干渉層、遷移金属と希土類金属と耐食性金属
からなる光磁気記録層、反射層、及び保護層により形成
された光磁気記録媒体において、該反射層がＡ ｕｓ
Ｐ ｔＳＰ ｃＪＳＡ ｇＳＣｕの不活性金属から選
択される少なくとも１種とＴｉとを主成分とする合金で
あり、かつ、反射層中の不活性金属含有量が３〜９７原
子％で、反射層の膜厚が１０〜２００ｎｍであることを
特徴とする光磁気記録媒体に関する。
物からなる干渉層、遷移金属と希土類金属と耐食性金属
からなる光磁気記録層、反射層、及び保護層により形成
された光磁気記録媒体において、該反射層がＡ ｕｓ
Ｐ ｔＳＰ ｃＪＳＡ ｇＳＣｕの不活性金属から選
択される少なくとも１種とＴｉとを主成分とする合金で
あり、かつ、反射層中の不活性金属含有量が３〜９７原
子％で、反射層の膜厚が１０〜２００ｎｍであることを
特徴とする光磁気記録媒体に関する。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図〜第３図は本発明に関わる光磁気記録媒体の層構
成を模式的に示したものである。
成を模式的に示したものである。
基板としては、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ。
アモルファスポリオレフィン等のプラスチ、り、或はガ
ラスに直接案内溝を形成した基板、ガラスまたはプラス
チックの平板上にフォトポリマー法により案内溝を形成
した基板等が挙げられる。基板の屈折率は１．４〜１．
６、厚みは１．０〜１゜５ｍｍ程度が望ましい。
ラスに直接案内溝を形成した基板、ガラスまたはプラス
チックの平板上にフォトポリマー法により案内溝を形成
した基板等が挙げられる。基板の屈折率は１．４〜１．
６、厚みは１．０〜１゜５ｍｍ程度が望ましい。
一般的に、干渉層には透明性、屈折率の高い誘電体膜が
用いられる。材質としては、例えば、ＳｉＮ、５ＳｉＯ
，％ＡＩ Ｓ ｉＯＮ、 ＡＩ Ｓ １ＮＳＡＩＮ、
ＡｌＴｉＮ、ＴａｚＯａ等が挙げられる。
用いられる。材質としては、例えば、ＳｉＮ、５ＳｉＯ
，％ＡＩ Ｓ ｉＯＮ、 ＡＩ Ｓ １ＮＳＡＩＮ、
ＡｌＴｉＮ、ＴａｚＯａ等が挙げられる。
これら干渉膜の屈折率ｎは１． ８＜ｎ＜２． ８、吸
収係数には０≦ｋ＜０．２の範囲であることが好ましい
。干渉膜の膜厚は、基板側の反射率が最小となる膜厚か
ら０〜２０％厚めであるのが良く、この場合、干渉膜の
膜厚は５０〜１１００ｎである。 この干渉膜は、磁
気光学特性を向上させる、すなわち見かけ上カー回転角
を増大させるエンハンスメント効果だけでな（、基板側
から記録層への水分等の浸透を防ぐ保護効果も合わせ持
つ。
収係数には０≦ｋ＜０．２の範囲であることが好ましい
。干渉膜の膜厚は、基板側の反射率が最小となる膜厚か
ら０〜２０％厚めであるのが良く、この場合、干渉膜の
膜厚は５０〜１１００ｎである。 この干渉膜は、磁
気光学特性を向上させる、すなわち見かけ上カー回転角
を増大させるエンハンスメント効果だけでな（、基板側
から記録層への水分等の浸透を防ぐ保護効果も合わせ持
つ。
光磁気記録層は、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤＶ等の希土類金
属のうち少なくとも１種と、Ｆｅ、Ｃｏ。
属のうち少なくとも１種と、Ｆｅ、Ｃｏ。
Ｎｉ等の遷移金属のうち少なくとも１種と、耐食性金属
とからなる。耐食性金属としてはＣｒ、Ｔｉ、 Ｖ、
Ｚｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ等の不動態形成金属、或
はＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の不活性金属が好適である。これ
らの金属は、１０原子％程度まで添加することにより、
磁気光学特性を悪化させずに耐食性を向上させることが
できる。
とからなる。耐食性金属としてはＣｒ、Ｔｉ、 Ｖ、
Ｚｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ等の不動態形成金属、或
はＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の不活性金属が好適である。これ
らの金属は、１０原子％程度まで添加することにより、
磁気光学特性を悪化させずに耐食性を向上させることが
できる。
光磁気記録層の具体例として、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ５ ＮｄＤｙＦｅＣｏ等が
挙げられる。光磁気記録層は単一の膜、もしくは磁気特
性の異なる複数の膜を重ねた構造のどちらでもよい。光
磁気記録層の膜厚は１０〜７０ｎｍであるのが良く、好
ましくはレーザー光が十分透過し得る２０〜４０ｎｍで
あるのが望ましい。
ＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ５ ＮｄＤｙＦｅＣｏ等が
挙げられる。光磁気記録層は単一の膜、もしくは磁気特
性の異なる複数の膜を重ねた構造のどちらでもよい。光
磁気記録層の膜厚は１０〜７０ｎｍであるのが良く、好
ましくはレーザー光が十分透過し得る２０〜４０ｎｍで
あるのが望ましい。
反射層として、Ａｕ、ＰｔＳ Ｐｃ１Ｓ Ａｇ、Ｃｕ等
の不活性でかつ高反射率な金属のうち少なくとも１種と
Ｔｉとを主成分とする合金を用いる。Ａｕ、Ｐ ｔＳＰ
ｄ、Ａ ｇＳＣｕ等の不活性金属で反射層を形成した
光磁気記録媒体は、反射率が高いため良好なＣ／Ｎ比が
得られるが、反面高い熱伝導性のため記録感度は大きく
低下する。また、Ｔｉは熱伝導性の低い金属であるため
、反射層として単体で用いた場合、熱の拡散が起こりに
くく高い記録感度を示すが、反射率が低いため十分なＣ
／Ｎ比が得られないという欠点があった。Ｔｉと不活性
金属の合金はその組成比を変えることにより、熱伝導率
を４．ｌＸｌ０−’〜１．０ＸＩＯ−”ｃａｌ／ｃｍ−
ｄｅｇ−ｓの範囲で任意に調節でき、かつ反射率をＴｉ
反射膜より向上させることができる。反射率を向上させ
るためにはＡｕ、ＰｔＳ ＰｄＳＡｇ、Ｃｕの不活性金
属添加量が３原子％以上であることが望ましく、一方、
実用的な記録感度にするためには９７原子％以下である
ことが必要である。Ｔｉは強度、耐食性にすぐれた金属
であり、酸化によって形成する不動態は腐食に対して強
固な性質を示す。また、不活性金属は化学的に安定であ
るためＴｉ−不活性金属合金薄膜は高い耐食性を有する
。
の不活性でかつ高反射率な金属のうち少なくとも１種と
Ｔｉとを主成分とする合金を用いる。Ａｕ、Ｐ ｔＳＰ
ｄ、Ａ ｇＳＣｕ等の不活性金属で反射層を形成した
光磁気記録媒体は、反射率が高いため良好なＣ／Ｎ比が
得られるが、反面高い熱伝導性のため記録感度は大きく
低下する。また、Ｔｉは熱伝導性の低い金属であるため
、反射層として単体で用いた場合、熱の拡散が起こりに
くく高い記録感度を示すが、反射率が低いため十分なＣ
／Ｎ比が得られないという欠点があった。Ｔｉと不活性
金属の合金はその組成比を変えることにより、熱伝導率
を４．ｌＸｌ０−’〜１．０ＸＩＯ−”ｃａｌ／ｃｍ−
ｄｅｇ−ｓの範囲で任意に調節でき、かつ反射率をＴｉ
反射膜より向上させることができる。反射率を向上させ
るためにはＡｕ、ＰｔＳ ＰｄＳＡｇ、Ｃｕの不活性金
属添加量が３原子％以上であることが望ましく、一方、
実用的な記録感度にするためには９７原子％以下である
ことが必要である。Ｔｉは強度、耐食性にすぐれた金属
であり、酸化によって形成する不動態は腐食に対して強
固な性質を示す。また、不活性金属は化学的に安定であ
るためＴｉ−不活性金属合金薄膜は高い耐食性を有する
。
Ｔｉに不活性金属を３〜９７原子％添加した合金は、高
反射率で熱伝導性が低いため、反射層として使用した場
合、高いＣ／Ｎ比と良好な記録感度を持ち、なおかつ耐
食性に優れた光磁気記録媒体が得られる。
反射率で熱伝導性が低いため、反射層として使用した場
合、高いＣ／Ｎ比と良好な記録感度を持ち、なおかつ耐
食性に優れた光磁気記録媒体が得られる。
反射層上に用いられる保護層は、金属、半金属の窒化物
、酸化物、酸窒化物等の誘電体からなる無機保護膜、並
びに紫外線硬化樹脂、ホットメルト樹脂等からなる有機
保護膜により形成される。
、酸化物、酸窒化物等の誘電体からなる無機保護膜、並
びに紫外線硬化樹脂、ホットメルト樹脂等からなる有機
保護膜により形成される。
保護層には、これらの保護膜を単体でつけてもよく、無
機保護膜、有機保護膜の順に重ね合わせて使用してもよ
い。無機保護膜として、例えば、ＳｉＮ、、ＳｉＯいＡ
Ｉ Ｓ ｉＯＮ、 ＡＩ Ｓ ｉＮ。
機保護膜、有機保護膜の順に重ね合わせて使用してもよ
い。無機保護膜として、例えば、ＳｉＮ、、ＳｉＯいＡ
Ｉ Ｓ ｉＯＮ、 ＡＩ Ｓ ｉＮ。
ＡｌＮ５ ＡｌＴｉ０Ｎ、Ｔａ２ｅｓ等の干渉層に用い
られるものと同様の誘電体が挙げられるが、無機保護膜
の組成は干渉層と同じであっても、なくても良い。保護
層の厚みは、無機保護膜の場合は２０〜２００ｎｍであ
るのが好ましく、有機保護膜の場合は１〜５０μｍであ
ることが好ましい。
られるものと同様の誘電体が挙げられるが、無機保護膜
の組成は干渉層と同じであっても、なくても良い。保護
層の厚みは、無機保護膜の場合は２０〜２００ｎｍであ
るのが好ましく、有機保護膜の場合は１〜５０μｍであ
ることが好ましい。
干渉層、光磁気記録層、反射層、無機保護膜はスパッタ
リング、イオンプレーディング等の物理蒸着法（ＰＶＤ
）、プラズマＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等によっ
て形成し、有機保護膜はスピンコード法、ロールコート
法等により塗布したのち硬化させて形成する。
リング、イオンプレーディング等の物理蒸着法（ＰＶＤ
）、プラズマＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等によっ
て形成し、有機保護膜はスピンコード法、ロールコート
法等により塗布したのち硬化させて形成する。
不活性金属とＴｉを主成分とする反射層は、隣接する光
磁気記録層との界面で高い反射率を有し、反射層として
使用可能である。また、この合金は熱伝導性が低いため
熱の拡散が起こりにくく、記録、消去の感度が他の反射
層に比べ向上する。
磁気記録層との界面で高い反射率を有し、反射層として
使用可能である。また、この合金は熱伝導性が低いため
熱の拡散が起こりにくく、記録、消去の感度が他の反射
層に比べ向上する。
更に、この反射層は化学的に不活性な金属を使用してい
るため腐食しない。この合金は水分、腐食性ガス等を透
過させないため光磁気記録層にも腐食が起こらない。ま
た、不活性金属は延展性に優れており、反射層に添加す
ることにより、記録層。
るため腐食しない。この合金は水分、腐食性ガス等を透
過させないため光磁気記録層にも腐食が起こらない。ま
た、不活性金属は延展性に優れており、反射層に添加す
ることにより、記録層。
保護層によるストレスを緩和し、クラックの発生を防止
することができる。
することができる。
以下に実施例及び比較例を示す。なお、本発明は要旨を
逸脱しない限りにおいては以下の実施例に限定されるも
のではない。
逸脱しない限りにおいては以下の実施例に限定されるも
のではない。
実施例１
１３０ｍｍφのポリカーボネート基板をスパッタリング
装置に装着し、６．５Ｘ１０−’ｔｏｒｒ以下まで排気
した後、Ａｒガスを用いて、Ａｌ５ｉＯＮターゲツトの
ＲＦマグネトロンスパッタリングを行い７５０＾のＡｌ
５ｉＯＮ干渉膜を形成した。
装置に装着し、６．５Ｘ１０−’ｔｏｒｒ以下まで排気
した後、Ａｒガスを用いて、Ａｌ５ｉＯＮターゲツトの
ＲＦマグネトロンスパッタリングを行い７５０＾のＡｌ
５ｉＯＮ干渉膜を形成した。
次いで、５ｍｍ角のＣｒチップをのせたＴｂＦｅＣｏ合
金ターゲットを用い、Ａｒガス中で、ＤＣマグネトロン
スパッタリングにより膜厚２５ＯＡのＴ ｂｏＦｅ ｓ
ａｃ Ｏｓｃ ｒ ＊記録層を形成した。
金ターゲットを用い、Ａｒガス中で、ＤＣマグネトロン
スパッタリングにより膜厚２５ＯＡのＴ ｂｏＦｅ ｓ
ａｃ Ｏｓｃ ｒ ＊記録層を形成した。
引き続いて、５ｍｍ角のＰｔチップをのせたＴｉターゲ
ットを用い、Ａｒガス中で、ＤＣマグネトロンスパッタ
リングにより膜厚５２ｏ六のＴｉ−ｐｔ反射膜を形成し
た。 この反射膜の組成は、ＩＣＰによる分析の結果
、Ｐｔ１４原子％、Ｔｉ８６原子％であった。
ットを用い、Ａｒガス中で、ＤＣマグネトロンスパッタ
リングにより膜厚５２ｏ六のＴｉ−ｐｔ反射膜を形成し
た。 この反射膜の組成は、ＩＣＰによる分析の結果
、Ｐｔ１４原子％、Ｔｉ８６原子％であった。
最後に、Ａｒガス中で、Ａｌ５ｉＯＮターゲツトのＲＦ
マグネトロンスパッタリングを行い、膜厚７５０久のＡ
ｌ５ｉＯＮ保護膜を形成した。
マグネトロンスパッタリングを行い、膜厚７５０久のＡ
ｌ５ｉＯＮ保護膜を形成した。
以上の製膜作業は真空を破らずに連続的に行つた。
このようにして作成した光磁気ディスクの内側ミラ一部
における基板側からの反射率を測定した結果２５．２％
であった。
における基板側からの反射率を測定した結果２５．２％
であった。
このディスクの記録再生特性を記録周波数−ＩＭＨｚ（
Ｄｕｔｙ比５０％）、回転数＝ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、
測定半径位置＝３０ｍｍ、再生レーザーパワー＝１ｍＷ
で評価した。この結果、最適記録レーザーパワー（記録
時の２次歪みが最小となる記録レーザーパワーと定義す
る。）は、４゜０ｍＷであり、Ｃ／Ｎ比は６１．２ｄＢ
であった。
Ｄｕｔｙ比５０％）、回転数＝ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、
測定半径位置＝３０ｍｍ、再生レーザーパワー＝１ｍＷ
で評価した。この結果、最適記録レーザーパワー（記録
時の２次歪みが最小となる記録レーザーパワーと定義す
る。）は、４゜０ｍＷであり、Ｃ／Ｎ比は６１．２ｄＢ
であった。
最適記録レーザーパワーは比較例１，２と較べて、それ
ぞれ４．５ｍＷおよび１．５ｍＷ低く、記録感度が向上
しているのが明らかである（第１表参照）。
ぞれ４．５ｍＷおよび１．５ｍＷ低く、記録感度が向上
しているのが明らかである（第１表参照）。
このディスクを８０℃、８５％ＲＨの条件下で２０００
Ｈｒの加速耐久試験を行い、バイトエラーレート（ＢＥ
Ｒ）を測定したところ、初期状態に対する試験後のＢＥ
Ｒの増加率（試験後のＢＥＲ／初期状態のＢＥＲ）は約
２．１と、比較例に較べて優位性がみられた（第４図参
照）。
Ｈｒの加速耐久試験を行い、バイトエラーレート（ＢＥ
Ｒ）を測定したところ、初期状態に対する試験後のＢＥ
Ｒの増加率（試験後のＢＥＲ／初期状態のＢＥＲ）は約
２．１と、比較例に較べて優位性がみられた（第４図参
照）。
実施例２
反射層以外の干渉層、記録層、保護層は実施例１と同じ
条件で製膜した。
条件で製膜した。
反射層は、５ｍｍ角のｐｔチップをのせたＴｉターゲッ
トを用い、Ａｒガス中で、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ングにより膜Ｊｌｉ９Ｆ４９ＯＡのＴｌＰｔ合金膜を形
成した。ＩＣＰによる分析の結果、Ｐｔ４原子％、Ｔｉ
９６原子％であった。
トを用い、Ａｒガス中で、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ングにより膜Ｊｌｉ９Ｆ４９ＯＡのＴｌＰｔ合金膜を形
成した。ＩＣＰによる分析の結果、Ｐｔ４原子％、Ｔｉ
９６原子％であった。
このディスクの記録再生特性を実施例１と同様に評価を
行った。結果を第１表及び第４図に示す。
行った。結果を第１表及び第４図に示す。
実施例３
反射層以外の干渉層、記録層、保護層は実施例１と同じ
条件で製膜した。
条件で製膜した。
反射層は、５ｍｍ角のＴｉチップをのせたｐｔジターッ
トを用い、Ａｒガス中で、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ングによりｌｌｉ厚５９０ Ａ（ＤＴ ｉＰｔ合金膜を
形成した。ＩＣＰによる分析の結果、Ｐｔ９７原子％、
Ｔｉ３原子％であった。
トを用い、Ａｒガス中で、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ングによりｌｌｉ厚５９０ Ａ（ＤＴ ｉＰｔ合金膜を
形成した。ＩＣＰによる分析の結果、Ｐｔ９７原子％、
Ｔｉ３原子％であった。
このディスクの記録再生特性を実施例１と同様に評価を
行った。結果を第１表及び第４図に示す。
行った。結果を第１表及び第４図に示す。
実施例４
反射層以外の干渉層、記録層、保護層は実施例１と同じ
条件で製膜した。
条件で製膜した。
反射層は、５ｍｍ角のＣｕチップをのせたＴｉターゲッ
トを用い、Ａｒガス中で、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ングにより膜厚４６０ＡのＴｉ−Ｃｕ合金膜を形成した
。 ＩＣＰによる分析の結果、Ｃｕｌ １原子％、Ｔ
ｉ８９原子％であった。
トを用い、Ａｒガス中で、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ングにより膜厚４６０ＡのＴｉ−Ｃｕ合金膜を形成した
。 ＩＣＰによる分析の結果、Ｃｕｌ １原子％、Ｔ
ｉ８９原子％であった。
このディスクを実施例１と同様に評価を行った。
結果を第１表及び第４図に示す。
比較例１
反射層以外の干渉層、記録層、保護層は実施例１と同じ
条件で製膜した。
条件で製膜した。
反射層は、ＡＩツタ−ットを用い、Ａｒガス中でＤＣマ
グネトロンスパッタリングにより、膜厚４５０ＡのＡｌ
膜を形成した。
グネトロンスパッタリングにより、膜厚４５０ＡのＡｌ
膜を形成した。
このディスクを実施例１と同様に評価を行った。
結果を第１表及び第４図に示す。
比較例２
反射層以外の干渉層、記録層、保護層は実施例１と同じ
条件で製膜した。
条件で製膜した。
反射層は、５ｍｍ角のＴｉチップをのせたＡＩツタ−ッ
トを用い、Ａｒガス中でＤＣマグネトロンスパッタリン
グにより膜厚４５０ＡＯ）Ａｌ−Ｔｉ合金膜を形成した
。 ＩＣＰによる分析の結果、Ａ１８８原子％、Ｔｉ
１２原子％であった。
トを用い、Ａｒガス中でＤＣマグネトロンスパッタリン
グにより膜厚４５０ＡＯ）Ａｌ−Ｔｉ合金膜を形成した
。 ＩＣＰによる分析の結果、Ａ１８８原子％、Ｔｉ
１２原子％であった。
このディスクを実施例１と同様に評価を行った。
結果を第１表及び第４図に示す。
第１表
図面の浄書（内容に変更なし）
第
■
図
第
図
第３図
、光磁気記録媒体
３・・・干渉層
５・・・反射層
７ 無機保護膜
２・ 基板
４・・光磁気記録層
６・ 保護層
８・・・有機保護膜
〔発明の効果〕
本発明の光磁気記録媒体は記録再生特性、耐蝕性に優れ
る。
る。
第１図、第２図、及び第３図は本発明に関わる光磁気記
録媒体の層構成を模式的に示したもので、第４図は実施
例の加速耐久試験におけるバイトエラーレート（ＢＥＲ
）の増加率（試験後のＢＥＲ／初期状態のＢＥＲ）の変
化を示したものである。 １・・光磁気記録媒体 ２・・基板
録媒体の層構成を模式的に示したもので、第４図は実施
例の加速耐久試験におけるバイトエラーレート（ＢＥＲ
）の増加率（試験後のＢＥＲ／初期状態のＢＥＲ）の変
化を示したものである。 １・・光磁気記録媒体 ２・・基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に金属、半金属の酸化物、或は窒化物、或は
酸窒化物からなる干渉層、遷移金属と希土類金属と耐蝕
性金属からなる光磁気記録層、反射層、及び保護層を順
次形成してなる光磁気記録媒体において、該反射層が不
活性金属から選択される少なくとも１種とＴｉとを主成
分とする合金からなることを特徴とする光磁気記録媒体
。 ２、上記不活性金属がＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁
気記録媒体。 ３、反射層中の不活性金属含有量が３〜９７原子％であ
り、反射膜層の膜厚が１０〜２００ｎｍであることを特
徴とする特許請求の範囲第一項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18793990A JPH0476841A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18793990A JPH0476841A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476841A true JPH0476841A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16214823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18793990A Pending JPH0476841A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476841A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0594516A3 (en) * | 1992-10-19 | 1995-03-22 | Eastman Kodak Co | Reflective layers made of highly stable, silver-based alloy for a writable compact disc. |
| US5853872A (en) * | 1992-11-17 | 1998-12-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magneto-optical recording medium |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP18793990A patent/JPH0476841A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0594516A3 (en) * | 1992-10-19 | 1995-03-22 | Eastman Kodak Co | Reflective layers made of highly stable, silver-based alloy for a writable compact disc. |
| US5853872A (en) * | 1992-11-17 | 1998-12-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magneto-optical recording medium |
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