JPH0963120A - 光学記録媒体 - Google Patents
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- JPH0963120A JPH0963120A JP7217746A JP21774695A JPH0963120A JP H0963120 A JPH0963120 A JP H0963120A JP 7217746 A JP7217746 A JP 7217746A JP 21774695 A JP21774695 A JP 21774695A JP H0963120 A JPH0963120 A JP H0963120A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射膜を有する情報記録層に対してその反射
膜の被着側の面からの光照射によって記録、再生を行う
場合において、低ノイズ化をはかるる。 【解決手段】 微細凹凸２が形成された基板１上に、イ
オンビームスパッタリングによる反射膜１３が形成され
て情報記録層１５が形成され、この反射膜１３上に透明
膜が被着形成された構成とする。
膜の被着側の面からの光照射によって記録、再生を行う
場合において、低ノイズ化をはかるる。 【解決手段】 微細凹凸２が形成された基板１上に、イ
オンビームスパッタリングによる反射膜１３が形成され
て情報記録層１５が形成され、この反射膜１３上に透明
膜が被着形成された構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学記録媒体に係
わる。
わる。
【０００２】
【従来の技術】従来の光学記録媒体例えばＲＯＭ（Read
Only Memory) 型光ディスクのコンパクトディスクは、
図８にその断面図を示すように、例えば厚さ１．２μｍ
という比較的厚いガラス、プラスチック例えばポリカー
ボネート（以下ＰＣという）等よりなる透明の基板１の
一方の面に例えばデータ情報に応じた位相記録ピット、
トラッキング用のプリグルーブ等の微細凹凸２が例えば
射出成形によって形成され、これの上にＡｌ等の金属の
真空蒸着あるいはスパッタリングによる反射膜３が被着
形成されて情報記録層が形成される。そして、この情報
記録層の反射膜３上に例えば厚さが０．１ｍｍという基
板１に比して格段に薄い光硬化性樹脂一般に紫外線硬化
樹脂による保護膜４が被覆されてなる。
Only Memory) 型光ディスクのコンパクトディスクは、
図８にその断面図を示すように、例えば厚さ１．２μｍ
という比較的厚いガラス、プラスチック例えばポリカー
ボネート（以下ＰＣという）等よりなる透明の基板１の
一方の面に例えばデータ情報に応じた位相記録ピット、
トラッキング用のプリグルーブ等の微細凹凸２が例えば
射出成形によって形成され、これの上にＡｌ等の金属の
真空蒸着あるいはスパッタリングによる反射膜３が被着
形成されて情報記録層が形成される。そして、この情報
記録層の反射膜３上に例えば厚さが０．１ｍｍという基
板１に比して格段に薄い光硬化性樹脂一般に紫外線硬化
樹脂による保護膜４が被覆されてなる。
【０００３】この構成による光ディスクは、その基板１
を光照射面とする。すなわち、この光ディスクの情報記
録層に対する光学的情報の読み出しは、厚さの大なる透
明基板１側からの光照射すなわちレーザー光Ｌの照射を
行って情報記録層の微細凹凸２によって生じる光の干渉
によって情報の読み出しを行う。
を光照射面とする。すなわち、この光ディスクの情報記
録層に対する光学的情報の読み出しは、厚さの大なる透
明基板１側からの光照射すなわちレーザー光Ｌの照射を
行って情報記録層の微細凹凸２によって生じる光の干渉
によって情報の読み出しを行う。
【０００４】このように、基板１側からの光照射によっ
て情報の読み出しを行うのは、光ディスク表面に塵埃、
傷等が存在している場合、この読み出し光の入射面とな
る表面からの距離が或る程度大である方が、塵埃、傷等
の存在による照射光への影響、すなわちノイズの影響が
小さいと考えられたことによる。しかしながら、この場
合、光ディスクの傾きいわゆるスキューによって発生す
る読み取りレーザー光スポットのコマ収差は、光透過層
の厚さに比例することから、上述したように比較的厚い
透明の基板１側からレーザー光照射を行うことは、高記
録密度化を阻害する。
て情報の読み出しを行うのは、光ディスク表面に塵埃、
傷等が存在している場合、この読み出し光の入射面とな
る表面からの距離が或る程度大である方が、塵埃、傷等
の存在による照射光への影響、すなわちノイズの影響が
小さいと考えられたことによる。しかしながら、この場
合、光ディスクの傾きいわゆるスキューによって発生す
る読み取りレーザー光スポットのコマ収差は、光透過層
の厚さに比例することから、上述したように比較的厚い
透明の基板１側からレーザー光照射を行うことは、高記
録密度化を阻害する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな光ディスク等の光学記録媒体において、上述したそ
の表面の塵埃、傷等の存在によるノイズは、信号の処理
によって排除することができることから、高記録密度化
をはかる上では、図９に示すように、保護膜４を透明膜
とし、この厚さが薄い保護膜（透明膜）４側からの光照
射すなわちレーザー光照射を行って微細凹凸２からの情
報の読み出しを行うようにすることが望まれる。
うな光ディスク等の光学記録媒体において、上述したそ
の表面の塵埃、傷等の存在によるノイズは、信号の処理
によって排除することができることから、高記録密度化
をはかる上では、図９に示すように、保護膜４を透明膜
とし、この厚さが薄い保護膜（透明膜）４側からの光照
射すなわちレーザー光照射を行って微細凹凸２からの情
報の読み出しを行うようにすることが望まれる。
【０００６】ところが、上述したような光ディスクす等
の光学記録媒体において、その厚さの小さい保護膜４側
からの光照射によって、記録情報の読み出しもしくは記
録を、上述した表面の塵埃、傷等の影響によるノイズの
排除を行っても、実際問題として、ノイズの改善は充分
はかれない。
の光学記録媒体において、その厚さの小さい保護膜４側
からの光照射によって、記録情報の読み出しもしくは記
録を、上述した表面の塵埃、傷等の影響によるノイズの
排除を行っても、実際問題として、ノイズの改善は充分
はかれない。
【０００７】本発明者は、このノイズの発生の１つの大
きな原因が、反射膜にあることを究明した。すなわち、
上述したように、例えば射出成形によって形成した微細
凹凸２の成形面側に真空蒸着、スパッタリング等によっ
て形成した反射膜３は、図１０に模式的に示すように、
微細凹凸面２側においてはその成形面の表面性に依存す
る光学的に比較的良好な面として形成されるが、これと
は反対側反射膜３の表面側の面、すなわち真空蒸着、ス
パッタリング等による例えばＡｌ粒子の飛来によって堆
積された表面は、Ａｌ粒子の堆積による不規則な、表面
性に劣る面となる。したがって、この表面性に劣る面側
を光照射側として、例えば情報の読み出しを行った場
合、この表面は、これに対する照射光例えば半導体レー
ザ光Ｌの波長（６３０ｎｍ〜８００ｎｍ）に比較して充
分に平坦ではなく、特に真空蒸着によって形成したＡｌ
蒸着膜では、そのＡｌ粒子径が５０ｎｍ〜１００ｎｍに
およぶことから、その深さが１００ｎｍ程度の微細凹凸
２に対する形状への影響が大きい。また、このＡｌ蒸着
は、１０-1ｅＶオーダーの低いエネルギーで飛来する粒
子の堆積によって形成されることから、粒子の配向性が
悪く、膜の表面での光の散乱が大きく、このため大きな
ノイズの発生を生じさせるものであることを究明した。
きな原因が、反射膜にあることを究明した。すなわち、
上述したように、例えば射出成形によって形成した微細
凹凸２の成形面側に真空蒸着、スパッタリング等によっ
て形成した反射膜３は、図１０に模式的に示すように、
微細凹凸面２側においてはその成形面の表面性に依存す
る光学的に比較的良好な面として形成されるが、これと
は反対側反射膜３の表面側の面、すなわち真空蒸着、ス
パッタリング等による例えばＡｌ粒子の飛来によって堆
積された表面は、Ａｌ粒子の堆積による不規則な、表面
性に劣る面となる。したがって、この表面性に劣る面側
を光照射側として、例えば情報の読み出しを行った場
合、この表面は、これに対する照射光例えば半導体レー
ザ光Ｌの波長（６３０ｎｍ〜８００ｎｍ）に比較して充
分に平坦ではなく、特に真空蒸着によって形成したＡｌ
蒸着膜では、そのＡｌ粒子径が５０ｎｍ〜１００ｎｍに
およぶことから、その深さが１００ｎｍ程度の微細凹凸
２に対する形状への影響が大きい。また、このＡｌ蒸着
は、１０-1ｅＶオーダーの低いエネルギーで飛来する粒
子の堆積によって形成されることから、粒子の配向性が
悪く、膜の表面での光の散乱が大きく、このため大きな
ノイズの発生を生じさせるものであることを究明した。
【０００８】本発明においては、このような不都合を回
避することのできるすなわち反射膜の被着側の面言い換
えれば、この反射膜上に形成される厚さが薄い透明膜側
からの光照射によっても良好に、すなわち低ノイズをも
って光学的に記録情報の読み出しないしは光記録を行う
ことができるようにする。
避することのできるすなわち反射膜の被着側の面言い換
えれば、この反射膜上に形成される厚さが薄い透明膜側
からの光照射によっても良好に、すなわち低ノイズをも
って光学的に記録情報の読み出しないしは光記録を行う
ことができるようにする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による光学記録媒
体は、微細凹凸が形成された基板上に、イオンビームス
パッタリングによる反射膜が形成されて情報記録層が形
成され、この反射膜上に透明膜が被着形成された構成と
する。
体は、微細凹凸が形成された基板上に、イオンビームス
パッタリングによる反射膜が形成されて情報記録層が形
成され、この反射膜上に透明膜が被着形成された構成と
する。
【００１０】このように、本発明では、イオンビームス
パッタリングによる反射膜構成とするものであり、この
場合その表面性は極めて良好緻密であることから、この
反射膜の表面側から、すなわち透明膜側を光照射面とし
て光照射を行って上記微細凹凸からの情報の読み出し、
もしくは光記録を行う場合においても、ノイズの発生を
効果的に回避できるものである。
パッタリングによる反射膜構成とするものであり、この
場合その表面性は極めて良好緻密であることから、この
反射膜の表面側から、すなわち透明膜側を光照射面とし
て光照射を行って上記微細凹凸からの情報の読み出し、
もしくは光記録を行う場合においても、ノイズの発生を
効果的に回避できるものである。
【００１１】尚、本明細書でいう透明とは、この光学記
録媒体に対する情報の記録ないしは読み出しに照射され
る光の波長に対して高い光透過率を示すことをいう。
録媒体に対する情報の記録ないしは読み出しに照射され
る光の波長に対して高い光透過率を示すことをいう。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明による光学記録媒体の具体
的な実施形態を図１の概略断面図を参照して説明する。
この例では、ＲＯＭ型の光ディスクに適用する場合につ
いて主として説明するが、本発明は、このような光ディ
スクや、形状に限られるものではなく、例えば光磁気デ
ィスク、相変化ディスク、そのほかカード状、シート状
等の微細凹凸を情報記録層に有する各種光学記録媒体に
適用できることはいうまでもない。
的な実施形態を図１の概略断面図を参照して説明する。
この例では、ＲＯＭ型の光ディスクに適用する場合につ
いて主として説明するが、本発明は、このような光ディ
スクや、形状に限られるものではなく、例えば光磁気デ
ィスク、相変化ディスク、そのほかカード状、シート状
等の微細凹凸を情報記録層に有する各種光学記録媒体に
適用できることはいうまでもない。
【００１３】図１において、１０は本発明による光学記
録媒体例えば光ディスクを全体として示す。この場合、
透明であることを問わないディスク状の基板１の一主面
に、データ情報のピット、トラッキング用等のグルーブ
等の微細凹凸２が形成され、これの上に例えばＡｌを特
にイオンビームスパッタリングによって形成してなる反
射膜１３が形成されて情報記録層１５が構成され、これ
の上にその厚さが例えば厚さ０．１ｍｍという薄い厚さ
の保護膜としての透明膜１４が被着されてなる。
録媒体例えば光ディスクを全体として示す。この場合、
透明であることを問わないディスク状の基板１の一主面
に、データ情報のピット、トラッキング用等のグルーブ
等の微細凹凸２が形成され、これの上に例えばＡｌを特
にイオンビームスパッタリングによって形成してなる反
射膜１３が形成されて情報記録層１５が構成され、これ
の上にその厚さが例えば厚さ０．１ｍｍという薄い厚さ
の保護膜としての透明膜１４が被着されてなる。
【００１４】この光学記録媒体すなわち光ディスク１０
に対してその透明膜１４側を光照射面すなわち半導体レ
ーザ光Ｌによる光照射面として情報記録層１５の微細凹
凸２による記録情報の読み出しを行う。
に対してその透明膜１４側を光照射面すなわち半導体レ
ーザ光Ｌによる光照射面として情報記録層１５の微細凹
凸２による記録情報の読み出しを行う。
【００１５】この光ディスクの製造方法の一例を図２の
工程図を参照して説明する。この場合、図２Ａに示すよ
うに、一方の面に上述した微細凹凸２が形成された例え
ば厚さ１．２ｍｍの基板１を、例えばＰＣによる射出成
形によって形成する。
工程図を参照して説明する。この場合、図２Ａに示すよ
うに、一方の面に上述した微細凹凸２が形成された例え
ば厚さ１．２ｍｍの基板１を、例えばＰＣによる射出成
形によって形成する。
【００１６】図２Ｂに示すように、微細凹凸２の表面に
Ａｌのイオンビームスパッタリングによって例えば厚さ
６０ｎｍの反射膜１３を形成する。
Ａｌのイオンビームスパッタリングによって例えば厚さ
６０ｎｍの反射膜１３を形成する。
【００１７】図２Ｃに示すように、反射膜１３上に、こ
れを保護する保護膜となる透明膜１４を被着形成する。
この透明保護膜１４の形成は、例えば光硬化性樹脂例え
ば紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）をスピンコート等によ
って塗布し、全面的露光硬化を行って形成するとか、非
晶質カーボン等の光学的に透明な膜をスパッタや、ＣＶ
Ｄ（化学的気相成長）法によって形成する。あるいは
０．１ｍｍの厚さのＰＣフィルムもしくはガラス基板等
をＵＶレジンによって接合して形成できる。
れを保護する保護膜となる透明膜１４を被着形成する。
この透明保護膜１４の形成は、例えば光硬化性樹脂例え
ば紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）をスピンコート等によ
って塗布し、全面的露光硬化を行って形成するとか、非
晶質カーボン等の光学的に透明な膜をスパッタや、ＣＶ
Ｄ（化学的気相成長）法によって形成する。あるいは
０．１ｍｍの厚さのＰＣフィルムもしくはガラス基板等
をＵＶレジンによって接合して形成できる。
【００１８】反射膜１３の形成は、上述したように例え
ばＡｌを用いて特にイオンビームスパッタリングによっ
て行うものであり、このイオンビームスパッタリング装
置は、その一例の概略構成を図３に示すように、真空容
器５１内にＡｌターゲット５２と、これに対向して基板
１が配置されるようになされ、この基板１およびターゲ
ット５２が配置された容器５１とメッシュ電極５３によ
って区分された例えばＡｒプラズマを形成するプラズマ
発生室５４が設けられ、此処で生成されたＡｒイオンを
加速してＡｌターゲット５２に衝撃し、これによってＡ
ｌ粒子を飛翔させ、この飛翔Ａｌ粒子を基板１上に堆積
させるものである。この場合、真空容器５１内の真空度
を、５×１０-5 [Pa] 以下とし、プラズマ発生室５４に
Ａｒガスを毎秒８ｃｃの流量をもって導入して電離を行
い、Ａｒイオン注入を発生させる。このＡｒを電場で加
速して３００〜２０００ｅＶ程度のエネルギーをもって
イオン源のターゲット５２に衝撃させる。Ａｌターゲッ
ト５２は、純粋のＡｌもしくはＴｉ，Ｓｉ等の元素を微
量に混合したターゲットとすることもできる。
ばＡｌを用いて特にイオンビームスパッタリングによっ
て行うものであり、このイオンビームスパッタリング装
置は、その一例の概略構成を図３に示すように、真空容
器５１内にＡｌターゲット５２と、これに対向して基板
１が配置されるようになされ、この基板１およびターゲ
ット５２が配置された容器５１とメッシュ電極５３によ
って区分された例えばＡｒプラズマを形成するプラズマ
発生室５４が設けられ、此処で生成されたＡｒイオンを
加速してＡｌターゲット５２に衝撃し、これによってＡ
ｌ粒子を飛翔させ、この飛翔Ａｌ粒子を基板１上に堆積
させるものである。この場合、真空容器５１内の真空度
を、５×１０-5 [Pa] 以下とし、プラズマ発生室５４に
Ａｒガスを毎秒８ｃｃの流量をもって導入して電離を行
い、Ａｒイオン注入を発生させる。このＡｒを電場で加
速して３００〜２０００ｅＶ程度のエネルギーをもって
イオン源のターゲット５２に衝撃させる。Ａｌターゲッ
ト５２は、純粋のＡｌもしくはＴｉ，Ｓｉ等の元素を微
量に混合したターゲットとすることもできる。
【００１９】このイオンビームスパッタリングによって
形成したＡｌ膜による反射膜１３は、図４にその堆積状
態を模式的に示すように、Ａｌ膜の配向がその被着面と
平行に（１１１）面として生成されるものであり、した
がって、この反射膜は、微細凹凸２の上面、底面、側面
の各部において一様な膜質および厚さを有し、かつ被着
表面は各部において平坦な表面性にすぐれた緻密な膜と
なる。
形成したＡｌ膜による反射膜１３は、図４にその堆積状
態を模式的に示すように、Ａｌ膜の配向がその被着面と
平行に（１１１）面として生成されるものであり、した
がって、この反射膜は、微細凹凸２の上面、底面、側面
の各部において一様な膜質および厚さを有し、かつ被着
表面は各部において平坦な表面性にすぐれた緻密な膜と
なる。
【００２０】このようにして、図１に示すように、微細
凹凸２上に反射膜１３が形成されたを有する光学記録媒
体１０例えば光ディスクに対して、反射膜１３の被着表
面側、すなわち基板１とは反対側の、小なる厚さとされ
た透明膜１４側からレーザー光Ｌの照射によってその情
報記録層１５からの情報の読み出しを行う。つまり、こ
の情報記録層１５に対する光照射を、反射膜１３の表面
側から行う。
凹凸２上に反射膜１３が形成されたを有する光学記録媒
体１０例えば光ディスクに対して、反射膜１３の被着表
面側、すなわち基板１とは反対側の、小なる厚さとされ
た透明膜１４側からレーザー光Ｌの照射によってその情
報記録層１５からの情報の読み出しを行う。つまり、こ
の情報記録層１５に対する光照射を、反射膜１３の表面
側から行う。
【００２１】このように、情報記録層１５に対する光照
射を反射膜１３の表面側から行うにもかかわらず、本発
明構成による光ディスクすなわち光学記録媒体１０にお
いては、この反射膜１３が上述したように、表面性にす
ぐれていることから、この反射膜１３に起因するノイズ
の問題は効果的に回避される。
射を反射膜１３の表面側から行うにもかかわらず、本発
明構成による光ディスクすなわち光学記録媒体１０にお
いては、この反射膜１３が上述したように、表面性にす
ぐれていることから、この反射膜１３に起因するノイズ
の問題は効果的に回避される。
【００２２】そして、光学記録媒体１０の照射光、例え
ばレーザー光の入射面と、情報記録層１５との距離が小
とされたことから、冒頭に述べたスキュウによるコマ収
差の改善をはかることができ、高記録密度化、低ノイズ
化をはかることかできる。
ばレーザー光の入射面と、情報記録層１５との距離が小
とされたことから、冒頭に述べたスキュウによるコマ収
差の改善をはかることができ、高記録密度化、低ノイズ
化をはかることかできる。
【００２３】また、上述した例においては、射出成形に
よって基板１とともに微細凹凸２の形成を行った場合で
あるが、基板上に光硬化性樹脂による光重合法いわゆる
２Ｐ法（Photopolymerization 法) によって形成するこ
ともできる。
よって基板１とともに微細凹凸２の形成を行った場合で
あるが、基板上に光硬化性樹脂による光重合法いわゆる
２Ｐ法（Photopolymerization 法) によって形成するこ
ともできる。
【００２４】また、本発明は、情報の記録容量の大容量
化をはかって複数の情報記録層が積層されて構成された
多層光学記録媒体に適用することもできる。この場合、
そのドライブ装置の簡略化をはかって、また、各情報記
録層に関して連続的にその記録もしくは（および）再生
を行って、各情報記録層に関して光学ヘッドを共通化で
きる構成とすることが望まれる。
化をはかって複数の情報記録層が積層されて構成された
多層光学記録媒体に適用することもできる。この場合、
そのドライブ装置の簡略化をはかって、また、各情報記
録層に関して連続的にその記録もしくは（および）再生
を行って、各情報記録層に関して光学ヘッドを共通化で
きる構成とすることが望まれる。
【００２５】本発明は、このように、その再生ないしは
記録を同一側から行うことができるようにした多層光学
記録媒体に適用することができる。図５は、２層光学記
録媒体１０に適用した場合の概略断面図である。この場
合、それぞれデータ情報のピット、トラッキング用グル
ーブ等の第１および第２の微細凹凸２１および２２を有
する第１および第２の情報記録層１５１および１５２が
積層された構成とした場合である。
記録を同一側から行うことができるようにした多層光学
記録媒体に適用することができる。図５は、２層光学記
録媒体１０に適用した場合の概略断面図である。この場
合、それぞれデータ情報のピット、トラッキング用グル
ーブ等の第１および第２の微細凹凸２１および２２を有
する第１および第２の情報記録層１５１および１５２が
積層された構成とした場合である。
【００２６】この２層光学記録媒体１０の製造方法の一
例を説明すると、この場合、例えば図６に示すように、
それぞれ上述した例えば射出成形あるいは２Ｐ法によっ
てそれぞれ第１および第２の微細凹凸２１および２２が
各一主面に形成された第１および第２の基板１Ａおよび
１Ｂを作製する。そして、この場合少なくとも第２の基
板１Ｂを透明基板とする。
例を説明すると、この場合、例えば図６に示すように、
それぞれ上述した例えば射出成形あるいは２Ｐ法によっ
てそれぞれ第１および第２の微細凹凸２１および２２が
各一主面に形成された第１および第２の基板１Ａおよび
１Ｂを作製する。そして、この場合少なくとも第２の基
板１Ｂを透明基板とする。
【００２７】第１の微細凹凸２１を有する第１の基板１
Ａの主面に、前述したイオンビームスパッタリングによ
る例えばＡｌ膜による反射膜１３を例えば６０ｎｍの厚
さに形成して第１の情報記録層１５１を形成する。
Ａの主面に、前述したイオンビームスパッタリングによ
る例えばＡｌ膜による反射膜１３を例えば６０ｎｍの厚
さに形成して第１の情報記録層１５１を形成する。
【００２８】第２の微細凹凸２２を有する第２の基板１
Ｂの主面には、半透明膜２３を、例えばＳｉＮを６０ｎ
ｍの厚さにあるいはＳｉを１０〜１５ｎｍの厚さに例え
ばイオンビームスパッタリングによってあるいは通常の
スパッタリングによって被着形成して、第２の情報記録
層１５２を形成する。
Ｂの主面には、半透明膜２３を、例えばＳｉＮを６０ｎ
ｍの厚さにあるいはＳｉを１０〜１５ｎｍの厚さに例え
ばイオンビームスパッタリングによってあるいは通常の
スパッタリングによって被着形成して、第２の情報記録
層１５２を形成する。
【００２９】そして、これら基板１Ａおよび１Ｂをそれ
ぞれ情報記録層１５１および１５２が形成された側を、
互いに対向圧着させて両者間に透明の光硬化性樹脂３３
１例えば紫外線硬化樹脂を介して合致させ、図７に示す
ように、光硬化性樹脂３３１硬化させる例えば紫外線ラ
ンプ３０によって照射して硬化し、厚さが３０〜６０μ
ｍ例えば４０μｍの透明膜１４この例では透明中間膜が
介在された図５に示す第１および第２の情報記録層１５
１および１５２が積層されてなる２層光学記録媒体１０
を構成する。
ぞれ情報記録層１５１および１５２が形成された側を、
互いに対向圧着させて両者間に透明の光硬化性樹脂３３
１例えば紫外線硬化樹脂を介して合致させ、図７に示す
ように、光硬化性樹脂３３１硬化させる例えば紫外線ラ
ンプ３０によって照射して硬化し、厚さが３０〜６０μ
ｍ例えば４０μｍの透明膜１４この例では透明中間膜が
介在された図５に示す第１および第２の情報記録層１５
１および１５２が積層されてなる２層光学記録媒体１０
を構成する。
【００３０】この２層光学記録媒体１０に対する各情報
記録層１５１および１５２に対する例えば情報読み出し
光の例えば半導体レーザー光Ｌの照射は、共に第２の透
明の基板１Ｂ側からなされる。そして、第２の情報記録
層１５２に対する読み出しは、例えば図５中実線で示す
ように、レーザー光Ｌを第２の情報記録層１５２にフォ
ーカシングさせることによって、また第１の情報記録層
１５１に対する読み出しは、例えば図５中に破線で示す
ように、レーザー光Ｌを透明膜を１４側から第１の情報
記録層１５１にフォーカシングさせることによってなさ
れる。
記録層１５１および１５２に対する例えば情報読み出し
光の例えば半導体レーザー光Ｌの照射は、共に第２の透
明の基板１Ｂ側からなされる。そして、第２の情報記録
層１５２に対する読み出しは、例えば図５中実線で示す
ように、レーザー光Ｌを第２の情報記録層１５２にフォ
ーカシングさせることによって、また第１の情報記録層
１５１に対する読み出しは、例えば図５中に破線で示す
ように、レーザー光Ｌを透明膜を１４側から第１の情報
記録層１５１にフォーカシングさせることによってなさ
れる。
【００３１】この場合、第１の情報記録層１５１に関し
ては、その反射膜１３の表面側からのレーザー光照射に
よってなされることになるが、この場合においてもその
反射膜１３の表面は、上述したように、表面性にすぐれ
ていることから、この反射膜に起因するノイズの発生を
効果的に回避できるものである。
ては、その反射膜１３の表面側からのレーザー光照射に
よってなされることになるが、この場合においてもその
反射膜１３の表面は、上述したように、表面性にすぐれ
ていることから、この反射膜に起因するノイズの発生を
効果的に回避できるものである。
【００３２】尚、上述したところは、主としてＲＯＭ型
の光ディスクにかかわる光学記録媒体であるが、本発明
は、この光ディスクに限らず、反射膜が形成される光学
記録媒体例えば光磁気記録媒体、相変化光学記録媒体等
に適用することもでき、また、情報記録層が２層の光学
記録媒体に限られるものではなく３層以上多層光学記録
媒体に本発明を適用することもできるなど上述した構成
例に限られず種々の変形変更を行うことができる。
の光ディスクにかかわる光学記録媒体であるが、本発明
は、この光ディスクに限らず、反射膜が形成される光学
記録媒体例えば光磁気記録媒体、相変化光学記録媒体等
に適用することもでき、また、情報記録層が２層の光学
記録媒体に限られるものではなく３層以上多層光学記録
媒体に本発明を適用することもできるなど上述した構成
例に限られず種々の変形変更を行うことができる。
【００３３】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、情報
記録層の反射膜の表面側からの光照射によって、情報記
録層に対する再生、さらに或る場合は記録を行う構成と
する場合においても、この反射膜に起因するノイズの発
生を効果的に回避できる。
記録層の反射膜の表面側からの光照射によって、情報記
録層に対する再生、さらに或る場合は記録を行う構成と
する場合においても、この反射膜に起因するノイズの発
生を効果的に回避できる。
【００３４】したがって、例えば情報記録層に対する光
照射を、この情報記録層を構成する微細凹凸上の反射膜
上に形成した薄い透明膜１４から行って、スキュウの影
響によるコマ収差の低減化をはかることができることか
ら高記録密度化をはかることができるとか、また情報記
録層が複数形成された多層光学記録媒体において、媒体
の同一側から各情報記録層に対して光学的に再生もしく
は記録を行った場合において、低ノイズ化をはかること
ができる。
照射を、この情報記録層を構成する微細凹凸上の反射膜
上に形成した薄い透明膜１４から行って、スキュウの影
響によるコマ収差の低減化をはかることができることか
ら高記録密度化をはかることができるとか、また情報記
録層が複数形成された多層光学記録媒体において、媒体
の同一側から各情報記録層に対して光学的に再生もしく
は記録を行った場合において、低ノイズ化をはかること
ができる。
【００３５】上述したように、本発明によれば、低ノイ
ズ化、したがってＳ／ＮないしはＣ／Ｎの向上をはかる
ことができる。
ズ化、したがってＳ／ＮないしはＣ／Ｎの向上をはかる
ことができる。
【図１】本発明による光学記録媒体の一例の概略断面図
である。
である。
【図２】Ａ，ＢおよびＣはそれぞれ本発明による光学記
録媒体の製造工程図である。
録媒体の製造工程図である。
【図３】本発明による光学記録媒体の作製に適用する反
射膜の形成装置の構成図である。
射膜の形成装置の構成図である。
【図４】本発明による光学記録媒体の反射膜の模式的断
面図である。
面図である。
【図５】本発明による光学記録媒体の他の例の概略断面
図である。
図である。
【図６】本発明による図５で示した光学記録媒体の製造
工程図である。
工程図である。
【図７】本発明による図５で示した光学記録媒体の製造
工程図である。
工程図である。
【図８】従来の光学記録媒体の概略断面図である。
【図９】本発明の説明に供する光学記録媒体の概略断面
図である。
図である。
【図１０】従来の光学記録媒体における反射面膜の模式
的断面図である。
的断面図である。
１ 基板 ２ 微細凹凸 ２１ 第１の微細凹凸 ２２ 第２の微細凹凸 ３，１３ 反射膜 １４ 透明膜 ３３ 半透明膜 １５ 情報記録層 １５１ 第１の情報記録層 １５２ 第２の情報記録層
Claims (3)
- 【請求項１】 微細凹凸が形成された基板上に、イオン
ビームスパッタリングによる反射膜が形成されて情報記
録層が形成され、 上記反射膜上に透明膜が被着形成されたことを特徴とす
る光学記録媒体。 - 【請求項２】 上記保護膜側を光照射面側としたことを
特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光学記録媒体による第
１の光学記録媒体に、微細凹凸が形成された情報記録層
が積層形成されてなることを特徴とする請求項１に記載
の光学記録媒体。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7217746A JPH0963120A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 光学記録媒体 |
| SG1996010473A SG42432A1 (en) | 1995-08-25 | 1996-08-19 | Optical recording medium |
| EP96113347A EP0762405B1 (en) | 1995-08-25 | 1996-08-20 | Optical recording medium |
| DE69613641T DE69613641T2 (de) | 1995-08-25 | 1996-08-20 | Optisches Aufzeichnungsmedium |
| US08/701,167 US5907534A (en) | 1995-08-25 | 1996-08-21 | Optical recording medium |
| CN96111417A CN1087467C (zh) | 1995-08-25 | 1996-08-23 | 光学记录介质 |
| MYPI96003507A MY118028A (en) | 1995-08-25 | 1996-08-23 | Optical recording medium. |
| KR1019960035343A KR100463624B1 (ko) | 1995-08-25 | 1996-08-24 | 광기록매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7217746A JPH0963120A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963120A true JPH0963120A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16709108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7217746A Abandoned JPH0963120A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 光学記録媒体 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5907534A (ja) |
| EP (1) | EP0762405B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0963120A (ja) |
| KR (1) | KR100463624B1 (ja) |
| CN (1) | CN1087467C (ja) |
| DE (1) | DE69613641T2 (ja) |
| MY (1) | MY118028A (ja) |
| SG (1) | SG42432A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100888179B1 (ko) * | 2000-09-29 | 2009-03-10 | 파나소닉 주식회사 | 광디스크와 그 제작 방법 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10326435A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-12-08 | Sony Corp | 光学記録媒体及び光学ディスク装置 |
| US5972459A (en) * | 1997-04-25 | 1999-10-26 | Sony Corporation | Optical recording medium and optical disk apparatus |
| WO1999000794A1 (en) * | 1997-06-27 | 1999-01-07 | Sony Corporation | Optical recording medium and optical disk device |
| JPH11296904A (ja) | 1998-04-03 | 1999-10-29 | Toshiba Corp | 情報記録媒体およびこれに用いられる樹脂基板の製造方法 |
| JP2000235732A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-29 | Sony Corp | 多層光ディスク |
| US6511788B1 (en) | 1999-02-12 | 2003-01-28 | Sony Corporation | Multi-layered optical disc |
| JP2001093197A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的記録媒体製造装置 |
| DE60118105T2 (de) * | 2000-01-14 | 2006-08-31 | Pioneer Corp. | Beschreibbare optische Platte und Aufzeichnungsverfahren |
| CN1266690C (zh) * | 2000-05-11 | 2006-07-26 | 日本胜利株式会社 | 信息记录载体 |
| WO2002099796A1 (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-stack optical data storage medium and use of such a medium |
| JP2003127353A (ja) | 2001-08-10 | 2003-05-08 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
| JP2008097802A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Tdk Corp | 多層光記録媒体及び多層光記録媒体への記録方法 |
| JP2008107660A (ja) | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5174438A (ja) * | 1974-12-25 | 1976-06-28 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | Toratsukumikisaashani okeru doramukudosochi |
| JPH03268243A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-28 | Sony Corp | 光ディスク |
| JPH0589517A (ja) * | 1991-09-25 | 1993-04-09 | Sony Corp | 光デイスク |
| JPH05174438A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Kao Corp | 光記録媒体 |
| JPH06139637A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH0765414A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Hitachi Ltd | 情報記録用媒体 |
| JPH08203125A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Pioneer Electron Corp | 貼り合わせ型光ディスク及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP7217746A patent/JPH0963120A/ja not_active Abandoned
-
1996
- 1996-08-19 SG SG1996010473A patent/SG42432A1/en unknown
- 1996-08-20 DE DE69613641T patent/DE69613641T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-20 EP EP96113347A patent/EP0762405B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-21 US US08/701,167 patent/US5907534A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-23 MY MYPI96003507A patent/MY118028A/en unknown
- 1996-08-23 CN CN96111417A patent/CN1087467C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-24 KR KR1019960035343A patent/KR100463624B1/ko not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| KR100888179B1 (ko) * | 2000-09-29 | 2009-03-10 | 파나소닉 주식회사 | 광디스크와 그 제작 방법 |
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| EP0762405A3 (en) | 1997-11-12 |
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| DE69613641T2 (de) | 2002-05-16 |
| EP0762405A2 (en) | 1997-03-12 |
| EP0762405B1 (en) | 2001-07-04 |
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| KR970012410A (ko) | 1997-03-29 |
| SG42432A1 (en) | 1997-08-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050308 |
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| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050428 |