JPH0477294B2 - - Google Patents
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- JPH0477294B2 JPH0477294B2 JP58174476A JP17447683A JPH0477294B2 JP H0477294 B2 JPH0477294 B2 JP H0477294B2 JP 58174476 A JP58174476 A JP 58174476A JP 17447683 A JP17447683 A JP 17447683A JP H0477294 B2 JPH0477294 B2 JP H0477294B2
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
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- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶デイスプレイパネルの駆動法、
特にスイツチングトランジスタを液晶デイスプレ
イパネルの表示画素に接続したアクテイブマトリ
クス型液晶デイスプレイパネルの駆動法に関する
ものである。
特にスイツチングトランジスタを液晶デイスプレ
イパネルの表示画素に接続したアクテイブマトリ
クス型液晶デイスプレイパネルの駆動法に関する
ものである。
液晶を用いて文字や画像を表示する方法とし
て、表示単位毎にスイツチング用トランジスタを
備えたマトリクス型液晶デイスプレイパネルが知
られている。
て、表示単位毎にスイツチング用トランジスタを
備えたマトリクス型液晶デイスプレイパネルが知
られている。
この種のパネルは、第1図に示す等価回路を有
し、例えば各表示単位をアモルフアスシリコン
(以下、「a−Si」という)で形成した薄膜トラン
ジスタ4a〜4cと液晶の単位セル5a〜5cで
構成されている。薄膜トランジスタ4a〜4c
は、ガラス基板の上に薄膜技術によつて作成さ
れ、トランジスタ4a〜4cのゲートは走査電極
2a〜2cに、ソースは信号電極1に、又ドレイ
ンは液晶の単位セル5a〜5cの一方の端子電極
にそれぞれ接続される。液晶の単位セル5a〜5
cのもう一方の端子は、薄膜トランジスタ4a〜
4cが形成されているガラス基板に対し、液晶を
はさんで対向して設けられている共通電極3に接
続されている。この液晶デイスプレイパネルは、
第2図〜第5図に示す従来よりのAC駆動法によ
つて動作されている。
し、例えば各表示単位をアモルフアスシリコン
(以下、「a−Si」という)で形成した薄膜トラン
ジスタ4a〜4cと液晶の単位セル5a〜5cで
構成されている。薄膜トランジスタ4a〜4c
は、ガラス基板の上に薄膜技術によつて作成さ
れ、トランジスタ4a〜4cのゲートは走査電極
2a〜2cに、ソースは信号電極1に、又ドレイ
ンは液晶の単位セル5a〜5cの一方の端子電極
にそれぞれ接続される。液晶の単位セル5a〜5
cのもう一方の端子は、薄膜トランジスタ4a〜
4cが形成されているガラス基板に対し、液晶を
はさんで対向して設けられている共通電極3に接
続されている。この液晶デイスプレイパネルは、
第2図〜第5図に示す従来よりのAC駆動法によ
つて動作されている。
第2図〜第5図において、第2図aは共通電極
3に印加される電位波形を、第2図bは信号電極
1に印加される電位波形を表わしている。又、第
3図a、第4図aと第5図aはそれぞれ走査電極
2a,2bと2cに加わる電位波形であり、第3
図b、第4図bと第5図bはそれぞれ液晶の単位
セル5a,5bと5cに印加される電圧である。
3に印加される電位波形を、第2図bは信号電極
1に印加される電位波形を表わしている。又、第
3図a、第4図aと第5図aはそれぞれ走査電極
2a,2bと2cに加わる電位波形であり、第3
図b、第4図bと第5図bはそれぞれ液晶の単位
セル5a,5bと5cに印加される電圧である。
薄膜トランジスタ4のゲートに電圧VGが印加
されると、この薄膜トランジスタ4はオン状態と
なり、液晶をはさむ両電極間の電圧は信号電極1
の電位と共通電極3の電位の差の電圧を近づく。
この際、良質な画像を得るためには、この電圧は
走査電極の電位が取りさられて薄膜トランジスタ
4がオフ状態となつた後も次の表示内容を書き換
える次の周期まで、ほぼ一定に維持されているこ
とが必要である。
されると、この薄膜トランジスタ4はオン状態と
なり、液晶をはさむ両電極間の電圧は信号電極1
の電位と共通電極3の電位の差の電圧を近づく。
この際、良質な画像を得るためには、この電圧は
走査電極の電位が取りさられて薄膜トランジスタ
4がオフ状態となつた後も次の表示内容を書き換
える次の周期まで、ほぼ一定に維持されているこ
とが必要である。
この様なデイスプレイパネルで、走査電極2a
〜2cによりトランジスタを選択することでマト
リクス表示が行なえるが、以下に挙げる欠点を有
している。
〜2cによりトランジスタを選択することでマト
リクス表示が行なえるが、以下に挙げる欠点を有
している。
一般に良く知られているように薄膜トランジス
タは、ゲート電極とドレイン電極の間に静電容量
CGD有し液晶単位セルが、一般にコンデンサとみ
なされるので、その静電容量をCLCとすると、薄
膜トランジスタがオフ状態のときの液晶デイスプ
レイパネルの1画素の等価回路は第6図に示す如
きものになる。すなわち、共通電極3の電位の変
化時点(第2図〜第5図のT1〜T4)においてト
ランジスタはオフ状態にあり、液晶デイスプレイ
パネルの1画素の等価回路としては第6図に示す
ものを適用できる。第6図において共通電極3の
電位が△Vc変化すると、次式(1)で示される△V
の電圧変化がCLCの両端に生じる。
タは、ゲート電極とドレイン電極の間に静電容量
CGD有し液晶単位セルが、一般にコンデンサとみ
なされるので、その静電容量をCLCとすると、薄
膜トランジスタがオフ状態のときの液晶デイスプ
レイパネルの1画素の等価回路は第6図に示す如
きものになる。すなわち、共通電極3の電位の変
化時点(第2図〜第5図のT1〜T4)においてト
ランジスタはオフ状態にあり、液晶デイスプレイ
パネルの1画素の等価回路としては第6図に示す
ものを適用できる。第6図において共通電極3の
電位が△Vc変化すると、次式(1)で示される△V
の電圧変化がCLCの両端に生じる。
△V=CGD/CLC+CGD・△Vc ……(1)
△Vの符号は、△Vcと一致し、したがつて第
3図〜第6図に示すように△Vが常にCLCの電圧
VLCの絶対値を減少させる方向に働く。このこと
は、液晶に印加される電圧の実効値が△Vにより
減少することを意味している。
3図〜第6図に示すように△Vが常にCLCの電圧
VLCの絶対値を減少させる方向に働く。このこと
は、液晶に印加される電圧の実効値が△Vにより
減少することを意味している。
液晶単位セル5a,5bと5cにおける印加電
圧の実効値の減少量をそれぞれ△VEFa,△VEFb,
△VEFCとすると、第3図〜第5図より明らかなよ
うに、 △VEFa<△VEFb<△VEFc (2) の関係が成り立ち、 △EFa≒0 (3) △EFc≒△V (4) とすることができる。このことは、液晶デイスプ
レイパネル上の各画素に等しい信号電圧を与えて
も、走査電極に電圧が加えられる時刻が異なる画
素間では液晶の印加電圧の実効値に差が生じ、そ
の結果画素間で光透過率に差が生じることを意味
している。
圧の実効値の減少量をそれぞれ△VEFa,△VEFb,
△VEFCとすると、第3図〜第5図より明らかなよ
うに、 △VEFa<△VEFb<△VEFc (2) の関係が成り立ち、 △EFa≒0 (3) △EFc≒△V (4) とすることができる。このことは、液晶デイスプ
レイパネル上の各画素に等しい信号電圧を与えて
も、走査電極に電圧が加えられる時刻が異なる画
素間では液晶の印加電圧の実効値に差が生じ、そ
の結果画素間で光透過率に差が生じることを意味
している。
液晶デイスプレイパネルにおいては、走査電極
への電圧印加は左から順に行われており、第3図
から第5図より明らかなように液晶パネル上で左
側に位置する画素など液晶の光透過率が大とな
る。ここで、 CLC=1PF,CGD=0.05PF,△Vc=10V とすると(1)式および(4)式より △V=0.48 △VFEC=0.48 となる。たとえば、信号電極を加える電圧を
0.24Vステツプで変化させて階調表示を行う場
合、0.48Vは2階調分の電圧に相当し、実用的な
階調表示を得ることができない。第7図は、シミ
ユレーシヨンにより前記の条件で求めたパネル上
の位置と液晶に印加される電圧の実効値の関係で
ある(信号電圧は6.5V)。縦軸は、電圧であり、
横軸は液晶パネルの左端を0、右端を1と定めた
ときの液晶パネル上の位置を表わす。位置に対し
てほぼ直線的に実効電圧が変化することがわか
る。
への電圧印加は左から順に行われており、第3図
から第5図より明らかなように液晶パネル上で左
側に位置する画素など液晶の光透過率が大とな
る。ここで、 CLC=1PF,CGD=0.05PF,△Vc=10V とすると(1)式および(4)式より △V=0.48 △VFEC=0.48 となる。たとえば、信号電極を加える電圧を
0.24Vステツプで変化させて階調表示を行う場
合、0.48Vは2階調分の電圧に相当し、実用的な
階調表示を得ることができない。第7図は、シミ
ユレーシヨンにより前記の条件で求めたパネル上
の位置と液晶に印加される電圧の実効値の関係で
ある(信号電圧は6.5V)。縦軸は、電圧であり、
横軸は液晶パネルの左端を0、右端を1と定めた
ときの液晶パネル上の位置を表わす。位置に対し
てほぼ直線的に実効電圧が変化することがわか
る。
本発明の目的は、以上に述べた従来の駆動方式
の欠点を除き、液晶デイスプレイパネルの実用的
な階調表示を実現することにある。
の欠点を除き、液晶デイスプレイパネルの実用的
な階調表示を実現することにある。
本発明にかかる目的は、マトリクス状に配置さ
れた各表示画素毎にスイツチング用トランジスタ
を有し、且つ液晶をはさんで表示画素電極を有す
る基板に対向するように配置される基板上に形成
された共通電極を有し、該共通電極の電位を表示
周期毎に、2つのレベルの間で切換えることによ
つて液晶が交番電界駆動される液晶デイスプレイ
パネルの駆動法において、前記2つのレベルのう
ちの低電圧側の表示周期で共通電極の電位を漸次
減少させ、高電圧側の表示周期で共通電極の電位
を漸次増加させる液晶デイスプレイパネルの駆動
法によつて達成される。
れた各表示画素毎にスイツチング用トランジスタ
を有し、且つ液晶をはさんで表示画素電極を有す
る基板に対向するように配置される基板上に形成
された共通電極を有し、該共通電極の電位を表示
周期毎に、2つのレベルの間で切換えることによ
つて液晶が交番電界駆動される液晶デイスプレイ
パネルの駆動法において、前記2つのレベルのう
ちの低電圧側の表示周期で共通電極の電位を漸次
減少させ、高電圧側の表示周期で共通電極の電位
を漸次増加させる液晶デイスプレイパネルの駆動
法によつて達成される。
以下、本発明を図面に従つて説明する。
第8図〜第11図は、本発明の実施例であり、
縦軸は電圧を示し、横軸は時間を示している。第
8図aは、共通電極3の電位、第8図bは信号電
極1の電位である。第7図に示したように、従来
の液晶駆動方式においては液晶に加わる電圧の実
効値は位置に対してほぼ直線的に減少するが、本
発明のデイスプレイパネル駆動法においては、液
晶の充電電圧を位置に対して直線的に増加させる
ことにより、前記の実効電圧の位置による減少を
相殺できるという知見に基づき、第8図aに示す
ごとく共通電極の電位を表示周期内でランプ状に
△Vだけ変化させている。
縦軸は電圧を示し、横軸は時間を示している。第
8図aは、共通電極3の電位、第8図bは信号電
極1の電位である。第7図に示したように、従来
の液晶駆動方式においては液晶に加わる電圧の実
効値は位置に対してほぼ直線的に減少するが、本
発明のデイスプレイパネル駆動法においては、液
晶の充電電圧を位置に対して直線的に増加させる
ことにより、前記の実効電圧の位置による減少を
相殺できるという知見に基づき、第8図aに示す
ごとく共通電極の電位を表示周期内でランプ状に
△Vだけ変化させている。
第8図b、第9図a、第10図aと第11図a
はそれぞれ第2図b、第3図a、第4図aと第5
図aと同様である。第9図b、第10図bと第1
1図に本発明のデイスプレイパネルにおける液晶
単位セル5a,5bと5cの両極の電圧を示して
いる。
はそれぞれ第2図b、第3図a、第4図aと第5
図aと同様である。第9図b、第10図bと第1
1図に本発明のデイスプレイパネルにおける液晶
単位セル5a,5bと5cの両極の電圧を示して
いる。
第12図は、シミユレーシヨンにより得られた
信号電圧6.5Vにおけるパネル上の位置と液晶に
印加される電圧の実効値の本実施例における関係
を示している。本発明の方式により位置による液
晶の実効電圧の変化がほぼなくなることがわか
る。
信号電圧6.5Vにおけるパネル上の位置と液晶に
印加される電圧の実効値の本実施例における関係
を示している。本発明の方式により位置による液
晶の実効電圧の変化がほぼなくなることがわか
る。
前記の実施例においては表示周期内に共通電極
の電位を直線的に変化させているが、非直線的に
変化させることによつてより良い相殺効果が得ら
れるのであれば、必ずしも直線的に変化させる必
要はない。また、連続的に電圧を変化させること
が困難である場合には、第13図に示すごとく階
段状に変化させても本発明の目的は達せられる。
また、共通電極の電位の高電圧側と低電圧側の両
側で電圧を変化させることが困難である場合に
は、どちらか片側だけ電圧を表示周期内に変化さ
せることでも本発明の目的は達せられる。
の電位を直線的に変化させているが、非直線的に
変化させることによつてより良い相殺効果が得ら
れるのであれば、必ずしも直線的に変化させる必
要はない。また、連続的に電圧を変化させること
が困難である場合には、第13図に示すごとく階
段状に変化させても本発明の目的は達せられる。
また、共通電極の電位の高電圧側と低電圧側の両
側で電圧を変化させることが困難である場合に
は、どちらか片側だけ電圧を表示周期内に変化さ
せることでも本発明の目的は達せられる。
本発明のデイスプレイパネルで用いるスイツチ
ング用トランジスタとしては、アモルフアスシリ
コン薄膜トランジスタを用いて説明したが、この
他にスイツチングトランジスタとしてシリコン単
結晶薄膜トランジスタ、ポリシリコン薄膜トラン
ジスタその他のアモルフアス半導体による薄膜ト
ランジスタを用いても前述と同様の駆動方法を採
用することができる。また、液晶としては電界効
果型、動的散乱効果を用いた液晶など電圧を加え
て表示を行う液晶すべてに適用できる。特に、
M.SchadtとW.Helfrich著“Applied Physics
Letters”“Vo.18、No.4(1971,2,15)、P.127〜
128の“Voltage−Dependent Optical Activity
of a Twisted Nematic Liquid Crystal”に
示されたTN(twisted nematic)型の液晶を用い
たものであり、この型の液晶は、無電界状態で正
の誘電異方性をもつネマチツク液晶の分子が液晶
層厚方向で捩れた構造(ヘリカル構造)を形成
し、両電極面でこの液晶の分子が平行に配列した
構造を形成している。一方、電界印加状態では、
正の誘電異方性をもつネマチツク液晶が電界方向
に配列し、この結果光学変調を起すことができ
る。この型の液晶を用いて前述のマトリクス構造
によつて表示パネルを構成した場合、走査電極と
信号電極が共に選択される領域(選択点)には、
液晶分子を電極面に垂直に配列させるに要する閾
値以上の電圧が印加され、走査電極と信号電極が
共に選択されない領域(非選択点)には電圧は印
加されず、したがつて液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保つている。このような液晶セ
ルの上下に互いにクロスニコル関係にある直線偏
光子を配置することにより、選択点では光が透過
せず、非選択点では光が透過するため、画像素子
とすることが可能となる。
ング用トランジスタとしては、アモルフアスシリ
コン薄膜トランジスタを用いて説明したが、この
他にスイツチングトランジスタとしてシリコン単
結晶薄膜トランジスタ、ポリシリコン薄膜トラン
ジスタその他のアモルフアス半導体による薄膜ト
ランジスタを用いても前述と同様の駆動方法を採
用することができる。また、液晶としては電界効
果型、動的散乱効果を用いた液晶など電圧を加え
て表示を行う液晶すべてに適用できる。特に、
M.SchadtとW.Helfrich著“Applied Physics
Letters”“Vo.18、No.4(1971,2,15)、P.127〜
128の“Voltage−Dependent Optical Activity
of a Twisted Nematic Liquid Crystal”に
示されたTN(twisted nematic)型の液晶を用い
たものであり、この型の液晶は、無電界状態で正
の誘電異方性をもつネマチツク液晶の分子が液晶
層厚方向で捩れた構造(ヘリカル構造)を形成
し、両電極面でこの液晶の分子が平行に配列した
構造を形成している。一方、電界印加状態では、
正の誘電異方性をもつネマチツク液晶が電界方向
に配列し、この結果光学変調を起すことができ
る。この型の液晶を用いて前述のマトリクス構造
によつて表示パネルを構成した場合、走査電極と
信号電極が共に選択される領域(選択点)には、
液晶分子を電極面に垂直に配列させるに要する閾
値以上の電圧が印加され、走査電極と信号電極が
共に選択されない領域(非選択点)には電圧は印
加されず、したがつて液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保つている。このような液晶セ
ルの上下に互いにクロスニコル関係にある直線偏
光子を配置することにより、選択点では光が透過
せず、非選択点では光が透過するため、画像素子
とすることが可能となる。
又、本発明の駆動法で用いる薄膜トランジスタ
としては、例えば第14図に示す如きものを用い
ることができる。
としては、例えば第14図に示す如きものを用い
ることができる。
即ち、第14図に示す様に基板(ガラス等)上
に、2〜10本/mm程度の密度でマトリクス配置さ
れた駆動用薄膜トランジスタ(TFT)を設けた
ものである。TFTは、基板S上に形成されたゲ
ート線21a及び21a′(透明又は金属の薄膜導
電膜からなる)該ゲート線上に設けたゲート電極
21,21′,21″,21、該電極上に積層し
た絶縁膜、前記ゲート電極上に絶縁膜を介し形
成した薄膜状の半導体22,22′,22″,22
、半導体の一端に接して設けたソース線(導電
膜から成る)23,23′、及び半導体の他端に
設けたドレイン電極24,24′,24″,24
から構成されている。
に、2〜10本/mm程度の密度でマトリクス配置さ
れた駆動用薄膜トランジスタ(TFT)を設けた
ものである。TFTは、基板S上に形成されたゲ
ート線21a及び21a′(透明又は金属の薄膜導
電膜からなる)該ゲート線上に設けたゲート電極
21,21′,21″,21、該電極上に積層し
た絶縁膜、前記ゲート電極上に絶縁膜を介し形
成した薄膜状の半導体22,22′,22″,22
、半導体の一端に接して設けたソース線(導電
膜から成る)23,23′、及び半導体の他端に
設けたドレイン電極24,24′,24″,24
から構成されている。
ドレイン電極にはIn2O3,SnO2等の透明導電膜
或いは場合によつて、AV,AI,Pd等の金属薄
膜が使用される。ゲート電極及びソース線として
は、Al,Au,Ag,Pt,Pd,Cu等の金属が使用
される。
或いは場合によつて、AV,AI,Pd等の金属薄
膜が使用される。ゲート電極及びソース線として
は、Al,Au,Ag,Pt,Pd,Cu等の金属が使用
される。
以上説明したように、本発明の液晶デイスプレ
イパネルの駆動法は共通電極の電位を必要に応じ
て適当な時間変化を与えることにより、薄膜トラ
ンジスタのゲート−ドレイン間の寄生容量CGDに
もとずく各画素間の実効電圧ムラを顕著に減少さ
せることが出来、良質の画像、特に階調画像を得
ることが出来る利点を有している。
イパネルの駆動法は共通電極の電位を必要に応じ
て適当な時間変化を与えることにより、薄膜トラ
ンジスタのゲート−ドレイン間の寄生容量CGDに
もとずく各画素間の実効電圧ムラを顕著に減少さ
せることが出来、良質の画像、特に階調画像を得
ることが出来る利点を有している。
第1図は、マトリクス型液晶デイスプレイパネ
ルの等価回路図、第2図a及びbは液晶デイスプ
レイパネルの従来の駆動方式を表す説明図、第3
図a及びb、第4図a及びbと第5図a及びbは
従来の駆動方式における走査電極電位と液晶の印
加電圧を示す説明図、第6図はスイツチング用ト
ランジスタがオフ状態にあるときの液晶デイスプ
レイパネルの1画素の等価回路図、第7図は従来
の駆動方式により駆動された液晶パネルの位置と
液晶に印加される電圧の実効値の関係を示す説明
図、第8図a及びbは本発明の駆動方式を表す説
明図、第9図a及びb、第10図a及びbと第1
1図a及びbは本発明の駆動方式における走査電
極電位と液晶の印加電圧を示す説明図、第12図
は本発明の駆動方式により駆動された液晶パネル
の位置と液晶に印加される電圧の実効値の関係を
示す説明図、第13図は本発明の別の実施態様を
表す説明図である。第14図は、本発明の駆動法
で用いる薄膜トランジスタを表す斜視図である。 1……信号電極、2a〜2c……走査電極、3
……共通電極、4……スイツチング用トランジス
タ、5a〜5c……液晶単位セル。
ルの等価回路図、第2図a及びbは液晶デイスプ
レイパネルの従来の駆動方式を表す説明図、第3
図a及びb、第4図a及びbと第5図a及びbは
従来の駆動方式における走査電極電位と液晶の印
加電圧を示す説明図、第6図はスイツチング用ト
ランジスタがオフ状態にあるときの液晶デイスプ
レイパネルの1画素の等価回路図、第7図は従来
の駆動方式により駆動された液晶パネルの位置と
液晶に印加される電圧の実効値の関係を示す説明
図、第8図a及びbは本発明の駆動方式を表す説
明図、第9図a及びb、第10図a及びbと第1
1図a及びbは本発明の駆動方式における走査電
極電位と液晶の印加電圧を示す説明図、第12図
は本発明の駆動方式により駆動された液晶パネル
の位置と液晶に印加される電圧の実効値の関係を
示す説明図、第13図は本発明の別の実施態様を
表す説明図である。第14図は、本発明の駆動法
で用いる薄膜トランジスタを表す斜視図である。 1……信号電極、2a〜2c……走査電極、3
……共通電極、4……スイツチング用トランジス
タ、5a〜5c……液晶単位セル。
Claims (1)
- 1 マトリクス状の配置された各表示画素毎にス
イツチング用トランジスタを有し、且つ液晶をは
さんで表示画素電極を有する基板に対向するよう
に配置されている基板上に形成された共通電極を
有し、該共通電極の電位を表示周期毎に、2つの
レベルの間で切換えることによつて液晶が交番電
界駆動される液晶デイスプレイパネルの駆動法に
おいて、前記2つのレベルのうちの低電圧側の表
示周期で共通電極の電位を漸次減少させ、高電圧
側の表示周期で共通電極の電位を漸次増加させる
ことを特徴とする液晶デイスプレイパネルの駆動
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174476A JPS6066236A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 液晶デイスプレイパネルの駆動法 |
| US06/649,297 US4675667A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-11 | Method for driving liquid-crystal panel |
| DE19843434594 DE3434594A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-20 | Verfahren zum ansteuern einer bildplatte |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174476A JPS6066236A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 液晶デイスプレイパネルの駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066236A JPS6066236A (ja) | 1985-04-16 |
| JPH0477294B2 true JPH0477294B2 (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=15979144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174476A Granted JPS6066236A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 液晶デイスプレイパネルの駆動法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4675667A (ja) |
| JP (1) | JPS6066236A (ja) |
| DE (1) | DE3434594A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3514807C2 (de) * | 1984-04-25 | 1994-12-22 | Canon Kk | Vorrichtung mit einer Flüssigkristallzelle, zum Ansteuern einer Transistoranordnung |
| JPS6266476U (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | ||
| JPS62298283A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Nec Home Electronics Ltd | 液晶表示装置の駆動方式 |
| JPS63239492A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-10-05 | 日本ビクター株式会社 | アクテイブマトリツクス形液晶表示素子の駆動方法 |
| JPS63157197A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | 松下電器産業株式会社 | 表示装置の駆動方法 |
| JP2608403B2 (ja) * | 1987-01-17 | 1997-05-07 | 富士通株式会社 | アクテイブマトリクス型液晶パネルの駆動方法 |
| KR920007167B1 (ko) * | 1987-04-20 | 1992-08-27 | 가부시기가이샤 히다씨세이사구쇼 | 액정표시장치 및 그 구동방법 |
| JPS6450099A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Liquid crystal display device |
| EP0336570B1 (en) * | 1988-03-11 | 1994-01-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of driving display device |
| JPH0253095U (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-17 | ||
| JP2568659B2 (ja) * | 1988-12-12 | 1997-01-08 | 松下電器産業株式会社 | 表示装置の駆動方法 |
| JPH0390218U (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-13 | ||
| US5206749A (en) * | 1990-12-31 | 1993-04-27 | Kopin Corporation | Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits |
| US5256562A (en) * | 1990-12-31 | 1993-10-26 | Kopin Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film |
| US5475514A (en) * | 1990-12-31 | 1995-12-12 | Kopin Corporation | Transferred single crystal arrayed devices including a light shield for projection displays |
| JP3339696B2 (ja) * | 1991-02-20 | 2002-10-28 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
| US5489918A (en) * | 1991-06-14 | 1996-02-06 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for dynamically and adjustably generating active matrix liquid crystal display gray level voltages |
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| JPH07129127A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶表示装置の駆動方法及び装置 |
| JPH07134572A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動回路 |
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| US5706024A (en) * | 1995-08-02 | 1998-01-06 | Lg Semicon, Co., Ltd. | Driving circuit for liquid crystal display |
| US6078303A (en) * | 1996-12-19 | 2000-06-20 | Colorado Microdisplay, Inc. | Display system having electrode modulation to alter a state of an electro-optic layer |
| US6046716A (en) * | 1996-12-19 | 2000-04-04 | Colorado Microdisplay, Inc. | Display system having electrode modulation to alter a state of an electro-optic layer |
| US5969700A (en) * | 1997-07-07 | 1999-10-19 | Motorola, Inc. | Method of improving viewing angle and contrast of liquid crystal displays |
| JP2002297110A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Sanyo Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動方法 |
| JP2005080385A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | 情報処理装置及び情報処理装置のバッテリ残容量表示方法 |
| KR101293571B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 장치 |
| KR102651807B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2024-03-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 구동 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL169647B (nl) * | 1977-10-27 | 1982-03-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting met een vloeibaar kristal. |
| JPS55146489A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-14 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal matrix display unit |
| JPS5821793A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58174476A patent/JPS6066236A/ja active Granted
-
1984
- 1984-09-11 US US06/649,297 patent/US4675667A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-09-20 DE DE19843434594 patent/DE3434594A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3434594C2 (ja) | 1990-11-29 |
| DE3434594A1 (de) | 1985-04-11 |
| US4675667A (en) | 1987-06-23 |
| JPS6066236A (ja) | 1985-04-16 |
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