JPH0477971B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0477971B2 JPH0477971B2 JP59048796A JP4879684A JPH0477971B2 JP H0477971 B2 JPH0477971 B2 JP H0477971B2 JP 59048796 A JP59048796 A JP 59048796A JP 4879684 A JP4879684 A JP 4879684A JP H0477971 B2 JPH0477971 B2 JP H0477971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disk
- optical memory
- thin film
- optical
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は光デイスクに関し、特にレーザ光の熱
エネルギーにより光学特性の変化する光メモリ媒
体を用いた光メモリデイスクに関するものであ
る。
エネルギーにより光学特性の変化する光メモリ媒
体を用いた光メモリデイスクに関するものであ
る。
（従来技術）
レーザ光の熱エネルギー等を用いて屈折率ある
いは反射率等の光学特性を変化させることにより
情報が書き込まれ、光学効果により情報が読み出
される記録媒体すなわち光メモリ媒体が知られて
いる。
いは反射率等の光学特性を変化させることにより
情報が書き込まれ、光学効果により情報が読み出
される記録媒体すなわち光メモリ媒体が知られて
いる。
このような光メモリ媒体は、これまでTe、Te
化合物、熱可塑性樹脂、還元性酸化物、カルコゲ
ン化物等の物質からなる薄膜を、ガラス、ポリメ
チルメタクリレート（PMMA）、ポリカーボネー
ト（PC）等の可撓性のない硬質基板上に積層し
て形成されてきた。このようにして形成された光
メモリデイスクは高速アクセスの可能な高密度記
録媒体として優れたものと考えられている。
化合物、熱可塑性樹脂、還元性酸化物、カルコゲ
ン化物等の物質からなる薄膜を、ガラス、ポリメ
チルメタクリレート（PMMA）、ポリカーボネー
ト（PC）等の可撓性のない硬質基板上に積層し
て形成されてきた。このようにして形成された光
メモリデイスクは高速アクセスの可能な高密度記
録媒体として優れたものと考えられている。
しかしながら、このような光メモリデイスクを
製造する際には、予め最終形状に成形したガラス
等の基板を洗浄処理し、バツチ式蒸着法、反応性
高周波イオンプレーテイング法あるいはスピンコ
ート法によつて１枚ずつ薄膜形成しなければなら
ず、大量生産が不可能である。特に、下地処理層
もしくは保護層等を薄膜に設けて多層構造とした
場合あるいはトラツキング制御やアドレスを容易
にするために薄総に溝を形成した場合には生産性
が悪く、製作費が非常に高いものとなる。
製造する際には、予め最終形状に成形したガラス
等の基板を洗浄処理し、バツチ式蒸着法、反応性
高周波イオンプレーテイング法あるいはスピンコ
ート法によつて１枚ずつ薄膜形成しなければなら
ず、大量生産が不可能である。特に、下地処理層
もしくは保護層等を薄膜に設けて多層構造とした
場合あるいはトラツキング制御やアドレスを容易
にするために薄総に溝を形成した場合には生産性
が悪く、製作費が非常に高いものとなる。
（発明の目的）
本発明は上記従来技術の問題点に鑑み、生産性
が良く、製作費の安い光メモリデイスクを提供す
ることを目的とするものである。
が良く、製作費の安い光メモリデイスクを提供す
ることを目的とするものである。
（発明の構成および主たる作用）
本発明による光メモリデイスクは、可撓性を有
する基板の少なくとも片面上にレーザ光の熱エネ
ルギーにより光学特性が変化する記録薄膜を積層
して光メモリ媒体を形成し、この光メモリ媒体の
表裏両面に２枚の硬質支持デイスク（これらのう
ち、少なくとも前記記録薄膜上に密着されるもの
は光透過性を有する）を密着してなるものであ
る。
する基板の少なくとも片面上にレーザ光の熱エネ
ルギーにより光学特性が変化する記録薄膜を積層
して光メモリ媒体を形成し、この光メモリ媒体の
表裏両面に２枚の硬質支持デイスク（これらのう
ち、少なくとも前記記録薄膜上に密着されるもの
は光透過性を有する）を密着してなるものであ
る。
本発明において、「可撓性を有する基板」とは
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミドの如き
プラスチツク等、可撓性のある素材全てを意味す
るものであり、これらの素材のうち、特にガラス
転移温度が70℃以上のものを使用すると表面性が
優れ、好ましい。
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミドの如き
プラスチツク等、可撓性のある素材全てを意味す
るものであり、これらの素材のうち、特にガラス
転移温度が70℃以上のものを使用すると表面性が
優れ、好ましい。
本発明において、記録薄膜はTe、Te化合物、
熱可塑性樹脂、還元性酸化物、カルコゲン化物
等、光メモリ媒体として従来使用されていた物質
で形成することができる。光メモリ媒体はレーザ
光の熱エネルギーにより光学特性が感度良く変化
するものでなければならない。したがつて、記録
薄膜は均一かつ表面性良く形成する必要がある。
このためには、室温近傍以下の温度において、十
分な張力で保持された可撓性基板上に記憶薄膜を
真空蒸着法、スパツタリング法、反応性高周波イ
オンプレーテイング法等により成膜する方法が適
している。
熱可塑性樹脂、還元性酸化物、カルコゲン化物
等、光メモリ媒体として従来使用されていた物質
で形成することができる。光メモリ媒体はレーザ
光の熱エネルギーにより光学特性が感度良く変化
するものでなければならない。したがつて、記録
薄膜は均一かつ表面性良く形成する必要がある。
このためには、室温近傍以下の温度において、十
分な張力で保持された可撓性基板上に記憶薄膜を
真空蒸着法、スパツタリング法、反応性高周波イ
オンプレーテイング法等により成膜する方法が適
している。
このようにして得た光メモリ媒体を硬質支持デ
イスクで表裏両側から挾むことにより本発明の光
デイスクが得られる。本発明において、「硬質支
持デイスク」とは光メモリ媒体を支持するに十分
な硬さを有し、最終製品のデイスク状形状に対応
するように成形された材質を意味し、ガラスまた
は可撓性のないプラスチツク（たとえば、
PMMA等）がこれに含まれる。
イスクで表裏両側から挾むことにより本発明の光
デイスクが得られる。本発明において、「硬質支
持デイスク」とは光メモリ媒体を支持するに十分
な硬さを有し、最終製品のデイスク状形状に対応
するように成形された材質を意味し、ガラスまた
は可撓性のないプラスチツク（たとえば、
PMMA等）がこれに含まれる。
また本発明において、「溝付きデイスク」とは、
光メモリ媒体に形成されるべき記録および再生用
の溝（トラツク）に対応する溝が前記媒体と密着
する面に形成されている硬質支持デイスクを意味
するものである。
光メモリ媒体に形成されるべき記録および再生用
の溝（トラツク）に対応する溝が前記媒体と密着
する面に形成されている硬質支持デイスクを意味
するものである。
これらの硬質支持デイスクのうち、光メモリ媒
体の記録薄膜に密着されるデイスクは光透過性を
有する必要がある。本発明において、「光透過性」
とは記録時において記録薄膜の光学特性を変化さ
せるに十分な熱エネルギーを有するレーザ光を透
過し、かつ再生時において記録薄膜における光学
特性の差異を顕現させるに十分な読取光を透過す
る性質を意味する。ここで用いられるレーザ光お
よび読取光は従来の光メモリデイスクに用いられ
るものと同様のものである。
体の記録薄膜に密着されるデイスクは光透過性を
有する必要がある。本発明において、「光透過性」
とは記録時において記録薄膜の光学特性を変化さ
せるに十分な熱エネルギーを有するレーザ光を透
過し、かつ再生時において記録薄膜における光学
特性の差異を顕現させるに十分な読取光を透過す
る性質を意味する。ここで用いられるレーザ光お
よび読取光は従来の光メモリデイスクに用いられ
るものと同様のものである。
溝付き支持デイスクを使用し、光メモリ媒体に
溝を形成する場合には光メモリ媒体の可撓性を高
めるため、可撓性基板の厚さを20μｍ以下とし、
真空圧着法により表裏両側からデイスクを挾むこ
とが望ましいが、他の場合にはデイスクの使用上
支障のない程度に光メモリ媒体が支持される限り
において、いかなる方法で支持デイスクを密着さ
せてもよい。
溝を形成する場合には光メモリ媒体の可撓性を高
めるため、可撓性基板の厚さを20μｍ以下とし、
真空圧着法により表裏両側からデイスクを挾むこ
とが望ましいが、他の場合にはデイスクの使用上
支障のない程度に光メモリ媒体が支持される限り
において、いかなる方法で支持デイスクを密着さ
せてもよい。
可撓性基板の両面に記録薄膜を形成し、光透過
性を有する２枚の硬質支持デイスクで両側から挾
むことにより、両面において記録および再生が可
能な両面デイスクを製造することもできる。
性を有する２枚の硬質支持デイスクで両側から挾
むことにより、両面において記録および再生が可
能な両面デイスクを製造することもできる。
（発明の効果）
本発明の光メモリデイスクは、基板を可撓性と
した光メモリ媒体と硬質支持デイスクを組み合わ
せて使用しているので、従来のように硬質デイス
クに１枚ずつ薄膜形成することなく、大量生産す
ることが可能である。
した光メモリ媒体と硬質支持デイスクを組み合わ
せて使用しているので、従来のように硬質デイス
クに１枚ずつ薄膜形成することなく、大量生産す
ることが可能である。
また、本発明に使用される光メモリ媒体は基板
が可撓性を有するため、必要とされるデイスクの
形状に応じて容易に成形することが可能である。
したがつて、本発明の光メモリデイスクは生産性
を損なうことなく、様々な形状とすることができ
る。特に溝付きデイスクは、薄い基板を用いた光
メモリ媒体を溝付き支持デイスクに真空圧着する
ことにより、極めて容易に製造することが可能で
ある。
が可撓性を有するため、必要とされるデイスクの
形状に応じて容易に成形することが可能である。
したがつて、本発明の光メモリデイスクは生産性
を損なうことなく、様々な形状とすることができ
る。特に溝付きデイスクは、薄い基板を用いた光
メモリ媒体を溝付き支持デイスクに真空圧着する
ことにより、極めて容易に製造することが可能で
ある。
（実施態様）
以下、図面および実施例によつて本発明の実施
態様を説明する。
態様を説明する。
第１図は本発明の一実施態様による光メモリデ
イスクを示す側断面図である。
イスクを示す側断面図である。
この図面に示す光メモリデイスク１は可撓性基
板２Ａに記録薄膜２Ｂを積層してなる光メモリ媒
体２に硬質支持デイスク３Ａおよび３Ｂを密着し
てなるものであり、記録薄膜２Ｂに密着される硬
質支持デイスク３Ａは光透過性を有している。
板２Ａに記録薄膜２Ｂを積層してなる光メモリ媒
体２に硬質支持デイスク３Ａおよび３Ｂを密着し
てなるものであり、記録薄膜２Ｂに密着される硬
質支持デイスク３Ａは光透過性を有している。
このような光メモリデイスクに情報を記録する
際にはレーザ光４を照射し、その熱エネルギーに
よつて記録薄膜２Ｂの光学特性を情報に応じて変
化させる。このようにして記録された情報は読取
光ビーム５を記録薄膜２Ｂに照射し、その際に得
られる光学特性（例えば反射率）の変化を読取る
ことにより再生される。
際にはレーザ光４を照射し、その熱エネルギーに
よつて記録薄膜２Ｂの光学特性を情報に応じて変
化させる。このようにして記録された情報は読取
光ビーム５を記録薄膜２Ｂに照射し、その際に得
られる光学特性（例えば反射率）の変化を読取る
ことにより再生される。
第２図は本発明の別の実施態様を示す側断面図
である。
である。
この図面に示す溝付き光メモリデイスク１１は
可撓性基板１２Ａに記録薄膜１２Ｂを積層してな
る光メモリ媒体１２溝付き硬質支持デイスク１３
Ａ（光透過性）および１３Ｂを真空圧着してなる
ものである。このデイスクはレーザ光１４および
読取光ビーム１５の照射によつて、第１図に示し
たデイスクと同様に情報の記録および再生を行な
うことができる。
可撓性基板１２Ａに記録薄膜１２Ｂを積層してな
る光メモリ媒体１２溝付き硬質支持デイスク１３
Ａ（光透過性）および１３Ｂを真空圧着してなる
ものである。このデイスクはレーザ光１４および
読取光ビーム１５の照射によつて、第１図に示し
たデイスクと同様に情報の記録および再生を行な
うことができる。
第３図は本発明のもう１つの実施態様を示す側
断面図である。
断面図である。
この図面に示す光メモリデイスク２１は可撓性
基板２２Ａの表面および裏面に記録薄膜２２Ｂお
よび２２Ｃを積層してなる光メモリ媒体２２に光
透過性硬質支持デイスク２３Ａおよび２３Ｂを密
着してなるものである。このデイスクは表裏両面
に記録薄膜を設けた光メモリ媒体を使用している
ため、レーザ光２４Ａ，２４Ｂおよび読取光ビー
ム２５Ａ，２５Ｂの照射により、表裏両面におい
て情報の記録および再生が可能である。また前記
支持デイスク２３Ａおよび２３Ｂを溝付きデイス
クとすれば両面溝付きデイスクが得られる。
基板２２Ａの表面および裏面に記録薄膜２２Ｂお
よび２２Ｃを積層してなる光メモリ媒体２２に光
透過性硬質支持デイスク２３Ａおよび２３Ｂを密
着してなるものである。このデイスクは表裏両面
に記録薄膜を設けた光メモリ媒体を使用している
ため、レーザ光２４Ａ，２４Ｂおよび読取光ビー
ム２５Ａ，２５Ｂの照射により、表裏両面におい
て情報の記録および再生が可能である。また前記
支持デイスク２３Ａおよび２３Ｂを溝付きデイス
クとすれば両面溝付きデイスクが得られる。
以下、本発明の実施例を説明する。
実施例 １
真空蒸着装置において、100mm幅、80μｍ厚の
ポリエチレンテレフタレートフイルムを基板と
し、蒸着源としてTeO2のタングステン粉末（環
元剤）との混合物を石英製るつぼに入れ、これを
タングステンコイルヒータで約800℃まで通電加
熱した。装置内の真空度は１×10-5Torr程度に
維持した。基板フイルムを冷却キヤンに沿つて40
cm／minの速度で搬送すると表面性の良好な薄厚
1000Åの連続した薄膜が基板上に形成された。こ
の薄膜の組成はTeO1
ポリエチレンテレフタレートフイルムを基板と
し、蒸着源としてTeO2のタングステン粉末（環
元剤）との混合物を石英製るつぼに入れ、これを
タングステンコイルヒータで約800℃まで通電加
熱した。装置内の真空度は１×10-5Torr程度に
維持した。基板フイルムを冷却キヤンに沿つて40
cm／minの速度で搬送すると表面性の良好な薄厚
1000Åの連続した薄膜が基板上に形成された。こ
の薄膜の組成はTeO1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 可撓性を有する基板と、この基板の少なくと
も片面上に積層された、レーザ光の熱エネルギー
によつて光学特性が変化する記録薄膜とからなる
光メモリ媒体、およびこの光メモリ媒体の表裏両
面全体に密着された２枚の硬質支持デイスクから
なり、前記２枚の硬質支持デイスクのうち少なく
とも前記記録薄膜の上に密着された硬質支持デイ
スクが光透過性であることを特徴とする光メモリ
デイスク。 ２ 前記基板のガラス転移温度が70℃以上である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
メモリデイスク。 ３ 前記基板の厚さが20μｍ以下であり、前記硬
質支持デイスクが溝付きデイスクであつて前記光
メモリ媒体に真空圧着されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の光
メモリデイスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59048796A JPS60193144A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 光メモリデイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59048796A JPS60193144A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 光メモリデイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193144A JPS60193144A (ja) | 1985-10-01 |
| JPH0477971B2 true JPH0477971B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=12813187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59048796A Granted JPS60193144A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 光メモリデイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193144A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH061561B2 (ja) * | 1985-08-21 | 1994-01-05 | 株式会社日立製作所 | 光デイスク |
| NL8702493A (nl) * | 1986-10-31 | 1988-05-16 | Seiko Epson Corp | Optisch opnamemedium en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766538A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-22 | Toshiba Corp | Information storage medium |
| JPS5963039A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-10 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体 |
| JPS6099697A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-03 | Ricoh Co Ltd | 光学的記録媒体 |
-
1984
- 1984-03-14 JP JP59048796A patent/JPS60193144A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60193144A (ja) | 1985-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW411456B (en) | Optical recording medium, substrate for the same and stamper | |
| JPH11195243A (ja) | 多層光ディスク及び記録再生装置 | |
| US4583102A (en) | Optical disc and method of manufacturing | |
| JPS61258787A (ja) | 情報の記録媒体 | |
| JPH0963120A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPS60145543A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPS60257291A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JPH0477971B2 (ja) | ||
| JPH0660423A (ja) | 薄型光記録媒体 | |
| US6078558A (en) | Optical recording medium having two superimposed recording levels and corresponding recording device and reading process | |
| KR100309115B1 (ko) | 광학 정보 기록 매체 및 그 제조방법 | |
| JP3399033B2 (ja) | 光学的情報記録担体の製造方法 | |
| JPH08297859A (ja) | 光学ディスク | |
| JPH01298545A (ja) | 円盤型光情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS60197957A (ja) | 光デイスクメモリ | |
| JP4260929B2 (ja) | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2963516B2 (ja) | 光学的情報記録媒体用基板およびその製造方法 | |
| JPH02183443A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH03141050A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS6132238A (ja) | 高密度情報記録デイスク用担体の製造方法 | |
| JPH083912B2 (ja) | 新規な光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH08287527A (ja) | 貼り合わせ型の光ディスクの製造方法 | |
| JPH01151026A (ja) | 光記録媒体および光記録方法 | |
| KR100616232B1 (ko) | 고밀도광기록매체그리고그기록/재생장치및방법 | |
| JPH0553024B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |